Шоттки — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «шоттки»
Способ изготовления полупроводниковых диодов с барьером шоттки
Номер патента: 306650
Опубликовано: 01.01.1971
МПК: H01L 21/443
Метки: барьером, диодов, полупроводниковых, шоттки
...того, толщина пленки не ограничивается вследствие термического разложения, как это обычно имеет место при использовании шестифтористого вольфрама. Можно легко образовать пленки вольфрама толщиной боле 1 лк.В соответствии с предложенным способом, на подложку может быть осаждена пленка вольфрама, однородная по толщине, с металлическим блеском, не содержащая неразложившихся галоидных соединений вольфрама.Кроме того, поскольку температура полупроводниковой подложки остается ниже 500 С, химически устойчивые промежуточные вещества на границе между этой подложкой и пленкой вольфрама не образуются, и на границе формируется барьер Шоттки, обладающий хорошим выпрямительным действием.На фиг. 1 показана установка для осу.цествления способа; на...
Способ измерения тока насыщения р-п переходов и барьеров шоттки
Номер патента: 555814
Опубликовано: 25.12.1977
МПК: G01R 31/26
Метки: барьеров, насыщения, переходов, р-п, шоттки
...5 где З-ток, при котором флуктуацпряжения на образце максимальны.е - основание натуральных лог5 д 58пропустить прямой ток. Изменяя величинутока, цо индикатору установить максимумфлуктуаций. Затем необходимо измерить ве-личину тока и разделить ее на коеффициейт(е 1), где е - основание натуральных логарифмов.П р и м е р 1. Барьер Шоттки иэготовлен напылением золота на химически травленную поверхность фосфида галлия и гипас Концентрацией доноров п смПлощадь металлического контакта равна20,78 мм, Измерения тока, при которомФазкочастожые флуктуации напряжения максимальны, определили, чтомсхс 1,1 мкА.15Следовательно, ток насьпцения равенЮ, 1,1 (2,718-1) 0,64 мкА,П р и м е р 2. Концентрация, доноровв полупроводнике в отличие от предыдущего...
Способ изготовления диода шоттки с охранным кольцом
Номер патента: 1030887
Опубликовано: 23.07.1983
Авторы: Владимирова, Иванченко, Климов, Самохвалов
МПК: H01L 29/47
Метки: диода, кольцом, охранным, шоттки
...с барьером Шоттки.Устранение утечек приводит к уменьшению абсолютной величины токов призаданном напряжении и к увеличению зависимости прямого тока от приложенного напряжения 2 3Однако этот способ довольно сло 50жен, а диоды, изготовленные этимспособом, имеют ограниченный частотный рабочий диапазон вследствиепараллельного включения емкости р-пперехода охранного кольца.Целью изобретения является упрощение изготовления и расширение частотного диапазона диода. 3Эта цель достигается тей, что согласно способу изготовления диода Шоттки с охранным кольцом, включающему нанесение на полупроводниковую пластину и-типа проводимости тылового омического контакта, формирование диэлектрического слоя и охранного кольца и электрохимическое осаждение...
Вентиль интегральной логики с диодами шоттки
Номер патента: 1401595
Опубликовано: 07.06.1988
Авторы: Коробейников, Кузьмичев, Фурсин
МПК: H03K 19/091
Метки: вентиль, диодами, интегральной, логики, шоттки
...тока4 О 53 элеменга 9 при переходе выходного напряжения от О к 1 перезаряжает выходную емкость вентиля, Таким образом, ц предлагае. мом вентиле ванду инерционности тока коллектора шунтирчющеГО р - ир транзисто ра 6 удается увеличить суммарный ток, г)ерезаряжающий во время переходных пронес. сов выходцуо емкость вентиля, и соот етственно поьысить быстродействие и увеличить крутизну фронтов,Ем кость а иод - катод диода Шотти 4 В поедля аемом вентиле работает как ус)юряющяя: при переходе нагря:кения на Выходе вентиля Отк О зя счет протекания тока прц ЗакрЫтОМ ЛИОВЕ ИоттКИ 4 ЧЕРЕЗ ТЗ(1.О ЕМ- . кость уме(эьшзется врмя перезарядки выходной емкости Вентиляувеличение укаэанной емкос), Ирнвслит к говышению быстродействия. Лоэгому, при...
Способ изготовления полевого транзистора с затвором в виде барьера шоттки
Номер патента: 1335047
Опубликовано: 30.06.1993
Авторы: Егудин, Лихтман, Полянов, Смирнов
МПК: H01L 21/338
Метки: барьера, виде, затвором, полевого, транзистора, шоттки
...соответственно 0,05 мкм и 0,4 мкм, Затем методом Фотолитографии с применением ионно-химического и химического способов травления формируютэлектроды истока.и стока которые за 9отем вжигают при температуре 480 С втечение 30 с с целью получения омических контактов, имеющих низкое переходное сопротивление. После этогона всю поверхность подложки последовательно напыляют слои Т 1, Ч соответствующей толйины и слой Ац толщиной0,5 мкм. Затем методом Фотолитографиина поверхности слоя Ац Формировали 47 2Фоторезистивную маску, через которую производили ионное травление Ац. Затем последовательно удаляли не защищенную Ац часть слоев Ч и Т 1, Травление слоя Ч осуществляли в плазме СР+ 0 в течение 3,5 мин, что обеспечивало боковое подтравлнвание...
Транзистор шоттки с двухсторонним управлением канала
Номер патента: 2000631
Опубликовано: 07.09.1993
Авторы: Джалилов, Самсоненко, Сорокин
МПК: H01L 29/812
Метки: двухсторонним, канала, транзистор, управлением, шоттки
...Вскрывают окна в 10 г над омическими контактами (для измерений тока насыщения в канале). Наносят слой электронного резистэ ЭЛП. Проводят электронно-лучевую литографию с использованием установки ЕВА. При этом в электронном резисте формируют затворный рисунок в виде ряде дискеетмо расположенных окон. Минимальный размер формируемых окон 0,25 мкм, определяет длину затвора и обусловлен минимальным размером электронного штампа, Расстояние между окнами0,4 мкм.Проводят направленное плэзмохимическое травление 90 г в окнах маски на установке08 ПХОТ. Боковой растрав 310 г мал0,05 мкм, стенки травления практическивертикальны. Проводят имплантацию ионов5 В в открытые области полупроводника наустановке Лада, Доза 1 101 ион/см.Энергия ионов100 кэВ....
Способ изготовления полевых транзисторов с затвором типа барьер шоттки
Номер патента: 814168
Опубликовано: 15.04.1994
МПК: H01L 21/04
Метки: барьер, затвором, полевых, типа, транзисторов, шоттки
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ на полупроводниковой подложке, включающий в себя напыление и вжигание контактного сплава, напыление защитного слоя, вскрытие окна в защитном слое, напыление барьерного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа получения транзисторов с субмикронной длиной канала и повышения выхода годных изделий, на структуре n - ni-типа создают n+-слой, в n-слое формируют контактные площадки истока и стока, формируют меза-структуры травлением n+- и n-слоев до подложки, создают маску из защитных материалов с узкой щелью, расположенной между контактными площадками стока и истока, контролируемыми травлением n+-слоя до границы...
Способ получения структур арсенида галлия для интегральных схем на основе полевых транзисторов шоттки
Номер патента: 1825234
Опубликовано: 27.03.1995
Авторы: Воронин, Губа, Плахотная
МПК: H01L 21/18
Метки: арсенида, галлия, интегральных, основе, полевых, структур, схем, транзисторов, шоттки
...Е 12 п 1=10 г см г и пг=104 см ш. Суммарная35 40 45 50 55 5 10 15 20 25 30 заданная толщина буферного слоя равна 1 мкм, толщина каждой области (подслоя) порядка 0,14 мкм, В эпитаксиальную установку С 2877 подают водород, включают печь и выводят ее в рабочий температурный режим (температура источника 780 С, зоны роста 690 С), Через шлюзовое устройство на пьедестале устанавливают подложку ОаАз марки АГПЧ-12-18 (100), затем пьедестал помещают в зону роста. По достижении подложками температуры 690 С с помощью программы производят пуск ростовой (Нг+АзСз) и регулирующей (Нг+Аз 4) парогазовой смеси и проводят наращивание эпитаксиальных структур, управляя концентрацией глубоких уровней Е 12. Для получения в подслое концентрации глубоких...
Способ создания интегральных микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1589932
Опубликовано: 20.12.1995
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков
МПК: H01L 21/306
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, шоттки
1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий формирование пассивных элементов и активных структур в монокремниевый подложке n-типа, нанесение диэлектрического покрытия, вскрытие в диэлектрическом покрытии контактных окон к эмиттерным областям и формирование эмиттерных структур, вскрытие контактных окон в диэлектрическом покрытии к базовым областям и областям формирования высокобарьерных диодов Шоттки, нанесения слоя платины и формирование силицида в открытых контактных областях, вскрытие контактных окон к областям формирования незкобарьерных диодов Шоттки, последовательное нанесение барьерного и токопроводящего слоев и формирование контактных электродов и...
Способ изготовления полупроводниковых приборов с барьером шоттки на фосфиде индия
Номер патента: 1335056
Опубликовано: 27.12.1995
Авторы: Авдеев, Зотов, Колмакова, Матвеев
МПК: H01L 21/28
Метки: барьером, индия, полупроводниковых, приборов, фосфиде, шоттки
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ НА ФОСФИДЕ ИНДИЯ, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, включающий химическую обработку поверхности пластин фосфида индия, напыление в вакууме неактивного металла и формирование контактов, отличающийся тем, что, с целью увеличения пробивных напряжений за счет увеличения высоты барьера Шоттки, химическую обработку пластин фосфида индия осуществляют в плавиковой кислоте при температуре от 80 до 106oС в течение не менее 5 мин, а испытание неактивного металла производят через время, не превышающее 60 мин на...
Способ изготовления интегральных схем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1581142
Опубликовано: 27.01.1996
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев
МПК: H01L 21/82
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки
1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...
Способ создания интегральных схем микросхем с диодами шоттки, имеющими различную высоту потенциального барьера
Номер патента: 1814432
Опубликовано: 20.04.1996
Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков
МПК: H01L 21/265
Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, микросхем, потенциального, различную, создания, схем, шоттки
...получить максимальный эффектувеличения высоты потенциального барьера высокобарьерных диодов Шоттки при минимальных токах утечки обратной ветви. Известно, что в процессе образования дисилицида титана на 1 нм . толщины слоя титана расходуется 2,27 нм толщины кремния. Таким образом, на взаимодействие, например, 45 нм титана расходуется 103 нм слоя кремния, что требует применения ионной имплантации бором с энергией 30 кэВ.Реализация самосовмещенной технологии формирования дисилицида титана с помощью одностадийной импульсной фотонной обработки в указанных режимах позволяет получать величины максимального логического перепада при минимальном 2 уровне легирования акцепторной примесью за счет большей степени электроактивации,. более...
Диод шоттки
Номер патента: 1037809
Опубликовано: 20.05.1996
МПК: H01L 29/47
Метки: диод, шоттки
Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контактом Шоттки до эпитаксиального слоя выполнено углубление, в котором расположен управляющий электрод, изолированный от эпитаксиального слоя и подложки диэлектрической пленкой.
Способ создания полевых транзисторов с затвором шоттки для сбис зу на арсениде галлия
Номер патента: 1559975
Опубликовано: 10.07.1996
Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин
МПК: H01L 21/283
Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки
1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...
Способ изготовления полевых транзисторов с барьером шоттки
Номер патента: 1574110
Опубликовано: 27.07.1996
Авторы: Гузаева, Москалев, Нечаев
МПК: H01L 21/265
Метки: барьером, полевых, транзисторов, шоттки
Способ изготовления полевых транзисторов с барьером Шоттки, включающий формирование n-слоя в подложке полуизолирующего арсенида галлия путем имплантации ионов донорной примеси, внедрения кислорода по крайней мере в области канала и термический отжиг, изоляцию активных областей транзистора и формирование металлических электродов к транзисторной структуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов, создания резкого градиента распределения концентрации донорной примеси на границе раздела n-слой подложка и уменьшения влияния перераспределения примесных атомов из подложки в n-слой, имплантацию ионов кислорода проводят перед имплантацией ионов донорной примеси с энергией и дозой ионов кислорода, обеспечивающими...
Способ изготовления диодов шоттки
Номер патента: 1217182
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Герасименко, Суртаев
МПК: H01L 21/265
Метки: диодов, шоттки
Способ изготовления диодов шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, формирование силицида металла в окнах и последующий высокотемпературный прогрев, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности диода за счет устранения бокового роста силицида, после фотолитографии по металлу, но до высокотемпературного прогрева участки металла над окислом облучают ионами N+2 дозой 1015 - 1016 ион/см2 с энергией, обеспечивающей пробег ионов на 0,50 - 0,75 толщины металла.
Способ изготовления диодов шоттки
Номер патента: 1530009
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Герасименко, Калинин, Суртаев
МПК: H01L 21/265
Метки: диодов, шоттки
Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.
Способ изготовления полевых транзисторов с затвором шоттки
Номер патента: 1507131
Опубликовано: 10.04.2004
Авторы: Нечаев, Чернявский
МПК: H01L 21/28
Метки: затвором, полевых, транзисторов, шоттки
1. Способ изготовления полевых транзисторов с затвором Шоттки, включающий формирование на полупроводниковой подложке омических контактов истока и стока, нанесение металлизации, формирование на поверхности подложки в области затвора металлического электрода травлением металлизации через маску, последовательное нанесение первой и второй диэлектрических пленок, формирование фоторезистивной маски с окном над поверхностью металлического электрода, изотропное травление через окно в фоторезистивной маске второй диэлектрической пленки до вскрытия поверхности первой диэлектрической пленки, травление первой диэлектрической пленки до вскрытия поверхности металлического электрода, удаление...
Способ изготовления диодов шоттки
Номер патента: 818372
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Данилов, Игнатенко, Радионов, Снитовский
МПК: H01L 21/18
Метки: диодов, шоттки
Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности...
Способ изготовления контактов шоттки
Номер патента: 1683449
Опубликовано: 20.06.2012
Авторы: Васильев, Румак, Хатько
МПК: H01L 21/265
Метки: контактов, шоттки
Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×104Вт/м2, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·105...