Роенков — Автор (original) (raw)
Роенков
Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы
Номер патента: 1136501
Опубликовано: 20.11.1996
Авторы: Водаков, Мохов, Роенков
МПК: C30B 25/02, C30B 29/40
Метки: выращивания, газовой, галлия, нитрида, фазы, эпитаксиального
Способ эпитаксиального выращивания нитрида галлия из газовой фазы, включающий пропускание потока аммиака над источником металлического галлия и осаждение слоев на подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения толщины слоев, источник галлия располагают напротив подложек на расстоянии 2 5 мм, поток аммиака пропускают между ними со скоростью 25 50 л/ч и осаждение ведут при температуре 1170 1270oС и температуре источника на 10 50oС выше этой температуры.
Способ выращивания монокристаллического sic
Номер патента: 882247
Опубликовано: 20.11.1996
Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: C30B 23/00, C30B 29/36
Метки: выращивания, монокристаллического
Способ выращивания монокристаллического SiC, включающий сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на подложку SiC при 1600 2000oС, отличающийся тем, что, с целью снижения плотности дефектов типа пор, дислокаций и включений второй фазы и увеличения объема кристаллов, сублимацию ведут в присутствии Та, взятого в количестве 1% от веса источника.
Способ изготовления светодиодных структур
Номер патента: 1524738
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: H01L 21/265
Метки: светодиодных, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР, включающий имплантацию ионов Al в эпитаксиальный слой SiC политипа 6Н n-типа проводимости и отжиг, отличающийся тем, что, с целью увеличения квантовой эффективности излучения в зеленой области спектра, эпитаксиальный слой наращивают путем сублимации при 1700 -1900oС, парциальном давлении Si 5 - 20 Па в вакууме не ниже 10-3 Па, отжиг проводят при 1450 - 1550oС, а имплантацию - в процессе отжига.
Способ получения слоев карбида кремния
Номер патента: 1398484
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: карбида, кремния, слоев
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.
Полупроводниковый источник света
Номер патента: 1499652
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Демаков, Ломакина, Мохов, Роенков, Семенов, Федоренко
МПК: H01L 33/00
Метки: источник, полупроводниковый, света
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА, включающий подложку SiC n-типа проводимости, слой SiC p-типа проводимости политипа 4H, легированный aL, слой SiC n-типа проводимости политипа 4H с люминесцентно-активными дефектами, расположенный между ними, и контакты, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности излучения в голубой области спектра и быстродействия, источник света дополнительно содержит слой SiC n-типа проводимости политипа 4H толщиной от 5 до 20 мкм с концентрацией азота от 05 1019 до 1,0 1019 см-3, расположенный между подложкой и слоем SiC n-типа проводимости с...
Способ изготовления светодиодных структур
Номер патента: 1632278
Опубликовано: 15.10.1994
Авторы: Веренчикова, Водаков, Гирка, Мокрушин, Мохов, Роенков, Свирида, Шишкин
МПК: H01L 21/263
Метки: светодиодных, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР путем эпитаксиального наращивания на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости, на слой SiC n-типа проводимости слоя SiC p-типа проводимости, облучения и отжига, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости параметров, облучение проводят электронами с энергией 2 - 5 МэВ дозой 1018 - 5 1018 см-2 при температуре 30 - 500oС, а отжиг проводят при температуре 1700 - 1800oС.
Способ изготовления светодиодов, излучающих в фиолетовой области спектра
Номер патента: 1753885
Опубликовано: 30.08.1994
Авторы: Водаков, Мохов, Роенков
МПК: H01L 21/205
Метки: излучающих, области, светодиодов, спектра, фиолетовой
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ, ИЗЛУЧАЮЩИХ В ФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА, включающий эпитаксиальное наращивание в среде инертного газа на подложке карбида кремния слоя SiC n-типа проводимости, легированного азотом с концентрацией (2 - 10) 1018 см-3, слоя SiC p-типа проводимости, легированного алюминием, и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа за счет возможности использования подложки карбида кремния любого политипа, в качестве подложки выбирают пластину с ориентацией (000 )C с углом разориентации не более 30
Полупроводниковый источник света
Номер патента: 1774400
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Водаков, Вольфсон, Мохов, Роенков, Семенов
МПК: H01L 21/363, H01L 33/00
Метки: источник, полупроводниковый, света
...способствует подавлению не только дефектной ЭЛ, но и других, более низкоэнергетических, нежелательных примесных полос люминесценции (в частности - борной смаксимумом излучения в зеленой области спектра). Концентрация Яп должна быть не16 -Эменее 110 см в материале как и-, так и р-типа. При меньшей концентрации Яп эффективность излучения резко снижается за счет наличия дефектных центров вблизи ри-перехода типа 01 с излучением в зелено- голубой области и ухудшается быстродействие, Верхний уровень легирования Яп.16 -З3 10 см определяется пределом его растворимости в Я 1 С.На чертеже приведена блок-схема устройства,Устройство содержит подложку 1 любого политипа и-типа проводимости, слой 2 и-типа проводимости политипа 4 Н, слой 3...
Способ получения селенидов металлов
Номер патента: 1502457
Опубликовано: 23.08.1989
Автор: Роенков
МПК: C01B 19/00
...водород через орошаемую жидким селецом насадку, полученную селецоводородсодержлщую смесь осво 5 бождлют от элементарного селенл путем конденсации и фильтрования инаправляют в камеру осаждения селе -нида, куда с помощью потока аргоца вносят также пар цинка. Для нейтрализации непрореагцровавших веществсмесь с выхода камеры осаждения пропускают через брботер с раствором едкого кали. 15Для сра вцения ослждение селенида цинка проводят также известным способом, пропуская водород над ладочкой с селеновым расплавом и направляя пар цинка и селеноводородсодер жащую смесь после отделения элементарного селена в камеру осаждения. В этом случае вертикальная камера синтеза селеноводорода заменяется такой же по размерам горизонтальной камерой, в...