Электроды с барьером шотки — H01L 29/47 — МПК (original) (raw)

Способ изготовления диода шоттки с охранным кольцом

Загрузка...

Номер патента: 1030887

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Владимирова, Иванченко, Климов, Самохвалов

МПК: H01L 29/47

Метки: диода, кольцом, охранным, шоттки

...с барьером Шоттки.Устранение утечек приводит к уменьшению абсолютной величины токов призаданном напряжении и к увеличению зависимости прямого тока от приложенного напряжения 2 3Однако этот способ довольно сло 50жен, а диоды, изготовленные этимспособом, имеют ограниченный частотный рабочий диапазон вследствиепараллельного включения емкости р-пперехода охранного кольца.Целью изобретения является упрощение изготовления и расширение частотного диапазона диода. 3Эта цель достигается тей, что согласно способу изготовления диода Шоттки с охранным кольцом, включающему нанесение на полупроводниковую пластину и-типа проводимости тылового омического контакта, формирование диэлектрического слоя и охранного кольца и электрохимическое осаждение...

Диод шоттки

Номер патента: 1037809

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Баранцева, Костенко

МПК: H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контактом Шоттки до эпитаксиального слоя выполнено углубление, в котором расположен управляющий электрод, изолированный от эпитаксиального слоя и подложки диэлектрической пленкой.

Полупроводниковый свч-диод

Номер патента: 1407341

Опубликовано: 20.02.2002

Авторы: Малышева, Павельев

МПК: H01L 29/47

Метки: полупроводниковый, свч-диод

Полупроводниковый СВЧ-диод по авт. св. 1178272, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочей частоты путем уменьшения последовательного сопротивления диода, наружная поверхность мезаструктуры снабжена металлическим барьерным контактом, соединенным с пленочным металлическим выводом омического контакта.