Характеризуемые материалами, из которых они образованы — H01L 29/12 — МПК (original) (raw)
Селеновый выпрямительный элемент
Номер патента: 112331
Опубликовано: 01.01.1958
Авторы: Гамбарова, Гилье, Поволоцкий, Юрьев
МПК: H01L 29/12
Метки: выпрямительный, селеновый, элемент
...таллия) и создает недостаточно устойчивый, особенно при повышенной температуре и повышенном напряжении, контакт селена с кадмием или селена с оловоз, а иногда и контакт других приств ныи тения Предмет ц Селеновый вмент, в которо.ЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ месей. загрязняюшцх селен и катодцый сплав.Для того. чтооы уменьшить вероятность образования таких нежелательных контактов и увеличить, тем самым, стабильность параметров селеновых выпрямцтельцьх элемецтов ц срок цх службьк предлагается отделять слой магния цлц таллия от катодного электрода тонкой пористой пленкой изоляционного лака.В этом случае металл катодного электрода будет:.леть возможность контактировать со слоем металлического магния цлц тгллия, находяшегося на поверхности селена, лишь...
155871
Номер патента: 155871
Опубликовано: 01.01.1963
МПК: C03C 3/097, H01L 29/12
Метки: 155871
...и травленной поверхностпомещенной в печь.Для получения слоя и-типа используют спиз фосфорносиликатного стекла, получаемого тличается от издают слой дифьнейшего провеся равномерный вательно, повыхода.ледующем.воздухе. Однако нтрации в облаку сторону плапроводится дифпри температуре ходов о еде осаж для дал получает и, следо - р пере ется в с ора на ой конце Налоты,оздухе ожнои боросиликатному ой, пластину травят в воздухе при температуельно обедненное борой окисла, образовавшеи кремниевой пластины иффузии фосфора ров фосфорнокисос из155871 лого аммония (МН) вНРО,. Этот процесс осуществляют следующим образом.В кварцевую трубку 1 (см. чертеж) помещают капсулу 2 с куском 3 фосфорпокислого аммония (ИН)вНРО, и подставку 4 с кремниевыми...
Сплав для омических контактов сило-вых полупроводниковых приборов
Номер патента: 508826
Опубликовано: 30.03.1976
Авторы: Белебашев, Голов, Журавлев, Зенцов, Крылов, Кук, Ловцов, Ревтов, Селезнев, Учайкин
МПК: H01L 29/12
Метки: контактов, омических, полупроводниковых, приборов, сило-вых, сплав
...с термокомпенсатором.Целью изобретения является снижение электросопротивления в контакте р - р+ и уменьшение инжекции при одновременном улучшении качества контакта.Поставленная цель достигается тем, что в известный сплав дополнительно вводится металлическая добавка, например, вольфрам или молибден,По предлагаемому способу для одновременного улучшения электрических характеристик омических контактов к кремнию р-типа проводимости и улучшения соединения с вольфрамовым (или молибденовым) термокомпенсатором алюминий или силумин легируют комплексной присадкой, содержащей бор и вольфрам (молибден) примерно в равных долях.Благодаря более высокой растворимости бора в кремнии (6.10" ат/см) по.сравнению с алюминием (1,5,10 е ат/см)...
Пленочный диод
Номер патента: 550066
Опубликовано: 05.10.1979
Авторы: Дюков, Кулюпин, Непийко
МПК: H01L 29/12
...подложки отликоличество вещества, а следовательно, островков н расстояния между ними, нно изменяются от одного электрода ому, При другом способе, перемещая в процессе напыления, получают пленку упенчато изменянипейся толщиной. Этузатем прогреванл ло образования остров уктуры. Диснергированные металлически изготовляют из золота, хрома или из66 4мость металлов и диэлектриков при облучении существенно не меняется, Свойства этойсистемы зависят от температуры, но интервалрабочих температур значительно расширяется(для пленок золота на стекле 4,2-600 К, адля пленок тугоплавких металлов, напримерхрома, 4,2 - 800 К),Формупа изобретения тавитель П. Торед З.ФантаКорректор Т. Скворцова дактор Т. Колодцева Покомитета СССи открытийскал наб д,4/...
Полупровдниковое устройство
Номер патента: 670023
Опубликовано: 07.10.1980
Авторы: Елинсон, Мадьяров, Покалякин, Степанов, Терешин, Тестов
МПК: H01L 29/12
Метки: полупровдниковое
...трудность изготовления тонких слоев бинарных соединений, невоспроизводимость пара метров переключения, связанная, по - видимому, с невоспроизводимостью свойств пленок. Такие материалы не используются для изготовления как пассивных, так и активных элементов интегральных схем.Известны полупровЬдн ус ройства на основе гетер ода лическиолов аго прибх состомное, бзапомнинапряжезобретеости перохранентающемстигаетдеФекты0 смеские уб 70 Я 23 Составитель Г. КорниловаРедактор Т . Колодцева Техред Н,Бабурка Корректор Е, Папп Заказ 8666 72 Тираж 844 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиал ППП Патент , г. Ужгород, ул, Проектная, 4 минается и сохраняется...
Полупроводниковое запоминающее устройство
Номер патента: 789018
Опубликовано: 15.06.1984
Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Степанов, Терешин, Тестов
МПК: H01L 29/12
Метки: запоминающее, полупроводниковое
...снизит барьер с металлом. При дальнейнем увеличении положительного смещения становится возможным туннелирование электронов из валентной эоны невырожденного полупроводника в зону проводимости металла. При этом в валентной зоне невырожденного полупроводника появляются дырки, которые движутся к вырожденному полупроводнику, В запрещенной зоне невырожденного полупроводника имеются ловушки, способные захватывать электроны Е " иедырки ЕВ исходном состоянии все ловушки заполнены и имеют заряд равный нулю, Теперь появившаяся в валентной зоне невырожденного полупроводника дырка захватывается ловушкой для дырки в области, прилежащей к вырожденному проводнику с последующей рекомбинацией с электроном, находящимся на ловушке для электронов в...
Порошковый материал на основе окиси алюминия для плазменного напыления теплостоков полупроводниковых приборов
Номер патента: 1661877
Опубликовано: 07.07.1991
Авторы: Бочек, Зильберберг, Киркун, Мамыкин, Павленко, Рутковский
МПК: C04B 35/10, C22C 29/12, C23C 4/10 ...
Метки: алюминия, материал, напыления, окиси, основе, плазменного, полупроводниковых, порошковый, приборов, теплостоков
...основе окисидля плазменного напыленияполупроводниковых прибороэлектроизолирующих теплослоев на теплопередающих илдящих поверхностях полупроприборов.Целью изобретения являение электрического сопротивлепроводности и снижениематериала,Порошковмас, : окись карид алюминиятальное,В качезуют поро(ГОСТ 6912магния (ТУриллия маралюминиячастиц 30 зованием ипри 120 вчерез ситовают навес е р . Для экспериментальной путем смешения в конусном готовят составы предлагаемоного порошковых материалов ым соотношением компоненУдельное Удельн алектринеское солрстналенне,1 Ом ся онентоа, час.Окись ал миння алю- Окись оери з В 7 Т8 10 льное 1,2 101,1,0 а1,7 10 а1,25 10"-35, Раушская наб 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Уж ул Гагарина 10...