Обработка светочувствительных материалов; устройства для этой цели — G03F 7/26 — МПК (original) (raw)
Способ печатания с форм с увлажняемыми пробелами
Номер патента: 69018
Опубликовано: 01.01.1947
Автор: Борисов
МПК: B41C 3/08, G03F 7/12, G03F 7/26 ...
Метки: печатания, пробелами, увлажняемыми, форм
...р о й, Тканьпропитывают светочувствительнымигалоидными солями хлористого, иодистого или бромистого серебра (возможно и смешанными солями серебра), сушат, подвергают действиюсвета и путем проявления восстанавливают металлическое серебро по всейповерхности ткани.После соответствующей сушки посеребренную ткань покрывают холодной эмалью или хромированнымальбумином, снова сушат и копируют штриховое или полутоновое (растровое) изображение. В дальнейшемпроцесс получения изображения проходит аналогично цинкографскомуили автотипному. В тех местах рисунка, где свет не действовал и нележит защитный слой эмали илиальбумина, металлическое сереброудаляют путем фармеровского ослабителя или другими реагентами, растворяющими серебро.Под защитным слоем...
Способ изготовления автотипных цинковых клише без ручной корректуры
Номер патента: 82372
Опубликовано: 01.01.1950
Автор: Щепкин
МПК: B05D 5/00, G03F 7/00, G03F 7/26 ...
Метки: автотипных, клише, корректуры, ручной, цинковых
...изображспи 5 клпшс голучастся столь нсзначптельным, то сго закатыванис зацптГьм слссм краски 1:с- рСД ПОСЛС уОН(и М Глу бОКНМ Травлснис 5 Нс.счаТ 210 ЩИх ЗЛСМСНТОВ НСЛЬЗпроизвоитъ Обычньъ 1 и кожаными или масспы:111 Валикам 1,Дл 51 покрыти 51 красОЙ лишь псат 2131 цих злсмснтОВ, В соотВстстВНН с ОписыВасмым изоорстснием, применяетс 51 Валик, корпус кото)ОГО из 0- тОВЛ 51 втся нз ВсрдОГО матс)иала, напри.1 ср мс Саллиссой т)убы, 30982372 Предмет изобретения 1. Способ изготовления автотипных цинковых клише без ручной корректуры при минимальном травлении копии на цинке, полученной с контрастного сетчатого негатива, и закатке ее перед глубоким травлением эластичным валиком, покрытым лаковой пленкой, отличающ и й с я тем, что для обеспечения...
Способ изготовления рельефной формы
Номер патента: 127266
Опубликовано: 01.01.1960
Авторы: Будагян, Кулбасов, Моторкин, Сонькин
МПК: G03F 7/00, G03F 7/04, G03F 7/26 ...
...светочувствительным слоем, предкарительно составленным на следующей рецептуре:раствор камеди сибирской,гисгвенницыдвухромовокислый аммоннймарганцевокислый калийводаПоверхность цилиндра с нане нее светочувслоем высушивается, после чего н онируют негатражение штрихового оригинала. С ражение орпгшмированное на слое в процессе экс , проявляют, нпомощью следующего раствора: 2/О лл,54 г,0,2 г,65 л 1 л.твительнымзное пзобала, сфорапр мер сенным на а слой эксп понированияМ 127266 глицерин 800 мл, 30%-ный раствор роданистого аммония 200,ил.После проявления копия высушивается и задубливается, например, с помощью 15 - 20%-ного спиртового раствора канифоли. В процессе задубливания внутрь цилиндра вставляют электронагреватель, доводящий...
Способ изготовления офсетных печатных форм для печати документации
Номер патента: 201029
Опубликовано: 01.01.1967
МПК: G03C 5/50, G03F 7/00, G03F 7/26 ...
Метки: документации, офсетных, печати, печатных, форм
...формпого материала используют бромо-серебряную фотобумагу, не покрытую гидрофильным слоем, а в качестве гидрофилизатора подложки фотобумаги используют 1 - 3% -ный раствор кремниевой кислоты,Способ заключается в том, что подлежащий размножению оригинал деловой и технической документации экспонируют в фоторепродукционном аппарате на глянцевую контрастную, особоконтрастную или сверхкон. трастную бромосеребряную фотобумагу например5, б или 7.После проявления в течение 2 мин в проявителе ФТкопию промывают и в течение 7 - 10 мин обрабатывают в отбеливающем растворе, смешиваемом непосредственно перед обработкой с 300 мл пергидроля.Состав отбеливающего раствора:медь сернокислая, г 100 калий бромистый (10% -ный раствор), 5кислота а...
302856
Номер патента: 302856
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Григорьев, Зайцева, Карантиров, Невский
МПК: G03F 7/26, H05K 3/06
Метки: 302856
...в виде прозрачной стеклянной подложки с нанесенным на ее поверхность маскирующим непрозрачным слоем по заданному рисунку схемы.Цель изобретения - увеличение срока службы фотошаблонов.Для этого в качестве материала кирующего слоя,использована пленка бор металла, например циркония с равномер распределенными по толщине слоя микро нулами циркония и бора,11 рименение борида металла определяет высокую адгезию максирующего слоя к подложке, а гранулы чистого металла и бора служатак бы армирующим звеном, снимающим внутренние напряжения и предотвращающим сноявление микротрещин при тепловых ударах.Сущ ра ы граность фмикроэлэлементние моънул вещным. сооенно важно в азмеры отдельных аилучшее разрешепри размерах гратзких к молекуляротоша ектрон...
Способ получения рельефных микрорисунков
Номер патента: 309664
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Вейко, Грамм, Коган, Либенсон
МПК: G03F 7/26, H05K 3/06
Метки: микрорисунков, рельефных
...находящийся под фоторезистом. х миктивномоптическом зистивСпособ получецця ре ков, заключающийся в 20 ровании фоторезиста и квантового генератора,ванин облученцых участ отличающийся тем щения операций экспон 25 цпя, под фоторезист ца риала, оптически не пр ния оптического квантов ну волны излучения вы зрачности фоторезиста.льефных мцкселективномзлучением опттермическомков резистивночто, с целыирования ц заносят подслойозрачного дляого генераторбирают в обла рорисуц- экспонического задублиго слоя, о совме- дубливаз мате- излучести п оИзобретение относится к электронной технике. Способ может в частности, найти широкое применение в технологии производства полупроводниковых и тонкопленочных интегральных схем.Известен способ получения...
Способ удаления неосвещенных участков экспонированного фотополимерного слоя
Номер патента: 357545
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Бедова, Глембоцкий, Лазаренко, Новг, Розум, Чорна
МПК: G03F 7/26
Метки: неосвещенных, слоя, удаления, участков, фотополимерного, экспонированного
...слоя на основе смешанных полиамидов вымывают спиртовыми или спирто-водными растворами азотнокислого цинка.Азотнокислый цинк вводят в спиртовые или спирто-водные растворы в количестве 5 - 7 вес, ч. П р и м е р. Фогополимеризующуюся пластину изаотовляют из композиций следующего состава, вес, ч.:Полиамидная смола (25%-ныйраствор в 75%-ном этиловом спирте) 100Акриловая кислота 45 - 60 Диметакрилатэтпленгликоль 20 - 30 Бензоин 0,5 - 1,5 Бензофенон 0,5 в 1,5 Метиленовый синий 0,01 - 0,15 Гидрохинон 0,01 - 0,015 В качестве полиамидной смолы используют 15 смешанные синтетические гетероцепные смолы(например, из Е-капролактама и АГ-соли, Г-капролактама, АГ-соли и СГ-соли в различном соотношении полиамндообразующих смол типа 54,54/10,54,3 Си...
Устройство для проявления фоторезиста
Номер патента: 387441
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Гков, Корсетов, Щербачев
МПК: G03F 7/26
Метки: проявления, фоторезиста
...с центробежной силой при центрифугировании, позволяет удерживать изделия без дополнительных конструктивных средств.Предметный столик 11 через вал 13, муфту 14 обгона и электромагнитную муфту 15 соединен с планетарным редуктором 1 б, который вмеет два выходных вала, размещенных один в другом, причем, внешний вал 17 одновременно является и кулисой, а внутренний вал 18 обеспечивает прямую передачу от электродвигателя 19. Это позволяет вращать предметный столик с двумя скоростями.Принцип работы устройства заключается в следующем.Изделие, подлежащее ооработке, укладыва15 20 25 ют на кассету 12, которую ставят на предметный столик 11 в реакционной камере 2, Ходовым винтом 9 устанавливают необходимое расстояние между кассетой 12 и...
Способ изготовления фотошаблонов
Номер патента: 375822
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Авторы
МПК: G03F 7/26, H05K 3/28
Метки: фотошаблонов
...изобретения - получение оптически прозрачных износоустойчивых пленок.Это достигается тем, что в качестве исходного защитного материала используют боразол.П р и м е р. Одну или несколько соединенных пластин с готовым рисунком схемы,помещают (рисунком наружу) на нагреваемый тем или иным способом столик, находящийся в вакуумной камере. Образцы нагревают до 350 С в условиях вакуумной откачки 110 -- 10 -торр). После достижения равномерного прогрева образцов на их поверхность направляют дозированную разреженную струю паров боразола, При этом непрерывно удаляют (например, вакуумной откачкой) газообразные продукты его термического разложения. Термическое разложение боразола на нагретой поверхности происходит по схеме5В,ИвК, - ЗВИН+ уН,...
Установка для изготовления фотошаблонов
Номер патента: 428351
Опубликовано: 15.05.1974
МПК: G03B 27/32, G03F 7/26
Метки: фотошаблонов
...Кроме того, объектив 7 установлен с возмэжностью перемещения в направлении, параллельном оси опорного пучка. В задней фокальной плоскости сферического зеркала 9 опорный световой пучок формирует плоскую световую волну в пределах апертуры устройства. В зависимости от положения объектива 7 по отношению к передней фокальной плоскости зеркала 9 формируется световая волна со сферических фронтом, кривизна которого и определяется положением объектива 7, наклон фронта по отношению к фронту плоской волны опреде428351 Предмет изобретения Составитель В. Ванториндактор И. Шубина Текред А. Камышннкова Корректор В. Гут Подписнов СССР раж 506ета Минисрытнй, д. 4/5 Изд. Мо 1607 Тгсударственного комитета Совпо делам изобретений н откМосква, Ж,...
Фотошаблон и способ его изготовления
Номер патента: 938338
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Гунина, Лаврентьев, Логутова, Поярков, Степанов, Черников
МПК: G03F 7/26, H01L 21/265
Метки: фотошаблон
...этогоне происходит "сшивание" фоторезистас маскирующей пленкой и положительный эффект не достигается.При легировании ионами с энергией более 2 ЬО кэВ происходит разогревание подложки до температуры, прикоторой происходит разрушение фоторезиста,Если доза легирования менее100 мкКл/см , то не достигается оптигмальная оптическая плотность, неполностью затягиваются проколы и,следовательно, цель изобретения недостигается.При дозе легирования. больше500 мкКл/см происходит разогревстеклянной подложки, что отрицательно влияет на качество легированного 1 Офоторезиста, резист разрушается.На чертеже изображен предлагаемыйфотошаблон, разрез,фотошаблон содержит стекляннуюподложку 1 с нанесенным .на нее маскирующим слоем 2 из металла илл...
Способ фотолитографии (его варианты)
Номер патента: 966655
Опубликовано: 15.10.1982
Авторы: Зубарева, Зятьков, Погоцкий, Сагайдак, Туромша
МПК: G03F 7/26
Метки: варианты, его, фотолитографии
...уход размеров согласующихся фотошаблонов. с различными площадями мас кирующих покрытий и, соответственно, по- лучаемых схем;Предлагаемые. варианты способа фотолито графин позволяют искучить уход размеровоптических элементов и элементов БИС и СБИС вследствие неодйнакового теплового расширения .фотошаблонов с различными суммарными площадями поглощающих элементов под действием актиничного. излучения, обеспечивают абсолютное совмещение топологии полученных схем,.просты в применении, ускоряют процесс изготовления БИС и СБИС в 15-20 раз. На фиг. 1 - 3 изображена схема комплекта из трех согласующихся фотошаблонов с соотношением площадей поглощающих эле. ментов 18: 28: 38 и маскирующими покрь. Зэ тиями соответственно из Сц, Ад и АК на фиг. 4-6...
Электронорезист
Номер патента: 1078399
Опубликовано: 07.03.1984
Авторы: Басенко, Воронков, Данилович, Корчков, Мартынова, Мирсков, Рахлин
МПК: G03F 7/26
Метки: электронорезист
...ЭЛЛИС). В результате воздействия электронов на полученный таким образом слой в нем формируется скрытое изображение за счет способности предлагаемых материалов полимеризоваться под воздействием электронного облучения.Экспериментально установлено, что наиболее чувствительными к действию облучения являются слои на основе аллил- и винилсилатранов. Изображение проявляют путем вакуумного термического реиспарения, для чего под" ложку с пленкой выдерживают в том ;же вакууме в течение 10-15 минопри 110-140 С. При этом не подвергшиеся воздействию облучения участки чувствительного слоя реиспаряются с поверхности подложки.В результате проведенных экспериментов установлено, что рельеф, полученный на пленках метил- и хлорметилсилатрана является...
Способ формирования изображения на подложке
Номер патента: 1100604
Опубликовано: 30.06.1984
Авторы: Кизилов, Курмачев, Мартыненко, Рубцов, Цветков, Якименко
МПК: G03F 7/26
Метки: изображения, подложке, формирования
...к фото- шаблону их иэгибают так, что контакт произошел прежде всего по их центральным участкам, по периферии подложки и фотошаблона оставался зазор, не менее Эн, , где И а - неплоскостность пластин фотошаблона и подложки. При дальнейшем прижиме фото- шаблона к подложке и одновременном их изгибе до положения коррекции происходит облегание рабочих поверхностей подложки и фотошаблона, причем координатно сопряженные участки этих поверхностей движутся навстречу друг другу без существенных касательных составляющих. Это уменьшает относительное проскальзывание рабочих поверхностей и повышает качество изображения за счет уменьшения плотности локальных дефектов.На фиг, 1 и 2 для вариантов одно- и разнонаправленного изгиба пластин показаны...
Способ формирования рельефных изображений
Номер патента: 1196796
Опубликовано: 07.12.1985
Авторы: Валиев, Великов, Душенков, Леонтьева, Махмутов, Прохоров
МПК: G03F 7/26
Метки: изображений, рельефных, формирования
...изображения можно использоватьрезистные пленки, сформированныена подложке 7, В этом случае подложку покрывают слоем резиста (например, центрифугированием) и сушат,Затем готовую резистную пленку, нанесенную .на подложку, селективноэкспонируют мягким рентгеном илиэлектронами и проявляют ВУФ (фиг,2 б),Селективное экспонирование электронами можно осуществлять без шаблона на электронно-лучевых установкахс управляемым лучом,П .р и м е р 1, Полимерный резист ПММА толщиной 1 мм экспонируют через шаблон с размерами окон1 х 1 мкм мягким рентгеновским излучением (Л. = 0,8 - 3,0 нм). Данныйспектральный диапазон выделяют изспектра синхронного излучения алюминиевым фильтром толщиной 1,1 мкм,Доза экспонирования Д = 15 Дж/смф.Затем скрытое...
Способ коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии
Номер патента: 1145847
Опубликовано: 07.01.1986
МПК: G03F 7/26, H01L 21/312
Метки: коррекции, литографии, экспозиции, электронно-лучевой
...и недоста точной точностью. Целью изобретения является увеличение точности и упрощение процесса.45 Цель достигается тем, что в известном способе коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии, включающем нанесение ревиста на подложку, экспонирование тестовой струк туры, проявление резиста,и определение доз экспонирования, экспонирование проводят с линейно нарастающей дозой до получения теса.овой структу.ры прямоугольной формы, после чего 55 экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой,Недостатком этого метода является невысокая точность. 1 ос кольку в р езисте происходит сложение формы, то для экспонирования линии и клина экспозиции, образуемого при экспонировании тестовой...
Способ изготовления свободной маски для проекционных электронно-и ионно-лучевых систем
Номер патента: 1352445
Опубликовано: 15.11.1987
МПК: G03F 7/26, H01L 21/312
Метки: ионно-лучевых, маски, проекционных, свободной, систем, электронно-и
...литографии.Если требуется получить рисунок с более высоким разрешением, то при формировании вспомогательной маски из двуокиси крем. ния используется ионолитография, а в качестве ионорезиста - молибден.Пример 2, На подложку, например из кремния или алюминия, осаждается первый слой никеля толщиной примерно 5 мк, а затем при помощи шаблона типа ядерного фильтра литографически формируют контакт. ную маску, рисунок которой путем травления ионным лучом напряжением 1 кВ и плотностью тока 1 мА/смпереносится в никелевый слой. При этом плотность тока и напряжение должны выбираться таким образом, чтобы исключить усадку или разложение контактной маски и обеспечить соотношение скоростей травления никеля и маски 1. В данном случае достигается" 54...
Способ устранения дефектов фотошаблонов
Номер патента: 1365036
Опубликовано: 07.01.1988
Авторы: Горячева, Дерновский, Кислов, Маликов
МПК: G03C 11/04, G03F 7/26
Метки: дефектов, устранения, фотошаблонов
...лазерного излучения на807, Затем сфокусировали лазерноеизлучение н дефектное место со стороны маскирующего слоя фотошаблонаи проводили осаждение до полученияоптически плотного слояМощностьлазерного излучения контролировалис помощью измерителя мощности ИМОН.Показателем качества ремонта прозрачных деФектов фотошаблоцов являетсяИОП дефектного места после технохимической обработки, которую определяли фотометрировацием на микроденситометре Ди которая равна 987Продолжительность процесса 15 мин,П р и м е р 2, Провели ремонтпрозрачных дефектов фотошдблона состороны маскирующего слоя по известному способу при параметрах процесса, описанных н примере 1. Интегральная оптическая плотность дефекти. го места после технохимическойобработки панна...
Способ получения негативной маски
Номер патента: 1132746
Опубликовано: 23.08.1988
Авторы: Берестенко, Боков, Бочканов, Носов, Сиедин, Федоров, Шевченко
МПК: G03F 7/26, H01L 21/312
Метки: маски, негативной
...и продолжительность прививки 1"10 ч.При давлении мономера менее 01 Торр при продолжительности прививкименее 1 ч толщина маски получается недостаточной, так что выход за эти пределы практически нецелесооб-. разен. Процесс пострадиационной графт-полимеризации практически завершается в течение 10 ч, поэтому увеличение продолжительности не дает существенного выигрьппа.В предложенном способе, в отличие от известных, применяемая полимерная пленка не содержит летучих компонентов, не требует обработки в жидких мономерах и проявления в жидкомрастворителе. На фиг, 1-4 показана схема получения негативной маски согласно изобретению.На фиг. 1 изображена первая стадия- формирование полимерной пленки, содержащей молекулы полимера (Р). Полимер...
Способ получения негативных изображений в слое резиста
Номер патента: 1498400
Опубликовано: 30.07.1989
МПК: G03F 7/26
Метки: изображений, негативных, резиста, слое
...и 20 г продуктд частичной эстеригикации хлоридд б-дидзо,6-дигидро-оксо-натяппсу)льгьонилд с продуктами конденсации 1-цдтоля и бенэапьдегида. Смесь растворяют в 1 ОО гбис(2-метоксиэтцл)эфира. Точгцина полученного слоя смолы равна 1,8 мкм. После термообработки в течение 45 с подложки, нагретой до 95 С, слой экспонируют ультрафиолетовыми лучами через маску при энергии излучения115 мДж/см , затем в течение 10 мин обрабатывают при 120 С парами гексаметилдисилязана, После проявления получают негативные изображения с высоким разрешением, обладающие вертикальными боковыми стенками при остаточной толщине 1,65 мкм, что составляет 927. от начальной толщины осажденного слоя смолы,П р и м е р 8. Ход операций аналогичен примеру 1, однако...
Способ формирования изображения на подложке с фоторезистором
Номер патента: 1246764
Опубликовано: 15.04.1991
Авторы: Кизилов, Курмачев, Мартыненко, Рубцов, Цветков
МПК: G03F 7/26
Метки: изображения, подложке, формирования, фоторезистором
...высотой и стороной трапеции)Искажения первого вида могут появляться нэ-за иеортогональности перемещений кареток кобрдинатного столафотоповторителя при мультиплицированни иэобрайения, искажения второговида " это температурные деформации ,фотошаблоиа 2 или дифракционных ре-,шеток датчиков перемещений стола фотоповторителя.,Величины углов д и ф, характе"риэующие соответственно неортогонапькость и трапециевидность рисунка 1,могут составлять +(1,3 1,7) 10, рад,что на расстоянии ЗО мм от центрафотошаблона 2 вызывает смещения элементов относительно номинально 1 о положения +(0,4,.0,6) мкмП р и м е р. После выявления искажений с помощью компаратора прямоугольный фотошаблон 2 прижимают кподложке 3, (фнг.З, 4) и совместноизгибавт до...
Способ формирования рисунка
Номер патента: 1662361
Опубликовано: 07.07.1991
Автор: Марица
МПК: G03F 7/26, H01L 21/312
Метки: рисунка, формирования
...плазме также позволяет избежать контакта сверхпроводящей пленки с органическими растворителями или другими жидкими реактивами, приводящего к ухудшению сверхпроводящих 45 свойств используемого материала. Реализация способа возможна с использованием как позитивного, так и негативного реэистов.П р и м е р 1, На подложку из ЯгТ 10 с площадью поверхности 5 см2 с помощью триодного распыления наносят слой 1 ВаСи 507 =-толщиной 0,3 мкм и подвергают его обработ-, ке в кислороде при температуре 850 С. Полученный слой является высокотем 55 пературным оксидным сверхпроводящим слоем с критической температурой л 93 К. Затем наносят слой оксида алюминия А 10 з толщиной 0,3 мкм методомвысокочастотного ионного распыпения.После этого методом...
Способ литографии
Номер патента: 1473568
Опубликовано: 15.10.1991
Авторы: Бедельбаева, Колобов, Любин, Любина, Петьков, Седых
МПК: G03F 7/26
Метки: литографии
...температуре 60-80" С В течение Вр 8 меии 1 о, определяемого из выражения60 ф/Т ;о500 3 1 Т, где- ИнтенсивностьэксгОнирующего СВета, Вт/см; Т - температура подложки, ОС; /3 - коэффициент,сф Вт го ад/РмПри Т 60 С сущесвеино уменьшаетсяскорость фоторастворения цинка в ХСП, чтоцриводит к снижению саеточуаствительноСти,я оСоказывается существенным влияние теомическои Виффузии цинка, что приВодит к снижению саеточуаствительности литографического г;роцессэ,Э г+ 1оИ 1 В ЕЧ Еи ИЕ Ррс:пЕИИ60/П - - 1 о 500/ Т обеспечивает селективность травления облученных и необлученных участков, что позволяет реализовать литографический процесс.При то 60 ф/1 Т селективность травления не обеспечивается, так как очень мала скорость растворения цинка.При 10500 ф...
Способ получения изображения
Номер патента: 1428058
Опубликовано: 07.04.1992
МПК: G03F 7/26
Метки: изображения
...150 мВт/см. Раэнье участки слоя экспонировались в течение разного времени. Облучение проводилось на воздухе, т.е. при содержании кислорода 21 Е лри Р1 атм, что соответствует парциальцому давлению кислорода О,Е 10 о Па.Проявление изображения осуществлялось. путем испарения цинка в вакууме, Для испарения использовалась вакуумная установка типа АВП,5. В качестве испарителя использовалась танта- Ф ловая лодочка, изготовленная из Фоль" ги толщиной 0,2 мм, размер лодочки: длина 4 см, высота 0,5 см. Лодочка подключалась к контактам, через которые на испаритель подается цапряже ние. В лодочку помещелись испаряемье грацулы цинка. Прозкспонированцый слой помещался на стеклянном стакане яад испарителем на расстоянии 16 см от лодочки. После...
Способ получения рисунка шаблона
Номер патента: 1353142
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Агрич, Иванковский, Семенова, Сульжиц
МПК: G03F 1/00, G03F 7/26
...получен в соот ветствии с изобретением был изготовлен резистивный делитель большой ин" тегральной схемы (БИС) аналого-цифрового преобразователя (АПП) . Идентичные прямоугольные элементы 12 резисторов делителя длиной 300 мкм (между контактными областями алюминия) и шириной 45 мкм формировались на фотооригинале экспонированием одного н того же прямоугольного фрагмента 3 длиной 32 мкм и шириной 45 мкм, образованного диафрагмой фотонаборной установки ЭИ 559 Б, .О раз со смещением на длину прямоугольного фрагмента 3 после каждой экспозиции, Кратность экспозиции М определялась, искодя из требования к допустимому . стандартному отклонению ширин идентичных элементов (/), из выраженияВ ьИ ъ( в в ) . С изготовленного фотоИ Уоригинала на...
Способ изготовления заготовки фотошаблона
Номер патента: 1812546
Опубликовано: 30.04.1993
Авторы: Бекичева, Жулай, Калоева, Псарева
МПК: G03F 7/26
Метки: заготовки, фотошаблона
...стеклянную подложку шем соотношении компоне1812546 Корректор Е,Папп Составитель ,.ьеляевТехред М.Моргентал едак Заказ 1576 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 и ставили в центре вращающегося дискацентрифуги и накрывали колпаком скоро сть вращения 1000 об/мин в течение 1 мин).Стеклянную подложку с полученным тонкимслоем ( 0,25 мкм) помещали в предварительно нагретый до 80-100 С сушильныйшкаф, доводили т до 160 С, выдерживали20-30 мин и наносили регистрирующийслой, Адгезионная прочность изготовленной изложенным способом заготовки фотошаблона составляла 100 г,П р и м е...
Способ обработки фотополимерной печатной формы
Номер патента: 1838158
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Берг, Игнатьев, Сенюков
МПК: B41C 1/10, B41N 1/00, G03F 7/26 ...
Метки: печатной, формы, фотополимерной
...физико-механических параметров проводят при температуре 20 С,П р и м е р 2. Образец печатной формы иэфотополимера типа "Флексофот" облучаютпучком электронов с энергией 10МэВ стоком пучка электронов, равным 10 мкА, втечение 25 мин. Измерение физико-механических параметров проводят при температуре 20 С, 15П р и м е р 3, Аналогично примеру 1,Измерение физико-механических параметров проводят при температуре 140 С,Режимы способа выбирались, исходя изследующих соображений: при энергии электронов ниже 0.5 МэВ (Ее 0,5 МэВ) выводэлектронов через вакуумные окна установкизатруднен, происходит разрушение выходного окна, при Ее 10 МэВ, идут фотоядерныереакции у -и, происходит активация оборудования, возникает радиационная опасность, При плотности...
Способ получения контактной маски на прозрачной подложке
Номер патента: 1398641
Опубликовано: 30.04.1994
Авторы: Белых, Тимашев, Федорец, Якименко
МПК: G03F 7/26
Метки: контактной, маски, подложке, прозрачной
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КОНТАКТНОЙ МАСКИ НА ПРОЗРАЧНОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий нанесение на ее рабочую поверхность слоя фоторезиста, формирования скрытого изображения путем экспонирования фоторезиста актиничным излучением с использованием поглощающего покрытия и проявление скрытого изображения, отличающийся тем, что, с целью улучщения точностных параметров маски, поглощающее покрытие формируют на обратной стороне подложки толщиной не менее четверти длины волны экспонирующего излучения, причем в качестве материала поглощающего покрытия используют медь.
Способ формирования фоторезистивной маски
Номер патента: 1667529
Опубликовано: 30.05.1994
Авторы: Красножон, Фролов, Хворов
МПК: G03F 7/26
Метки: маски, формирования, фоторезистивной
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ, включающий нанесение на подложку слоя фоторезиста, его селективное экспонирование, проявление, сушку, обработку в плазме ВЧ-разряда смеси фторсодержащего газа и кислорода и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения плазмостойкости маски, обработку в плазме осуществляют при содержании кислорода в смеси в количестве 20 - 40 об. % , давлении 60 - 100 Па и удельной мощности ВЧ-разряда 0,1 - 0,3 Вт/см2.
Способ термообработки слоя фоторезиста, нанесенного на подложку
Номер патента: 1829679
Опубликовано: 20.05.1995
Авторы: Гунина, Комаров, Суровцев
МПК: G03F 7/26
Метки: нанесенного, подложку, слоя, термообработки, фоторезиста
...способа для термообработки резиста позволит повысить качество слоя резиста, а именно равномерность слоя по толщине по поверхности подложки, уменьшить дефектность, а следовательно, увеличить выход годных после литографических операций за счет повышения качества термообработки. Все зто дает возможность ввести в КД допуск на размеры не +0,3 мкм, а + 0,2 мкм, получить воспроизводимость от пластины к пластине и по пластине уменьшить реставрацию. термопарой, Для сравнения проводилисьоперации термообработки известными методами; для шаблонов - конвекционным,для кремниевых пластин - посредством го 5 рячей плиты, Режимы обработки приведеныв табл. 3,Все полученные данные обрабатывались статистическим методом в производственных...