Конструктивные элементы — H01L 31/02 — МПК (original) (raw)
Фотоэлемент чувствительный к широкой области спектра
Номер патента: 29902
Опубликовано: 30.04.1933
Автор: Остроумов
МПК: H01L 31/02
Метки: области, спектра, фотоэлемент, чувствительный, широкой
...и увеличения тем самым диапазона чувствительности фотоэлемента, фотоактивное вещество помещено в общем баллоне с флуоресцирующим веществом, которое дает действующее на фотоактивное вещество свечение под влиянием излучений, непосредственно на фотоактивный слой не действующих. Непосредственная близость флуоресцирующего вещества обеспечивает максимальное воздействие его излучения на фотоэлемент.Таким образом, в предлагаемом фотоэлементе флуоресцирующее вещество или смеси этих веществ превращают световые лучи, не действующие на фотоэлемент, в световые лучи, с более длинной , волной, оказывающие сильное действие нафотоактивный слой. Флуоресцирующее вещество может быть помещено в баллон фотоэлемента, например, в виде жидкости или в...
Устройство для усиления эффекта медно-закисного фотоэлемента
Номер патента: 32066
Опубликовано: 30.09.1933
Автор: Дунаев
МПК: H01L 31/02
Метки: медно-закисного, усиления, фотоэлемента, эффекта
...способов усиления предлагается применить. устройство, в котором фотоэлемент включен в цепь накала катодной лампы.В таком устройстве, схема которого, изображена на чертеже, ток, даваемый фотоэлементом, не должен иметь никакого значения для усиления, и вся. схема построена на изменении сопротивления фотоэлемента под действием света. Если освещать элемент 7 , то его сопротивление уменьшается (приблизительно на 30% ),ОЭТОМУ ТОК накала лампы ДСЛЖСН ВОЗ Фрасти, а в силу этого возрастет и анодный ток и станет достаточным для притяжения якоря реле 2. Если имеет место прерывание света, падающего на фотоэлемент, то в соответствии с этим пре рыванием будет действовать реле. Сле-довательно, такой усилитель с одной лампой можно...
Вентильный фотоэлемент
Номер патента: 64517
Опубликовано: 01.01.1945
Автор: Эстрин
МПК: H01L 31/02
Метки: вентильный, фотоэлемент
...ТБРОЩС 0 ОСВСТИ 1 СГЬ, Со)1 РОТ 3 Б;СНП 5 цепи осветители,;розра;ноет 1 бал 1 Опа 1 мни ОсВетитег 51, сарен 151 с)отоэлемента, то ."ри измене:ии ОД 1:)Бо И:1 И ПССГКОГЬКИ.( ИЗ ЭТ: , факт 1;в р 1 зменят сво:0 вели ни 3 и фототйкн сбОик с 10 ев. л,г 51 )с( - ществ.;ения коррекции надо изм, - нить сопрогивлс;ие в цепи освсИтел( р этлч ип;вс" ти срЛ 3 ток;1 Уэ в цепи корректора к прсжИСМ 3 ЗПЗЧСПИ 0,Всгс:;От 3;с )того п 1;еж;сс зна:с:С 111.,1 СГ И ф,)1 ОТОК ШК 21 Ы С 31 11 0,.С ПСС)Г 1 Т 2 КО)1 С:22" ЦИН 13,И 525:3 РИ 1:Н БЫ":32.;Нн,ИЛ - 3 С НС 1 С ф 0 Г 0 1 О(.Г 1 р с л 3 с т и з о б р с 3 с 1; .Г,Птилрипи :сг э,С 3 сит с О,т лирчс)п)1)р и) 1)кости Ос)стите с)1 П С ПСПОЛБИЖП)131 И ПОДВИКПЫ) эк 1;223 и, слгкпцим 1 пг 5 и.3 ене П 5 ОСБСЩИС...
Дифференциальный фотоэлемент
Номер патента: 100633
Опубликовано: 01.01.1955
Автор: Селибер
МПК: H01L 31/02
Метки: дифференциальный, фотоэлемент
...ЩЕЛЯМ гму для по и из дву еренциа: оптичес ин из ф и распо леднего. Известные дифференциальные фотоэлементы имеют сравнительно сложную оптическую систему, рассчитанную на два световьх потока, направляемых к каждому из одинарных фотоэлементов.Предложенный дифференциальный фотоэлемент позволяет упростить оптическую, истему, направляющую световой поток на фотоэлементы. Это достигается тем, что один из фотоэлементов выполнен в виде решетки с параллельными щелями и расположен перед другим фотоэлементом в виде пластины, образуя диафрагму для последнего.На чертеже показано устройство дифференциального фотоэлеме.га и схема возможной оптической системы при применении такого фотоэле. мента,Здесь: 1 - фотоэлемеснт, выполненный в виде пластины; 2 -...
Полупроводниковый фотоэлемент
Номер патента: 344781
Опубликовано: 23.07.1981
Авторы: Алферов, Андреев, Каган, Протасов, Трофим
МПК: H01L 31/02
Метки: полупроводниковый, фотоэлемент
...зоны твердых растворов. В этих фотоэлементах не используется часть солнечного излучения с энергией, большей1 О ширины запрещенной зоны твердого раствора, так как это излучение, поглощаясь в приповерхностном слое, не доходит до Р - И-перехода и не дает вклад в Фототок.)5Цель изобретения - увеличение коэффициента полезного действия преобразователя солнечной энергии в электрическую.Это достигается путем использования твердых растворов А 1 "ъа Аз с градиентом концентрации аломиния в интервале от 0 до 50 ат.Е на 1 мкм толщины слоя в направлении, лерпендикулярном плоскости р-И-гетероперехода,На Фиг. и фиг.2 представлены зонные модели гетероперехода и СаАв-рА" "6 а Аз с уменьшением и увеличением концентрации алюминия к...
Полупроводниковый детекторионизирующих излучений
Номер патента: 701427
Опубликовано: 30.07.1981
Авторы: Воронов, Кожунов, Предеин
МПК: H01L 31/02
Метки: детекторионизирующих, излучений, полупроводниковый
...перемещения неравновесных носителей.На фиг. 1 представлена конструкция детектора. Она состоит из полупроводникового чувствительного элемента 1, соединенного с широкополосной кабельной линией 2, к точке соединения которых параллельно элементу 1 подкгпочен конденсатор 3, к выходу кабельной линии 2 подключен коротко- замкнутый отрезок кабеля 4.На фиг. 2 представлена эквивалентная схема детектора. Полупроводниковый чувствительный элемент 1 на основе кремния представлен в виде источника тока, емкости С, и емкости С р ВОднового сОпрОтивления Я ка бельной линии 2 и короткозамкнутого отрезка кабеля 4Детектор работает следующим образ ом.Излучение возбуждает в чувствительном элементе 1 импульс тока который заряжает суммарную емкость Ср = С + С...
Мозаичный преобразователь жесткого ионизирующего излучения
Номер патента: 766467
Опубликовано: 23.11.1982
МПК: H01L 31/02
Метки: жесткого, излучения, ионизирующего, мозаичный
...соответственно;д,д - оптимальные толщины усиливающих экранов из материала с плотностью уи из свинца,В литературе отсутствуют данные подействию боковых усиливающих экранов, в качестве которых функционируют боковые стенки сот предлагаемого преобразователя. Поэтому авторами были произведены расчеты действия боковых усиливающих экрановметодом Монте-Карло.На фиг, 2 приведены зависимостиотношения сигнал/шум (а ) и сигнала (б ) от толщины бокового усиливающего экрана из свинца для 53 дефекта и энергий излучения 10 и 20 МэВпри постоянном расстоянии между центрами соседних датчиков, т,е. при постоянном размере элемента изображения,Из графиков видно, что оптимальная толщина усиливающего экрана изсвинца составляет 0,3 мм, При использовании...
Мозаичный преобразователь жесткого ионизирующего излучения
Номер патента: 1005225
Опубликовано: 28.02.1984
Авторы: Герасенов, Мелихов, Рубинович
МПК: H01L 31/02
Метки: жесткого, излучения, ионизирующего, мозаичный
...оказывается оченьмалым по сравнению с продольным, апределяющим эффективность регистрации потоков излучения. Например, для получения разрешающей способности 0,5 пар линии/мм поперечный размер МДПДМ-структур должен быть не более 1 мм при длине порядка 8-12 мм. Влход годных датчиков при этом снижается, а разброс параметров увеличивается, Малые размеры датчиков не позволяют также обеспечить надежный электрический контакт обкладак всех 1 ЧДПДМ-структур с моноблоком.Целью изобретения является увеличение чувствительности преобразователя при упрощении конструкции и повышении разрешающей способности,Цель достигается тем, что в мозаичном преобразователе, содержащем и строк МДПДМ-структур по в элементов в каждой строке, выполненном.н виде...
Детектор ядерных излучений
Номер патента: 1044205
Опубликовано: 15.04.1985
Авторы: Афанасьева, Пашук
МПК: G01T 1/24, H01L 31/02
Метки: детектор, излучений, ядерных
...и созданная1-область определяет рабочую областьприборов. Создание столь протяженных областей обеспечивает, во-первых возможность регистрации и спектрометрии длиннопробежных частиц (элек -троны, протоны больших энергий) и Ф-квантов эа счет полного энерговыделения в 1-области и, во-вторых,воэможность. работы на созданномслое нужной глубины при значительноменьших рабочих напряжениях, чем вслучае детекторов с и- переходом.Обладая большим чувствительным объе"мом и изотропныии свойствами, этидетекторы имеют достаточно высокоеразрешение по энергии, если уровеньшумов мал и качество исходногополупроводникового материала обеспечивает условие однородного собираниязаряда, В ряде случаев для коакеиальных литий-.дрейфовых детекторовусловие получения...
Фотомагнитный приемник
Номер патента: 830991
Опубликовано: 07.12.1985
Авторы: Базаров, Меркулова, Сиповская, Сметанникова, Шелонин
МПК: H01L 31/02
Метки: приемник, фотомагнитный
...приемник, содержащийкорпус, выполненный в виде пологотела с окном, пропускаюшИм излучение, внутри которого установленыпостоянные магниты, соединенныемагнитопроводом с расположенныммежду ними чувствительным элементом,Огнако при эксплуатации такого1устройства в аппаратуре при наличии вибраций и движущихся металлических частей (например, деталипрерывателя излучения) происходитпересечение последними рассеянногомагнитного потока. Зто приводит кзначительньм электрическим помехам,что является существенным его недостатком.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости,Поставленная цель достигаетсятем, что в известном фотомагнитномприемнике содержащем корпус выУ50полненный в виде чолого тела с окном,пропускающим излучение, внутри...
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Номер патента: 1265894
Опубликовано: 23.10.1986
Авторы: Белотелов, Патрацкий, Петров
МПК: H01L 21/18, H01L 31/02
Метки: полупроводниковых, приборов
...относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия.Цель изобретения - получение диэлектрических слоев на поверхности антимонида индия с отрицательным встроенным зарядом.На границе раздела структуры %0 - 1 пЬЬ образуется отрицательный заряд, препятствующий возникновению инверсного слоя на поверхности антимонида индия. В результате этого устраняются паразитные токи утечки, неуправляемые электрическим полем, и тем самым обеспечивает расширение диапазона выходных токов в фотодиодах и МДП-транзисторах, содержащих структуру Н 10 - 1 пЯЬ.Подложку антимонида индия р-типа проводимости марки...
Охлаждаемый полупроводниковый датчик ядерных излучений
Номер патента: 999784
Опубликовано: 07.09.1987
Авторы: Голубев, Ефремов, Пчелинцев
МПК: G01T 1/24, H01L 31/02
Метки: датчик, излучений, охлаждаемый, полупроводниковый, ядерных
...и температура головногокаскада предусилителя, находящегосяближе к хладопроводу криостата. Однако известно, что оптимальная рабочаятемпература полевого транзистора,входящего в головной каскад предусилителя, значительно выше (120 - 160 К),чем оптимальная рабочая температураППД, которая составляет 70-90 К. Таккак при данной конструкции датчикадиэлектрическая прокладка, на которойзакреплен ППД, должна быть изготовлена из материала с высокой теплопроводностью, то введение подогрева головного каскада предусилителя, частоиспользуемое в подобных датчиках,вызовет одновременное повышение температуры ППД,Целью изобретения является повышение энергетического разрешения путем обеспечения оптимальных рабочихтемператур ППД и головного...
Кремниевый детектор ионизирующего излучения
Номер патента: 673089
Опубликовано: 15.07.1988
Автор: Авдейчиков
МПК: G01T 1/24, H01L 31/02
Метки: детектор, излучения, ионизирующего, кремниевый
...инверсную проэодимьстьс-Стороныимно-перпендикулярных направлениях. 3 и-р-перехода и является йеменбктиНа фиг.1 представлена схема пред рующимконтактом соСторойь 1 (1) облагаемого детектора с позиционной . ратного контакта. ПоверхностноЕ Сопчувствительностью вдольоси Х со сторотивление пленки германий дляпере-роны обратного контакта 1 кремниевой менной составляющей тока10. кОм,пластины 2, Кремний имеет проводи- ,. :. : что почти в 10 раз больше соЩоФивмость р-типа. Со стороны переднеголенияпленки"висмута", поэтому вкладконтакта 3 на травленную химический плейкигермания в эффекти 9 йбе сопрообразом поверхность нанесена пленка.25 тивление контактаменьше 0,1 Й,германия 4 и на чуть меньшую площадьВ предлагаемом детекторе обе,.по-поверх...
Фотоэлектромагнитный приемник
Номер патента: 1371474
Опубликовано: 30.06.1990
МПК: H01L 31/02
Метки: приемник, фотоэлектромагнитный
...иа поверхности ферромагнитной подложки 1. После перемагничивзпия проводник стравливаегся.Приемник работает следуощим образом. 71. Фотсэлектромагнитный приемник,содержащий подложку, размещенную ианей фоточувствительную полупроводниковую пластину с контгктами, о тл и ч а .о щ и й с я тем, что, с це"ЪО ью у.еньшения весогабаритных характеристик при сохранении высокого быстродействия, подложка выполнена изанизстрсин(1 го высскокорэцитивногоферрсмагнетика, имеющего доменнуюс ру(туру с прямолинейной границеймежду каждой парой дс.,евсв, намагнич -ниссть в ксторьл противоположна.друг другу и перпендикулярна плоскости подложки,. а полупроводниковаяпластина размещена над доменными границами.2. Приемник по и,1, с т л и ч а ющ и й с я гем, что...
Полупроводниковый детектор излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов
Номер патента: 1403919
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Ваксер, Герасименко, Погребняк, Раренко, Тальянский, Халамейда
МПК: H01L 31/02
Метки: детектор, диапазонов, излучения, миллиметрового, полупроводниковый, субмиллиметрового
...магнитного поля,рическое индикаторное устройстчувствительный элемент, обладаэлектронным фототермомагнитнымтом 3, слои 4 и 5 чувствительнэлемента с различными значенияфективной массы электронов в.,Электронный фототермомагнит(ЭФТИ) эффект заключается в поэлектроцвищущей силы (ЭДС) в иводнике при наличии в нем градэлектронной температуры 0 и педикулярного к огай О магнитного(см.фиг.1). ЭДС ЭФТМ эффекта иется в направлении, ортогональмагнитному полю и градиенту элной температуры. Величина ЭДСте с ней и чувствительность рариваемого детектора, определяютпараметрами полупроводниковогориала (величинами импульсной игетической частот столкновенийречной дифференциальной термоЭэффективной массой электронов. т.д.), из которого изготовленвительный...
Перепрограммируемая ультрафиолетовым облучением интегральная схема
Номер патента: 1163776
Опубликовано: 30.11.1990
Авторы: Гончаров, Томашпольский
МПК: H01L 31/02
Метки: интегральная, облучением, перепрограммируемая, схема, ультрафиолетовым
...усадка полимерного компаунда при.формировании изнего пропускающего ультрафиолетовыелучи защитного слоя, а также термомеханические воздействия на интеграль. ную схему при ее изготовлении вызывают вследствие разности коэффициентов термического расширения (КТР)защитного слоя и полупроводниковогокристалла разрушение соединений коммутационных проводников с полупроводниковым кристаллом. Это приводитк сниженюо выхода годных интегральньцс. схем; разность КТР защитного слоя иполупроводникового кристалла вызыва",ет на границе защитного слоя, адге зионно связанного.с поверхностью:;кристалла, внутренние напряжения,приводящие к йзменению структуры защитного слоя, что является причинойснижения им пропускной способностиультрафиолетовых лучей, а...
Устройство для преобразования энергии видимого и инфракрасного излучений в электрический ток
Номер патента: 1806422
Опубликовано: 30.03.1993
МПК: H01L 27/14, H01L 31/02
Метки: видимого, излучений, инфракрасного, преобразования, ток, электрический, энергии
...основания выбрана лавсановая лента толщиной 1 мкм и шириной 100 мм. Дгина ленты не ограничена, Никелевые антенны в виде стержней диаметром 0,02 мкм расположены внутри основания иимеют длину от 1 до 1,5 мкм, На 1 м можетг быть образовано до 10 антенн,аНа рабочую поверхность ленты нанесен слой алюминия толщиной 0,1 мкм, прозрачный для видимого и инфракрасного излучения. На эту поверхность выходит один из торцов каждой антенны и электрически соединен с ней, Для уменьшения омических потерь вдоль ленты расположены токоведущие шины шириной 0,5 мм, расстояние между которыми 9,5 мм (не показаны)Противоположные торцы стержней, на которых расположена пленка окиси никеля толщиной 1 нм, соединены с другой поверхностью основания, при этом...
Детектор ионизирующего излучения
Номер патента: 1187577
Опубликовано: 30.01.1994
Авторы: Карпенко, Матвеев, Терентьев, Томасов
МПК: G01T 1/24, H01L 31/02
Метки: детектор, излучения, ионизирующего
1. ДЕТЕКТОР ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ с чувствительным элементом из полуизолирующего полупроводникового материала теллурида кадмия и контактами, отличающийся тем, что, с целью повышения линейной зависимости люкс-амперной характеристики при комнатной температуре, в качестве указанного материала использован теллурид кадмия n-типа проводимости с концентрацией основных носителей заряда n 5 107 см -3 и концентрацией уровня прилипания Nn 1015 см-3, контакты выполнены инжектирующими.2. Детектор по п. 1, отличающийся тем, что к его контактам напряжение...
Твердотельный фоточувствительный приемник
Номер патента: 1542348
Опубликовано: 27.01.2003
Автор: Китаев
МПК: H01L 31/02
Метки: приемник, твердотельный, фоточувствительный
Твердотельный фоточувствительный приемник, включающий светоэкранирующую маску с металлическим слоем, расположенным на диэлектрических слоях фоточувствительных областей и контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения фотоэлектрических параметров, устранения фоновых засветок и электрических закороток, диэлектрические слои выполнены из разноокрашенного полиимида, причем спектральная область поглощения одних слоев совпадает со спектральной областью пропускания других слоев.
Гибкая фотоэлектрическая батарея
Номер патента: 683405
Опубликовано: 27.02.2004
Авторы: Далецкий, Долгов, Зайцева, Крейнин, Летин, Миронов, Назаров, Новокрещенов, Рыбин, Самсонов
МПК: H01L 31/02
Метки: батарея, гибкая, фотоэлектрическая
Гибкая фотоэлектрическая батарея на основе полупроводниковых фотопреобразователей, соединенных последовательно с помощью гибких коммутирующих шин так, что между областями соединения шин с фотопреобразователями имеется свободный участок, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности, последовательно соединенные фотопреобразователи расположены внахлест и область соединения каждой шины по крайней мере с одним из соединенных внахлест фотопреобразователей расположена за пределами зоны нахлеста.
Панель солнечной батареи
Номер патента: 574066
Опубликовано: 27.02.2004
Авторы: Бабко, Гибадулин, Чехович
МПК: H01L 31/02
Метки: батареи, панель, солнечной
Панель солнечной батареи, содержащая натянутую на каркас гибкую диэлектрическую подложку с фотопреобразователями и демпфирующее устройство, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения амплитуды колебаний подложки при воздействии на нее динамических нагрузок при одновременном обеспечении оптимизации теплового режима фотопреобразователей, демпфирующее устройство выполнено в виде, по крайней мере, одной ленты, натянутой на каркас в плоскости, перпендикулярной поверхности подложки.
Солнечная батарея
Номер патента: 816344
Опубликовано: 27.02.2004
Авторы: Балтянский, Бас-Дубов, Гавриленков, Летин
МПК: H01L 31/02
Солнечная батарея, содержащая фотопреобразователи, соединенные последовательно и параллельно коммутирующими элементами и расположенные на несущей подложке, образованной отдельными струнами, закрепленными на каркасе параллельно друг другу, отличающаяся тем, что, с целью упрощения конструкции, коммутирующие элементы, осуществляющие последовательное соединение фотопреобразователей, имеют участки, которыми они соединены со струнами, выполненными из токопроводящего материала и осуществляющими параллельное соединение фотопреобразователей.
Солнечная батарея
Номер патента: 820556
Опубликовано: 27.02.2004
Авторы: Горячева, Гроссман, Зайцев, Каган, Летин, Надоров, Тюркин
МПК: H01L 31/02
Солнечная батарея, содержащая модули фотопреобразователей, имеющих с тыльной стороны проволочные шины с ответвлениями в виде петель-скобок, проходящих через сетчатую подложку и загнутых с ее обратной стороны, отличающаяся тем, что, с целью снижения стоимости батареи на основе GaAs, к тыльной стороне фотопреобразователей присоединена периферийными участками профильная шина с отверстиями, с расположенной внутри нее проволочной шиной, ответвления которой пропущены через указанные отверстия.