Кутлин — Автор (original) (raw)
Кутлин
Способ доводки низкосортных флюоритовых концентратов
Номер патента: 1727913
Опубликовано: 23.04.1992
Авторы: Кутлин, Кутлина, Марченко, Норкина, Сафончик
МПК: B03B 7/00
Метки: доводки, концентратов, низкосортных, флюоритовых
...данной и смежной областей техники, следовательно, обеспечивают предлагаемому изобретению соответствие критерию "существенные отличия",П р и м е р. Флотационный флюоритовый концентрат, содержащий 94,89% флюорита, 1,49% кальцита и 2,80% диоксида кремния, гидроциклонируют по классу -44 мкм. Слив гидроциклона крупностью -44 мкм, содержащий 95,27% флюорита, 1,8% кальцита и 2,04% диоксида кремния, является готовым флюоритовым концентратом марки ФФБ. Пески гидроциклонирова. ния доизмельчаются до 75% класса -74 мкм и флотируются в одну стадию флюоритовой флотации без применения флотореагентов с получением концентрата марки ФФА, содержащего 98,6% флюорите, 0,17% кальцита и 1,2% диоксида кремния и промпродукта, Промпродукт (выход составляет 11,3.)...
Устройство для определения адгезии
Номер патента: 1696972
Опубликовано: 07.12.1991
Авторы: Измайлов, Кутлин, Холопов
МПК: G01N 19/04
Метки: адгезии
...тока на нем возникают низкочастотные флуктуации напряжения, причиной которых могут быть, например, дефекты структуры пленки, некачественные контакты, поверхностные состояния, а также процессы, протекающие на границе пленка-подложка. Эти флуктуации напряжения выделяотся на балластнойнагрузке 4, усиливаются низкочастотнымширокополосным усилителем 3, детектируются детектором 5, интегрирувотся фильтром 6, На выходе фильтра 6 формируетсяпостоянное напряжение, соответствующеедисперсии низкочастотных флуктуаций напряжений, Возникающих на исследуемомэлементе 2 при Отсутствии игнала лазераи собственным шумам устройства. 8 блоке 5 10 1 ц" 20 25 30 35 40 45 50 7 первоначальной компенсации осуществляется компенсация этого постоянного...
Способ контроля надежности элементов радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1596287
Опубликовано: 30.09.1990
Авторы: Ахтямов, Измайлов, Кутлин
МПК: G01R 31/26
Метки: аппаратуры, надежности, радиоэлектронной, элементов
...балластной нагрузки 5 и широкополосного усилителя 6, к выходу которого подключены последовательно соединенные детектор 7, ннтегрирукщее звено 8, блок9 компенсации, выходной индикатор 10.Вторые выводы балластной нагрузки 5широкополосного усилителя 6 и ключа2 соединены с общей шиной устройстваи блока 11 формирования деформирующей нагрузки, механически соединенного с контролируемым элементом 3,Процесс измерения осуществляетсяследующим образом,87 6 фо р мул а 515962При отсуствии деформирукщей нагрузки ключ 2 отключает источник 1постоянного тока от контролируемогоэлемента 3На выходе измерительноготракта, состоящего из широкополосного усилителя 6, детектора 7 и интегрирующего звена 8, формируется сигнал, обусловленный тепловым...
Способ определения вероятности выживания кванта в дисперсных средах
Номер патента: 1476355
Опубликовано: 30.04.1989
Авторы: Горячев, Кутлин, Ларионов, Могильницкий, Савельев
МПК: G01N 21/47
Метки: вероятности, выживания, дисперсных, кванта, средах
...измеряя одновременно прошедший световой поток до тех пор, пока значение прошедшего светового потока не уменьшится до величины 0,1 0,2 юю от величины падающего потока. После этого измеряют отраженный световой поток от слоя, полученного увеличением его поперечных и продольных оптических размеров, и нормируют на величину падающего светового потока. Это значение обозначают Я. Впервые получена универсальная формула, которая учитывает как изотропное, так и анизотропное рассеяние. Вид математических соотношений, используемых для расчета А, приведен в формуле изобретения. Эксперименты и сравнения с расчетами по методу Монте-Карло доказывают, что способ применим для определения любых А, включая А 0,9999 (фиг. 1). Компоненты индикатрисы...
Способ промывки полезных ископаемых
Номер патента: 1447407
Опубликовано: 30.12.1988
Авторы: Белобородов, Кутлин, Кутлина, Лидин, Марченко, Никаноров
МПК: B03B 5/00
Метки: ископаемых, полезных, промывки
...в сливе25,48- 26,18 г/л, извлечение глины вслив составляет 35,1-37,63.Заказ 6779/6 Тираж 526 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям .и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к обогащению полезных Ископаемых, в частностИ к промьвке руд,. и может быть использовано при промывке плавиковошпатовых руд, содержащих глинистыепримеси,Цель изобретения - повышение извлечения глины в слив путем повышенияее диспергации.Способ промьвки полезных ископаемых включает введение руды и воды взону разделения, диспергирование суспензии с использованием диспергатора,при этом в качестве реагента диспергирующего действия...
Способ определения формы индикатрисы рассеяния светового излучения
Номер патента: 1409899
Опубликовано: 15.07.1988
Авторы: Горячев, Кутлин, Ларионов, Могильницкий, Савельев
МПК: G01N 21/47
Метки: излучения, индикатрисы, рассеяния, светового, формы
...-21 ),где Ь -2 1-1-СВеличины К и К - экспериментальныев отличие от расчетных К, К;(=1 Ы 1Форма индикатрисы рассеяния характеризуется интегральными параметрамирассеяния р и р. Известно, чторазность интегральных параметров ,,равна-=1-К,(1+К )/(1-К ) (1)Предел изменения р равен1ьр: --- ,2(а+1)2(1-Ко)где а=- --- .К (1+К )Если в эти уравнения подставить Ки Кто можно найти разность4= 1 .Для их вычисления организуют итера-. ционный цикл. Зная р подставляютего значение в условие нормировки+Я=1-4 Р (2) Решая совместно (1) и (2), находят первое приближение для 1 у,р(обозначенные какЯ, , м, ) . Эти значения используют для определения соответст вующих им величин К и К, следующим образом:, =27 о. этих уравненияяется по формул изводят сравнение...
Способ определения коэффициента отражения рассеивающей среды
Номер патента: 1408315
Опубликовано: 07.07.1988
Авторы: Горячев, Кутлин, Ларионов, Могильницкий, Савельев
МПК: G01N 21/55
Метки: коэффициента, отражения, рассеивающей, среды
...их неравентва увеличивают число зеркальныходложек, устанавливаемых по перимету кюветы, до получения максимальноо значения интенсивности отраженно-. 30о потока, которое используют дляпределения отношения интенсивноститраженного потока и интенсивностиадающего,П р и м е р. Проводят определениеоэффициента отражения слоя взвесиастиц полистиролового латекса. Диаетр частиц полистирола 0,44 мкмспользуют стандартную схему измерейия; источник коллимированного теплоВого излучения, полупрозрачное зерсапо, кювета прямоугольного сечения,.зеркальные подложки, интерференционфый светофильтр с полосой пропускасия (633 +. 6) нм. Интенсивностьветовых потоков измеряют с помощьюФЭУ. Измеряют коэффициенты отражеия слоев, которые характеризуютсяпродольной...
Способ определения оптической плотности рассеивающей среды
Номер патента: 1312455
Опубликовано: 23.05.1987
Авторы: Горячев, Кутлин, Ларионов, Могильницкий, Савельев
МПК: G01N 21/59
Метки: оптической, плотности, рассеивающей, среды
...нулевого пропускания измеряют К отраженный световой поток слоя нулевого пропускания и нормируют его на величину падающего потока, Полученное значение К используют в расчетах. Расчет оптической плотности Р проводят по следующей методике. Из уравнений для световых потоков прошедших слой и отраженных слоем можно получить следующее выражение: 1 1-К(1+1 ) 0 1 п ----- -(1). 11+1-К1 пргде 1 = - . - прошедший световой по 1 1ток;1 отр1 = --- отраженный световой по 2) К - отраженный световой поток слоя нулевого пропускания;К - функция ослабления.5 П р и м е р 1. Проводится определение оптической плотности раствора частиц попистиролового латекса(диаметр частиц 0,2 мкм). Растворпомещают в кювету с геометрическимиразмерами х = 20 мм, у = г =...
Способ флотации глинистых флюоритовых руд
Номер патента: 1144729
Опубликовано: 15.03.1985
Авторы: Белобородов, Выходцев, Кутлин, Марченко, Норкина, Сафончик
МПК: B03D 1/02
Метки: глинистых, руд, флотации, флюоритовых
...повышает извлечение флюорита в концентрат по сравнению с флотацией без него.Положительное действие реагента объясняется следующим.Азокраситель, в данном случае прямой черный 3, избирательно сорбируясь на глинистых минералах, экранирует их поверхность и препятствует сорбции собирателя на них, выступая таким образом в роли активатора флотации флюорита,Способ осуществляют следующим образом,Руду измельчают, кондиционируют с жидким стеклом, сернокислым алюминием, вводят дополнительно краситель органический черный 3, жирнокислотный собиратель и флотируют флюорит,Пример. Положительное влияние на технологию вводимого в кондиционирование пульпы красителя прямого черного 3. показано на примере флотации флюоритовой руды, содержащей 37,3/с...
Способ флотации глинистых флюоритовых руд
Номер патента: 1050749
Опубликовано: 30.10.1983
Авторы: Белобородов, Выходцев, Кутлин, Марченко, Норкина, Сафончик, Толкачников
МПК: B03D 1/00
Метки: глинистых, руд, флотации, флюоритовых
...Фенольных фракций, обладающих 65 сильногидрофилизирующими свойствами, приводит к пептизации глинистых шламов и уменьшению шламовых покрытий, как на частицах полезного минерала, так и на пузырьках воздуха, т,е, кубовые остатки выступают в роли депрессора глинистых шламов, С другой стороны, сорбируясь на глинистых минералах, реагент препятствует сорбции собирателя на них и, тем самыы, повышает показатели Флотацин Флюорита.Пенообразующие овойства фенольных Фракций обесПечивавт действие реагента, как регулятора пенообразования.Способ осуществляется следующим образом.Исходную руду измельчают и кондиционируют с кубовыми остатками про.изводства антиокислителя ФЧ: жидким стеклом, сернокислым алюминием, жирнокислотным собирателем в...
Устройство для подгонки сопротивления пленочных резисторов
Номер патента: 476609
Опубликовано: 05.07.1975
Авторы: Гайнуллин, Дураков, Кутлин, Морозов, Одинцов, Ушаков
МПК: H01C 17/16
Метки: пленочных, подгонки, резисторов, сопротивления
...схемы. 15Для этого генератор выполнен в виде импульсного трансформатора, в первичную об-.мотку которого последовательно включеныконденсатор и включенные встречно-параллельно переключающие элементы, например 20динисторы, а вторичная обмотка подключенак рабочему электроду.На фиг. 1 показано предложенное устройство в общем виде; на фиг. 2 - схема генератора. 25На подложкодержателе, выполненном в виде координатного ствола 1, закреплена диэлектрическая подложка 2, на которую нанесен резистивный слой 3. К рабочему электроду 4 подключен генератор 5.Генератор 5 выполнен в виде трансформатора 6, к первичной обмотке которого последовательно подключены дозирующий конденсатор 7, токозадающий резистор 8 и включенные встречно-параллельно динисторы...
С-структура с распределенными параметрами
Номер патента: 438054
Опубликовано: 30.07.1974
Автор: Кутлин
МПК: H01G 1/00
Метки: параметрами, распределенными, с-структура
...в виде компланарной системы, состоящей изизвестной слоистой структуры,проводящий слой которой выполнен так, чтоего боковые участки расположены непосредственно на диэлектрическом основании. Междурезистивной пленкой слоистой структуры ипроводящей плейкой, лежащеи в той жс плос кости, получается распределенная емкость, величина которой зависит от геометрических размеров резистивной и проводящей пленок, а также от толщины диэлектрической пленки.На фиг, 1 изображена конструкция предла гаемой КС-структруы; на фиг. 2 - электрическая схема ее.Предлагаемая КС-структура состоит из двух компланарных систем, получающихся за счет чередования резистивного слоя 1, диэлектрического слоя 2 и проводящего слоя 3. Для обеспечения возможности...
Структура с распределенными параметрами
Номер патента: 314239
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Дмитриев, Кутлин, Меркулов
МПК: H01G 5/00
Метки: параметрами, распределенными, структура
...с распределенными параметрами, состоящая из диэлектрической подложки и нанесенных на нее в одной плоскости резистивной и проводящей пленок, не позволяет получить крутизну спада амплитудно-частотной характеристики более 7 дб на октаву.В предлагаемом устройстве для улучшения амплитудно-частотной характеристики резистивную и проводящую пленки выполняют с переменной шириной,На чертеже представлена конструкция предлагаемой КС-структуры с распределенными параметрами.КС-структура состоит из двух полосок с изменяющейся вдоль структуры шириной, где полоска 1 - резистивная пленка, а полоска 2 - проводящая пленка. Обе пленки нанесены па диэлектрическую подложку 3 с высокой диэлектрическои пронпцаемостью. Избирательность предлагаемой...