Камбалин — Автор (original) (raw)
Камбалин
Способ изготовления мноп-структур
Номер патента: 1160891
Опубликовано: 30.09.1992
Авторы: Камбалин, Кокорин, Сайбель, Слугина, Сухов
МПК: H01L 21/314
Метки: мноп-структур
...тем, чтов способе изготовления МНОП-структур,включающем химическую обработку полупроводниковой подложки, промывку ее вдеионизованной воде, последовательноеформирование в реакторе слоев двуокиси инитрида кремния и электрода, формирование слоев двуокиси кремния в реакторе проводят в атмосфере закиси азота дополучения двуокиси кремния требуемойтолщины, после чего закись азота откачивают; окисление проводят при давлении0,13 гПа - 2 атм и температуре 700-950 С;формирование слоев двуокиси кремния инитрида кремния проводят в одном рабочемобьеме.Устранение из маршрута изготовления МНОП-структур операции травления остаточного окисла в водном растворе фтористоводородной кислоты позволяет увеличить напряжение пробоя окисной изоляции...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1124762
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Грищенко, Камбалин, Меерсон
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...постоянного запоми" нающ 7 его устройства, содер)ка 171 ем г)ог 7 упроводниковую пог 1 ло)кку первого тига проводимости, в приповерхностном слое которой расположены Области второго типа проводимости, образую,щ)ие р"а-переход, между Областями второго типа проводимости расположен первый-слой диэлектрика, выполненный. из двуокиси кремния толщиной 10-130 А, на поверхности которого размещен вто" рой слой диэлектрика, толиина которого превышает толщину перво.о слоя, иа поверхности второго слон расположен третий слой диэлектрика, выполненный из нитрида кремния тоггщиной в 20-100 раз больше толщины первогослоя, на котором расположен проводящий слой, в полупроводниковой подлож 1 а выполнено углуоление, боковыестенки которого рвспоу)ожены под...
Способ создания разделительных областей в интегральных схемах
Номер патента: 707446
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах
...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...
Способ записи информации в запоминающий элемент на мдп структурах
Номер патента: 1012701
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Камбалин, Кольдяев
МПК: G11C 7/00
Метки: записи, запоминающий, информации, мдп, структурах, элемент
...подложки. Поскольку растекание заояда в таких структурах происходит по направлениюк полевому электроду, то и время хракения его уменьшится пои повышении темпе ратуры, при которой прои сходит запись. Это является недостатком известного способа записи инФормации в запоминающий элемент на ИЛП-транзисторах.Целью изобретения является повышение надежности записи за счет увеличения времени хранения записанной инФормации,Цель достигается тем, что в способе записи инФормации в запоминаю" щий элемент на ИЯП-структурах ос" нованном на инжекции основного заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИРП-транзистора, осуществляют дополнительную инжекцию заряда путем подачи напряжения на диэлектрик ИДП- транзистора, создающего заряд 1 О з =...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1159447
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гладких, Камбалин, Сайбель, Титов
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...изобретения явпяе)слкение надеяности элемента пампт - ,сцет умень)ения колицеств:1 .ро 1при программированииЦель достигается тем, цто зле"мент памяти для постояннсго зас):ни .:ющего устройгтва, содер(аы Й по/ /г)(.ВОДНИКОВуО ПОдЛОжКу р-тИПа г р:. Во,) Иэ приповерхностнсм слое кото)О )гсГ)эло(ены три Области и-типаГ;ег) г)мост 4, на повер)п;Ости полу;)., "-л 4 КОВ)эк г)0/;.Г 30 к Расг)оло)4(ены,г 1 ЬЕ: Обестй П-тИПа Г)рОВОДИМОСт Г;( тЙ) диз пе кт рице сии Й слОЙ ра с, г,г , гЕ)Г)/у ГЕ ВОЙ и ТОРОЙ Обг)ВС,-г);с цг), гр) Оо.п;)ст 2,3 и- -,) ;г) -), 1,; ЛОЛУ и ровод"30.3-Г)жко Р:3 г).ГЭ)(Э ДИЗЛЕКтРИ, гЙ(. ЦастИЦНЫМ ПЕ 8 КРЬГГИ,) ЛП ( ".-:,.:, "г. р)Е)(Ду ОбЛа СТ яМИ 2-) 3 .)Еи 4( 441 ГРИ)гЕр, ИЗ ДВугз Н,4 П, НИ Грнда КРВМНИЛ р Дву"Си гзмн П...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства (его варианты)
Номер патента: 1149789
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гаштольд, Камбалин
МПК: G11C 11/40
Метки: варианты, его, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...подложкеодного тийа проводимости (55)иг.1)распопожены дигон,узионные области 2другого типа проводимости. ььа полупроводнь(ковОЙ подложкР с частичнымперекрытием одних краев областей 2рас.по 5 ьояен диэлектрическии слОи51 а ПОДЛОЖКЕ РаСГ 5 ОЛО 515 ЕНЬЬ ДИЭЛЕКтРИческий слой ьь с перекрытием краевОбластеи 2, а на нем - диэлектрический лОЙ 5. Оба этих слоя образуютзатворный диэлектрик, На затворномдиэлектрике находится проводящийэлеьтрод, состоящий из двух полупроводниковьх слоев 6 и 7, расположенных друг на друге и образующих р-г 5- переход Второй вариант (59 иг,2) отличдРтся От первого тРИ чтО полупроводниковые слои, образующие Р-л-переход, 1 ьасположены смежно Отььосительно друг друга.Рассмотрим .работу элемента памяти,огда...
Способ изготовления интегральных схем памяти на основе мноп транзисторов
Номер патента: 1040978
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Верходанов, Камбалин
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов
...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...
Способ формирования контактных отверстий к областям -типа интегральных схем
Номер патента: 1313257
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования
...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1079079
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...
Способ определения дифференциального коэффициента проскока фильтров
Номер патента: 1712836
Опубликовано: 15.02.1992
Авторы: Кайпоксин, Камбалин, Пащенко, Пирумов, Проволович, Триганова
МПК: G01N 15/08
Метки: дифференциального, коэффициента, проскока, фильтров
...размера частиц не менее 1,7. Полученный аэрозоль с газовоздушным потоком пропускают через испытуемый фильтр и отбирают вакуумным пробоотборником на подложки пробы аэрозоля до и после фильтра, Посредством просвечивающей электронной микроскопии определяют концентрацию аэрозолей с подсчетом количества ранжированных по размерам частиц, а о коэффициенте проскока судят по концентрации аэрозолей и размерам частиц. 2 ил,отбирают пробы аэрозолей дЬ и после тра посредством вакуумного пробоо ника на электронномикроскопиче подложки, Концентрацию аэрозолей о деляют посредством просвечиваю электронной микроскопии с подсчето личества ранжированных по размерам тиц до (кривая 1) и после (кривая 2) фил Величину дифференциального коэффи та проскока...
Скважинный якорь
Номер патента: 1670103
Опубликовано: 15.08.1991
Авторы: Абрамов, Анисимов, Камбалин, Перебейнос, Петухов
МПК: E21B 40/00
Метки: скважинный, якорь
...внутри его поплавок 11. Длясоединения устройства с погружным оборудованием спускаемым в эксплуатационнуюколонну 12, полный ствол снабжен резьбой.Поплавок расположен в исходном положении под лепестками экрана.В скважинной жидкости якорь работаетследующим образом,Для сбеспечения заданной чувствительности якоря выбирают площадь основания полого цилиндра 6, жесткость пружины7 и массу подвижной части устройства всоотношении, сбеспечивающем подъем цилиндра б с плашками 4 до сцепления их сколонной труб при заданной скорости оборудования.В исходном положении якоря цилиндр6 через отверстия в его основаниях заполняется скважинной жидкостью и занимаеткрайнее нижнее положение, а плашки 4 невыступают за габариты полого ствола 1.Всплывший поплавок...
Устройство для подготовки проб
Номер патента: 1536245
Опубликовано: 15.01.1990
Авторы: Камбалин, Кирилюк, Пащенко, Петров
МПК: G01N 1/20
Метки: подготовки, проб
...щ 0слой (пленка) 1, имеющий отверст": еобразующее зону Формирования осади:;аэрозоля, Светонепроницаемая пленкана фотодиоде позволяет оптимизироватьФорму осадка аэрозолей с Формой светового пучка, проходящего на поверхность Фотодиода. Осветитель 9 дляобеспечения максимального освещениязоны расположен вблизи среза кадиллярной трубки 4. Фотодиод 5 закреплен во Фланце 10, имеющем отверстия11 для прохождения газа. Устройствоимеет газоотводящил патрубок 12 иотверстия 13 и 14 для выводов фотодиода 5 и осветителя 9. 45При работе в агрессивных средахповерхность 6 Фотодиода покрыта пластинкой из прозрачного коррозионностойкого материала, например из тефлона,50Устройство работает следующим образом.Исследуемый газ поступает черезкапиллярную трубку 4...
Устройство для подготовки проб
Номер патента: 1423499
Опубликовано: 15.09.1988
Авторы: Камбалин, Пащенко
МПК: G01N 1/00
Метки: подготовки, проб
...частиц возрастает и они, достигая подложки 5, осаждаются на нее. Уплот нение подложки 5 осуществляется за счет перепада давления в камере 2 и л 5 вйе ее. Во время работы оператор, перемещая подложку 5, отбирает необхоД 11 мое количество проб, определяя в каждом опыте время появления видимо- ГФ осадка определенной контрастности и сравнивает его с эталоном осадка - скорым оптическим фильтром 7. По цвету аэрозольного осадка можноопределить какой продукт преобладаетв ходе химической реакции и при необходимости изменить концентрацию исходных продуктов,Выполнение подложки с возможностьюперемещения позволяет получить оперативную информацию постоянно в ходетехнологического процесса.Такое конструктивное исполнениепробоотборника позволяет...
Судовое грузовое устройство для безударной передачи грузов
Номер патента: 979201
Опубликовано: 07.12.1982
Авторы: Камбалин, Приходько, Ягов
МПК: B63B 27/30
Метки: безударной, грузов, грузовое, передачи, судовое
...устройство содержит пневмоцилиндр1 со штоком 2. Головка штока 2снабжена шкивами 3 и 4 грузового каната и следящего каната соответственно, а также отклоняющими роликами 5.На другом конце пневмоцилиндра 1на оси установлены отклоняющие шкивы б и 7,Следящий канат 8, закрепленный за обух 9 на судне 10 и проходящий через отклоняющие шкивы 7 и ролики 5, запасован на шкиве 4 и закреплен на барабане лебедки 11Грузовой канат 12, на конце которого навешан груз 13, проходящий через отклоняю 979201щие шкивы б, запасован на шкиве 3 и закреплен на барабане лебедки 14.Подпружиненная рамка 15 закреплена на эксцентриковой оси 16 совместно со шкивом 4 и снабжена цапфами 17. Рамка 15 цапфами 17 соединена с тягами 18, в которых в месте их соединения...
Судовое грузовое устройство для безударной передачи грузов
Номер патента: 933541
Опубликовано: 07.06.1982
Авторы: Игумнова, Камбалин, Приходько, Ягов
МПК: B63B 27/30
Метки: безударной, грузов, грузовое, передачи, судовое
...передачи грузов3 9335на Фиг. 2 - головка штока в увеличенном масштабе,Устройство содержит пневмоамортизатор 1, на головке штока 2 которогозакреплены оси блоком 3 и 4 грузового и следящего тросов соответственно. Устройство снабжено отклоняющимиблоками 5Запасованный на блоке 4 следящийтрос 6, проходящий через блоки 5 1 ои отклоняющие шкивы 7, одним концомзакрепляется за обух 8 на судне 9,а другим - на барабане 10 лебедки.Запасованный на блоке 3 грузовойтрос 11, проходящий через отклоняющие шкивы 12, одним концом закрепляется на барабане 13 лебедки, а дру-.гим связывается с грузом 14.Подпружиненная рамка 15 с цапфами 16 закреплена на одной эксцентри,ковой оси 17 совместно с блоком 4 ишарнирно установленными тягами 18соединена с...
Устройство для проходки скважин в грунте продавливанием
Номер патента: 785433
Опубликовано: 07.12.1980
Авторы: Кабаев, Камбалин, Коков, Максюков, Турик, Хворов
МПК: E02F 5/18
Метки: грунте, продавливанием, проходки, скважин
...устройство.Устройство для проходки скважин имеет рабочий кольцевой наконечник 1 с калибрующим ножом 2, связанный посредством жет быть выполнен, в частности, в виде двух попеременно распираемых в стенки проходимой скважины пневматических эластичных баллонов 5 и 6 и перемешаюших их пневматических цилиндров 7.Внутри наконечника 1 расположена открытая в сторону забоя скважины камера 8 сгорания. В теле наконечника 1 вокруг камеры 8 сгорания размешена полость 9, заполняемая горючим из магистрали 10, соединенной с заливочной горловиной 11. Посредством трубки 2 полость 9 сообщена с призабойным пространством скважины и камеры 8 сгорания. В теле наконечника 1 установлен поршень 13, соединенный штангой 14 с пневматическими цилиндрами 7...
Судовое грузовое устройство
Номер патента: 514743
Опубликовано: 25.05.1976
Авторы: Игнатьев, Камбалин, Шалтаев
МПК: B63B 27/08
...соединены сухари 24. Внутренняяповерхность подвижной рамки 25 идентична наружной верхней сферической поверхности головки штока 19.На корпусе 22 шарнирно закреплена подпружиненная защелка 27, которая фиксирует в верхнем положении подвижную рамку 25, удерживающую сухари 24 в пазах 23,Работает предложенное устройство следующим образом.Стрела с грузом 8 на грузовой подвеске 7 разворачивается над судном 20. Перед тем, как опустить подвеску 15 параллельных тросов 10, опускается трос-проводник 1 7 и с помощью штока 1 9 зацепляется за палубу судна 20,Вспомогательной лебедкой производитсявыбирание слабины и постоянное натяжениетроса-проводника 17 при качке двух судов,По натянутому тросу-проводнику 17 какпо направляющей опускается подвеска...
Судовое грузовое устройство для безударной передачи грузов
Номер патента: 477886
Опубликовано: 25.07.1975
Авторы: Камбалин, Шалтаев
МПК: B63B 27/00
Метки: безударной, грузов, грузовое, передачи, судовое
...грузов, содержащее следящий трос, связанный со штоком амортизатором перемещений, причем головка штока размещена в направляющих и снабжена блоками следящего и грузового троса, Однако в случае экстренной о дачи ( обрыва ) следящего троса от загр жаемого ( разгружаемого ) судна в условиях волнения моря возможен выстрел штока амортизатора. Судовое грузовое устройство ит амортизатор 1 соединенныйбаллоном 2, головку штока 3, вдвинутуюв цилиндр 4 и снабженную тросовыми блокгми 5 и 6. Причем запасованный на блоке5 грузовой трос 7 проходит через отклсняюшие блоки 8 и на свободном конце несет груз 9, а второй его конец закрепленна барабане лебедки 10, Запасоцагпгый жена блоке 6 следящий трос 11 проходитчерез отклоняющие блоки 12 и одним конном...
Судовой кран для безударной перегрузки грузов нри качке
Номер патента: 417340
Опубликовано: 28.02.1974
Авторы: Васюхно, Камбалин, Соснин
МПК: B63B 27/08
Метки: безударной, грузов, качке, кран, нри, перегрузки, судовой
...соединена с грузовой лебедкой 21,включающей электромотор 22, тормоз 23,планетарный редуктор 24, у которого на выходном валу зубчатого венца 25 имеется тормоз 26 и пристроена сцепная муфта 27,Для осуществления грузовых операцийстрела крана располагается над соседнимсудном 10 и с помощью траверсы 9 цепляетсяза его палубу.В исходном положении сцепная муфта 27разомкнута,Включается лебедка 11 на выбирание слабины каната 8 и натягивает его до такогосостояния, чтобы качка судна 10 на волнеполностью воспринималась лебедкой 11.При опускании судна 10 во впадину волныканат 8 разматывается с барабана лебедки11, который вращаясь, передает вращениегидродвигателю 15 в режиме насоса на пневмогидравлический аккумулятор 16.При подъеме судна 10 с впадины...
Ш4ш ni7nrt-r, vj библиотека• i “—. 1 шт1.
Номер патента: 373247
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Дорохов, Журавлев, Камбалин
МПК: B63B 27/10
Метки: ni7nrt-r, библиотека, ш4ш, шт1
...крана крюковой подвеской, причем как вспомогательный, так и основной кран монтируются на общей поворотной платформе, установленной на палубе судна,Это позволяет использовать, в случае пеобходимости, оба,крана,раздельно. На чертеже схематически показана предлагаемая установка,Она монтирована на палубе судна 1, с которого осуществляется погрузка судна 2.Колонка 3 несет, поворотную платформу 4; на последней, в свою очередь, установлены поворотные краны 5 и б, основной и вспомогательный соответственно,Кран 5 оборудован подъемным механизмом 7, канат 8,которого. несет крюковую подвеску 9. На стреле 10 крана б монтирована следящая система, пневматический цилиндр 11,которой связан с траверсаминесущими обоймы полиспастов 12 и 13.Канат 14...
Судовое грузовое устройство
Номер патента: 314684
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Камбалин, Шалтаев
МПК: B66C 23/61
...безударцой передачи груза в условиях волнения моря, содержащее грузовую и вспомогательную лебедки, стрелу с грузовой подвеской н амортизатор со еле;5 цег тросо-блочной системо связаццои с 11 Ял 1 бог загржаР)ОГО Язгр о жаемого) судна, от.ггг гтощееся тем, что, сельо пг)еду п 1)еждепи 51 раскя 11 ивы 11 ия Грузя связь следящей системы с палубой судна вывод:геца в виде двух параллельно расположенных следящих тросов, с которыми подвижно соедицеца ферма грузовой подвески,й,ОЛО 1.Итизатоке 4. т авт. свидетельства М -рисоедицением заявки хо -Изобретение относится к области судостроения, в частности к судовым грузовым устройствам.Известны судовые грузовые устройства для безударной передачи груза в условия.; волнеция моря, содержащие грузовые и...