Малютенко — Автор (original) (raw)
Малютенко
Способ управления параметрами излучения проводниковых материалов
Номер патента: 1831967
Опубликовано: 09.08.1995
Авторы: Гуга, Кислый, Малютенко
МПК: H01L 33/00
Метки: излучения, параметрами, проводниковых
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПАРАМЕТРАМИ ИЗЛУЧЕНИЯ ПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, включающий создание в полупроводнике избытка или дефицита концентрации электронно-дырочных пар, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона плавного управления параметрами излучения положительного и отрицательного контраста при обеспечении максимальной эффективности квантового выхода излучения положительного контраста, используют материал с собственной проводимостью и положительным или отрицательным барическим коэффициентом ширины запрещенной зоны, производят его всестороннее сжатие согласно условиюгде P давление сжатия;Pа атмосферное давление;
Радиационный охладитель
Номер патента: 1677459
Опубликовано: 15.09.1991
Авторы: Малютенко, Рыбак, Шураев
МПК: F25B 21/00, F25B 21/02
Метки: охладитель, радиационный
...условию1,О Зг 8 а где 0 - интенсивность излучения абсолютно черного тела; Я - сечение поглощения свободных носителей; г- время жизни. Активный элемент 2 контактирует с охлаждаемым телом 5. При возбуждении источником 1 полупроводникового элемента 2 в последнем возникают избыточная концентрация свободных носителей и увеличивается интенсивность теплового излучения. Элемент 2 охлаждается, охлаждая тело 5, 2 з.п,ф-лы, 1 ил.1677459 Составитель Е.ВиноградовРедактор М.Васильева Техред М.Моргентал Корректор Т,Палий Заказ 3103 Тираж 316 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101...
Дефлектор ик-излучения
Номер патента: 1672403
Опубликовано: 23.08.1991
Авторы: Демченко, Коллюх, Липтуга, Малютенко
МПК: G02F 1/29
Метки: дефлектор, ик-излучения
...только в этойобласти происходит изменение показателяпреломления, а следовательно, и нарушение условия полного внутреннего отражения, и луч под углом р 2 выходит изполупроводниковой пластины,Если луч не попадает в область под контактом (или если контакт расположен не вместе падения луча, что одно и то же) онпретерпевает многократные отражения ине вь 1 ходит из полупроводниковой пластины, так как условие полного отражения ненарушается.Для получения заданного угла отклонения луча используется коммутатор, которыйнаправляет импульс напряжения на определенную пару контактов.Для работы дефлектора требуются электрические поля значительно меньшие (отединиц до десятков вольт на сантиметр).П р и м е р 1.,Активный элемент дефлектора выполнен иэ...
Способ контроля однородности полупроводников
Номер патента: 1376846
Опубликовано: 30.07.1991
Авторы: Болгов, Глушков, Малютенко, Мороженко, Морозов, Омельяновский
МПК: H01L 21/66
Метки: однородности, полупроводников
...составляет 2"6 мкм.Таким образом, его можно применять для контроля однородности соста-.ва полупроводников со значением Е0,2-0,6 зВ и для контроля однородности распределения примесей в полупроводниках с Е 0,2 эВ. Минимальноразличимая разность. температур тепловизора АСАсоставляет 0,2 Кпри ЗОО К. Переводя по формуле Планкатемпературную разрешающую способностьв энергетическую, устанавливают, чтоминимально различимая разность потоков теплового излучения (Ь , фиксируемая данным прибором, (ь 1) =щ 110 Вт/см.Теоретически или экспериментальноградуируют используемый прибор в единицах Е или х дЛя конкретного полупроводникового соединения, находящегося. при заданной температуре вышефоновой.Теоретически интенсивность 1 теплового излучения...
Способ определения положения светящегося объекта и устройство для его осуществления
Номер патента: 1631269
Опубликовано: 28.02.1991
Авторы: Каплан, Коллюх, Малютенко
МПК: G01B 21/00
Метки: объекта, положения, светящегося
...грани 6, Измерения проводились при комнатной температуре в импульсном режиме и в режиме постоянного тока. В первом случае длительность импульса составляла 100 мкс, частота повторения импульсоВ 60 Гц. Выходной сигнал обрабатывался стробоскопическим осциллографом С 7-12 и регистрировался на самописце.= 3 5 кЭ, Е = 40 В/см (где Ер среднее значение напряженности электрического поля в пластине) представлены на фиг. 2, Образцу У 2 соответствует кривая 12, Р 3 - 13, У 4 - 14. Для образца Р 5 (0(= 80 ) существенной зависимости частоты колебаний тока от координаты светового пятна 8 не обнаружено, что связано с малой величиной градиента электрического поля в пластине 1. В образце 9 1 не удалось возбудить устойчивые осцилляции тока вследствие...
Способ определения температуры и датчик для его осуществления
Номер патента: 1599675
Опубликовано: 15.10.1990
Авторы: Витусевич, Кривич, Малютенко, Медвидь
МПК: G01K 7/22
Метки: датчик, температуры
...температуру полупроводника (фиг.3).Выполнение одного из контактов на скошенном торце позволяет точно задать место пробоя вблизи укороченной грани датчика в области Е (фиг. 1).Так как при эксклюзии вытягивание носителей происходит в условиях электро- нейтральности, то истощенная область может в несколько раз превышать диффузионную длину. Это приводит к тому. что пробой наступает при больших напряжениях, чем напряжения соответствующие пробою обратносмещенного р-п-перехода. При этом расширяется диапазон напряжений пробоя, соответствующий тому же температурному диапазону, что и для обратносмещенного р-и-перехода. Следовательно, отклик на температурные изменения в р+-р- или и +-ппереходе оказывается выше, чем р-п-диода, что повышается...
Бесконтактный способ определения эффективного времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводнике
Номер патента: 1384117
Опубликовано: 23.08.1990
Авторы: Малютенко, Тесленко
МПК: H01L 21/66
Метки: бесконтактный, времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, полупроводнике, эффективного
...излучения, ш - эффективная45масса электрона.Для, детектирования излучения использовался фоторезистор иэСЙИ 808 Те при 77 К, который имеетграницу чувствительности при =11 мкм.Таким образом, практически диапазондлин волн 1-11 мкм, Иаксимальный коэффициент поглощения в этом диапазоне .равен для максимальной концентра 18 в.цин электронов 10 см .К = 200 см,.Следовательно толщина д образцадолжна быть впределах 0,52 ,й4 50 мкм, например 10 мкм. Для длины волны0,8 мкм.поглощение определяетсямежзонными переходами. Коэффициент поглощения длятаких переходов зависит от энергиикванта и не зависит от концентрацииносителей заряда, Таким образом,временная зависимость плотности излучения на длине волны 0,8 мкм не будет пропорциональна концентрации...
Способ измерения гидростатического давления
Номер патента: 1516810
Опубликовано: 23.10.1989
Авторы: Гуга, Кислый, Малютенко
МПК: G01L 11/00
Метки: гидростатического, давления
...действии электрического имагнитного полей в пластине возникает 50магнитоконцентрационный эффект (МКЭ),сущность которого заключается в перераспределении концентрации носителейтока по толщине полупроводниковойпластины под действием силы Лоренца. 55При соответствующей ориентации пластины практически все носители тока, генерируемые на поверхности с малой скоростью рекомбинации, а также генерируемые в объеме пластины, достигают поверхности с большей скоростью рекомбинации, где интенсивно рекомбинируют. При этом концентрация носителей тока в объеме и у грани пластины е малой скоростью поверхностной рекомбинации становится значительно ниже равновесной, т,е, достигается режим обеднения или истощения кристалла полупроводника носителями тока...
Способ измерения параметров глубоких уровней в полупроводниках
Номер патента: 1250107
Опубликовано: 30.11.1987
Авторы: Витусевич, Зюганов, Малютенко, Смертенко
МПК: H01L 21/66
Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней
...относительно рекомбинацион ного уровня по следующим формулам минимальное значение диренциального наклона ВАХдвойном логарифмическомштабе;значение тока при 3значение напряжения придлина кристалла;сечение кристалла;подвижность основных нолей заряда;эффективная масса основносителей;1 1250Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для измерения параметровглубоких уровней в полупроводниках.Цель изобретения - повышение точности.На фиг.1 приведена вольт-ампернаяхарактеристика (ВфХ) образца в двойном логарифмическом масштабе, измере,иная в режиме эксклюзии,на фиг.2 -по.левая зависимость дифференциальногонаклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе,П р и м е р . Исследовалась полупроБводниковая пластина...
Способ измерения скорости поверхностной генерации рекомбинации
Номер патента: 1213510
Опубликовано: 23.02.1986
Авторы: Витусевич, Малозовский, Малютенко
МПК: H01L 21/66
Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости
...см 5, толщиной, срав нимой с биполярной диффузионной длиной, из монокристаллического германия р-типа с удельным сопротивлением при комнатной температурей 40 Омф см и концентрацией остаточ. ,иой примеси10 см ф К узким торцам пластины изготавливают контактын один антизапорный, другой - оми ческий. Антизапорный контакт изготавливают вплавлением 1 п на травленую в пергидроле ( НОг) поверхность германия, омический - вплавле 5нием 1 по зз Оао,оо 5Диффузионнаядлина в исследуемом материалесоставляет Ь, =0,25 см, Широкие грани пластины обрабатывают симметрично. Изменение величины скорости поверхностной генерации-рекомбинации достигается различнойобработкой широких граней, Малаяскорость поверхностной генерациирекомбинации (Я О см/с)...
Датчик температуры
Номер патента: 1195197
Опубликовано: 30.11.1985
Авторы: Болгов, Вайнберг, Зарубин, Малютенко, Яблоновский
МПК: G01K 11/20, G01K 7/01
Метки: датчик, температуры
...эффект из" менения с температурой ширины спектрального диапазона наблюдаемого30 б сигнала отрицательной люминесценции. Для этого материал термочувствительного элемента выбирается таким, чтобы п = --СО. Тогда приЙЕкдТ 35повьппении температуры длинноволновой край отрицательной люминесценции сдвигается в область большихдлин волн. Существенный рост термочувствительности имеет место,когда 40наблюдаемая спектральная полоса излучения сравнима с ее температурным . уширением. Это достигается введением,светофильтра, отрезающего коротковолновую часть спектра, иэ мате риала с 0(,70. Таким образом, приповьппении температуры наблюдаетсясущественное изменение ширины спектрального диапазона полезного сигнала за счет температурного движения...
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда (его варианты)
Номер патента: 1160484
Опубликовано: 07.06.1985
Авторы: Болгов, Ботте, Липтуга, Малютенко, Пипа, Яблоновский
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: варианты, его, заряда, неосновных, носителей, подвижности
...величины магнитного поля, находят максимальный сигнал отражения, рассчитывают подвижность неосновных носителей заряда по формулеС,Рнеосн,=где р - подвижность неосновныхГнеоснносителей заряда;В - индукция магнитного поляТ(соответствующая максимальному сигналу отражения);с - скорость света,причем величину электрического поля3 выбирают соответствующей линейномуучастку вольт-амперной характеристики образца в отсутствие магнитногополя.На фиг. 1 представлена схема изме 1 Ь рительной, установки, первый вариант;на фиг. 2 -.то же, второй вариант;на фиг. 3 - кривая, отвечающаяпространственному распределению но- ".сителей заряда в образце; на фиг. 4 -кривая зависимости интенсивностирекомбинационного излучения Р/Рот величины магнитной индукции В;на...
Источник электромагнитного излучения
Номер патента: 1117736
Опубликовано: 07.10.1984
Авторы: Болгов, Малютенко, Яблоновский
МПК: H01L 33/00
Метки: излучения, источник, электромагнитного
...из биполярного полупроводника толщиной порядка диффузионной длины, но большей обратной величины коэффициента поглощения междузонного излучения полупроводника с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны, омические контакты 2, которые электрически соединены с узкими гранями 3 и 4, источник электрического поля 10 соединен положительным полюсом через контакту 2, расположенный на грани 3, магнит 5 расположен так, что его си7736 4тельным (1 пЗЬ) температурным коэффи. циентом ширины запрещенной зоны зависимостьРо(Т) монотонно и довольно резко возрастает с температурой. Для1 пЗЬ погрешность на 1 К - в - 3 Ж/градьРеР ЬТРв области 290 К, а для СдНВТеР аТ =1,3 Х/град. Однако для целого рядазадач измерительной техники...
Способ определения коэффициента биполярной диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводниках
Номер патента: 1028204
Опубликовано: 30.12.1983
Авторы: Алмазов, Малютенко, Федоренко
МПК: H01L 21/66
Метки: биполярной, диффузии, заряда, коэффициента, неравновесных, носителей, полупроводниках
...зондируютщего инфракрасного излучения, прошедшего и отраженного от пластины в момент достижения максимального значения интенсивности света, вызывающего генерацию электронно-дыроч.ных пар при двух или более значениях его интенсивности, а коэффициент биполярной диффузии неравновесных носи телей заряда вычисляют по формуле 47 47 И 4 ат - +К, аг где в ; в- относительные коэффициенты пропускания и отражения при боль . шей интенсивности 5 света, вызывающего генерацию электронно дд дырочных пар - то же при меньшей интенсивности света 30 вызывающего генерацию электронно-дырочных парф(5) лярной диффузии благодаря контрОлю интенсивности возбуждающего и зондирующего излучений в каждом импульсе возбуждающего света. Это позволяет устранить влияние...
Способ определения подвижности неосновных носителей заряда
Номер патента: 1056316
Опубликовано: 23.11.1983
Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Яблоновский
МПК: H01L 21/66
Метки: заряда, неосновных, носителей, подвижности
...вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендикулярно поверхности образца, инжекции пакета, ННЗ путем освещения .поверхности образца импульсом сильно поглощаемого свбта, регистрируют сигнал Фотолюминесценции с поверхности образца противоположной освещаемой поверхности, измеряют время задержки максимально-. го сигнала фотолюминесценции относительно максимума интенсивности импульса сильно поглощаемого света и вычисляют подвижность ННЭ по формулегдЕ 0 оси внос " поДвижности оснозныхи неосновных носите-.лей заряда соответст;венно, рВсд - толщина образца внаправлении переносапакета ННЗ, м;- напряженность электрического поля, В/м;И - индукция магнитногополя, Т;те - время задержки сигнала...
Источник электромагнитного излучения
Номер патента: 1023676
Опубликовано: 15.06.1983
Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа
МПК: H05B 33/12
Метки: излучения, источник, электромагнитного
...уровня внешних воздействий, значительно упрощает конструкцию блоков питания и повышает метрологические характеристики источникаизлучения.Для реализации отрицательной лю,минесценции в полупроводниках необходимо добиться уменьщения концентра"ции носителей заряда относительно.,их равновесного значения и;(по),гпри этом плотность рекомбинациойногоизлучения из кристалла становитсяменьше своего равновесного значенияР, . При сильном истощении кристалла,когда ,( Л, излучение спадает доО, а глубина модуляции излучения,ЬР стремится к Ро . Здесь величина Роявляется только той частью равновесного излучения полупроводника, которая соответствует рекомбинационномуизлучению электронно-дырочных пар,а спектр излучения представляет со-,бой часть...
Способ измерения скорости поверхностной генерации рекомбинации
Номер патента: 987712
Опубликовано: 07.01.1983
Авторы: Болгов, Малютенко, Медвидь, Пипа
МПК: H01L 21/66
Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости
...50 987712минесценции проводят при изменении напря женности магнитного поля при постоянной напряженности электрического поля и расчитывают скорость поверхностной генерации- рекомбинации по формуле 5 4ти равновесного рекомбинапионного излучения свободных электронно-дырочных пар. Рассмотренная ситуация характерна для полу-проводников с собственной проводимостью.При небольших отклонениях интенсивностирекомбинационного излучения Р от Ронаблюдается прямолинейная зависимость Р(Н )наклон которой определяется значением скорости поверхностной генерации- рекомбинациина исследуемой грани кристалла и независит от Я на другой грани.Поскольку в формулу (1) входит отноРошение мощностей,измерение сигРр -Рналов люминесценции достаточно производитьв...
Магниточувствительный прибор
Номер патента: 966797
Опубликовано: 15.10.1982
Авторы: Гуга, Малютенко, Манюшите, Сашук
МПК: H01L 29/82
Метки: магниточувствительный, прибор
...вбли-зи освещенной грани, в зависимости отнаправления магнитного поля прижимаются силой Лоренца либо к освещенйойграни с изменяющейся скоростью поверхностной рекомбинации, либо к ее противоположной.Если носители прижимаются к освещенной грани с изменяющейся скоростьюповерхностной рекомбинации, то в полупериод, когда скорость поверхностной рекомбинации уменьшается, носите- фли накапливаются у этой грани, времяжизни их увеличивается и сопротивление прибора падает. В следующий полупериод, когда скорость поверхностнойрекомбинации увеличивается, носители,прижатые к освещаемой гр-ни, рекомбинируют с большей скоростью, т. е,. время жизни их уменьшается и концентрацйя носителей падает - сопротивлениеприбора возрастает. В результате это- фго на...
Модулятор добротности резонатора лазера инфракрасного диапазона
Номер патента: 822724
Опубликовано: 07.04.1982
Авторы: Зубаков, Линник, Липтуга, Малютенко
МПК: H01S 3/11
Метки: диапазона, добротности, инфракрасного, лазера, модулятор, резонатора
...пластины 1.Концентрация примесей в полупроводни-. ие должна быть такой, чтобы свести к минимуму поглощение полупроводником модулируемого излучения. Такому условию удовлетворяет концентрация порядка 104 см -3 и менее.Модулятор работает следующим образом,В исходном состоянии интерферометр имеет минимальную отражательную способность, обусловленную его оптической дли. ной Д = Йи, что предотвращает генерацию лазерного излучения,При освещении отражающей грани 2 полупроводникового интер феро метр а импульсом света от источника 5 с энергией кванта не менее ширины запрещенной зоны полупроводника в полупроводниковом интерферометре появляются свободные носиели, изменяющие его оптическую толщину ,О, поскольку показатель преломления п зависит от...
Датчик магнитного поля
Номер патента: 826256
Опубликовано: 30.04.1981
Авторы: Грибников, Гуга, Малозовский, Малютенко
МПК: G01R 33/00
Метки: датчик, магнитного, поля
...того, применение известных дат,чиков ограничено в области низких темпе-,.ратур, твк квк в этих условиях концентрация электронно-лырочных пар становится ниже концентрации примеси, и изменее числа этих пар в магнитном по чика.Цепь изобретения - повышение чувительности датчика,Поставленная цель достигается тем,что в датчике магнитного поня, содержащем полупроводниковую пластину с омическими контактами нв торцах, две противоположные грани которой имеют разнуюскорость поверхностной рекомбинации, полуроводниковая пластина выполнена изпримесного лолупроводникв, подвижностьнеосновных носителей тока в которомбольше подвижности основных носителей,при этом для примесного полупроводникавыполняется следующее соотношение между...
Способ измерения скоростиповерхностной рекомбинации
Номер патента: 794566
Опубликовано: 07.01.1981
Авторы: Болгов, Малютенко, Пипа, Чайкин
МПК: H01L 21/66
Метки: рекомбинации, скоростиповерхностной
...30 20 где д - размерная скорость генерациинеравновесных пар;т, т - эффективная масса электронов идырок соответственно;й - постоянная Планка;25 с - скорость света;й - коэффициент Больцмана;)г - безразмерное поле;р - подвижность электронов;0 - коэффициент биполярной диффузии;п - показатель преломления материала;Ец - ширина запрещенной зоны;Т - температура;35 Е - напряженность электрическогополя;Й - концентрация нескомпенсированных примесей;Я - размерная скорость поверхност ной рекомбинации;О в напряженность магнитного поля;д - заряд электрона;1 в диффузионн длина;- толщина образца.45 На чертеже изображена схема реализации предлагаемого способа. Схема содержит исследуемый образец 1, снабженныйомическими контактами и выводами, полюса 2...
Композиция для химико-механического полирования полупроводниковых материалов
Номер патента: 654662
Опубликовано: 30.03.1979
Авторы: Воробкало, Горюк, Губа, Малютенко, Огенко, Тертых, Хабер, Чуйко
МПК: C09G 1/02
Метки: композиция, полирования, полупроводниковых, химико-механического
...в процессе полировки образуются царапины и дефекты структуры, а качество обработки поверхности ухудшается.Присутствие щелочного травителя приводит к образованию на поверхности водонерастворимых окислов и загрязнению поверхности полупроводников ионами калия, что приводит к ухудшени 1 о электрофизических свойств полированной поверхности.Цель изобретения - улучшение структурных и электрофизпческпх характеристик полированной поверхности.Достигается это тем, что предлагаемаякомпозиция содержит аэросил, модифицированный многоатомным спиртом, в качестве травителя - 40/о-ную молочную кислоту и 90%-ную азотную кислоту, в качестве много атомного спирта - этиленгликоль или диэтиленгликоль при следующем соотношении компонентов, вес. %;Аэросил,...
Фоторезистор
Номер патента: 434488
Опубликовано: 30.06.1974
Авторы: Бойко, Малютенко, Тесленко
МПК: H01L 31/08
Метки: фоторезистор
...сила Лоренца Р=е 1 Е Х О (где О - напряженность магнитного поля, и - подвижность носителей, Е - напряженность электри. ческого поля), вызывающая в зависимости ог знака поля Е при фиксированной напряженности магнитного поля либо отклонение эгпх но. сителей к задней грани с большой скоростью поверхностной рекомбинации, либо повышен. цую концентрацию их у освещеной грани: малой скоростью поверхностной рекомбьн. ции.Если под действием силы,1 оре;ща цосцтел:; дрейфуют к грани с большой скоростью по.434488 чувствительных чистых полупроводников без намеренного легировация с одновременным сохрацецием большой скорости рассасывация неравновесных носителей заряда, свойственцой примесцым полупроводникам; расширяются функциональные возможности...