Калиников — Автор (original) (raw)

Калиников

Способ стабилизации хлорпарафинов

Номер патента: 1496211

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Абдуллин, Калиников, Короткевич, Кришталь, Минскер, Молчанов, Пулин, Трегер, Юферова

Способ стабилизации хлорпарафинов путем введения стабилизирующего агента, содержащего эпоксисоединение, отличающийся тем, что, с целью повышения стабилизирующего действия, используют стабилизирующий агент, содержащий дополнительно ионол и вазелин, при следующем содержании компонентов в расчете на стабилизируемый хлорпарафин, мас.%:Ионол - 0,2 - 1,0Вазелин - 0,02 - 0,08Эпоксисоединение - 0,2 - 1,5причем в качестве эпоксисоединения берут эпоксидированное растительное масло или алкилрезорциновую эпоксидную смолу формулыгде R = C2 - C7 - алкил, среднее значение n = 0,6 -...

Способ создания разделительных областей в интегральных схемах

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Полупроводниковое устройство

Номер патента: 921387

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Власов, Гаштольд, Калиников, Кольдяев

МПК: H01L 27/04, H01L 29/78

Метки: полупроводниковое

...затвора в области канала,На чертеже изображено сечение полупроводникового устройства, состоящее из полупроводниковой подложки 1, например, р-типа проводимости, эпитаксиального слоя 2 противоположного типа проводимости, областей 3, 4 верхнего, нижнего. затворов, областей 5 каналов, областей б истока (стока), легированной области 7 канала.Как видно из чертежа, канал состоит из двух областей: неравномерно легированной и нелегированной.В эпитаксиальной области 5 канала легирующая примесь распределена однородно и соответствует уровню легирования исходной эпитаксиального слоя М, тогда как в области 7, которую создают с помощью операций диффузии или ионного легирования, концентрация примеси не постоянна, а уменьшается от значения, соответст"...

Ячейка памяти

Номер патента: 752476

Опубликовано: 30.07.1980

Авторы: Калиников, Колкер

МПК: G11C 11/34

Метки: памяти, ячейка

...на фиг. 1, передача заряда осуществляется по боковым граням Ч-канавки.Область р+11 не является конст:чктивным элементдм ячейки памяти и показана только для иллюстрации работы ПЗС-элемента устройства.Запись логического "0" в МНОП-конденсатор осуществляется следующим образом (фиг. 3).На шину МНОП -конденсатора б подается отрицательное напряжение 35- 40 В. При этом под МНОП-конденсатором образуется глубокая потенциальная яма (условно показанная штриховой линией), Заполнение потенциальной ямы под МНОП-конденсатором неосновными носителями осуществляется по ПЗС-элементу, расположенному в Ч-канавках. Перетекание заряда из потенциальной ямы , образованной на боковой грани Ч-канавки в потенциальную яму МНОП-конденсатора осуществляется при...

Электрооптический свч модулятор света

Номер патента: 575602

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Волконский, Головков, Калиников, Попов, Черняев, Швецов, Яковлев

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света, свч, электрооптический

...собой трехэлементный полосовой фильтр схема которого показана нафиг. 2, причем эдект рооптический кристалл с электродами играе Р ф роль последовательного, контура 8, Указанный полосовой фильтр может быть согласован с модудирующим генератором в широкой полосе частот, обеспечивая в этой подо-се частот постоянную амплитуду электрической составляющей электромагнитного поля в кристалле и, как следствиепостоянныи коэффициент модуляции света во всей рабочей полосе частот при постоянной мощности модулируюшего генератора. При этом рассеивание большей части мощности модулируюшего генератора происходит в сопротивлении нагрузки 7, а не в кристалле, что уменьшает его разогрев. В СВЧ диапазоне колебательные контуры 5 и 6 могут быть выполнены на...