С затвором типа барьера шотки — H01L 29/812 — МПК (original) (raw)

Полевой транзистор

Номер патента: 646391

Опубликовано: 05.02.1979

МПК: H01L 29/812

...проводимости таким, образом, что ее проекцйя полностью перекрывает контакт стоковой области г. подложке.На чертеже изображен полевой транзистор, имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области 3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.В предложенной конструкции область канала 5 перекрывается слоем объемного заряда затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе имеет место отрицательный или нулевой (по отношению к области ) потенциал, Когда646391 3в области 3 приложен продолжительный потенциал, то область объемного заряда уменьшается и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническая связь,Уменьшение длины канала в предложенном...

Полевой трансистор

Номер патента: 1005224

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Ажажа, Алехин, Березкин, Грабчак, Кирпиленко, Рычков, Селькова

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, трансистор

...структуре, содержащей полуизолируюшую подложку 1, например, из -типа И арсенида галлия и эпигаксиальную пленку 2 и-типа с концентрацией примеси 101 - 10 см , соцержащий контакты стока 3 и истока 4, например, из композиции М- Ао - М 1, выполнен ные на поверхности эпитаксиальной пленки 2, затвор 5 в вице барьера Шоттки, выполненный вЧ-канавке, и изолирующую область 6, глубина которой не превышает глубины М -канавки. Изолиру- И юшая область может быть создана, например, путем аморфизации материала:эписгаксиальной пленки облучением ускоренными электрически,нейтральными ионами, направленным параллельно граням Ч -ка нввки. При этом маской служат контакты стока 3, истока 4 и затвора 5.Изолирующая область 6 может также быть выполнена в вице...

Транзистор шоттки с двухсторонним управлением канала

Номер патента: 2000631

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Джалилов, Самсоненко, Сорокин

МПК: H01L 29/812

Метки: двухсторонним, канала, транзистор, управлением, шоттки

...Вскрывают окна в 10 г над омическими контактами (для измерений тока насыщения в канале). Наносят слой электронного резистэ ЭЛП. Проводят электронно-лучевую литографию с использованием установки ЕВА. При этом в электронном резисте формируют затворный рисунок в виде ряде дискеетмо расположенных окон. Минимальный размер формируемых окон 0,25 мкм, определяет длину затвора и обусловлен минимальным размером электронного штампа, Расстояние между окнами0,4 мкм.Проводят направленное плэзмохимическое травление 90 г в окнах маски на установке08 ПХОТ. Боковой растрав 310 г мал0,05 мкм, стенки травления практическивертикальны. Проводят имплантацию ионов5 В в открытые области полупроводника наустановке Лада, Доза 1 101 ион/см.Энергия ионов100 кэВ....

Полевой свч-транзистор

Номер патента: 1118245

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, свч-транзистор

ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.

Полевой вертикальный транзистор

Номер патента: 1482479

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Овчинников, Павельев

МПК: H01L 29/812

Метки: вертикальный, полевой, транзистор

Полевой вертикальный транзистор, содержащий подложку, двуслойную мезаструктуру, верхний слой которой выполнен из полупроводника n-типа, а нижний из полупроводника n++-типа, а также электроды истока, стока и затвора, расположенные по одну сторону подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения предельной частоты генерации транзистора, на верхнем слое мезаструктуры по краям ее боковых граней сформированы снабженные балочными выводами барьерные контакты, расположенные симметрично относительно мезаструктуры выше границы раздела ее слоев и отделенные от подложки воздушным зазором, при этом один из барьерных контактов служит затвором, а другой - стоком, омический контакт истока сформирован на подложке и снабжен балочным выводом, а...