Итальянцев — Автор (original) (raw)

Итальянцев

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Номер патента: 1424630

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Итальянцев, Пащенко

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных...

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах

Номер патента: 1473611

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ерохин, Итальянцев, Мордкович

МПК: H01L 21/26

Метки: ионно-легированных, материалах, полупроводниковых, слоев, формирования

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см2.

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия

Номер патента: 1369593

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Вяткин, Итальянцев, Копецкий, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

1. Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий формирование локальных ионнолегированных областей в арсениде галлия, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем повышения кристаллического совершенства и снятия упругих напряжений в арсениде галлия, перед формированием локальных легированных областей рабочую поверхность арсенида галлия подвергают высокотемпературному полирующему газовому травлению при 650-950oC на глубину 0,5-25 мкм со скоростью 0,02-30 мкм/мин.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании легированных областей в пленке арсенида галлия толщину пленки при...

Способ экстракции ростовых кластеров в монокристаллическом кремнии

Номер патента: 1083848

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Иноземцев, Итальянцев, Кузнецов, Мильвидский, Мордкович, Смульский

МПК: H01L 21/322

Метки: кластеров, кремнии, монокристаллическом, ростовых, экстракции

СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, включающий термообработку пластин кремния при температуре 1000 - 1250oС в атмосфере неокисляющего газа, содержащего добавку хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве неокисляющего газа используют водород, содержание хлористого водорода выбирают в диапазоне 0,5 - 2 об.%, а термообработку проводят в течение 3 - 10 мин.

Автомат для контроля и сортировки точных цилиндрических деталей

Номер патента: 971517

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Итальянцев, Кутьин

МПК: B07C 5/08

Метки: автомат, сортировки, точных, цилиндрических

...точных цилиндрических деталей,содержащий станину, установленные наней загрузочный механизм, контрольный механизм, выполненный в виде базового стола и измерительных датчиков,блок преобразователей и механизм сортировки, о т л и ц а ю щ и й с ятем, что, с целью повышения точностиконтроля, он имеет компенсационныедатчики и опорную планку, а базовыйстол имеет на противоположных сторонах два продольных паза и установлен с наклоном по направлению перемещения контролируемых деталей и впоперечном направлении под углом5-10 .2. Автомат по и, 1, о т л и ч а ющ и й с я тем, что в одном продольном пазу базового стола размещеныопорная планка и измерительныедатчики, установленные в шахматномпорядке с шагом, равным 1/3-1/4 длины окружности наружной...

Устройство для контроля диаметра деталей типа тел вращения

Номер патента: 911123

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Большаков, Варшавский, Зимовский, Итальянцев

МПК: G01B 5/08

Метки: вращения, диаметра, тел, типа

...каретка 5 с планкой 6., которая снабжена приемным пазом 7. Из911123 3мерительная планка 8 с контактнойплоскостью 9 и пазами 10 подвешенана упругом параллелограмме 11. Наосновании 1 установлены датчик 12и жесткий упор 13, взаимодействующиес измерительной планкой 8. Основание 51 содержит отводной канал 14, покоторому детали 4 уходят с измерительной позиции после контроля. Глубина пазов 10 выбрана таким образом,что она превышает величину перемещения измерительной планки 8 из позиции измерения, когда деталь 4 взаимодействует с контактной плоскостью9, в направлении измерения до жесткого упора 13.15Устройство работает следующим образом,При нахождении каретки 5 в крайнем левом положении приемный паэ 7планки 6 находится под питателем 3,Деталь...