Колдашов — Автор (original) (raw)
Колдашов
Способ определения координат очага прогнозируемого землетрясения
Номер патента: 1762644
Опубликовано: 30.06.1994
Авторы: Воронов, Гальпер, Колдашов
МПК: G01V 3/00
Метки: землетрясения, координат, очага, прогнозируемого
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КООРДИНАТ ОЧАГА ПРОГНОЗИРУЕМОГО ЗЕМЛЕТРЯСЕНИЯ, при котором осуществляют измерение интенсивности заряженных частиц, регистрируют возрастание измеряемой величины с помощью аппаратуры, установленной на искусственном спутнике Земли (ИСЗ), отличающийся тем, что, с целью повышения точности путем обеспечения возможности определения двух координат очага, осуществляют раздельную регистрацию возрастаний интенсивностей электронов и протонов, одновременно измеряют энергию частиц, а моменты времени, соответствующие возрастанию интенсивности частиц, определяют раздельно для интервалов энергий и для видов частиц, определяют положение ИСЗ в пространстве и направления прилета частиц возросших потоков по отношению к геомагнитному полю,...
Способ прогнозирования землетрясений
Номер патента: 1583906
Опубликовано: 07.08.1990
Авторы: Воронов, Гальпер, Колдашов
МПК: G01V 5/00
Метки: землетрясений, прогнозирования
...на станциях "СалютР, "Мнр" и в 1,5-3,0 раза на спут 50 Возникающие над очагами готовяшихся землетрясений электромагнитные волны распространяются в область нов носферной плазмы на расстояния вплоть до нескольких тысяч километров, Амплитуда электромагнитных волн зависит от силы землетрясения магнитуды его глубины и убывает с увеличением расстояния от очага земле трясения, Максимальная амплитуда регистрируется непосредственно над оца ромЭлектромагнитные волны, вызванные сейсмической активностью, взаимодействуют с частицами радиационного ггояса и приводят к диффузии частиц по питч - углам, Изменение питч-углов частиц, захвачвнных геомагнитным полем,имеющих большую интенсивность и 2 О характеризующихся узким питс-угловым распределением,...
Автоклав для выщелачивания металлов из руд
Номер патента: 1574661
Опубликовано: 30.06.1990
Авторы: Горячкин, Зайцев, Колдашов, Талызин, Уткин
МПК: C22B 3/02
Метки: автоклав, выщелачивания, металлов, руд
...через отверстия 6 в полость между трубой 5 и .валом 2 и поступает в верхний ярус 11 аэрирующей турбинки 3. Как показано на фиг,1 штриховыми стрелками, и встречаются на наружной кромке диска 13. Твердь 1 е частички руды, жидкость и газ интенсивно перемешиваются и выбрасываются через статор 8, образуя в,объеме автоклава основные циркуляционные контуры, схематично показанные на фиг.1 сплошными стрелками. Вращение винтовой мешалки 4 в конфуэоре 9, снабженным лопатками 10, увеличивает количество засасываемой жидкости, проходящей через конфузор 3, что приводит к увеличению количества засасываемого реакционного газа. При установке в конфузоре винтовой мешалки большей насосной производительности, чем турбинная мешалка, часть пульпы...
Оптоэлектронный функциональный преобразователь
Номер патента: 1439633
Опубликовано: 23.11.1988
Авторы: Колдашов, Марченко, Орлов, Плахотный, Рахлин, Смовж, Степанчук
МПК: G06G 9/00
Метки: оптоэлектронный, функциональный
...8 на омический коллектор 10. Поскольку электрический потенциал на непрофилированном резистинном слое 8 распределен по линейному закону (при условии, что удельное поверхностное сопротивление темновых участков Фоточувствительного слоя 9 намного выше удельного поверхностного сопротивления резистивного слоя 8), то в данном случае выходное напряжеДля защиты темновых областей фоточувствительного слоя 9 от фоновой засветки используется многократное отражение света в световом лабиринте 4 с поглощающими стенками, образованном между внутренней поверхностью светонепроницаемого корпуса 12 и внешней поверхностью тела 3 вращения.Данная защита наиболее эффективна при выполнении указанного соотношенйя, поскольку снижение потерь свето-. вого потока...
Искровая камера
Номер патента: 1279385
Опубликовано: 30.03.1988
Авторы: Воронов, Колдашов, Моисеев, Попов
МПК: G01T 5/12, H01J 47/14
...Насторонах высоковольтных электродов2, обращенных к зазорам 3, расположены диэлектрические пластины,4, наповерхности которых, обращенные кзазорам 3 нанесены проводящие слои5. Величины электрических емкостей,образованных. между диэлектрическимипластинами 4 и высоковольтными электродами 2, много больше электрическихемкостей зазоров 3 между электродамие Искровая камера работает следующим образом.На высоковольтные электроды 2 подают высоковольтный импульс. При 30 этом между чередующимися высоковольтными электродами 2 и заземленными электродами 1 устанавливается разность потенциалов и зазоры 3 между электродами оказываются под напряжением. При пролете через рабочий объем искровой камеры, заполненный инертным газом, ионизирующей частицы в...
Стекло
Номер патента: 1247360
Опубликовано: 30.07.1986
Авторы: Андронова, Булацкая, Колдашов, Лемза, Морозова, Панов, Петрова, Тризна, Шутова
МПК: C03C 3/145
Метки: стекло
...сырья использовались химические реактивы марки х.ч., ч. и ч.д.а. В 0 вводился через борную кислоту (Н ВО ), остальные ингредиенты вводились через оксиды соответствующих элементов.В табл. 1 приведены конкретные составы предлагаемых стекол.Каждая смесь (шихта) сплавлялась отдельно в корундизовых тиглях емкостью 100 мл в силитовых печах при 1450-10 С. Расплав выдерживается при максимальной температуре 30 мин,Свойства полученных стекол приведены в табл; 2.На основе полученных стекол истекла-прототипа были сформированы 5 толстопленочные резисторы. С этойцелью стекла измельчались в халцедоновых барабанах до удельной поверхности не менее 6000 см Хг, смешивалис порошком аморфного бора (ТУ 6-08-347-77) в соотношении стекла к борупо массе 99:1....
Способ регистрации треков заряженных частиц
Номер патента: 1153686
Опубликовано: 15.12.1985
Авторы: Воронов, Колдашов, Попов
МПК: G01T 5/12
Метки: заряженных, регистрации, треков, частиц
...электрическомполе от времени;В - длина разрядной области;Ч 0 - скорость света в вакууме;Ь - наибольший размер разрядной20области.Основные параметры импульсаамплитуда напряженности электрического поля Е , длительность импульсаТ, частота изменения электрического25поля в импульсе Р - должны удовлетворять следующие условия:1) Условие возникновения регистрируемого трека в разрядной областиЕ ТС или при заданной ЕФСЗО Е 6 Т Тр()С - постоянная величина, определяемая газовой смесью;Т - время жизни свободных электронов в газовой смеси,35 2) Условие отсутствия сноса элект"ронов в разрядной области(где Р, определяется выражением2 1нЮй ,оЧ - скорость дрейфа электронов;В - длина разрядной области.3) Условие однородности электри 45ческого...
Состав для резистивного материала
Номер патента: 1173450
Опубликовано: 15.08.1985
Авторы: Демина, Карлов, Колдашов, Марченко, Пчелина, Рудовол, Шахпазиди
МПК: H01B 3/10
Метки: резистивного, состав
...Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г.ужгород, ул.Проектная,4 Изобретение относится к электронной технике и может найти примене" ние, в частности, при изготовлении резисторов, гибридных микросборок и интегральных схем. бЦель изобретения - повышение стабильности сопротивления при комплексном воздействии высокого напряжения и температурьв и:.уменьшение коэффици-, ента напряжения изделия на основе . Ю предлагаемого состава.П р и м е р. Порошкообраэный рутенат свинца смешивается с оксидом сурьмы, окислом ванадия, оксидом циркония и прокаливается при 800 С 1 Затем этот состав, подвергается помолу в среде этилового спирта в алуи- довом барабане с алуидовыми шарами в течение 10-25 ч до получения удельной поверхности 6000-8000 см/г. 20...
Стекло
Номер патента: 1033459
Опубликовано: 07.08.1983
Авторы: Колдашов, Морозова, Петрова, Поташникова, Пчелина, Раимбаев, Шутова
МПК: C03C 3/10
Метки: стекло
.... 8,0-25,0МпО 10,0-28,0один оксид иэ группы лантаноидов:5 а О,11 О 20Оу,о20 ф 33159 3ТаОУЬ О 0,1-5,0Кбйкретные составы стекол приведе.ны в табл, 1.Каждую смесь сплавляют отдельно вкорундизовом тигле в силитовой печипри 1250 С в течение 30 мин.Определение :КЛТР стекол проводятпр стандартной методике на дилатометц ре типа ДКВ.-2, Износостойкость стеков определяют по потерям в весе с помощью специального устройства.Для этого изготавливают специальные диски стекла ф 18 мм,полируют их1 до 14 класса чистоты обработки, закрепляют в устройстве, обеспечивающемвращение диска со скоростью 60 об/мини подвергают обработке абразивной щеткой на основе карбида бора. Продолжи 2 О тельность абразивной обработки составляет 3 ч.Вес образцов до и после...
Аэрирующее устройство
Номер патента: 946623
Опубликовано: 30.07.1982
Авторы: Басаргин, Галицкий, Зайцев, Захаров, Колдашов, Лобашев, Талызин
МПК: B01F 3/04
Метки: аэрирующее
...образом.Х(идкая фаза насосом под давлением подается через штуцер 11 и распределительную камеру 9 в распылители (Форсунки)2 и 3, образуя скоростные потоки жидкости, Последние, создавая разрежение в камере 10, засасывают (эжектирукт) через штуцер 12 газовую Фазу. Иа выходе из центрального смесителя 4 сформировавшийся газожидкостный поток, ударяясь о диспергатор б, растекается по нему,:дополнительно дробясь сформировавшимися потоками, выходящими из периферийных смесителей 5, которые создают к тому же эффект вторичного эжектирования огределенных объемов смеси в устройстве на участке нижний срез трубы периферийного смесителя 5 - диспергаторы бНегрореагировавший газ выводится через штуцер 15. Возможно, если это оправдано технологическим...
Реактор для получения фосфорной кислоты
Номер патента: 457246
Опубликовано: 30.07.1982
Авторы: Брюнов, Журин, Зайцев, Зотов, Ильгисонис, Киприянов, Колдашов, Кунина, Мельников, Михин, Румянцев, Чистяков, Шмелев
МПК: B01J 19/00
Метки: кислоты, реактор, фосфорной
...1, в которой в основном происходит процесс разложения сырья,11 осле разложения пульпа через переток попадает в камеру 2, где осуществляется снятие перенасыщения жидкой фазы пульпы по сульфату кальция и кристаллизация сульфата кальция на кристаллической подушке, образованной в первом сосуде, что исключает получение мелких кристаллов сульфата кальция.Установка на периферийных перемешивающих устройствах 3 трех нижних ярусов - турбин 5 - 7 открытого или закрытого типа разного диаметра - позволяет производить в объеме реактора за счет разной интенсивности перемешивания сепарацию частиц по крупности по высоте реактора, т. е, более крупные частицы расположены в нижней части реактора и, таким образом, находятся в нем более длительное время,...
Резистивный материал
Номер патента: 911629
Опубликовано: 07.03.1982
Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Турчина, Фомина, Чигонин
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
...влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и...
Материал для резисторов
Номер патента: 898517
Опубликовано: 15.01.1982
Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Пушкина, Турчина, Фомина, Чигонин
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резисторов
...параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влаж. ности (98%) не более й 1% и ТКС не более 100 101/С.П р и м е р. Порощкообразные окись свинца, двуокись кремния, двуокись рутения, окись индия тщательно смешивают. Из полученной массы прессуют таблетки, Таблетки по мешают в корундовый тигель и проводят син.8517 4нической связкой, наносят на подложки изкерамики "22 ХС" и вжигают в конвейернойпечи при 800 - 850 С, Приготовляют четыре со.става предлагаемого материала для резисторов.Соотношения исходных компонентов материалаи электрофизические характеристики получен.ных резисторов приведены в таблице. опротивление, Ом/кв ТКС, 1/ С 10 6 Стабиль. при 25-125 С ность, %+2,8 Известный 24 71 5 в 5 Из таблицы следует, что...
Устройство для обработки целлюлозосодержащих материалов
Номер патента: 863737
Опубликовано: 15.09.1981
Авторы: Гейзер, Ефремова, Зайцев, Иванов, Ишханов, Колдашов, Кравченко, Крюков, Мошкин, Овчинников, Сметанин, Уткин, Чиков, Шиянов
МПК: D21C 9/00
Метки: целлюлозосодержащих
...предлагаемое устройство; на фиг, 2 - то же,в двух проекциях; на фиг. 3 - то же,с частичным продольным разрезом; нафиг. 4 - развертка корпуса барабанана фиг. 5 - сечение А-А на фиг3;на фиг. 6 - сечение Б-Б на фиг. 3;на фиг, 7 - разделительная гребенка.Устройство для обработки целлюло зосодержащих материалов содержит ци- Олиндрический барабан 1, который можетбыть установлен горизонтально илис небольшим наклоном. На барабанерасположены бандажи 2, зубчатая передача 3. Корпус барабана вращаетсяна бандажах по каткам 4, которыеснабжены опорно-упорными подшипникаии 5. Устройство имеет неподвижный загрузочный кожух 6 для загрузки целлюлозосодержащего материала, отвода маточника и обрабатывающей жидкости,подаваемой на обработку, и...
Устройство для распределения газов в жидкости к аппаратам для выращивания микроорганизмов
Номер патента: 863636
Опубликовано: 15.09.1981
Авторы: Григорьев, Зайцев, Калунянц, Киприянов, Колдашов, Краснолуцкая, Крац, Кустова, Лисовский, Недельский, Пушков, Румянцев, Семенов, Степанищев
МПК: C12M 1/06
Метки: аппаратам, выращивания, газов, жидкости, микроорганизмов, распределения
...8, и направляющих лопаток9, которые укреплены между коллекторами и имеют в сечении форму треугольника, одна из вершин которого 20направлена под углом к вертикальнойоси.На поверхностях коллекторов 6 и7, обращенных друг к другу, имеютсяотверстия 10 для прохода воздуха. 25Турбина расположена так, что кольцевая щель 5 между конусообразнымитарелками 1 размещена в зазоре 8между коллекторами б и 7 и снабженапатубком 11, имеющим отверстия 12для вывода воздуха иэ внутреннегопространства турбины, при этом патрубок 11 размещен концентрично валу4, а отверстия 10 расположены поокружности кольцевых коллекторов наравном расстоянии друг от друга.В верхней части патрубка смонтированы вентиляторные лопатки 13для отсоса воздуха из поступающейв турбину...
Резистивный материал
Номер патента: 834781
Опубликовано: 30.05.1981
Авторы: Колдашов, Красов, Крылова, Поташникова, Пуронене, Турчина
МПК: H01C 7/06
Метки: материал, резистивный
...материал, содержа щнй окись свинца, двуокись кремния и двуокись рутения, дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов, масс.ЪОкись свинца . 7 -80 Двуокись кремния 10-25 Двуокись рутения 3-10 Окись меди 0,5-10Введение в состав резистивного материала окиси меди позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 5 кОм до 1 МОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влажности (98) не более .+1 и ТКС - не более 100 10 1/ С.. Формула изобретения 40 Составитель Н.КондратовТехредЖ.Кастелевич Корректор В.Синицкая 1 Редактор Н.Кешеля Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и...
Резистивный материал
Номер патента: 801116
Опубликовано: 30.01.1981
Авторы: Безруков, Воробьева, Голоденко, Дубинина, Колдашов, Купина
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
...окислов и сульфатов, ч: нитрат индия и(МО 3)35,5 НО) 270,4 у пятиокись сурьмы(ЯЬаОв) 3,0; сульфат ниобияА 1 О (ЯО 4 )4 ИЬОл ЯО 4 0,6 НО 4,4,Шихту усредняют в барабане шаровой мельницы в течение 4-х ч, а затем прокаливают при 950 ОС в течение 2-3 ч.П р и м е р 2. Для получения100 г резистивного материала, содержащего, вес.Ъ: окись индия 97,5; пятиокись сурьмы 2,0 пятиокись ниобия25 0,5 ,приготавливают смесь исходных801116 Резистивный Удельное сопротивление Температурный коэффициентматериал, резисторов, кОм/см сопротивления, 10 4 1/цСУ в области 20 - 125 оС-5 с 7 693 3,4,9 " 6,3 Формула изобретения Составитель В.ЛенскаяРедактор Л,Пчелинская Техред Е.Гаврилешко Корректор О.Билак Заказ 10443/71 Тираж 795 ПодписноеВНИИПИ Государственного...
Стекло
Номер патента: 765219
Опубликовано: 23.09.1980
Авторы: Колдашов, Красов, Могилева, Морозова, Петрова, Шутова
МПК: C03C 3/10
Метки: стекло
...обладает высокими значениями коэффициента линейного термического расширениял =(96,8-100)д Х 10 град т, удельного объемного сопротивления, =10 ом см, что неяпозволяет использовать его для изготовления прецизионных толстопленочных резисторов.765219 1СоО 1-10Стекло варят в корундовых тигляхпри 1250 С в течение 30 мин в силитовой печи. Полученные стекла имеютудельное объемное сопротивление при20 С р при 250 фС, равное 910" -110 омфсм и 2 а 10 "310 омфсмсоответственно.Конкретные составы стекол и свойства стекол и ниэкоомных резисторовна их основе, содержащих 40 рутения,приведены в таблице. Компоненты стекла 1 2 3 4 Известное Состав стекла, вес,ФРЬО50,в,о,МоОСцОА 1 в Оз .СоО 65,12 14,97 9,96 4,98 1,0 2,97 1,0 58,5 13,5 9,0 45 1,0 4,5 9,0...
Резистивный материал
Номер патента: 706885
Опубликовано: 30.12.1979
Авторы: Колдашов, Красов, Могилева, Пуронене, Турчина, Шутова
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
...рутения 4,5 - 70Вольфрам 0,2 - 20Для получения резистивного материала были подготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: двуокись рутения 55; 5; 50, порошок металлического вольфрама 20; 0,2; 10 и свинцовоборосиликатное стекло (РЮ 35., ВО 10, РО 15 АЮ О 5 ХО 5) 25; 94,8; 40.Каждую смесь тщательно перемешивают с органической связкой (ланолин), наносят на подложки из керамики 22 хСо и обжигают при температуре 850 С.70 8 с 1Полученные на основе этого матери- -"характеристики, представленные в тебала резисторы имеют элек грофизические лице. ТКС,10 1/ С Удельное сопротивление,Ом/ Выход годных,%+70 Составитель Ю. ГерасичкинРедактор Е, Караулова Техред 3, ФантаКорректор М, Шароан Заказ 8239/44 Тираж 923Подписное ЦНИИПИ...
Автоклав непрерывного действия для выщелачивания металлсодержащего сырья
Номер патента: 655738
Опубликовано: 05.04.1979
Авторы: Гусева, Дурасов, Зайцев, Киприянов, Колдашов, Мельников, Пестов, Рейдман, Толстогузов, Худяков
МПК: C22B 3/02
Метки: автоклав, выщелачивания, действия, металлсодержащего, непрерывного, сырья
...для отвода отработанного газа.К патрубку подсоединен тангенциальныйпатрубок 3 входа циклона 4, Циклонимеет верхний патрубок 5 сдувки газаи нижний патрубок 6 для отвода,уловленного продукта. Над верхнимпатрубком циклона 4 установлена сообщенная с ним расширительная камера 7 с отбойником 8, причем отбойникрасположен напротив патрубка 5.Расширительная камера 7 и отбойник 458 имеют сообщающиеся рубашки 9 и 10для хладагента с патрубками 11 и 12для его подвода и отвода. В верхнейчасти расширительная камера 7 снабжена патрубком 13 с дросселем 14 для 50отвода очищенного отработанного газа,а в нижней части - трубкой 15 дляслива конденсата в циклон.Согласно первому варианту, патрубок 6 циклона соединен с трубопроводом 16 для отвода готового...
Аппарат для выделения и концентрирования микроорганизмов
Номер патента: 644826
Опубликовано: 30.01.1979
Авторы: Зайцев, Зуев, Киприянов, Колдашов, Крац, Кустова, Румянцев, Серяков, Степанищев
МПК: C12C 11/24
Метки: аппарат, выделения, концентрирования, микроорганизмов
...части обечайкиразмещен пеногаситель 9, Для сообщенияпоследнему вращательного движения име ется электродвигатель 10,Для подачи циркулирующей осветленнойжидкости аппарат снабжен насосом 11,Кроме того, аппарат снабжен штуцерами12 и 13, служащими соответственно для вывода отработанного воздуха и концентрированной биомассы,Аппарат работает следующим образом.Исходная культуральная жидкость черезпатрубки 2 поступает в нижнюю часть емкости 1.В нижней части происходит флотирование микроорганизмов, например, дрожжеймелкодисперсными пузырьками воздуха,получаемыми с помощью эжекционныхаэраторов 3. Эжекционные аэраторы засасывают воздух из атмосферы за счет энергии циркулирующей через них под давлением осветленной культуральной...
Реактор для выщелачивания флюорита
Номер патента: 634757
Опубликовано: 30.11.1978
Авторы: Гусаков, Зайцев, Зотов, Колдашов, Лобашев, Милехин, Молодяков
МПК: B01D 11/00
Метки: выщелачивания, реактор, флюорита
...в секциях у днища корпуса перегородок 7 для 33 разделения корпуса на секции.634757 иг.1 Составитель И. Ненашевд Корректор В. Д едактор липенко ехред амыш пик ова аказ 2069/2. Сапунова, 2 Перемешивающее устройство состоит из цилиндрической обечайки 5 и нагревательного элемента б, выполненного в виде круглого перфорированного экрана,Реактор работает следующим образом.Исходная пульпа, содержащая смесь флюорита и щелочи, через патрубок 2 подается в нижнюю часть первой секции и попадает под нагревательный элемент б, при контакте с которым нагревается. В результате нагрева выделяется углекислый газ, который, стремясь к поверхности, увлекает за собой жидкую фазу, последняя начинает циркулировать в цилиндрической обечайке 5. 1 онвективные...
Стекло
Номер патента: 633831
Опубликовано: 25.11.1978
Авторы: Колдашов, Красов, Морозова, Петрова, Шутова
МПК: C03C 3/10
Метки: стекло
...коэффициент соуротивления (ТКС),достигающий 400 10 1/град, Это обусловлено высоким удельным объемным сопротивлением стекла (56 10 Ом см),его низкой температурой началаразмягчения ( Т . 450 С )и относительно высоким удельным ве"сои ( Й 5, 2 г/смз),Целью изобретения являет ечение удельного объемного сления 5 н 5;10 -;б 10 д Ом.сатуры размягчения Т,46и удельного веса д а 4,75-5ВДля этого стекло, включатЬОг, АЕаОа, ВгОа, Я О в кКгОЮ содержит Мьг 05илнТаг О при следующемнии компойентов, вес.Ъ:,М О 3,91 - 8, 157,50 - 12,60ФЭО илиЧО или Та 061,00 - 10,00В таблице 1 приведены составыстекол,Фвраждую смесь сплавляют отдельно вВоруидиэовом тигле в силитовой печипри температуре 1250 ф в течение 30 мин,В таблице 2 приведены характеристики...
Способ получения фосфатов аммония
Номер патента: 626086
Опубликовано: 30.09.1978
Авторы: Брюнов, Заваров, Зайцев, Зотов, Калтыгин, Картошкин, Киприянов, Колдашов
МПК: C05B 7/00
...д. 4/5Подписное Типография, ир. Сапунова, 2 ется в аммонизированной пульпе и в газовую фазу не поступает).Полученную аммонизированную пульпунаправляют на грануляцию и сушку, а водяные пары - на конденсацию. В результатепроцесса получают фосфаты аммония, содержащие 49 - 51 ю/ю РзОз, 22 - 23 ю/ю МНзП р и м е р 2. 178 кг 40/ю по РзО, фосфорной кислоты обрабатывают в потоке34 кг газообразного аммиака в течение 30 с 10при температуре 140 С. При этом аммиакполностью вступает в реакцию с фосфорнойкислотой в потоке. Полученную реакционную массу вводят под слой охлажденнойаммонизированной пульпы и выдерживаютпод вакуумом в 400 мм рт. ст. в течение10 мин при 80 С.При этом получают 182 кг пульпы состава: РзОз 39/ю; ХНз - 18,5% и 55 кг...
Устройство для уплотнения вращающихся вертикальных валов
Номер патента: 582434
Опубликовано: 30.11.1977
Авторы: Антосиков, Ерошкин, Зайцев, Зотов, Ильгисонис, Киприянов, Колдашов, Корейшо, Кунина, Михин, Панфилова, Розвадовский, Румянцев
МПК: F16J 15/40, F16J 15/54
Метки: валов, вертикальных, вращающихся, уплотнения
...запорной жидкостирабочей среды неизбежно приводит к зарастанию канала для подвода запорной жидкости осадками, находящимися в составе реакционной среды.Цель изобретения - предотвращение кристаллизации рабочей среды на стенках устр ойств а.Достигается это тем, что в устройстве дляуплотнения вращающегося вертикального вала, содержащем неподвижный корпус иукрепленную на валу цилиндро-коническуючашу с кольцевой полостью, вал снабжен винтовой нарезкой, расположенной выше конической части чаши.Такое выполнение устройства предотвращает кристаллизацию рабочей среды на стен ках и повышает надежность работы уплотнения вала в агрессивных средах.На чертеже показано предлагаемое устройство, продольный разрез.Устройство имеет неподвижный корпус 1,...
Диэлектрический состав для межслойной изоляции
Номер патента: 574776
Опубликовано: 30.09.1977
Авторы: Колдашов, Красов, Пуронене, Турчина
МПК: H01B 3/08
Метки: диэлектрический, изоляции, межслойной, состав
...МпО 2,14; СггОз0,47 в количестве 5 вес. %: Полученные наоснове этого материала пасты и пленки имели следующие свойства:Вязкость паст, мм 1 8,0Температура вжигания, С 750Растекаемость, мкм 18Удельная емкость при толщинеслоя 50 - 60 мкм, пф/см 180дб(при =1 МГц 1=20 С) 24,0 10 -Сопротивление изоляции, ом 1 013Электрическая прочность, кв/мм 13,6Л 1 дб (при 1 = 1 МГц) после длительного воздействия влаги 5,8(98% относительной влажности,1=40 С, 30 сут)Л 1 дб после термоциклирования 1,4(Е=125 С, г= - 60 С, 5 цикловпо 30 мин)Л 1 ф после двенадцати термообработок(при 1=750 С),П р и и е р 2. На основе предлагаемой диэлектрической композиции, содержащей ситаллоцемент, состав которого указан в примере 1, в количестве 70 вес. %, окиси алюминия марки...
Резистивный материал
Номер патента: 500546
Опубликовано: 25.01.1976
Авторы: Варфоломеев, Колдашов, Красов, Крылова, Миронова, Пуронене
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
...из окиси олова и пятсурьмы, тщательно перемешиваютстеклом для усреднения состава.О этого добавляется органическое свна основе ланолина, вазелиновогоциклогексанола, взятых в весовыхшениях 15:3:1, и смесь перемешивручную или на винтовом смесителпература обжига 800 С, удельное то тем, чт следуюшие а териал со(в вес, % жи компоненть вместе соПослеязуюшее Окись олова-7 асла и соотноаетсяТем 2 ятиокись сурьмь Стеклосвяз Органическ-6 оверхно 5 е носится к получению резитолстопленочных резистоязку и органическоеэтот материал устойч и и имеет небольшо противлений. изобретения - расши иова, 3. М, Пу.ронене,Миронова500546 Окись оловаПятиокись сурьмыСтеклосвязка 5,71034,1 2-2 0 1 0-60 15-20 Пятиокись сурьмыСтеклосвязка Органическое связующее Соста...
Аппарат для выщелачивания цветных металлов
Номер патента: 463727
Опубликовано: 15.03.1975
Авторы: Журин, Зайцев, Киприянов, Колдашов, Смирнов, Талызин
МПК: C22B 3/02
Метки: аппарат, выщелачивания, металлов, цветных
...или поры для прохода газа, расположенные по периферии пластины. Над пластиной 5 установлена ограничительцая решетка 6, имеющая углубление, по.зволяющее пластине 5 отходить от плиты 4 нанебольшое расстояние, Все устройство герме. ЗАЩт т И "л,ЛЕСИ% бифиотека МБА в 4637 Итично смонтировано в днище аппарата и отделяет газовую камеру днища от рабочего обьема аппарата. Для подачи газа имеется патрубок 7, а для выхода патрубок 8.Работа аппарата осуществляется следующим образом,Подаваемый через патрубок 7 газ проходитчерез центральное отверстие в плите 4, отжимает эластичную пластину 5 к ограничцтельт 0 ной решетке 6, проходит через образовавшийся зазор между пластиной 5 и плитой 4 и да.лее через отверстия или поры пластины, Приэтом газ...
423178
Номер патента: 423178
Опубликовано: 05.04.1974
Авторы: Агарков, Алиева, Гусев, Зеленина, Карпеченко, Колдашов, Красов, Крылова, Ланцевицка, Пушкина
МПК: H01C 7/00
Метки: 423178
...течениеВлажность 1/,. При едлагаемэффициез него тржке ихительнойевышает Преимушество прсостоит в том, что ксти изготовленныхрезисторов при выдесуток в среде с отнопри 45 С не пр 0 - 55. 98% Изобретение относится к техтовления радиодеталей.Известен материал для толстопленочных резисторов, содержащий в качестве резистивного компонента окись таллия, стекло и органическое связующее.Цель изобретения - повышение влагостойкости резисторов и стабилизация их температурного коэффициента сопротивления. Достигается она тем, что в предлагаемом материале в качестве стекла использовано таллийсодержащее стекло при следующем соотношении исходных компонентов (вес. %):Окись таллия 5 - 65Двуокись кремния 1 - 10Окись алюминия 1 - 10 Органическая связка 20 -...
Токопроводящая паста
Номер патента: 423177
Опубликовано: 05.04.1974
Авторы: Колдашов, Красов, Крылова, Пушкина, Ханжин, Хромов, Шевченко
МПК: H01B 1/02
Метки: паста, токопроводящая
...при произво х интегральных схем.а токопроводящая паста для толстопленочных проводников и еющая следующий состав (вес. ебро 60 - 90 лладий 10 - 30 кло ос е до 100%. Высокое содержание палладия в пасте значительно повышает ее стоимость.Цель изобретения - получение пасты пониженной стоимости, ца основе которой можно получать проводники с улучшенной электропроводностью.Предлагаемая паста отличается тем, что в ее состав введен мелкодисперсный металлический кадмий и в качестве стекла - кадмиевое стекло, а исходные компоненты берут в следующем соотношении (вес. %);Серебро 65 - 78 Кадмий 3 - 12Кадмиевое стекло(ЯО, В,Оз С,дО) 4 - 7Органическая связка 13 - 17Применение кадмиевого стекла позволяет ввести в состав данной пасты дешевый и расостав...