Пожела — Автор (original) (raw)
Пожела
Устройство для стимуляции процессов жизнедеятельности в живых тканях
Номер патента: 1426584
Опубликовано: 30.09.1988
Авторы: Буткус, Микалаускас, Паужа, Пожела
МПК: A61H 39/00, A61N 1/42
Метки: живых, жизнедеятельности, процессов, стимуляции, тканях
...четырехугольной пирамиды с открытым рабочимторцом 5, внутри волновода расположен согласующий элемент 6, выполненный в виде четырехугольной пирамидыс основанием, совпадающим с рабочимторцом 5, и вершиной, совпадающей содним из углов основания волновода4, где расположен минимум напряженности электрического поля основной волны в волноводе,Повышение эффективности работы устройства способствует согласование выходного имеданса излучателя с входным импедансом биологической ткани. 30 Практически для этого .достаточно подобрать диэлектрическую проницаемость согласующего элемента-, близкую к д- электрической проницаемости ткани. Обычно в частотах миллиметрового диа.-. З 5 пазона диэлектрическая проницаемость тканей находится в пределах6-10,...
Формирователь шумовых сигналов
Номер патента: 1376225
Опубликовано: 23.02.1988
Авторы: Бумялене, Пожела, Тамашявичюс
МПК: H03B 29/00
Метки: сигналов, формирователь, шумовых
...формирователя шумовых сигналов.Формирователь шумовых сигналов содержит первый 1, второй 2 и третий 3 резисторы, фоторезистор 4 из и-герма ния, который легирован никелем, ис-точник 5 света, источник питания, который выполнен в виде генератора 6 переменного напряжения регулируемой частоты, 20Формирователь шумовых сигналов работает следующим образом.При включении источника 5 света уменьшается сопротивление фоторезистора 4, при этом при оптической связи пары источник 5 света - фото- резистор 4 возникают шумовые сигналы, вызываемые временным и температурным дрейфом. За счет источника питания в виде генератора 6 происходит изменение рекомбинационных параметров фото- резистора 4 из и-германия, который легирован никелем, а также имеет мес"...
Магниточувствительный элемент
Номер патента: 505219
Опубликовано: 07.11.1983
Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Рагаускас, Сталерайтис
МПК: G01R 33/00
Метки: магниточувствительный, элемент
...с электрически управляемойчувствительностью, содержащий прямоугольную полупроводниковую пластину с двумя токовыми торцами .на противоположных концах, область понышен"ной скорости рекомбинации носителейтока на одной из граней пластины иизолированный слоем диэлектрикауправляющий электрод. 15В известном элементе ограничендинамический диапазон, так как вследствие режима двойной инжекции, прикотором элемент чувствителен к магнитному полю, изменение поверхностной рекомбинации на грани с электродом сильно влияет на концентрациюнеравновесных (инжектированных) носителей тока как при наличии магнитного поля, так и б.з него. 25Целью изобретения является расширение динамического диапазона элемента,Поставленная цель достигается теМ,что управляющий...
Способ измерения напряженности постоянных магнитных полей
Номер патента: 1045180
Опубликовано: 30.09.1983
Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук
МПК: G01R 33/02
Метки: магнитных, напряженности, полей, постоянных
...напряженности магнитногополя судят по величине напряженияпостоянного тока в момент равенстваконцентраций.На фиг, 1 показана зависимость относительного изменения сопротивления датчика от напряженности магнитного поля; на фиг. 2 - распределение концентрации носителей тока посечению датчика при отклонениИ носителей к грани с малой скоростью поверхностной рекомбинации в случае слабых и сильных полей; ца фиг. 3 схема устройства, реализующего способ.Изменение сопротивления. магциточувствительного датчика с увеличением напряженности магнитногополя при отклонении носителей к грани с большой СПР увеличивается (фиг. 1, кривая 1 ). При противоположном направлении магнитного поля, когда носители тока отклоняются к грани с малой СПР, в области...
Полупроводниковый преобразователь индукции магнитного поля
Номер патента: 816342
Опубликовано: 23.09.1983
Авторы: Пожела, Сталерайтис, Шилальникас
МПК: H01L 29/82
Метки: индукции, магнитного, полупроводниковый, поля
...также невелик из-занасьццения, а затем и перегиба передаточной характеристики при увеличении индук-ции магнитного поля.Целью изобретения является расширение диапазона линейного преобразованияиндукции. магнитного поля при сохранениивысокой чувствительности преобразователя. 40Цель достигается тем, что в полупроводниковом преобразователе индукции магнитного поля, выполненном в виде прямоугольной полупроводниковой пластины стоковыми контактами на противоположных торцах, содержащем область большой 45скорости рекомбинацииносителей заряда,образованную на одной из боковых граней, сформированы две дополнительныеобласти с большой скоростью рекомбинации на противоположных боковых граняхперпендикулярных грани, на которой образованная область...
Устройство для измерения концентрации и подвижности носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 1038891
Опубликовано: 30.08.1983
Авторы: Виткус, Лауринавичюс, Малакаускас, Пожела
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках
...4, Суммарный сигнал детеклупроводниковых образцов произволь- тируется детектором 5 и подается на, ной формы и имеет нйэкую точность. вход усилителя 15. с выхода усилителяцель изобретения - обеспечение иэ-, 15 сигнал поступает на двухкоординат.мерений параметров полупроводниковых Зо ныйсамописец 16, .на его у-вход., образцов произвольной Формы при позы- на.Х-вход которого .подается ыапряже-шении точности. ние с датчика 17 магнитного поля.указанная цель достигается тем, С изменением величины магнитного по"; что в предлагаемом устройстве измери- ля изменяются фаза и амплитуда протельное плечо образовано двумя отрезшедшего через исследуемый полупроводками металлических волноводов, на об- никовый образец 8 сигнала, На двухращенных друг к...
Способ изготовления датчиков импульсной мощности свч
Номер патента: 557698
Опубликовано: 23.06.1983
Авторы: Версоцкас, Гавутис, Гечяускас, Кальвенас, Пожела, Репшас, Юскевичене
МПК: H01L 21/22
Метки: датчиков, импульсной, мощности, свч
...датчиков импульсной мощности 10 в большой степени зависят от температуры окружающей среды.Известен также способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ путем вплавления металлического сплава в приконтактную область кремниевой пластины электронного типа проводимости 2 .Недостатком изготовленных этим способом датчиков импульсной мощности СВЧ является изменение их показаний в интервале температур Т = - -(50-60 ОС) до 6. Это обьясняется тем, что контакт к кремниевой пластине создается вплавлением сплавазолота с примесью сурьмы, а диффузия примеси с глубокими уровнями в запрещенной зоне ведется из спла- .ва. Для получения необходимой концентрации примеси типа золота в кремниевой пластине сплав золото - сурьма необходимо нагревать...
Невзаимное устройство
Номер патента: 949744
Опубликовано: 07.08.1982
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: H01P 1/32
Метки: невзаимное
...кристалла, ось катушки 2 связи совпадает с направлением х, составляющим угол схс указанной осью анизотропного кристалла, а углы о р Ы,с удовлетворяют условию для компонейт 6 тензора электропроводности материала полупроводниковой пластины 1949744 Формула изобретения 6 / , Х 2( 2 Х) 2 УИ 3 х) Составитель А.Кузнецоваедактор М.Янович Техред М. Надь Корректор Г.Огар 65/44 ВНИИПИ Гос по делам 113.035, Мож 630 Подписноенного комитета СССРений и открытий35, Раушская наб д. 4/ каз Тир арств зобре ва, Ж елиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектна Невзаимное устройство работает следующим образом.При поступлении сигнала на катушку 2 связи в присутствии постоянного магнитного поля ВО, создаваемого магнитной системой 4 вдоль направления Е, в...
Датчик магнитного поля
Номер патента: 930175
Опубликовано: 23.05.1982
Авторы: Адомайтис, Пожела, Сталерайтис, Шилальникас
МПК: G01R 33/00
Метки: датчик, магнитного, поля
...На боковыхгранях второй пластины 3 размещеныомические контакты 6 и 7, расположенные симметрично омическим контактам4 и 5 относительно плоскости раздела.8 выполненной в виде р-и перехода.Пластины 2 и 3 соединены последовательно,Для обеспечения рабочего режима кпластинам 2 и 3 подключен источник 9тока и индикатор 10,Датчик магнитного поля работаетследующим образом.При пропускании тока от источника 9 через омические контакты 4-7 взапорном направлении, на плоскости8 и на пластинах 2 и 3, параллельныхр-и переходу создается падение напряжения. Таким образом, в полупроводниковом элементе в направлении,параллельном плоскости 8 запертогор"п перехода, носители заряда приобретают значительную скорость.При помещении датчика магнитногополя 1 в...
Устройство для измерения магнитныххарактеристик ферромагнитныхматериалов
Номер патента: 798653
Опубликовано: 23.01.1981
Авторы: Манюшите, Пожела
МПК: G01R 33/12
Метки: магнитныххарактеристик, ферромагнитныхматериалов
...источником питания,На чертеже представлена функциональная схема устройства,Устройство содержит намагничиваюшую обмотку 1, нанесенную на П-об798653 Формула изобретения Заказ 10020/57743 Подписное ППП "Патент",д,ул.Проектная.4 разный сердечник 2, в зазоре которого находится потокочувствительный датчик 3, соединенный с выходным прибором 4, компенсационную обмотку5, подключенную через амперметр бк регулируемому источнику 7 тока. Компенсационная обмотка 5 нанесенана дополнительный П-образный сердечник 8, в зазоре которого находится дополнительный потокочувствительный датчик 9, соединенный с нуль-индикатором 10. Потокочувствительные датчики 3 подсоединены к источникам 11 питания, а дополнительный потокочувствительный датчик 9...
Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводнике
Номер патента: 731402
Опубликовано: 30.04.1980
Авторы: Виткус, Лауринавичус, Пожела
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, носителей, полупроводнике
...магнитного поля.При известной величине резонансного магнитного поля концентрацию носителей токаопределяют по формулеа 1- С й1,игде с= 310" м/сек;е=1,6 10Жо = 885:10 Ф/м;1 ч - целое число, обозначающее порядок 30 геликонного резонанса;3- диэлектрическая постоянная решеткиматериала исследуемого образца 6;м - частота СВЧ сигнала;д - толщина исследуемого образца 6;В - напряженность магнитного поля, прикоторой наступает геликонный резонанс М-го порядка.Если порядок геликонного резонанса неизвестен, то концентрацию носителей тока опре О деляют по формуле 731402 2 и основной канал направленного ответвителя 3 к размещенному между полюсами электромагниту 4 отрезку 5 волновода, продольная ось которого ориентирована перпендикулярно плоскостям...
Квазиоптический ослабитель
Номер патента: 657486
Опубликовано: 15.04.1979
Авторы: Кононенко, Кулешов, Лауринавичюс, Пожела, Полупанов
МПК: H01P 1/32
Метки: квазиоптический, ослабитель
...ное из полу азмешенное выло риала в магнитном поле олен вв ста ред плоским зеркаж 9 Подписное лиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул ектна калаустановлена параллельно плоскости круговой поляризации волны и перпендикулчрно направлению ее распространения,Благодаря установки преобразователя3 достигается не эллиптическая а круговая поляризация волны, при которой невзаимность для данного значения магнитного поля максимальна,Установка рабочей плоскости плоскогозеркала 2 параллельно плоскости круговой 10поляризации волны и перпендикулярно направлению ее распространения приводит кработе в продольном магнитном поле, благодаря чему достигается наиболее компактная и простая конструкция ослабителя, 15В конкретном примере предлагаемогоустройства...
Магниторезистор
Номер патента: 460813
Опубликовано: 30.06.1978
Авторы: Матуленис, Пожела, Царенков, Юцене, Яковлев
МПК: H01L 29/82
Метки: магниторезистор
...ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ тлаС 1 ИН- ки, па рмер пзасгинкн Германия собств:пной проводимоси, грани которой имеют различ 1 ую скорость поверхностной рекомбинации.Однако изиестпыи магшггорезистор оклада е н высокой стаоилшостьо пз-за плохой сгаоильпости поверхностных своисгв полупроводника) и малым оыс гродсйствпемО -- О- С).О целью увеличения быстродейсгвия и ста- б ОИЛЬПОСТИ В ПРЕДЛ 2 ГаЕМОМ МаГНИ 10 РЕЗИСТОРЕ пластина Вьшолпена на основе варизопного ПОЛУПРОВОДНИК 2, а КОПаКТЫ РаСПОЛ 05 КЕПЫ Па стороне пласгипы, где шпрш 2 запрещеннои зоны минимальна. 20Ы качестве варизонного полупроводника могут быть использованы твердые растворы, меняющие тип минимума долины зоны проводимоси, например 2,А 1 АВ.1 редлагаемый магпиторезистор работает 2...
Датчик градиента магнитного поля
Номер патента: 570857
Опубликовано: 30.08.1977
Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене
МПК: G01R 33/02
Метки: градиента, датчик, магнитного, поля
...разрсшающсй способности (пространственной), т. е. при малой базе градиентометра.Цель изобретения - повышение точности 5 и чувствительности измерения.Это достигается тем, что в предлагаемомдатчике градиента магнитного поля две противоположные гранц пластины выполнены с равными скоростями поверхностной рском бинации носителей тока, а к одной из граней, перпендикулярной указанным двум противоположным граням, через слой диэлектрика приложен металлический электрод, кроме того, скорости поверхностной реком бинации носителей тока выбираются из соот- ношенияЗаказ 1928/20 Изд.685 Тираж 1109 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Типография, пр....
Способ бесконтактного определения зонной структуры полупроводников
Номер патента: 559197
Опубликовано: 25.05.1977
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, зонной, полупроводников, структуры
...максимальномузначению поперечной составляющей интегрального потока В 4 переменной магнитной индукции. По зависимости Н от угла Я между направлениями Н и одйим из кристал лографических направлений определяют особенности зонной структуры и компоненты тензора подвижности носителей заряда,По технической зависимости Н= (ф могут быть определены особенности зонной фо структуры и компоненты тензора подвижноо. ти электродов в отдельной изоэнергетической долине, электронного твердотельного -.плава 33 Ь (см. фиг. 2), Образец ыл вырезан в виде куба с плоскостями, перпендикулярными к бинарному, тригональному и биссекторному направлениям.Измеряемые значения Н как известно, обратно пропорциональны эффективным циклотролным подвижностям...
Амплитудный модулятор
Номер патента: 540342
Опубликовано: 25.12.1976
Авторы: Паулавичюс, Пожела, Толутис
МПК: H03C 1/48
Метки: амплитудный, модулятор
...1 параллельна кристаллографической плоскости раствора, источник постоянного магнитного поля, представляющий собой постоянный магнезит 2, источник управляющего магнитного поля, выполненный в;виде двух гельмгольцевых катушек 3, входную и выходную цепи, образованные соответственно двумя окрещенными катушками индуктивности 4 и 5 с взаимно перпендикулярными осями, которые охватывают иластину 1.5 Постоянный магнит 2 создает в зазоре постоянное магнитное поле, перпендикулярное пластине 1. Модулируемые колебания поступают на катушку индуктивности 4 и возбуждают в пласлине 1 размерный резонанс цир кулярно поляризованных геликонных волн,которые индуцируются катушкой индуктивности 5 и поступают на выход амилитудного модулятора. Модуляция...
Устройство для измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации
Номер патента: 533892
Опубликовано: 30.10.1976
Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей
...магнитном поле электромагнита 11, соединен с крайней точкой переменного резистора 5, подвижный контакт которого соединен через резистор 4 с выходом источника постоянного тока 7 и через конденсатор 8 с измерительным прибором 9. Источник постоянного тока 10 подключен к памагничивающей обмотке электромагнита 11.Измеряемый образец 6 ориентирован относительно направления вектора напряженности магнитного поля так, чтобы в постоянном электрическом и магнитном полях носители тока отклонялись к стороне с малой скоростью поверхностной рекомбинации, т. е. чтобы наблюдалось уменьшение сопротивления образца,В случае, когда носители тока отклоняются к стороне с малой скоростью рекомбинации, наблюдается увеличение проводимости, которое,...
Способ измерения отношения скоростей поверхностей рекомбинации
Номер патента: 530285
Опубликовано: 30.09.1976
Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук
МПК: H01L 21/66
Метки: отношения, поверхностей, рекомбинации, скоростей
...на образец постоянным магнитполем, напряженность которого увеличивают до величины, при которой падение напряжения на образце от переменного токаравно падению напряжения до воздействиямагнитным полем, и по величине напряжен -ности поля расчетнь 1 м путем определяю: отношение скоростей поверхнсстной екомблнации,Это дает возможность повыс мерения, так как измеряется ния разогрева, а зависимость выхе;,ого ала от величины магнитного поля, ,ете5302 аь =ХаКОО и)НР. - толщина образца; где С Составитель В. НемцевТехред А. Демьянова Корректор Н. Бугагова Редактор Н. Коляда Заказ 5243/643 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д....
Устройство для измерения составляющей градиента магнитного поля
Номер патента: 519658
Опубликовано: 30.06.1976
Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене
МПК: G01R 33/095, G01R 33/10
Метки: градиента, магнитного, поля, составляющей
...с областью, имеющей повышенную посравнению со всем элементом скорость рекомбинации носителей тока, а элементы ориентированы так, что указанные грани расположены на противоположных сторонах потокочувствительных элементов.На чертеже показана схема предлагаемогоустройства.Устройство состоит из источника 1 питания,к выходу которого подключены последовательно соединенные резистор 2 и два потокочувствительных полупроводниковых элемента 3 и 4,содержащие области 5 и 6 с большой скоростью рекомбинации носителей тока, и выходного прибора 7, подключенного параллельно 30 элементам 3 и 4, причем указанные элементы расположены таким образом, что силы Лоренца в элементах различно ориентированы относительно областей 5 и 6.Устройство работает...
Анализатор спектра вибрации
Номер патента: 518641
Опубликовано: 25.06.1976
Авторы: Левитас, Минцерис, Пожела, Харлушас
МПК: G01H 3/08
Метки: анализатор, вибрации, спектра
...киформатора и потокочувствительног,а в диагональ моста включен измНа чертеже изображена блок-слагаемого анализатора.Анализатор спектра вибраци10 постоянный магнит 1, потокодатчики 2, связанные с вибрпртом (на ч ртеже не показан)ные в зазоре магнита, трансформазаземленной средней точкой, гене15 нусоидальных сигналов 4, источниянного напряжения 5, потеициометизмеритель 7,Потокочувствительные двтччки, связаные с вибрирующим обьектом, перемешаютя в зазоре постоянного магнита, имеющего резкий линейный градиент магнитного оля. Магнитный поток, пронизывающий поокочувствительный датчик, изменяется про:; орционально амплитуде вибрации. При пеемещении датчиков в магнитном поле, вклю518 б 41 3 с регулируемыми частотой и фазой и измеритель, о...
Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников
Номер патента: 489049
Опубликовано: 25.10.1975
Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сталерайтис
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: носителей, поверхностной, полупроводников, рекомбинации, скорости
...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...
Устройство для измерения мощности свч
Номер патента: 467284
Опубликовано: 15.04.1975
Авторы: Гечяускас, Мозалис, Пожела, Репшас
МПК: G01R 21/06
...датчик, включающиив себя отрезок во.1 новода 1, полупроводниковый датчик 2 с контактами 3, изолируютцую пластинку 4 и втулку 5, электронный комму татор О, задающий генератор 7, индикаторы6 и 9 импульсной и средней мощностей, а также генератор 10 СВЧ-колебаний,Работа устройства основана на измерениидвух различных видов реакции полупроводника на воздействие импульсно-модулированных колебаний СВЧ.Кристаллическая решетка полупроводника2 обладает значительной тепловой инерцией, 15 и ее средняя температура является функциейсредней мощности импульсных колебаний СВЧ. Контакты 3 чувствительного элемента датчика составляют две, соединенные последовательно, термопары металл-полупроводник, 20 Благодаря тому, что напряженность поляу контакта,...
Датчик градиента магнитного поля
Номер патента: 461392
Опубликовано: 25.02.1975
Авторы: Левитас, Пожела, Сталерайтис, Янавичене
МПК: G01R 33/06
Метки: градиента, датчик, магнитного, поля
...на граниные отводом области 3сти, а на противополож6 с большой скоростьюлей тока. На торцах помические контакты 7 и 8,При приложении напряжения к контактам7 и 8 и помещении датчика в магнитное полевозникает сила Лоренца, которая отклоняетпары носителей тока в пластине в направлении грани с областями р-типа проводимостиили от нее, Соответственно, у грани электронно-дырочных переходов, на которые подается отрицательное смещение, происходит накопление носителей тока или обеднение их концентрации. Наличие на грани 5 области с большой скоростью рекомбинации приводит к зна чительному увеличению концентрации неравновесных носителей тока у грани с р - п-переходами. Появление неравновесных носителей тока р - п-переходов вызывает...
Устройство для измерения концентрации носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 456203
Опубликовано: 05.01.1975
Авторы: Лауринавичюс, Пожела
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, носителей, полупроводниках
...15 резонанса и помещенного между полюсами 14,15 электромагнита.При измерении концентрации носителей тока с помощью электромагнита в исследуемом образце 1 создают магнитное поле, а через су женный коленец прямоугольного волновода 5возбуждают геликонную волну в определенном месте образца 1. Изменяя напряженность магнитного поля, добиваются возникновения геликонного резонапса в образце 1, что прояв ляется в уменьшении сигнала, отраженного отобразца, до минимального значения. Отраженный сигнал через ответвитель 7 поступает к детектору 10, где детектируется и подается па вход усилителя 11. С выхода усилителя 30 сигнал поступает на У-вход двухкоординатно456203 го самописца 12, На Х-вход самописца пода- рядок геликонного резонанса; вт,...
Устройство для бесконтактного определения усилий, развиваемых электромагнитным нагружающим устройством
Номер патента: 447584
Опубликовано: 25.10.1974
Авторы: Аугустайтис, Виленчикас, Левитас, Пожела, Харлушас
МПК: G01L 1/12
Метки: бесконтактного, нагружающим, развиваемых, усилий, устройством, электромагнитным
...показаны) в зазоре между сердечником и якорем (якорем может быть и непосредственно нагружаемыи ооъект) возникают постоянное и переменное магнитные поля, соз дающие статическое и динамическое усилия,воздеиствующие на якорь. Причем величина постоянной составляющеи ма нитной индукции в зазоре должна превышать величину переменной составляющеи, так как в этом случае форма колебаний возбуждаемого усилия близка к гармонической,Величина статического усилия в этом случае пропорциональна квадрату постоянной составляющей магнитной индукции, а величи на динамического усилия - произведению па447584 10 Предмет изобретения Составитель В, ЗакорюкинТехред В. Рыбакова Корректоры: Л, Брахннна и Т. ГревцоваРедактор Т. Иванова Заказ 877/6 Изд.467 Тираж 760...
Способ определения параметра анизотропии в полупроводниках
Номер патента: 442441
Опубликовано: 05.09.1974
Авторы: Пожела, Толутис
МПК: G01R 31/00
Метки: анизотропии, параметра, полупроводниках
...способу, в плоскости образца возбуждают высокочастотное электромагнитное поле, пндуцируют возникающий в той же плоскости поток высокочастотной магнитной индукции в направлении, перпендикулярном возбуждаемому магнитному полю, по зависимости которого от угла между направлением индикации и кристаллографическим направлением в плоскости образца устанавливают соотношение минимального г 1)мнн и максимального Фмлнс потоков. Параметр анизотропии определяют по максимальному значению величины442441 Составитель Ю, Николаев Техред В. Рыбакова Корректор Н. Лебедева Редактор Т. Орловская Заказ 1963/5 Изд. Мо 462 Тираж 679 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, )К, Раушская наб.,...
Способ бесконтактного измерения коэффициента холла в полупроводниках и металлах
Номер патента: 438946
Опубликовано: 05.08.1974
Авторы: Пожела, Ряука, Толутис
МПК: G01R 31/265, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, коэффициента, металлах, полупроводниках, холла
...в виде тонкой плоскопараллельной пластинки толщи ной д, примерно в 5 раз меньшей других размеров, Обычно пластинке придают форму квадрата, Если материал анизотропен или квазианизотропен, плоскости пластинки выполняют параллельными кристаллографичес ким плоскостям, в которых проводимость изотропна, т. е. компоненты теизара электропроводности Ьи Л, соответствующие любым перпендикулярным направлениям О, и Ов плоскости образца, равны (Я=Я). Напри мер, для л - бе это плоскости (100). Образецпомещают в постоянное магнитное поле Во, перпендикулярное плоскостям образца. Величину Во подбирают такой, чтобы выполнялось условие Во) р -(или просто увеличивают 25 до возникновения незатухающих колебаний).При Во) р- в образце могут распространяться...
Абсолютное отрицательное сопротивление
Номер патента: 438089
Опубликовано: 30.07.1974
Авторы: Банис, Паршелюнас, Пожела
МПК: H03B 7/06
Метки: абсолютное, отрицательное, сопротивление
...отрицательное сопротивление, состоящее из полупроводниковой пластины, например арсенида галия.Недостаток известного сопротивления состоит в узком диапазоне частот, не включающем постоянный ток, поскольку отрицательным является лишь дифференциальное сопройитивление - (О (где и - напряжение,сКЕи ток), а сопротивление постоянному току остается поло;кительным при любых значениях напряжении.Цель изобретения - расширение диапазона частот, включая и постоянный сок.Эта цель достигается тем, что в качестве отрицательного сопротивления применен арсенид галия с концентрацией свободных носителей тока, летающей в пределах (2,5 - 9) 105 см -На чертеже показана схема абсолютногоотрицательного сопротивления.К полупроводниковой пластине 1,...
Развязывающее устройство
Номер патента: 437168
Опубликовано: 25.07.1974
Авторы: Левитас, Пожела, Рагаускас
МПК: H01V 53/00
Метки: развязывающее
...- точка соединения датчика 1 и резистора 5, а пластина 3 заземлена,Устройство работает следующим образом,При подаче переменного напряжения навход устройства возникает полевой гальваномагниторекомбинационный эффект (ГМР-эффект) и сигнал передается на выход. При подобранных рабочем токе датчика 1 и напряженности магнитного поля магнита 4 сигнал10 передается без потерь, В обратном направлении сигнал не передается (передача возможнатолько через паразитную емкость между выходом устройства и модуляционной пластиной 2,которая зависит от конструкции датчика).15 При подачи постоянного напряжения любойполярности на вход устройства, полевой ГМРэффект отсутствует, т, е, потенциал выхода независит от постоянного напряжения на входе.Диапазон...
Устройство для бесконтактного определения параметров полупроводников и полуметаллов
Номер патента: 425140
Опубликовано: 25.04.1974
Авторы: Ордена, Пожела, Толутис
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: бесконтактного, параметров, полуметаллов, полупроводников
...+ (фмин(фмакс) тактная колодка 2 б, штеккерная часть 27, контактный разъем 28, коаксиальные кабели 29 и 30.При работе с устройством включается электромагнит, между полюсами которого возбуждается постоянное магнитное поле В. От генератора 1 электрический сигнал высокой частоты через коаксиальные кабели подается в катушку возбуждения 9, Возникающее внутри катушки 9 переменное магнитное поле В в присутствии постоянного магнитного поля В возбуждает в образце магниточлазменные волны круговой поляризации ,волновой вектор К//В). Магнитные составляющие магнитоплазменных волн возбуждают в индикационной катушке 7 э.д.с. высокой частоты, которая подается через коаксиальные кабели 30 в детектирующий блок 3, Относительная величина э.д.с....