Иванковский — Автор (original) (raw)
Иванковский
Кмоп-интегральная схема с поликремниевыми затворами
Номер патента: 2003206
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Лифшиц
МПК: H01L 27/00
Метки: затворами, кмоп-интегральная, поликремниевыми, схема
...области подложки и кармана иметаллические шины истоков, параллельные шинам питания,На фиг.1 приведена электрическая схема О-триггера, на примере которой рассматриваются различные конструкции ИС; на фиг.2 - конструкция ИС О-триггера по прототипу, в которой металлические шины питания и межсоединений элементов размещены непосредственно над МОП транзисторами, на фиг.З - та же, в которой ширина МОП транзисторов сделана минимально возможной с целью минимизации тока потребления, шины питания размещены по обе стороны параллельно рядам транзисторов, а межсоединения вдоль рядов транзисторов выполнены с использованием поликремниевых "подныров" под шинами питания; на фиг.4 - та же, в которой ширина транзисторов сделана минимальной. э питание к...
Способ селективного травления кремний-металлосодержащего слоя в многослойных структурах
Номер патента: 1819356
Опубликовано: 30.05.1993
Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых
МПК: H01L 21/302
Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления
...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...
Способ изготовления моп ис с поликремниевыми резисторами
Номер патента: 1635830
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц
МПК: H01L 21/336
Метки: моп, поликремниевыми, резисторами
...ТРЯНЗИСЧ ОРД ПРИ 1111111 К 1 аЛа (юацРИЦа затвора) пг) топологии 2 ики рдгцг) 7 ВУ а при Ркислеиии в режиме 860 С, 150 миц вла)аый кислород 2 В.Таким образом, сильное окисление 1 О Необходимо для улучпеция параметров поликремииевых резисторов, однако оцо ухудюает 1 ардистры И 011-транзисторов,Изобретецюе рдзреюГает данное противорепе езозгОжносгью получеюил сильноокислеццых резисторов и сгабокюслеццых илц цсокислецюпгх затворов 11011- транзисторов. Это позопяет гримецять трдцзисторы с дгццоц пиала 3 мки без ухудгпецця падежости схемы и резисто рд с улучеицыгщ зцдгеГилл ТКС, ТКО с термРвреиециой стдбеьцостью и точностью соглдсовдцил соиротивлеций . в делителях.П р ц 1 е р 1. 11 зготовление ште ГРДЭЦЦХ СХЕИ, СОММЕР)гаИХ ПОЛЮКРЕМНИЕ-...
Способ изготовления моп ис с конденсаторами
Номер патента: 1804664
Опубликовано: 23.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский
МПК: H01L 21/82
Метки: конденсаторами, моп
...области р кармана, области ка налоограничения, локальные участки изолирующей (полевой) двуокйси кремния толщиной 1 мкм и затворной двуокиси кремния толщиной 450 А. На изолирующую и затворную двуокись кремния в реакторе низкого давления осаждают первый слой нелегированного поликристаллического кремния.Легируют первый слой поликристаллического кремния диффузией из РОСз до поверхностного сопротивления 20-25 Ом/П . Осаждают первый слой Юзй 4. Осаждают второй слой нелегированного поликристаллического кремния.Далее осаждеют второй слой нитрида кремния, Используя процесс фотолитографии, формируют на поверхности второго слоя нитрида маску и проводят плазмохимическое травление второго слоя нитрида кремния и второго слоя поликремния,...
Способ получения рисунка шаблона
Номер патента: 1353142
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Семенова, Сульжиц
...получен в соот ветствии с изобретением был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 12 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559 Б, .О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции, Кратность экспозиции М определялась, искодя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выраженияВ ьИ ъ( в в ) . С изготовленного фотоИ Уоригинала на...
Способ изготовления интегральных резисторов и резистивных делителей
Номер патента: 1412533
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц
МПК: H01L 21/82
Метки: делителей, интегральных, резистивных, резисторов
...в реакторе пониженного давления при 620 С осаждался слой поликремния толщинами 0,18 мкм; 0,23 мкм 0,3 мкм (три варианта), Поверх поли- кремния осаждался слой нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. Методом фотогравировки и плазмохимического травления нитрид кремния удалялся с резистивных участков поликремния, причем нитрид оставался на будущих контактных участках. Методом фотогравировки, плазмохимического травления нитрида кремния и поликремния формировались резисторы делителя; формировалась фоторезистивная маска, защищающая краевые области резистивных участков поликремния и проводилось ионное легирование центральной незащищенной части резистивных участков фосфором энергией 100 кэВ и дозами 250 - 4 400 кмКл/см . После удаления...
Способ изготовления моп-интегральных схем с поликремниевыми резисторами
Номер патента: 1575849
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц
МПК: H01L 21/8232
Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем
...маски из нитрида кремния с окнами на резистивных участках резисторов, Удаляют маску иэ фотореэиста в смеси Каро (смесь серной кислоты и перекиси водорода, Вновь формируют маску из фоторезиста ФПТ.Для экспонирования используют темнопольный шаблон со светлым окном, содержащим темные фигуры поликремниевых резисторов, торцы которых выходят за пределы окон в нитриде кремния, вскрытых на предыдущей операции фотолитографии, Проводят плазмохимическое травление нитрида кремния и поликремния в плазме СГ 4, формируя области резисторов, оставляя нитрид кремния на контактных участках резисторов (фиг,2), Удаляют маску из фоторезиста и формируют фоторезистивную маску для проведения имплантации ионов фосфора в резистивные области...
Способ создания к-моп интегральных схем с самосовмещенным поликремниевым затвором
Номер патента: 1106350
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин
МПК: H01L 21/265
Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем
...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...
Интегральный n-канальный моп-транзистор
Номер патента: 1099791
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский
МПК: H01L 29/78
Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор
...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...
Способ изготовления интегральных схем
Номер патента: 1098456
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, схем
...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...
Способ создания металлизации интегральных схем
Номер патента: 1389603
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц
МПК: H01L 21/28
Метки: интегральных, металлизации, создания, схем
...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...
Поликремниевый резистор и способ его изготовления
Номер патента: 1144570
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин
МПК: H01C 17/26, H01L 21/82, H01L 27/01 ...
Метки: поликремниевый, резистор
...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...
Способ сглаживания рельефа диэлектрической изоляции интегральных схем с многоуровневой разводкой
Номер патента: 1499604
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Газизов, Иванковский, Красин, Луцкий, Стасюк
МПК: H01L 21/82
Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, многоуровневой, разводкой, рельефа, сглаживания, схем
...с планарных участков .структуры нелегированного поликремния, в 25 результате чего образуются сглаженныепристеночные области ЯО 7 элементов первого уровня разводки (фиг,4). Далее стравливают окисел с поверхности подложки и с поверхности элементов первого уров ня разводки. При этом между легированнымполикремнием и нелегированным поли- кремнием пристеночных областей остается окисел 8 (фиг.5). Формируют на поверхности подложки и поликремниевых элементов 35 первого уровня разводки изолирующийслой 9 (фиг.6). Наносят на поверхность подложки слои 10 проводящего материала, затем маску 11 с рисунком второго уровня разводки, травят проводящий материал в 40 областях, не защищенных маской (фиг.7).Примеры реализации способа.П р и м е р 1. На...
Способ изготовления моп-интегральных схем с поликремниевыми резисторами
Номер патента: 1609399
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский
МПК: H01L 21/8232
Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем
...и разводку. Область поликремниевых резисторов при этом закрытаслоем фоторезиста,Далее известными методами формируют области истоков, стоков и- и р-канальных40 .транзисторов, межслойную изоляци о, омические контакть и алюминиевую разводку,П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1 до операции вскрытия резистивных участков поликремния резисторов45 включительно.Далее удаляют фотомаску в смеси Ка-ро и формируют фоторезистивную маску.для . формирования электродов затворов имежсоединений. Проводят плазмохимиче 50 ское травление слоев нитрида кремния ипервого слоя поликристаллического кремния, Область поликремниевых резисторовпри этом закрыта слоем фоторезиста. Послеудаления фотомаски создают новую для55 проведения ионной имплантации...
Способ получения ненасыщенных углеводородов
Номер патента: 875838
Опубликовано: 23.11.1983
Авторы: Адельсон, Жаншин, Иванковский, Мухина, Никонов, Черных, Щербакова
МПК: C10G 11/02
Метки: ненасыщенных, углеводородов
...мас,Ъ, бутадиена5 4,0 мас.Ъ.Пример 3. Каталитический пиролиэ. бензина прямой перегонки с пределами кипения 35-170 оС ведут в ре.акторе со стационарным слоем ката 10 лизатора с содержанием 5,5 мас.Ъванадиевокислого рубидия на носителе.При объемной скорости 2,2 ч ",температуре 760 оС и весовом соот)5 ношении водяной пар:бензин 1:1 выход этилена составляет 37,6 мас.Ъ,пропилена 16,1 мас.Ъ, бутенов4,3 мас.Ъ и бутадиена 5 мас.Ъ..Пример 4. Каталитический пиролиз20 бензина прямой перегонки с пределами кипения 35-170 оС ведут на этомже катализаторе, что в, примере 3.При объемной скорости 3,2 ч,температуре 760 оС и весовом соот 25 ношении водяной пар:бензин 1:1 вы"ход этилена составляет 34,4 мас.Ъ,пропилена 17 мас.Ъ, бутенов 5,7 мас.и бутадиена...
Устройство для фиксации рычага тумблера
Номер патента: 951274
Опубликовано: 15.08.1982
Авторы: Ваксис, Иванковский
МПК: G05G 5/06
Метки: рычага, тумблера, фиксации
...- устройство в сборе.Устройство содержит накидную гай- ку 1, навинчиваемую на тумблер 2 длякрепления на нем фиксирующего элемента в виде С-образной скобы 3,. сопряженной с рычагом 4 тумблера 2, сотверстиями 5 и б под корпус 7 и рычаг тумблера 2,Устройство работает следующим образом.С-образную скобу 3 надевают отверстием 5 на корпус 7 тумблера 2 изаворачивают до упора накидную гайку 1 так, чтобы рычаг 4 тумблера 2попал в отверстие б скобы 3. Гайка1 жестко фиксирует скобу 3, при этомрычаг 1 тумблера 2 попадает в отверстие 6, прижимается к кромке этого отверстия и тоже фиксируется. Такое закрепление рычага 4 тумблера 2исключает непроизводительное измене ние его положения. Для того, чтобызафиксировать рычаг 5 в другом положении, необходимо...
Устройство для фиксации рычагатумблера
Номер патента: 853625
Опубликовано: 07.08.1981
Авторы: Иванковский, Озолин
МПК: G05G 5/04
Метки: рычагатумблера, фиксации
...3. Штырь 3 снабжен пазом 4 и выступами 5 для сопряжения с внутренней зом.На тумблере 7 навинчивается не до упора накидная гайка 1 с внутренней проточкой 2 и прорезями 6, соответствующими расположению выступов 5 штыря 3. Штырь 3 выступами 5 устанавливают в прорези 6 так, чтобы рычаг 8 тумблера 7 попал в паз 4. Затем гайку 1 заворачивают до упора. При этом выступы 5 штыря 3 попадают во внутреннюю проточку 2 гайки 1. Штырь 3 прижимается к тумблеру 7 и фиксируется. Рычаг 8 тумблера 7 находится в пазе 4 штыря 3 и также фиксируется. Такое закрепление рычага 8 тумблера 7 исключает непроизвольное изменение его положения. Выступами 5 штырь 3 центрируется в проточке 2 гайки 1.Для переключения рычага тумблера гайку 1 отворачивают до совпадения ее...
Способ переработки кислого нефтяного гудрона
Номер патента: 726154
Опубликовано: 05.04.1980
Авторы: Бронфин, Иванковский, Катренко, Кустов, Лаптев, Нейфельд, Потоловский, Слепченко, Фуфаев, Школьников
МПК: C10G 19/02
Метки: гудрона, кислого, нефтяного, переработки
...в мешалку подают водуос температурой 20-30 С и кислыи нефотяной гудрон с температурой 30-40 С,Включают перемешиваюшее устройство.При этом за счет тепла реакции температура в мешалке поднимается до 6070 С. Затем включают нагрев мешалки1и температуру поднимают до 90 С. Впериод подъема температуры в мешалкуподают кубовый остаток СЖК с темпе 6154 4ратурой 60-70 С, Реакционную смесьовыдерживают при 90 С в течение 1 ч.В процессе термообработки проверяютрН рабочей смеси и корректируют егодо значения не ниже 8 подачей нейтрализующего агента.Возможно использование кислых неф тяных гудронов разного у 1 ювня кисдотностиП р,и м е р 1В реакционную мешалку загружают 125 г 12%-ного водного раствора аммиака, 300 г воды ипри перемешивании...
Способ получения сульфонатов щелочно-земельных металлов
Номер патента: 639871
Опубликовано: 30.12.1978
Авторы: Бессонова, Бронфин, Иванковский, Катренко, Кузнецова, Кустов, Потапкина, Потоловский, Слепченко, Фуфаев
МПК: C07C 139/00
Метки: металлов, сульфонатов, щелочно-земельных
...о/о-ного суль(1)оигт аммгпн масле (о=325 сст) смсшива:от со 150 Г бензина (фракция 100 - 160"С), 20 г гид)оОкиси кальци)1, 1,0 Г кссс 10 Й кисло гы. Смес нагрева)от до 85"С, перемешивают 1) 1 О течение 30 мпv, затем отделяют нспрорсагпровавшие продукты, отгоняют воду и растьоритсль.Лпалпз полученного сульфопата кальция Вязкость при 100 С 31 сст; шс;10 чпость 15 5,8 мг КОН/г; содержание азота 0,04 о);.В. Предлагаемьй способ.300 г 40 о/о-ного сульфоvата Вм.,:ои:я В масле (.во=325 сст) смешивают с 20 г гндроокиси кальция, 9 Г ьЗопропилового спирта, Смесь нагревают прп псрсмсшиваниг до 120 С, затем отделягот непроргагировав.:гис продукты, Отгоняют воду.)(нализ пол/чеппого с)льфопата кальция: вязкость при 100"С 27 сст; щслоось 25 61 мг...
Способ получения олефиновых углеводородов
Номер патента: 627157
Опубликовано: 05.10.1978
Авторы: Адельсон, Иванковский, Мухина, Никонов, Черных
МПК: C10G 11/26
Метки: олефиновых, углеводородов
...в присутствии кислорода и водяного пара. Массовое соотношение кислородт сырье поддерживают в пределах от0,05:1 до 0.,2:1, а водяной пар и сырье - от 0,5:1 до 1:1.Катализатор периодически регенерируют пропусканием кислородсодержаощего газа при 650-700 С 3П р и м е р 1. 30 см катализатора в виде гранул, полученного осаждением хлористого калия на пемзе, загружают в кварцевый реактор с электрообогревом627157 0 Формула изобретения Составитель Н.Богданова Техред А.Алатырев, Корректор, А. Власенко Редактор З.Бородкина Заказ 5572/29 Тираж 673 ПоДписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий,113035, Москва, ЖРаушская наб., д.4/5филиал ППП Патент, г.ужгород, ул,Проектная, 4 ЭСмесь паров прямогонного...
Устройство для набивки футеровки ковшей
Номер патента: 560700
Опубликовано: 05.06.1977
Авторы: Букатников, Вулых, Ждан, Затуловский, Иванковский, Коцюбенко, Мазов, Мицельмахер, Проскуряков, Пудиков
МПК: B22D 41/02
Метки: ковшей, набивки, футеровки
...подачи жидкого связующего материала, состоящей из насоса 11, дросселя 12, форсуцки 13 и зрубо. провода 14, Форсунка 13 установлена на передвижном регулцровочцом кронштейне 15, в фик. сированцом положении относительно рабочих орта. нов 7, 8. В состав устройства входят также зележка 16 и шаблон 17.Устройство работает следующим образом.Ковш с шаблонам 17 ставят на тележку 16, перемешают под устройство и центрируют. С помощью крацштейца 15 регулируют установку и цаклац форсуцки 13. Заправляют жидким связуюцим матерцалол 1 расходную емкость,9 и при необходимости вклю ают мепилку 10, Затем вклю. чают систему подачи о неупорцого заполнителя, привод поворотной платформы. привод питагеля, рабочие органы и набивают огнеупорный заполни. теь...
Способ получения олифиновых углеводородов
Номер патента: 523133
Опубликовано: 30.07.1976
Авторы: Адельсон, Гуревич, Иванковский, Никонов, Рудык, Смирнов
МПК: C10G 11/10
Метки: олифиновых, углеводородов
...периодислород сырьяЭто ой эфзятого углево- ьность следуатализаапример ора - пемз Изобретение относится к способу получения олефиновых углеводородов из углеродводородного сырья,В основном авт, св.219593 описан способ получения олефиновых углеводородов, который заключается в том, что пиролизу подвергается смесь бензина прямой гонки с водяным паром на катализаторе - ванадате калия на носителе. Выход олефиновых углеводородов при этом составляет 52,5%, избирательность процесса по этилену - 24,5%. Тепловой эффект по известному способу довольно высок - 350 ккал взятого сырья.С целью повышения избирательности процесса по этилену, а также снижения теплового эффекта реакции процесс по предлагаемому способу ведут в присутствии кислорода. Массовое...
Способ получения олефиновых углеводородов
Номер патента: 487927
Опубликовано: 15.10.1975
Авторы: Адельсон, Гуревич, Иванковский, Карпович, Мухина, Никонов, Паушкин, Рудык, Смирнов
МПК: C10G 11/26
Метки: олефиновых, углеводородов
...нефтяных фракций с использованием в качестве катализатора ниобата калия на носителе. Однако известный способ при достаточно высоком выходе олефиновых углеводородов (до 60% ) недостаточно селективен по этилену, выход этилена достигает всего 32 вес. % на пропущенное углеводородное сырье.С целью устранения указанного недостатка, согласно изобретению в качестве катализатора используют станнат калия на носителе,Процесс ведут в интервале температур 700 - 800 С в присутствии водяного пара при весовом соотношении водяного пара и нефтяных фракций от 0,5: 1,0 до 2,0: 1,0 с периодической регенерацией катализатора паровоз- душной смесью. На носителе содержится 20 вес. % станната калия,П р и м е р 1. Термокаталитическую переработку нефтяных...
Способ получения высокощелочного сульфоната кальция для защитных покрытий «консулит»
Номер патента: 374367
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Беодигина, Богданова, Вител, Денисова, Дольберг, Иванковский, Школьников
МПК: C10M 159/24
Метки: «консулит», высокощелочного, защитных, кальция, покрытий, сульфоната
...от растворителя, возвращающегося в оггонный аппарат.После удаления воды продукт центрифугируют для удаления механических примесей. В заключение проводят концентрирование продукта путем отгонки части растворителя.Полученный продукт представляет собой высокощелочной сульфонат кальция в растворителе (Консулит). Содержание сухой части в уайт-спирите составляет 30 - 60% в зависимости от дальнейшего использования продукта Консулит.Помимо описанного способа, высокощелочной сульфонат кальция можно получить путем сульфирования индивидуальных углеводородов с последующей карбонизацией продуктов сульфирования.П р и м е р. Получение сульфоната Консулит.Сульфированное масло АСэкстрагируют аммиачной водой, содержащей низкомолекулярные сульфокислоты....
Химический огнетушитель
Номер патента: 10880
Опубликовано: 31.07.1929
Авторы: Иванковский, Крученых
МПК: A62C 13/60, B01F 5/18, B05B 7/26 ...
Метки: огнетушитель, химический
...а также прерывать действие аппарата и восстанавливать его снова.Наполнение раствором отделения Л происходит через горловину 7, а отделения Б через крышку 5. Для выпуска жидкости и промывки резервуаров служат отверстия с пробками 8.Видоизменение предлагаемого аппарата, изображенное на фиг, 2, состоит из двух отдельных, стоящих один над другим, резервуаров А и В, при чем верхняя часть резервуара Л соединена с резервуаром Б при помощи центральной трубы 1 с патрубком 2 на конце. Для предупреждения случайного выплескивания жидкости из одного резервуара в другой через трубу 1, последняя снабжена крышкой 3, прижимаемой пружиной 4. Нижняя часть резервуара Я соединена через трубку с вентилем 8, управляемым маховичком 11, с резервуаром В. При...
Химический огнетушитель
Номер патента: 8279
Опубликовано: 30.03.1929
Авторы: Иванковский, Крученых
МПК: A62B 21/00
Метки: огнетушитель, химический
...поступает в кодлектор С, где и происходит реакция, Развившееся там давление по трубке 3 передается в верхние части резервуаров А и В а образовавшаяся в коллекторе при реакции пена по резиновому рукаву выбрасывается наружу в виде струи.В предлагаемом огнетушителе отсутствуют бьющиеся части (стекло) и затворами 15 и 16, уменыпая иди увеличивая приток одного или другого раствора, можно регулировать мощность струи и густоту пены до необходимых размеров.Другая форма выполнения огнетушителя состоит из резервуара А ддя щелочного и В для кислотного раствора с двумя горловинами 1 (фиг. 2), для наполнения и удобства присоединения их к другим частям аппарата в коллектору С через нижний затвор 2 по-, средством соединительных коленчатых труб 4...
Заряд для пенного огнетушителя
Номер патента: 7016
Опубликовано: 30.11.1928
Автор: Иванковский
МПК: A62D 1/02
Метки: заряд, огнетушителя, пенного
...стей в предлагаемом заряде ддя пенного ог 1 еетушптел, помнмо кислоты и содового раствора с лакрицей плн мыдьным корнем, применяется раствор медного плп железного купороса, помещаемый в отдедьной колбе, которая разбивается одновременно с кпсдотной колбой.Состав предлагаемого заряда следующнй:1. 1 Цедочный 1 раствор:Воды, . 8.00 литров, Соды двууглекнслой 0818 кт.Лакрицы 0.020 .2. Кислотный раствор:Серная кпсдота 0.,250 л, креп, 66 Ве.3. Раствор медного плп жедезного купороса (с водой) 0,250 д., креп. 35" ВеОбе кодбы помещаются в особой корзинке среди щелочного раствора. Раствормедного плп железного купороса заключен отдельно от серной кислоты, в внду того. что прп продолжительном нахождении купоросного раствора вместе с серпой кислотой...