Выбор материалов или специальной формы для облегчения охлаждения или нагрева, например устройства для отвода тепла — H01L 23/36 — МПК (original) (raw)
Радиатор
Номер патента: 132727
Опубликовано: 01.01.1960
Автор: Тареев
МПК: H01L 23/36
Метки: радиатор
...щ и й с я тем, что, с целью рхности и коэффициента теплоотдачи, радиатор выполли из посеребренной проволоки, припаиваемой к корДля охлаждения мощных полупроводниковых триодов обпользуются радиаторы пластинчатого типа. Эти радиаторы дажменением обдува имеют невысокие теплотехнические показателПредлагаемый радиатор отличается от известных тем, чтоет большую поверхность и коэффициент теплоотдачи, так какв виде спирали из посеребренной проволоки, припаиваемой крадиатора.Конструкция радиатора дана на чертеже.Он состоит из корпуса и спирально навивного оребрениямедный точеный. В торцовой части его имеются отверстия дления радиатора и отверстия для выводов триода. На корпусвается спирально навивное оребрение, которое припаиваетсяДиаметр...
Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 333388
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Васильев, Лисицкий, Рыбин, Шит
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор
...разл потока, о 15 напримерми в пла верстия д ор для охлаждения полупров оров, содержащий оребреину пластину с закрепленным мым прибором, отличающии лью интенсификации тепл ичных направлениях охлажд ребрение выполнено в виде конической формы, между стине предусмотрены сквозн чя прохода охлаждающего аоднико ю с обе на ней обмена ающего шипов, которыые отгента. Известны радиаторы для охлаждения полупроводниковых приборов, содержащие оребренную с обеих сторон пластину с закрепленным на ией охлаждаемым прибором.Цель изобретения - повышение интепсивносги теплообмена при различных направлениях охлаждающего потока.Цель достигается тем, что оребрение выполнено в виде шипов, например конической формы, между которыми в пластине предусмотрены...
Радиатор
Номер патента: 383119
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Конради, Салюк, Союзная
МПК: H01L 23/36
Метки: радиатор
...отливкой в ко киль. Радиатор обтекается воздухом более эффективно благодаря нагреванию его в межреберных канавках и каналах, сообщающих купол с канавками, и постоянному притоку по этим отверстиям воздуха из полости купола в т 5 межреберные канавки.На чертеже изображен предлагаемый радиатор, который может быть использован, например, для мощных управляемых диодов,Радиатор содержит корпус (цоколь) 1, кон центрические клиновидные ребра охлаждения2, зажимное кольцо т, полупроводниковый прибор (например, управляемый диод) 4, отверстия 5, сообщающие полость купола 6 цоколя с межреберными канавками, крепежные 25 отверстия 7 и гнездо 8 под полупроводниковыйприбор.Радиатор с закрепленным в его гнезде полупроводниковым прибором крепится посредством...
Воеоиюзнаи йатнтно-1гхк-и:
Номер патента: 372594
Опубликовано: 01.01.1973
МПК: H01L 23/36
Метки: воеоиюзнаи, йатнтно-1гхк-и
...радиатор. новная спираль 2, на которую, плотно н На основании 1 радиатора установле на дополнительная спираль 3 из пров пропаянной по всей ее длине. Шаг нравен трем диаметрам проволоки дополнительной спирали. Диаметр проволоки дополнительной спирали на порядок меньше диаметра основной спирали.Элементы 4 радиоэлектронной аппаратурыустанавливают на основании 1 радиатора, которому они отдают тепло. Благодаря контакту со спиралью основание отдает тепло спирали с дополнительной обмоткой.1 оток охлаждающего воздуха омываеттеплопередающие поверхности радиатора, 11 ри омывании воздухом спирали с дополнительной обмоткои возникают дополнительные воздушные потоки, которые увеличивают турбулизацию слоя на границе спираль - воздух, что обеспечивает...
Полупроводниковое устройство
Номер патента: 503563
Опубликовано: 15.02.1976
МПК: H01L 23/36
Метки: полупроводниковое
...сплавами золота и сурьмы и алюминия, или при диффузии легирующих присадок, например мышьяка и галлия.На фиг. 1 представлено предлагаемое полупроводниковое устройство, охлаждаемое только с одной стороны, разрез; на фиг. 2 и 3 - то же, разрез, охлаждение с обеих сторон.В полупроводниковом устройстве, показанном на фиг, 1, круглая кремниевая пластинка 1 типа Р-М-М + со слоем алюминиевого припоя (не показан) на нижней поверхности припаяна к опорной пластине 2, изготовленной из молибдена или другого материала, имеющего примерно такой же коэффициент теплового расширения, как у кремния, На ее верхней поверхности образован контакт в виде слоя 3 из сплава золота и сурьмы. Полупроводниковый элемент, состоящий из элементов 1, 2, 3,...
Радиатор с плавающимся наполнителем
Номер патента: 570131
Опубликовано: 25.08.1977
Автор: Садовников
МПК: H01L 23/36
Метки: наполнителем, плавающимся, радиатор
...9.Пружины 8 соединены заклепкой 1 О спластиной 11, снабженной отверстиями 12Герметизация корпуса 1 и крышки 2 до.стигается с помощью.резинового шнура 13; Збобхватывающего весь периметр радиатораи уплотненного хомутом 14,Крепление корпуса 1 с крышкой 2 и окобы 9 с оболочкой 3 на чертеже не показа 40Повышение эффективности работы радиатора достигается путем обеспечения непосредственного теплового контакта плавяпегося вещества с металлической оболочкой 45 радиатора прь любой температуре вещества и повышения скорости движения границы раздела фю прн плавлении во время крач ковременного теплового воздействия на радиатор, 50Радиатор работает следующим образом.Тепло поступавшее непосредстве.но отинтегральной схемы 5 и дополнительно через...
Радиатор для охлаждения радиоэлементов
Номер патента: 586515
Опубликовано: 30.12.1977
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов
...- повышение интенсивности охлаждения.Цель достигается тем, что электромагнитный возбудитель колебаний расположен между ребрами и настроен на резонансную частоту их колебаний. Кроме того, основание и ребра выполнены в виде вложенных одна в другую П-образных скоб, соединенных в средней часР ий ребер, опти.езонансная частота колебанеляется из соотношения:1 Ь;586515 В. Пешехоновамышникова Составите Техред А ектор Л. Орлова Редакт оляд Подписно аж 995Министров ССытийаб., д, 4/5 Изд. Ме 1039 Ти Г 10 1 осударственного комитета Совета по делам изобретений и откр 113035, Москва, Ж.35, Раушскаяказ 2911 ипография, пр. Сапунова 3П-образные металлические скобы 1 и 2 вложены одна в другую и соединены в средней части, образуя радиатор. Материал и...
Устройство для охлаждения полупроводниковых элементов
Номер патента: 683648
Опубликовано: 30.08.1979
Автор: Хериберт
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, элементов
...бифилярно намотанный змеевик; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Устройство содержит спиральной формы бифилярно намотанный змеевик 1 с впускным штуцером 2 и выходным штуцером 3. Змеевик 1 вмонтирован в сердечник 4 из геплопроводящего материала, который обозначен штрих-пунктирной линией.На фиг. 1 направление втекающего потока жидкости обозначено стрелкой А, а вытекающего потока - стрелкой В. На фиг. 1 видно, что витки спирали А и В поочередно чередуются. Этим самым рядом расположенные витки спирали попеременно заполняются горячей и холодной охлаждающей жидкостью, поддерживая, по крайней мере приближенно, постоянное среднее значение температуры по всей спирали.На фиг. 2 показан вид сверху спирали змеевика 1 в направлении впускного...
Устройство для охлаждения полупроводниковых элементов
Номер патента: 697062
Опубликовано: 05.11.1979
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, элементов
...электродом 12, проходит охлаждающую пластину 21 и выходит снова через соединение 22 из распределительной пластины 20. Пас редством шлангового соединения вода подается к распределительной пласти" не тиристора, имеющего одинаковый потенциал, проходит там охлаждающую пластину и до того, как используемая в качестве охлаждающей среды вода выйдет и вернется в сборник, онаеще раз соприкоснется с титановымэлектродом.Подаваемая в распределительнуюпластину 18 у соединения 23 вода со"прикасается точно так же с титановымэлектродом 12 и затем протекает по 5охлаждающей пластине 16. Распределительная пластина 18 сконструированатаким образом, что выходящая из ох"лаждающей пластины 16 вода проходитчерез нее и попадает в охлаждающую 10пластину 17....
Охладитель
Номер патента: 736221
Опубликовано: 25.05.1980
Авторы: Захаров, Рейсиг, Федий
МПК: H01L 23/36
Метки: охладитель
...таблеточном корпусе охладитель выполняется без центрального отверстия (см, фиг. 1, 2, 4).При присоединении охладителя к системе принудительного охлаждения, воздух или газ поступает через отверстие 3 в канал 2, а затем обтекает ряд проволок 4 и через щелевые от. верстия, образованные этими проволоками, с большой скоростью выходит наружу (либо в другой канал при замкнутой системе охлаждения).Такой охладитель позволяет увеличить надежность эксплуатации за счет применения воздушной (газовой) охлаждающей среды вместо жидкостной, и кроме того, эффективность охлаждения не уступает эффективности жидкостных охладителей, поскольку его эффективность определяется увеличенным отношением поверхности теплосъема к объему охлаждающего воз. духа (газа), а...
Охладитель
Номер патента: 764622
Опубликовано: 15.09.1980
Авторы: Вильфрид, Клаус, Тибор, Фридрих
МПК: H01L 23/36
Метки: охладитель
...боковых сторонах. За счет этого получается зигзаГообразный или имеющий форму меандра путь тока хлад- агента через сердечник 1. Пазы 7 и 8 могут быть получены путем Фрезерования или электрохимическим способом, что не связано с особыми затратами рабочего и Станочного времени. В сердечнике 1 помимо каналов 2 и 3 выполнены еще два канала 9 и 10, которые соединены с каналами 3, пазами 11 и 12. На боковую поверхность 13, противоположную поверхность 6 выходят каналы 2 и 3, близлежащие различным теплопередающим поверхностям 5 и б соответственно. Эти каналы соединены выемками 14. Кроме того, на боковую поверхность 13 выходит входной канал 9 и выходной канал 10, которые оканчиваются углублением 15 и 16 соответственно. В данном случае входное и...
Охладитель, преимущественно для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 860176
Опубликовано: 30.08.1981
Авторы: Гохман, Наконечный
МПК: H01L 23/36
Метки: охладитель, охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов
...в объеме оребренной поверхности при одновременном снижении динамического сопротивления и увеличении поверхности охлаждения вследствие того, что взаимно перекрывающиеся охлаждающие каналы образуют развитую па площади охлаждающую поверхность в виде большого количества охлаждаемых ребер, выполненных в форме ромба, установленных острым углом в направлении движения охлаждающего потока, что позволяет легко рассекать струи набегающего потока на большое количество элементарных струй, не создавая при обтекании ребер этими струями больших тормозящих завихрений. При этом увеличение числа охлаждающих каналов приводит к увеличению числа ребер, что увеличивает поверхность ахль дения, усиливает турбулентнный режим потока, а также за счет...
Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 945929
Опубликовано: 23.07.1982
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов
...либо уменьшая передачу тепла в окружающую среду, 5Устройство работает следующим .образом,Тепло, поступающее от полупроводникового прибора, закрепленногона пластине, через корпус полупроводникового прибора передается на пластину, на биметаллическое основание,затем через него - на ребра с последующим рассеиванием тепла в окружающую среду. Биметаллическое основание, имеющее тепловой контактс пластиной, под действием полученного тепла изгибается, и зазоры междуребрами, установленными на слое сбольшим коэффициент м линейного рас- роширения, увеличивается, Чем большенагрев, тем больше изгиб и зазорымежду реЬрами, дающие возможностьпройти большему ко,ичеству хладагента. Отбор тепла от устройства уве-. 25личивается.При уменьшении...
Выпрямительная ячейка
Номер патента: 955289
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Балабуев, Львов, Марченко, Черкас
МПК: H01L 23/36
Метки: выпрямительная, ячейка
...независимо от нагрузки. Все это способствует повышению термодинамической эффективности выпрямительной ячейки. Й = 84/Я = 0,009 К/Вт О = 1,05 К коплавкого металла с невысокой теплопроводностью. Кроме того, зона контакта содержит воздушные прослойки, возникающие из-за микро- и макронеровностей и непараллельности поверхностей прибора и охладптел 5.Пель изобретения - повышение термодина мической эффективности вьшрямительной ячейки.Указанная цель достигается тем, что, в Вместе с тем предлагаемое техническое решение позволяет реализовать теплопередачу через слой армированной прокладки даже в случае контакта неоднородных поверхностей, например, медного вывода корпуса прибора и алюминиевого охладителя. Так, если одна из поверхностей...
Охладитель для полупроводниковых приборов
Номер патента: 983838
Опубликовано: 23.12.1982
Автор: Климов
МПК: H01L 23/36
Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов
...эффективности охлаждения.Поставленная цель достигается тем,что в охладителе для полупроводниковыхприборов, содержащем радиатор с вертикальными полыми цилиндрическими ребрами, между вертикальными попыми цилиндрическими ребрами расположены закрытыекамеры, заполненные охлвдителем,На чертеже изображен предлагаемыйохлади тель,Полупроводниковый прибор, включаюший корпус 1 и основание 2, установлен в охлвдителе, который состоит из открытых камер 3 и закрытых трехгранных камер 4. Камеры 4 заполнены охладителем.Охладитель работает следующим образом.Охладитель устанавливают на корпус 1 полупроводникового прибора с зазором между основанием 2 и теплоотводом, которыйЗаказ 9939/65 Тираж 761 Подписное ул. Проектная,Патент", г. Уж го лиал 3 98383...
Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 1029271
Опубликовано: 15.07.1983
Авторы: Корнух, Кудриченко
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов
...что приводит к использованию их при значительно меньших мощностях.Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения путем обеспечения равномерного теплового поля наконтактной пластине.1Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для охлаждения полуЗ 5"проводниковых приборов, содержащемконтактную пластину с рабочими поверхностями и с каналом для охлаждаю"щей жидкости, выполненным в виде двухспиралей, бифилярно соединенных междусобой, спирали канала расположеныв одной плоскости, параллельной рабо"чим поверхностям;,контактной пластины,причем между смежными винтками спи,ралей канала выполнены сообщающиеся. с ними пазы, поперечное сечение которых меньше поперечного сечения каналаПазы ориентированы под углом на"встречу...
Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 1117735
Опубликовано: 07.10.1984
Авторы: Бабайлов, Кондратюк, Котляревская, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов
...цель достигается тем, что в устройстве, содержащем полупроводниковый прибор с установленными на нем охладителями, поверхз 1 ность одного иэ охладителей выполнена снаружи гладкостенной, а внутри развита за счет ребер, выполненных, на основании, причем. корпус этого охладителя теплоиэолирован от внешней среды, а второй охладитель - испарительный или жидкостный - установлен на другой стороне охлаждаемого прибора.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид с частичным разрезом.Устройство для охлаждения полупрбводниковых приборов содержит два разнородных охладителя, прижатых с обеих сторон полупроводникового прибора 1, например таблеточного тиристора, с помощью стяжных шпилек 2. Один из охладителей содержит корпус...
Способ изготовления алюминиевой тепловой трубы
Номер патента: 1162569
Опубликовано: 23.06.1985
Авторы: Буянов, Киселев, Кундышев, Фролов
МПК: B23P 15/22, H01L 23/36
Метки: алюминиевой, тепловой, трубы
...силовых. полупроводниковых приборов таблеточной. конструкции. 5Цель изобретения повышение теплопередающей способности тепловой трубы за счет образования пористой внутренней поверхности.На чертеже изображены половины 10тепловой трубы перед их соединением.Способ осуществляют следующим образом,Предварительно получают две половины тепловой,.трубы 1 и 2 любым известным способом. Предпочтительнымявляется способ получения половин трубы штамповкой иэ листа, в результате чего снижается металлоемкостьизготовления. Половины трубы очищают 20и обезжиривают, а затем протравливают йх внутренние поверхности допоявления в поверхностном слое микропор, Полученная в результатетравления пористая поверхность обеспечивает повышение ее...
Полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 1191990
Опубликовано: 15.11.1985
Авторы: Беляков, Львов, Марченко, Черкас
МПК: H01L 23/36, H05K 7/20
Метки: полупроводниковый
...фиг. 1 показан преобразователь, общий вид; на фиг. 2 - полупроводниковый преобразователь, вид сверху; на фиг. 3 - сечение Л - А на фиг. 1.Полупроводниковый преобразователь содержит корпус 1 и полупроводниковые блоки 2, расположенные рядами в направлении течения потока теплоносителя. По длине корпуса преобразователя блоки установлены с обеих сторон корпуса и образуют центральный канал 3 для течения теплоносителя. Часть свободного сечения центрального канала 3 перекрыта дефлектором 4, при этом площадь перекрытого сечения центрального канала возрастает по направлению течения теплоносителя. Дефлекторы 4 каждого ряда выполнены в виде трапецеидальных разновеликих пластин, при этом пластины ориентированы таким образом, что большее...
Устройство для охлаждения радиоэлементов
Номер патента: 1403396
Опубликовано: 15.06.1988
МПК: H01L 23/36, H05K 7/20
Метки: охлаждения, радиоэлементов
...внешней стороны квнутренней стороне капсулы 3,Корпус 1 конструктивно может бытьвыполнен с отсеком 9, заполняемымрастворяющимся веществом 4 и герметизируемым плавящимся веществом 5,В качестве жидкости-растворителя2 и растворяющегося вещества 4 вустройстве могут быть использованы,например, вода и тиосульфат натрия,вода - соль КС 1,В качестве плавящегося вещества5 может использоваться стеариноваякислота, парафии, сплав вуда и другиеметаллические и неметаллические вещества.Устройство работает следующим образом.При включении прибора 6 выделяемое им тепло через стенку корпуса 1 из высокотеплопроводного материала поступает в жидкость 2 и идет на ее разогрев. По достижении температуры плавления первой перегородки капсулы 3 вещество 4,...
Силовой полупроводниковый прибор
Номер патента: 1566421
Опубликовано: 23.05.1990
Авторы: Горячев, Майоров, Поляков, Школьник
МПК: H01L 23/34, H01L 23/36
Метки: полупроводниковый, прибор, силовой
...резерва.После отключения электропитания от кристалла 5 температура на нем снижается, теплоаккумулирующее вещество 8 остывает и сокращается в обьеме, Давление на плунжер 9 прекращается, и под действием пружины 12 подвижная плата 10 с контактными пластинами 11 возвращается в исходное положение, что обеспечивает дальнейшую работу силового полупроводникового прибора.В качестве теплоаккумулирующего вещества применяются легкоплавкие композиции, а также эвтектические сплавы, точка плавления которых выбирается из необходимых условий работы силового полупроводникового прибора.Замкнутая емкость камеры выбирается,так, чтобы в ней находилась часть нерасплавившегося теплоаккумулирующего вещества при нормальной длительной работе кристалла, Потребное...
Устройство для охлаждения приборов
Номер патента: 1575251
Опубликовано: 30.06.1990
Автор: Суладзе
МПК: F28D 15/00, H01L 23/36
Метки: охлаждения, приборов
...8, открытый конец которогонагревается, в результате чего в нижней части транспортного канала 6 образуется парожидкостная смесь теплоносителя, имеющая меньшую плотностьпо сравнению с жидким теплоносителем, находящимся в отстойнике 1, Врезультате наличия разности плотностей парожидкостная смесь теплоносителя по каналу 6 поднимается к еговерхней части, в которой расположеновыходное сечение 5 транспортного канала, через которое парожидкостнаясмесь поступает в испаритель 4. В испарителе под воздействием тепловогопотока происходит кипение теплоносителя, при этом наличие днища 9, отделяющего испаритель от конденсатора,позволяет осуществлять подвод теплового потока, как со стороны цилиндрической поверхности испарителя, так 40и со...
Способ определения темпа разогрева системы обеспечения тепловых режимов радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1576937
Опубликовано: 07.07.1990
МПК: G01K 15/00, H01L 23/36
Метки: аппаратуры, обеспечения, радиоэлектронной, разогрева, режимов, системы, темпа, тепловых
...вжность получаемых значений темпаразогрева СОТР и сократить время испытаний СОТР с принудительной. циркуляцией теплоносителя,Формула изобретения, Способ определения темпа разогрева системы обеспечения тепловых режимов радиоэлектронной аппаратуры, включающий выдержку системы при начальной температуреиспытаний до установления температурного равновесия между температурой элементов системы и начальной температурой испытаний, включение нагнетателя и нагревателя системы с последующим прогревом системы до рабочей температуры, снятие температурно-временной зависимоститеплоносителя системы, отключение нагревателя и нагнетателя и вычислениетемпа ш разогрева по формуле где й 1,1 - температуры теплоносителяв стадии регулярного режима в...
Полупроводниковый блок
Номер патента: 1414235
Опубликовано: 07.09.1990
Авторы: Ефименков, Захарова, Кудрявцев, Разоренов
МПК: H01L 23/36
Метки: блок, полупроводниковый
...3. Если толщина теплопроводннка 4 будет менее двух длин кристалла 2, а площадь не будет превышать н сто раз площадь кристалла 2 полупроводникового прибора 1, то при импульсном характере сигналатепло не будет успевать развертываться и транспортироваться на радиатор 3, что приведет к перегреву и выходу из строя кристалла 2 полупроводникового прибора 1.П р и м е р 1. В усилителе КЗВПЗО устанавливают полупроводниковый блок с транзистором КТ 808, Кристалл имеет размеры 5 х 5 х 0,7 мм и установлен в корпусе типа ТО. Толщина металлического корпуса транзистора в районе кристалла 1,2 мм. При импульсном режиме этого недостаточно для расширения теплового потока, поэтому изоляция между корпусом транзистора и радиатором встречает плотный...
Теплопроводящая паста
Номер патента: 1624565
Опубликовано: 30.01.1991
Автор: Гува
МПК: H01L 23/36, H05K 7/20
Метки: паста, теплопроводящая
...результате исследований было определено необходимое количество микропорошка алмаза в составе пасты(22 - 25 мас. ). При этом паста имеет в нормальных условиях вазелиноподобную консистенцию,При содержании в смеси алмазного порошка более 25 мас. паста утрачивает свое вазелиноподобное состояние, приобретает рассыпчатую структуру и становится не пригодной для нанесения.Содержание алмазного порошка менее 22 мас. приводит к тому, что в пасте присутствует избыток жидкой фазы. В результате при организации контакта с приложением механических и тепловых нагрузок паста может частично вытекать из зазоров, что приведет к выходу из строя узла теплопередачи.Для определения эффективности приготовленной пасты ее использовали в контакте между мощным...
Охладитель для силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1624566
Опубликовано: 30.01.1991
Авторы: Гвоздев, Наконечный, Савченко
МПК: H01L 23/36, H05K 7/20
Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых
...с пружинящими криволинейными выступами,Вставка 5 может быть изготовлена следующим образом: в пластине выполняютряд параллельных прорезей, участки междукоторыми выгибают поочередно в противо 1624566положные стороны, образуя криволинейные пружинящие выступы 6. За счет того, что выступы 6 расположены с обеих сторон вставки 5 так, что ее посадочный размер превышает размер ширины межреберного пространства, при движении обоих корпусов навстречу друг другу выступы турбулиэирующих вставок 5 входят в плотное соединение с натягом с поверхностью ребер, При этом каждым выступом обеспечивается надежный тепловой контакт по всей длине ребер как между вставками 5 и ребрами 4, так и между ребрами 4 обоих корпусов в местах их стыка. Конструкция...
Прокладка для электроизоляции полупроводникового прибора от теплоотвода
Номер патента: 1626267
Опубликовано: 07.02.1991
Авторы: Коркунова, Мамыкин, Павленко, Пельтек, Яременко
МПК: H01L 23/36
Метки: полупроводникового, прибора, прокладка, теплоотвода, электроизоляции
...высокую теплопроводность из-за повышенного экранирующего воздействия низкотеплопроводной упругой составляющей,П р и м е р, Порошок нитрида алюминия с диаметром частиц 60 - 80 мкм помещают в планетарную мельницу и размалывают в течение 2 ч. В результате получают высокодисПерсный порошок с удельной поверхностью1626267 Составитель Е,ПановРедактор Н,Лазаренко Техред М.Моргентал Корректор М.Максимишинец Заказ 280 Тираж 361 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 5-8 м /г и размором частиц 0,2 - 0,3 мкм. Полученный порошок перед использованием просушивают в сушильном шкафу при...
Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 1626474
Опубликовано: 07.02.1991
МПК: H01L 23/36, H05K 7/20
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов
...или электроизоляционен в зависимости от схемы, реализуемой столбом, и обеспечивает равномерную установку охладителей 1 в столб. Применением дистанционеров 8 можно удвоить нагруэочную способность столба по сравнению с фиг,1, если набирать столб поочередной установкой в него первого охладителя, полупроводникового прибора, второго охладителя, дистанционера и т,д.Возможен охладитель (фиг.4), у которого в одной конструкции совмещены охлади- тель 1 для интенсивного охлаждения (часть оребрения 5 выше основания 3) и теплоаккумулятор, Оба охладителя 1 могут быть реализованы и по одну сторону от основания 3. При использовании совмещенного охладителя 1 появляется воэможность компоновать столб с помощью только одного типа (конструкции) охладителя...
Радиатор для охлаждения электрорадиоэлементов
Номер патента: 1670817
Опубликовано: 15.08.1991
Автор: Шульга
МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...
Метки: охлаждения, радиатор, электрорадиоэлементов
...температуры ребер 3 по их высоте.Эффективному перераспределению потока с учетом изменения температуры ребер 3 по высоте и с учетом сохранения относительного расстояния между ребрами 3 соответствует также введение между однонаправленными лепестками 11 или 12 вершин 7 однонаправленных лепестков 12 или 11 соответственно соседних ребер 3. Они дополнительно сужают сечение между ними у менее нагретых участков ребер 3 на границах их разделения, в связи с чем поток прижимается к более нагретым поверхностям.При движении хладагента через охлади- тель торцовые установочные площадки 2, расположенные поперек потока, вызывают его турбулизацию за счет хаотичного резкого изменения направления потока в зоне вершин 7 ребер 3 в местах разделения...
Радиатор для охлаждения радиоэлементов
Номер патента: 1677886
Опубликовано: 15.09.1991
МПК: H01L 23/36, H05K 7/20
Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов
...3, к которому прикреплена полоска 4 из гибкого неупругого материала, способного колебаться под действием потока. На основании 1 установлен также охлаждаемый радиоэлемент 5.Радиатор работает следующим обраОмываемый основание 1 и ребра 2 поток газа набегает на установленный наклонно к основанию 1 стержень 3. При обтекании стержня 3 с него периодически срываются вихри (вихри Кармана), создавая возмущающую силу, воздействующую на полоску 4, В результате действия возмущаагцей силы образуются отклонения полоски 4 от исходного положения, что устанавливает ее под углом атаки к потоку. Под действием скоростного напора потока полоска 4 возвращается,в исходное состояние, Таким образом происходит колебание полоски, При обтекании полоски 4...