Мохов — Автор (original) (raw)
Мохов
Многоканальная рулевая машина
Номер патента: 1839995
Опубликовано: 20.06.2006
Авторы: Борцов, Мохов, Парменов, Рябов
МПК: B64C 13/36
Метки: многоканальная, рулевая
Многоканальная рулевая машина системы управления летательным аппаратом, содержащая несколько подканалов управления, в каждом из которых установлен электрогидроусилитель, клапан включения, вспомогательный гидроцилиндр коррекции по перепаду давлений, датчик обратной связи и основной гидроцилиндр, поршень которого жестко соединен с поршнями аналогичных силовых цилиндров других подканалов, отличающаяся тем, что, с целью улучшения статических и динамических характеристик машины, в каждом подканале установлен золотник, гидравлически соединяющий полости вспомогательного гидроцилиндра с соответствующими полостями основного гидроцилиндра при возникновении расчетного перепада давлений в полостях последнего.
Многоканальный гидропривод системы управления летательных аппаратов
Номер патента: 1839990
Опубликовано: 20.06.2006
Авторы: Борцов, Мохов, Парменов, Рябов
МПК: B64C 13/36
Метки: аппаратов, гидропривод, летательных, многоканальный, системы
Многоканальный гидропривод системы управления летательного аппарата, содержащий в каждом канале рулевой агрегат, состоящий из гидроусилителя, устройства отключения неисправного канала и исполнительного механизма, питание каналов которого осуществляется от двух гидросистем, при этом от каждой гидросистемы одновременно питается один или несколько каналов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности путем обеспечения работоспособности каналов при потере давления в одной из гидросистем, в нем установлено устройство, выполненное из двух мотор-насосов, каждый из которых соединен с одной из гидросистем и с одним или несколькими каналами гидропривода так, что на выходных валах мотор-насосов, соединенных между собой, создаются равные по...
Корректирующее гидравлическое устройство многоканального привода
Номер патента: 1839882
Опубликовано: 27.05.2006
МПК: B64C 13/36
Метки: гидравлическое, корректирующее, многоканального, привода
Корректирующее гидравлическое устройство многоканального привода, содержащее электрический датчик обратной связи, поршень с двухсторонним штоком, гидрофиксатор среднего положения с рабочей камерой, распорным плунжером и упором, и сигнализатор срабатывания, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности работы привода и улучшения его динамических характеристик путем компенсации люфта поршня, один конец штока поршня размещен в рабочей камере гидрофиксатора соосно с установленным в ней и взаимодействующим с упором распорным плунжером с глухой расточкой и поперечной лыской на торце, обращенном к штоку, образующими в плунжере полукольцевой внутренний буртик, причем полость расточки через лыску постоянно сообщена с рабочей камерой, а на...
Система кислородного питания
Номер патента: 714687
Опубликовано: 20.03.2006
Авторы: Авилушкина, Зарецкий, Кулешов, Левин, Мохов, Набока, Никифоров, Орлов, Решетов, Тимофеев, Тимошин, Чернуха
МПК: A62B 7/04
Метки: кислородного, питания
Система кислородного питания, содержащая генератор кислорода, ресивер, редуктор и регулятор подачи, последовательно соединенные в снабженной реле давления линии подпитки дыхательного контура, замкнутого через потребитель, имеющий в своем составе кислородный прибор, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения ее веса, повышения надежности и упрощения эксплуатации, система снабжена аварийным ресивером, соединенным с потребителем через пневмоклапан, установленный перед кислородным прибором, а с линией подпитки - через установленный перед аварийным ресивером отсекатель, подключенный к коллектору, связанному через обратные клапаны с каждым из параллельно соединенных элементов генератора...
Способ получения этиленгликоля
Номер патента: 730673
Опубликовано: 10.09.2000
Авторы: Барнаков, Волхонский, Ермаков, Лихолобов, Митинова, Мохов
МПК: C07C 29/00, C07C 31/20
Метки: этиленгликоля
Способ получения этиленгликоля из моноацетата этиленгликоля при нагревании в присутствии кислого катализатора, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения выхода целевого продукта, процесс ведут в среде спирта С1-С4 при температуре его кипения в присутствии полистиролдивинилбензолсульфокатионообменной смолы в Н-форме.
Устройство для определения координат объекта
Номер патента: 532283
Опубликовано: 20.05.1998
Авторы: Ангелов, Карпов, Катышев, Мохов, Раводин, Сырямкин
МПК: G01C 21/14, G01S 7/22
Устройство для определения координат объекта, содержащее картографический указатель истинного курса, картографический указатель заданного курса с механизмом протяжки, у которого носитель информации выполнен в виде оптически прозрачного носителя с переменной плотностью, и блок корреляционно-экстремальной обработки информации, входы которого оптически связаны с картографическими указателями, а выход - электрически с потребителями информации о координатах объекта, отличающееся тем, что, с целью повышения помехозащищенности, оно снабжено дополнительным картографическим указателем заданного курса, выполненным аналогично основному и размещенным между указателем истинного курса и соответствующим ему оптическим входом блока обработки информации,...
Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4h
Номер патента: 913762
Опубликовано: 20.11.1996
Авторы: Водаков, Мохов
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального
1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...
Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы
Номер патента: 1136501
Опубликовано: 20.11.1996
Авторы: Водаков, Мохов, Роенков
МПК: C30B 25/02, C30B 29/40
Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального
Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.
Способ выращивания монокристаллического sic
Номер патента: 882247
Опубликовано: 20.11.1996
Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: C30B 23/00, C30B 29/36
Метки: выращивания, монокристаллического
Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.
Способ создания токовых неоднородностей в плазме
Номер патента: 1816414
Опубликовано: 20.07.1995
Авторы: Ванин, Каспаров, Мохов, Нефедов
МПК: H05H 1/00
Метки: неоднородностей, плазме, создания, токовых
1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОКОВЫХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ПЛАЗМЕ, включающий создание плазмы между электродами, к которым приложена разность потенциалов и формирование токовых неоднородностей, отличающийся тем, что, с целью получения токовых неоднородностей в низкотемпературной плазме продуктов сгорания при атмосферном давлении, в плазму в области создания неоднородности фокусируют лазерное излучение с длиной волны, равной длине волны оптического перехода одного из компонентов плазмы, причем мощность P и длительность импульса tл лазерного излучения выбирают из условий:где S сечение лазерного пучка в точке фокусировки;
Способ получения высокотемпературной плазмы и устройство для его осуществления
Номер патента: 1268080
Опубликовано: 19.06.1995
Авторы: Гаранин, Данов, Долин, Корчагин, Ларцев, Москвичев, Мохов, Павловский, Чернышев, Якубов
МПК: H05H 1/00
Метки: высокотемпературной, плазмы
1. Способ получения высокотемпературной плазмы, включающий осуществление в плазменной камере ионизации газа, ускорение полученной плазмы азимутальным магнитным полем и последующие нагрев и торможение ее в ударной волне, отличающийся тем, что, с целью увеличения температуры плазмы и уменьшения размеров плазменной камеры при заданной мощности источника электромагнитной энергии посредством увеличения скорости плазмы относительно фронта ударной волны при одновременном уменьшении скорости плазмы в основном объекте плазменной камеры, перед ионизацией газа в объеме камеры, содержащей газ, создают начальное азимутальное магнитное поле, а ускорение полученной после ионизации газа плазмы производят до скорости, превышающей альфвеновскую скорость...
Способ калибровки проволочных витых изделий и устройство для его осуществления
Номер патента: 1699181
Опубликовано: 09.02.1995
Авторы: Баландин, Григорьян, Демиковский, Миронов, Мохов, Палкин, Столбов
МПК: D07B 7/02
Метки: витых, калибровки, проволочных
СПОСОБ КАЛИБРОВКИ ПРОВОЛОЧНЫХ ВИТЫХ ИЗДЕЛИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ.1. Способ калибровки проволочных витых изделий, при котором заготовку обжимают в первом калибре с получением овала в поперечном сечении, обжимают во втором калибре с частичным сглаживанием неровностей и окончательно обжимают во вращающейся волоке, придавая заготовке форму круга в поперечном сечении, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изделий, первое и второе обжатие производят во вращающихся калибрах, при этом скорости вращения калибров и волоки последовательно возрастают по ходу технологического процесса, а величина обжатия находится в пределах 1,125 - 1,155.2. Устройство для калибровки проволочных витых изделий, содержащее...
Способ изготовления светодиодных структур
Номер патента: 1524738
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: H01L 21/265
Метки: светодиодных, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий имплантацию ионов Al в эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости и отжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра, эпитаксиальный слой наращивают путем сублимации при 1700 -1900oС, парциальном давлении Si 5 - 20 Па в вакууме не ниже 10-3 Па, отжиг проводят при 1450 - 1550oС, а имплантацию - в процессе отжига.
Способ изготовления светодиодных структур
Номер патента: 1517657
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Ломакина, Мохов, Семенов
МПК: H01L 21/26
Метки: светодиодных, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий эпитаксиальное наращивание на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости и формирование p-n-перехода, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет увеличения концентрации центров дефектной люминесценции, формирование p-n-перехода проводят путем наращивания слоя p-типа проводимости на слой n- типа проводимости, после создания p-n-перехода проводят облучение нейтронами с дозой 1018 - 1019 см-2 и отжиг.
Способ получения слоев карбида кремния
Номер патента: 1398484
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: карбида, кремния, слоев
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.
Полупроводниковый источник света
Номер патента: 1499652
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Роенков, Семенов, Федоренко
МПК: H01L 33/00
Метки: источник, полупроводниковый, света
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА, включающий подложку SiC n-типа проводимости, слой SiC p-типа проводимости политипа 4H, легированный aL, слой SiC n-типа проводимости политипа 4H с люминесцентно-активными дефектами, расположенный между ними, и контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности излучения в голубой области спектра и быстродействия, источник света дополнительно содержит слой SiC n-типа проводимости политипа 4H толщиной от 5 до 20 мкм с концентрацией азота от 05 1019 до 1,0 1019 см-3, расположенный между подложкой и слоем SiC n-типа проводимости с...
Способ изготовления светодиодных структур
Номер патента: 1632278
Опубликовано: 15.10.1994
Авторы: Веренчикова, Водаков, Гирка, Мокрушин, Мохов, Роенков, Свирида, Шишкин
МПК: H01L 21/263
Метки: светодиодных, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР путем эпитаксиального наращивания на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости, на слой SiC n-типа проводимости слоя SiC p-типа проводимости, облучения и отжига, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости параметров, облучение проводят электронами с энергией 2 - 5 МэВ дозой 1018 - 5 1018 см-2 при температуре 30 - 500oС, а отжиг проводят при температуре 1700 - 1800oС.
Способ изготовления светодиодов, излучающих в фиолетовой области спектра
Номер патента: 1753885
Опубликовано: 30.08.1994
Авторы: Водаков, Мохов, Роенков
МПК: H01L 21/205
Метки: излучающих, области, светодиодов, спектра, фиолетовой
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ, ИЗЛУЧАЮЩИХ В ФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА, включающий эпитаксиальное наращивание в среде инертного газа на подложке карбида кремния слоя SiC n-типа проводимости, легированного азотом с концентрацией (2 - 10) 1018 см-3, слоя SiC p-типа проводимости, легированного алюминием, и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа за счет возможности использования подложки карбида кремния любого политипа, в качестве подложки выбирают пластину с ориентацией (000 )C с углом разориентации не более 30
Силовой гидроцилиндр двустороннего действия
Номер патента: 1127368
Опубликовано: 30.01.1994
Авторы: Борозна, Мохов, Хейфец
МПК: F15B 15/16
Метки: гидроцилиндр, двустороннего, действия, силовой
СИЛОВОЙ ГИДРОЦИЛИНДР ДВУСТОРОННЕГО ДЕЙСТВИЯ, содержащий корпус, две группы телескопических дифференциальных поршней, установленных навстречу друг другу, отличающийся тем, что, с целью сокращения осевых габаритов при сохранении рабочего хода, поршни выполнены в виде ступенчатых стаканов, имеющих промежуточные опоры, при этом стенки стаканов одной группы поршней выполнены с возможностью размещения их в сложенном состоянии между стенками стаканов другой группы поршней.
Устройство для плавания
Номер патента: 2003370
Опубликовано: 30.11.1993
Автор: Мохов
МПК: A63B 31/00
Метки: плавания
...ножных ремней 5, которые пропускают между ногами пловца и крепят к поясу 4 с боков его тела, Пояс 4 и ремни 5 выполнены из винипласта или другого гибкого и водостойкого материала. Их размеры соответствуют размерам тела пловца, также как и размеры основания и поплавков, Для малых детей изготавливают один типоразмер элементов устройства, для больших детей и юношей - другой, для взрослых людей - третий,Разновидностью устройства является конструкция в виде крыла, в котором поплавки обычной формы перемежаются с поплавками 13 шайбообраэной формы (фиг. 9), Это позволяет сократить размах крыла, так как шайбообразные поплавки, имея одинаковую плавучесть с крылообразными поплавками, занимают меньше места вдоль оси крь 1 ла, При этом создаются...
Способ оценки склонности моторных топлив к образованию отложений
Номер патента: 1797057
Опубликовано: 23.02.1993
Авторы: Волгин, Голев, Мохов, Пименов, Сафонов, Шуравин
МПК: G01N 33/22
Метки: моторных, образованию, отложений, оценки, склонности, топлив
...2 (фиг, 2,6). В этом положениипроисходит вытеснение оставшегося воздуха, С достижением топливом специальнонанесенной риски 4 выключают секундомер. Цилиндр Со стандартным дизельнымтопливом. устанавливают на лабораторномстоле 5,Об изменении пропускной способностидросселирующего элемента судят по коэффициенту закоксовывания, который рассчитывают по формулеК - 100, отнТ - Т То4 102 где То и Т - время вытеснения обьема воздуха емкости 1 через дросселирующий элемент до и после испытания соответственно.Использованиевоздуха для определе 5 ния пропускной способности дросселирующего элемента исключает влияниевязкостно-температурных характеристиктоплива на результаты измерения, Такоевлияние имеет место при ламинарном режи 10 ме течения топлива...
Способ изготовления штампов
Номер патента: 1794588
Опубликовано: 15.02.1993
Авторы: Босин, Журавлев, Мохов, Рудаков
МПК: B21K 5/20
Метки: штампов
...радиуса перехода боковой поверхности полости в заусенечный мостик мастер - пуансоном с технологическим пояском шириной до 2 мм по периметру полости с последующим удалением металла эа пределами технологического пояска.Выполнение операций в указанной последовательности и с размерами технологического пояска до 2 мм вокруг рабочей фигуры мастер-пуансона позволяет получить качественное оформление радиуса перехода от боковой стенки к заусенечному мостику, что влечет за собой повышение стойкости штампов за счет сохранения упрочненного слоя металла, полученного в процессе выдавливания ручья штампа. Если размеры технологического пояска превышают 2 мм, то будет неоформление радиуса перехода боковой стенки в заусенечный мостик.На чертеже...
Устройство для выращивания растений
Номер патента: 1794415
Опубликовано: 15.02.1993
Авторы: Машарская, Мохов
МПК: A01G 31/02
Метки: выращивания, растений
...сухой, поэтомуполив стараются осуществлять так, чтобыподъем воды был немного ниже уровня вер 20 хнего слоя субстрата. Для этой цели и служат переливные трубки, которыеустанавливаются чуть ниже уровня субстрата,По мере роста зеленой культуры и эна 25 чительного развития у них корневой системы этот уровень должен увеличиваться, т.е.сухой слой должен быть больше. Вышеописанная конструкция устройства не позволяет этого сделать.З 0 Целью изобретения является повышение урожайности путем регулированияуровня полива по мере роста зеленой культуры.Цель достигается тем, что в предложенЗ 5 ном устройстве, содержащем вегетационную емкость с субстратом, снабженнуюпереливными трубками, световую панель,трубопроводы подачи воды и перелива, насос,...
Способ очистки отходящих газов от двуокиси серы
Номер патента: 1793946
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Грудникова, Коткин, Мохов, Рубин, Шуляк
МПК: B01D 53/14, B01D 53/34
Метки: газов, двуокиси, отходящих, серы
...отходов флотации с содержанием твердзого 50 г/л, подаваемой в количестве 0,7 м /ч; рН жидкой фазы суспензии равен 7,7. Содержание двуокиси сезры в газах на выходе из аппарата 50 мг/м; среда жидкой фазы суспензии на выходе - слабо- кислая (рН 6,2),П р и м е р 2, 1000 мэ/ч газов с содеР- жанием двуокиси серь 1 160 мг/м подаютсязв аппарат, где контактируют с суспензией отходов флотации с содержанием твердого 50 г/л, подаваемой в количестве 1 м /ч, рНз55 улавливается основная часть окислов серы, при этом отработанная суспензия сохраняет слабощелочную среду (рН больше 7).При расходе суспензии менее 1 м на 1000 мф газа (пример 1) также улавливается более 70 О окислов серы, однако отработанжидкой фазы суспензии равен 7,7. Содержание...
Устройство зоны вторичного охлаждения машины непрерывного литья заготовок
Номер патента: 1782190
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Бусыгин, Мохов, Николаев, Нисковских, Новоселов, Палицын, Певзнер, Сахно, Смирнов
МПК: B22D 11/12
Метки: вторичного, заготовок, зоны, литья, непрерывного, охлаждения
...2 всборе устанавливается лапами 19 на полюсах 11 и вставках 12 в посадочных окнах 20рам роликовых кассет 3,4. После этого рамыроликовых кассет 3, 4 в сборе с частямиблок-комплекта 2 собираются на шпильках-в роликовую секцию 1, Рабочий раствор роликов 13 пои этом регулируется прокладками 21.Устройство может работать вдвух режимах: какс электромагнитным перемешиванием жидкой фазь 1 слиткаВ "процессе" 20непрерывной разливКи, так и в режимеобычной поддерживающей роликовой секции направляющей роликовой проводки.При включении ЭМП магнитопровад 7создает в сердечниках 8, вставках 12 и полюсах 11 магнитный поток, который пересекает слиток в поперечном направлениимежду полюсами 11. Одновременно с этимчерез"слиток посредством...
Способ формирования пищеводно-кишечного анастомоза
Номер патента: 1780723
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Брехов, Мохов
МПК: A61B 17/00
Метки: анастомоза, пищеводно-кишечного, формирования
...ряда- тельно накладывают ряд швов между ми швов. при этом первый ряд проходит серозно-мышечнымслоемкишкиидиафрагчерез все слои стенок соединяемых орга- мой.нов, а второй - через серозно-мышечный Пример. При выполнении операции по слой кишки и адвентициально-мышечныйповоду рака малой кривизны желудка(через слой пищевода, верхне-срединный лапаротомный доступ)Недостатком этого способа являются произведена мобилизация желудка и абдо- излишнее натяжение тканей, сложность, а минального отдела пищевода, желудок удаиногда полная невозможность наложения лен после прошивания пищевода надежного второго ряда швов при коротком аппаратом УО, Выше линии аппаратного эбдоминальном отделе пищевода, что не- шва пищевод сшит по всей окружности с редко...
Способ определения концентрации ингибитора коррозии в щелочных средах
Номер патента: 1778666
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Горбунова, Карнаев, Мохов, Соколов, Трибунский
МПК: G01N 27/48
Метки: ингибитора, концентрации, коррозии, средах, щелочных
...1 с индикаторным - 2, вспомогательным - 3 электродами, а также электрод сравнения - 5, термокомпенсатор - 4, высокоомный вольтметр для измерения потенциала индикаторного электрода - 6, генератор прямоугольных импульсов тока - 7, миллиамперметр - 8 и резистор - 9,Индикаторный электрод подвергается поляризации от генератора 6 в гальваностатических условиях постоянным током переменной полярности; время анодной поляризации 2 с, выключение тока 2 с, катодная поляризация 2 с. Регистрация величины потенциала (Еа) индикаторного электрода осуществляется в момент выключения анодного тока. Величина Еа является функцией концентрации ингибитора.П р и м е р, Определение концентрации ингибитора ИНКОРТ - 8 МЗ, разработанного на ПО "Кристалл" (г....
Полупроводниковый источник света
Номер патента: 1774400
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов
МПК: H01L 21/363, H01L 33/00
Метки: источник, полупроводниковый, света
...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...
Закладочная смесь и способ ее приготовления
Номер патента: 1773278
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Макеев, Малетин, Маньковский, Мохов, Осеев, Розенберг, Штернбек
МПК: E21F 15/00
Метки: закладочная, приготовления, смесь
...что недопустимо по условиям отравозрасте 28 и 180 сут. -: ботки месторождений, Кроме того, повыКонкретные примеры предлагаемого, щенное водоотделение и увеличениесостава закладочной смеси приведены в сопротивления сдвигу ухудшает транспортабл.4;,:,5 табельнасть смеси(пример 3, табл.4).Нижний предел содержания ангидрита- ": При содержании шлака более 28,57. об 6,5% соответствует оптймальному его коли- щее содержание фракций более 0,08 мм резчеству в пределе общей массы вяжущего, Ни- ко возрастает и превышает предельноеже этого предела (см. строка 2, табл.4) хоть и . зйачение (507 ь) по условиям трубопроводвозможно достичь требуемой прочности к 10 ного транспорта, т.к, увеличивается и водовозрасту 180 сут, нотемпынабора прочности -...
Способ получения хромсинтанового комплексного дубителя
Номер патента: 1772161
Опубликовано: 30.10.1992
Авторы: Горбунова, Горяйнова, Григорьев, Демидова, Карнаев, Кузнецов, Лозневая, Малькова, Мохов, Рябин, Соколов, Солошенко
МПК: C14C 3/00
Метки: дубителя, комплексного, хромсинтанового
...наблюдалось в зависимости от времени перемешиванияраствора основного сульфата хрома с лигносульфоновой кислотой,Установлено, что изменение ионногосостава хромсинтанового комплексного дубителя происходит от 0,5 до 1 ч (табл,2).Дальнейшее увеличение времени перемешивания раствора не оказывает существенного влияния на ионный, состав комплекса.Таким образом, данные, приведенные втабл,2, позволяютутверждать, чтоформирование комплекса происходит не сразу, а постепенно в течение 0,5-1 ч. Как показалиэксперим;.нтальнце данные оптимальной температурой сушки следует считать 80-90 С.В результате исследования было установлено (табл,3), что ионный состав предлагаемого хромсинтанового комплексногодубителя резко отличается от дубителя, полученного...