Гирка — Автор (original) (raw)

Гирка

Способ изготовления светодиодных структур

Номер патента: 1632278

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Веренчикова, Водаков, Гирка, Мокрушин, Мохов, Роенков, Свирида, Шишкин

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР путем эпитаксиального наращивания на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости, на слой SiC n-типа проводимости слоя SiC p-типа проводимости, облучения и отжига, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости параметров, облучение проводят электронами с энергией 2 - 5 МэВ дозой 1018 - 5 1018 см-2 при температуре 30 - 500oС, а отжиг проводят при температуре 1700 - 1800oС.

Поворотное соединение

Номер патента: 1424073

Опубликовано: 15.09.1988

Авторы: Венгер, Гирка, Якименко

МПК: H01P 1/06

Метки: поворотное, соединение

...тракта вокруг их продольной оси беэ5 изменения коэффициента передачи.Целью изобретения является увеличение угла поворота и повышение стабильности коэффициента передачи, улуч.10 шение согласования.На чертеже изображено поворотное соединение.Поворотное соединение содержит два отрезка прямоугольного волновода 1, установленных соосно и с возможностью човорота вокруг продольной оси. Между ними перпендикулярно этой оси установлена экранирующая перегородка 2, в которой выполнено отверстие 3. Через отверстие 3 проходит петля 4, снабженная поворотным сочленением 5, Концы петли 4 закреплены на широких стенках соответствующих отрезков пря" моугольного волновода 1. 25Устройство работает следующим образом.СВЧ-сигнал поступает в один иэ отрезков...

Способ изготовления алмазныхдисков

Номер патента: 833439

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Гавинский, Гирка, Знаменский, Кожемякин, Цисарь

МПК: B24D 17/00

Метки: алмазныхдисков

...увеличения концентрации алмазного порошка в насыпном монослое,833439 формула изобретения Составитель Н. БалашоваТехред А. Бабинец Корректор В. Синицкая Редактор В, Матюхина Тираж 915 Подпис ное.ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5;.:.лиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 на поверхности ограночного дискасвыше 80 образуется сплошной монослой, при этом затрудняется свободноедвижение ионов металла к диску, ухуд.ваются условия прикрепления зерен икснцентрация их в алмазном слое снижается, При уменьшении концентрации,алмазного порошка в насыпном монослоениже 50, уменьшается концентрациязакрепленных алмазных зерен пропорционально концентрации насыпного...