Жизни — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «жизни»
Способ измерения критической чистоты коэффициента усиления по току и эффективного времени жизни неосновных носителей полупроводниковых триодов
Номер патента: 134728
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, жизни, коэффициента, критической, неосновных, носителей, полупроводниковых, току, триодов, усиления, чистоты, эффективного
...базы диод 3 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор б, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включается последовательно с диодом 4. Источник постоянного тока 7 и сопротивление 8 введены для компенсации обратного тока Уколлекторного перехода при отсутствнч входного сигнала.134728После прекращения входного импульса дырки, составляющие заряд неосновных носителей в базе за время переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный заряд базы, за то же время вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор б,Показания прибора б градуированы в единицах заряда;арРгде Р - частота повторения входного сигнала на зажимах...
Способ измерения абсолютных значений времени жизни атомов и молекул в возбужденном состоянии с применением спектроскопии
Номер патента: 139027
Опубликовано: 01.01.1961
МПК: G01N 21/69
Метки: абсолютных, атомов, возбужденном, времени, жизни, значений, молекул, применением, состоянии, спектроскопии
...Фабри-Перо.Фотометрируя полученные снимки с помощью микрофотометра типа МФили типа МФ, измеряют для различных давлений газа за фронтом ударной волны кинематическую температуру по полуширине спектральной линии и температуру газа спектроскопическим или газо динамическим способом. Затем находят давление, при котором температура газа равна его кинетической температуре. По частоте и числу столкновений, необходимых для выравнивания температуры, определяют время жизни атома в возбужденном состоянии, пользуясь равенствами:)гг - ггпут, и, кТ/ где р - давление за ударной волной; Т - температура газа; - 2 - газокинетический диаметр; 7 - частота столкновений; т - время жизни атома в возбужденном состоянии; В - число столкновений, необходимое для...
Устройство для определения «времени жизни» жидких пленок
Номер патента: 185109
Опубликовано: 01.01.1966
Авторы: Суковатицин, Чемезов
МПК: G01N 27/02
Метки: времени, жидких, жизни, пленок
...управляющее отключением электросекундомера при помощи контактов К., зяшуптированных ключом Кз,Время жизни пленки и удельная проводимость при помощи предлагаемого устройст 5 ва измеряется следующим образом.Сосуд 2 с раствором поднимают для погружения ряоочсй части датчика 1 в раствор;электросекундомер 4 устанавливают в нулевое положение; ключ Ка переводят в замкну 10 тое положение, ПРИ этом контакты Кт Оказываются разомкнутыми,При опускании сосуда 2 в момент отрывадатчика от поверхности раствора контакты К,автоматически замыкаются, и электросекундо 15 мер начинает отсчет времени жизни пленки,образовавшсйся между электродами датчика.После этого мостовую схему б балансируютпо индикатору б, затем ключ Кз переводят вразомкнутое положение,...
Устройство для обнаружения внеземной жизни
Номер патента: 307371
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Козлов, Мухин, Федорова
МПК: G01T 1/24
Метки: внеземной, жизни, обнаружения
...исследуемой почвой с питательной средой - субстратом,. Б корпус вмонтирован держатель 4, предназпаченнып для крепления алмазного детектора 5 нпзкоэнергетических ионизирующих излучений и служащий резервуаром для поглотителя 6, Алмазный детектор б снабжен инжектирующим контактом 7 и запорным контактом 8, Поскольку для увеличе ия чувствительности целесообразно обеспечить непосредственное соприкосновение алмазного детектора с тонким слоем поглотителя б, например щелочи, налитой в держатель 4 на его запорный контакт 8, этот контакт 8 должен быть стойким к действию агрессивных сред. Такой контакт образуется поверхностным слоем пластины кристалла алмаза при карбидизации, легировании или графитизации, Кроме того, поверхностный слой...
Способ измерения объемного времени жизни носителей тока в слоях полупроводников
Номер патента: 326526
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Амринов, Гуро, Ковтонюк
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, жизни, носителей, объемного, полупроводников, слоях
...поверхности полупроводникового материала, 10 Цель изобретения - устрсти результатов измерений оностных свойств (поверхнции) полупроводников и тение точности измерений.Для достижения цели тонкийлупроводника отделяют от оэлектродов слоями диэлектрикатродам прикладывают импульсго поля, под влиянием которогоных носителей заряда выводиполупроводника в приэлектроВ результате этого тепловая генеме преобладает над рекомбиннекоторое время концентрациястигает исходной величины.Параметром кривой восстанодимости объема является величии определяет время жизни. Врс генерацией только в объеме, а ности, потому что при наличии поля приповерхностные области обогащены свободными зарядами, экранирующими это поле. При этом ловушечные центры поверхности...
Способ измерения времени жизни неосновных
Номер патента: 347699
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Изобретеии, Финкельштенн
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, жизни, неосновных
...по делам изобретений и открытий иМосква, Ж, Раугискаи нао., л. писнос овсте Министров СССР агорская типографа 1 а 11 ряжсн 11 я 1 змсн 11 ю мскс 1 м 11 лыОс зн 11 е 1 нс напряжения таким образом, чтобы обе кривые пересеклись в точке максимума 1 орнвой полной эквивалентной емкости (фиг, 2); время жизнги отсчитывается по углу поворота ручки регулировки максимального значения амплитуды ннлоооразного напряжения. П р сдм ет из обр етен няСпособ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в базе германиевых полупроводниковых быстродействующих диодов, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения на низких частотах, б определяот отношение максимальной емкостидиода к соответствующей ей величине прямого тока с...
Способ измерения среднего времени жизни возбужденных световым потоком молекул при флуоресценции
Номер патента: 399770
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Автор
МПК: G01N 21/64
Метки: возбужденных, времени, жизни, молекул, потоком, световым, среднего, флуоресценции
...потока флуорес ценции посредством ФЭУ, резонансного усилителя, настроенного на определенную частоту модуляции с детектором для определения переменных составляющих световых потоков, а затем вычисляется среднее время жизни 15 возбужденных молекул. Однако необходимость производить в различное время две пары измерений: измерение среднего значения возбуждающего светового 2 о потока и его переменной составляющей на нефлуоресцирующем объекте и те же измерения светового потока на исследуемом объекте, делает невозможным использование прибора в качестве регистрирующего для непрерывно го исследования изменения среднего времени жизни возбужденных молекул в процессе, например, химической реакции.Целью изобретения является повышение точности...
Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике мдп-структуры
Номер патента: 452792
Опубликовано: 05.12.1974
Авторы: Гончаренко, Королев
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике
...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...
Способ измерения концентрации метастабильных атомов газа и их времени жизни
Номер патента: 469179
Опубликовано: 30.04.1975
Авторы: Мельников, Седельников, Тучин
МПК: H01S 3/00
Метки: атомов, времени, газа, жизни, концентрации, метастабильных
...Х с 1 ТОО ОТ 1 ОКЯ.П) СТ ЬО;,)ЯН,1 сЗСР С;ЛН:1 й ОГПЬ РСЗО панс Изсснн 51, /. ВасОл 1(О О,1 ИЗКОй кллиис олны ., норскла межлу мстастаоильпым ;)0 нсм (1 Омоа и уровнсм п энер гин, чт в извсстном Вьражс.Ии нказатсля П)СГ 10 МГ 1 СНП Я 31;Кн( С ГсИГЬ 21 ИП 1 Ь Л О СГ 12.О гасмос: Г.( г (в), 1) " л(. ВИЯЦИ 51 1 с(с )оты,469179 гИт --- 1 Х,+а 1; 1=1 о+рэ 1 пЫ,Г 1 р едм ет из обр ете н ия 25 Составитель В. Сошников Техред Г. Дворина Корректор Р, Юсипова Редактор Н. Коляда Заказ 5826 Изсь М 1642 Тнраж 869 Подписное Ц 11 ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж, Раушская нзб., д. 4/5Обл. тнп. Костромского управления издательств, полиграфии н книжной торговли резонатора, 1 - длина...
Средство для продления жизни срезанных цветов
Номер патента: 496023
Опубликовано: 25.12.1975
МПК: A01N 3/02
Метки: жизни, продления, средство, срезанных, цветов
...вес.%: ислоты 0,008-0,01 При мер 1. Берутс воздику ремонтантную перво стадии окрашенного бутона Уайт Сим), Одновременно в омнатных условиях цветы с оду и в предлагаемый раств вежесрезаннуюго года жизнисорт белыйодинаковыхтавят в чистую,015-0,0 ,07-0,08 орная кисло а алю мок вас о ахароз Кце ия компоненто врат ода водопроводн тально 0,1 идразид малеиновой кис И Борная кислот Введение в состав препарата алюмокиевьх квасцов обеспечивает слабо-кис ходимо срезаны калия способтанию и образо- тканей, .ионы и микроэлемента, оды по тканямвышается эффеквнению с известю с зарубежными496023 0,8 Квасцы алюмокалиевые 60,0 Сахароза на 1 л водопроводной воды. 0,08 0,15 0,7 50,0 0,008-0,01 0,01 5-0,02 0,07 - 0,084-6 Ос т аль нов Составитель М,...
Устройство для измерения удельного сопротивления высокоомных полупроводниковых материалов и времени жизни свободных носителей тока
Номер патента: 496515
Опубликовано: 25.12.1975
Автор: Наливайко
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, высокоомных, жизни, носителей, полупроводниковых, свободных, сопротивления, удельного
...резонансная частота резонатораО(рабочая частота при проведении измерений).В известном устройстве точность измерения снижаетея из за наличия неконтролируемых зазоров между штырем резонатора и исследуемым образцом, которые уменьшают коэффициент включения образца в резонатор.Целью изобретения является повышение точности измерений, Она дос 1 игается тел 1, что торец емкостного штыря в измерительном резонаторе выполнен сферическим,На чертеже изображен измерительный резонатор описываемого устройства с номешенным в него исследуемым образцом,Резонатор образован отрезком волновода 1, емкостным штырем 2, введенным в волновод 1 через его широкую стенку, и снабжен элементами 3 и 4 связи, служашило 1 для ввода и вывода энергии СВЧ колебаний. Торец 5...
Устройство для измерения времени жизни радиоактивных изотопов
Номер патента: 504161
Опубликовано: 25.02.1976
Авторы: Друин, Лобанов, Харитонов
МПК: G01T 1/30
Метки: времени, жизни, изотопов, радиоактивных
...43) Опубликовано 25.0 45) Дата опубликования Изобретение относится к технике физического эксперимента в ядерной физике и предназначено для измерения времени жизни генетически связанных изотопов.Известны устройства для измерения времени жизни материнского альфа-радиоактивного изотопа по альфа-распаду дочерних ядер,В этих устройствах используется явлениетак называемой "отдачи", т.е. при альфа-распаде ядра материнского дочернее ядро полу Пчает импульс и покидает поверхность, на которой собраны (первичные) материнские ядра, В непосредственной близости от сборника материнских ядер перемещается (новый)сборник дочерних ядер, Количество и пространственные распределения ядер,. попавшихна новый сборник, служит основой для определения...
Способ измерения времени жизни пластизолей
Номер патента: 540200
Опубликовано: 25.12.1976
Авторы: Бычков, Крашенинников, Стальнов, Червин, Шаболдин
МПК: G01N 27/00
Метки: времени, жизни, пластизолей
...времени жизнипластизолей методом микрофотографирования11. Недостатком этого способа является еготрудоемкость,ближайшим техническим, решением к предлагаемому изобретению можно считать способизмерения времени жизни за счет определения свойств пластизолей во времени 2,По этому способу время жизни определяется либо по положению минимума,на кривойзависимости эффективной вязкости от времени, либо по достижению определенного уровня вязкости, следующего за этим минимумом.Недостатком реологического способа является зависимость времени жизни пластизолейот скорости сдвига, что снижает точность измерений.Цель изобретения - повышение точностиизмерения времени жизни пластизолей,Это достигается тем, что время жизни определяют по времени достижения...
Способ измерения времени жизни капель
Номер патента: 568871
Опубликовано: 15.08.1977
Автор: Целиковский
МПК: G01N 13/02
...качестве примера реализации способа на чертеже представлена схема устройства для измеречия времени жизни капель.Устройство включает шприц 1 с капилляром 2, введенным в рабочую емкость 3, дополнительный шприц 4 с капилляром 5, введенным в полость шприца 1, Система подачи После заполнения шприца 1 нефтью, а шприца 4 и емкости 3 водой на поверхность волы в емкости 3 нализают слой нефти 15, включают электродвигатели 7 и 9 ц присту пают к определению времени жизни капель. Вода цз капилляра 5 подается в виде капель 1 б на вход в капилляр 2. Равномерно подаваемые капли воды разделяют поступающую в капилляр 2 нефть на равные объемы.На кончике капилляра 2 нефть формируется в виде каплл 17, Вытесняемая следующей за ней водой капля нефти...
Устройство для измерения времени жизни капель
Номер патента: 607132
Опубликовано: 15.05.1978
Авторы: Тарасов, Целиковский
МПК: G01N 13/02
...в предлагаемом устройстве капилляр для разделительной жидкости введен в капилляр для исследуемой жидкости,На чертеже представлена схема предлагаемого устройства для измерения времени жизни капель.Устройство включает шприц 1 с капилляром 2 исследуемой жидкости, шприц 3 с капилляром 4 для разделительной жидкости введенным в капилляр 2, рабочую емкость 5, микрометрические винты 6 и 7 для подачи исследуемой и разделительной жидкости в капилляры. Устройство закреплено на штативе 8,После заполнения шприца 1 исследуемой, а шприца 3 и рабочей емкости 5 разделитель ной жидкостью с помошью микрометрического винта 7 капилляр 2 заполняют исследуемой жидкостью до места ввода капилляра 4, С помошью микрометрического винта 6 заполняют...
Способ измерения времения жизни и коэффициента захвата молекул на поверхности
Номер патента: 682806
Опубликовано: 30.08.1979
МПК: G01N 25/14
Метки: времения, жизни, захвата, коэффициента, молекул, поверхности
...с изменяемой температурой 2,Однако известный способ разо вия сложен для использования. Целью изобретения является измерений. 5 Это достигается тем, что од с изменением температуры п производят измерение плотности камере торможения молекуляр внутри которой помещается и 10 поверхность, а время жизни поверхности т и коэффициент находят по следующим формул682806(Т) =Яп)и (Т) - 1(а,Оо лученные указанным способом на генераторе молекулярного пучка ИТФ СО АН СССР с помощью устройства для измерения времени жизни и коэффициента захвата молекул на поверхности, 5Кривые 1, 2, 3 соответствуют измерениям с соответственно увеличенной интенсивностью падающего молекулярного пучка, Кривая 4 получена при изменении С и т, когда падающий пучок был...
Устройство для измерения времени жизни и коэффициента захвата молекул
Номер патента: 714255
Опубликовано: 05.02.1980
МПК: G01N 25/14
Метки: времени, жизни, захвата, коэффициента, молекул
...интенсивности от-.ражения пучка Ц,Однако в этом случае требуется детектор бопыиой чувствительности, которыйнеобходимо перемещать по полусфере.Наиболее близким техническим решением к изобретению является устройстводля измерения времени жизни коэффициента захвата молекул на охпаждаемой поверхности, включающее источник молЖулярного пучка, модулятор молекулярногопучка, исследуемую поверхность, на кото-.рую падает молекулярный пучок, ионизационный детектор и избирательный усилитель 2 .Однако это устройство разового действия и сложно,Цепью изобретения является упрощениеизмерений за счет проведения их в небольших молекулярно-пучковых установках,Эта цель достигается тем, что в предложенном устройстве исследуемая поверхность (мишень) помещена...
Бесконтактный экспресс-индикатор жизни
Номер патента: 743673
Опубликовано: 30.06.1980
Авторы: Большов, Кривицкий, Махмуд-Заде
МПК: A61B 5/0205, A61B 5/05
Метки: бесконтактный, жизни, экспресс-индикатор
...Использс 32- :НЕ ДнффСРЕНЦИДЛЬОГО ВКЛЮЕти ДатИКОВ ПОЗВОЛяСТ НядЕЖНО дСржяТЬ рябо т 0 точку в динамическом .,Пй; Язоне вддцкдп 30 й 2 ВТОПОДСТРОЙКИ И ЧЯСТОНОГО ДСТЕКТОт)Д, ),ялсе сигнал поступает 5 а усилитель б с автоматнесол рег; ллрсзкой;ле;П 51, тйк кйк тв зйвисцмостц От блтцзост 1 Ооъскт ддт якам величина (амплитуда) сигнала 10)кет ст цт;сс гвено менятьс.,12 т)ыхо.с ССЦЛИтЕЛЯ ОИГНДЛ ИЪЕЕТ ВЛД, СоотЗСТСТЮО- иИй фГ. 2 а. Прц подаче питаяя ца Гет(- рйтотз 15 ццкла певсдццц ф)т 1 пльсд открывает иг, 26) ключ 7; зкрызОт лочи 11 апрашивания и 1 б коттроля. СцгцаЛ К 1 НЕТОКдрдЛОГратЬ Потгтунает НЯ ХО;",ы блоков выделения ипфо; атцв)Ых п)цзнаков, где в качеспзс информатцзнго :ризчака в Одп 03 из бло(отв выбрано количеспво зкстремумов...
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов
Номер патента: 748250
Опубликовано: 15.07.1980
Авторы: Писарский, Райхцаум, Смирнов, Уваров
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниковых, приборов
...следующимобразом.В исходном состоянии с генератора 1 импульсы тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закрыт сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет.При поступлении импульса прямого тока от генератора"1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испы О туемый прибор 3. открывается и через него начинает протекать прямой ток. В п.-базе испытуемого полупроводни кового прибора происходит накопление заряда, 15По окончании импульса прямого тока с генератора 7 переключающих импульсов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в и -базе испытуемого полупроводникового прибора...
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 940089
Опубликовано: 30.06.1982
Авторы: Бородянский, Цопкало
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниках
...третьего ключа, управляющий вход которого 15через дополнительный элемент задержкисоединен с управляющим входом второго ключа и выходом генератораодиночных импульсов, выход элементазадержки соединен с управляющим входом первого ключа, выход третьего ключа подключен к первому входу элементасравнения и к первому выводу резистора,второй вывод которого соединен с второйобкладкой конденсатора, подключеннойк второму выходу датчика, выход блокауставки соединен с вторым входомэлемента сравнения, выход которогосоединен с управляющим входом четвертого ключа, соединенного через счетчик с блоком регистрации, к входу четвертого ключа подсоединен генераторимпульсов.На чертеже представлена структурная схема поедлагаемого устройства.Устройство содержит...
Способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых р-п переходах
Номер патента: 951198
Опубликовано: 15.08.1982
МПК: G01R 31/26
Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходах, полупроводниковых, р-п
...Кроме того, укаэанный способ не позволяет проводить измерения времени жизни Ф неосновных носителей заряда при вы- . соких уровнях инжекции, так как прибольших активных токах погрешностьизмерения емкости известными способами становится очень велика.Наиболее близким по техническойсущности к изобретению является способ измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах, основанный на использовании зависимости переходныххарактеристик от этого времени и заключающийся в том, что по осциллографуустанавливают нулевую длительностьвершины импульса обратного тока и 15 измеряют сопротивление цепи в прямомили обратном направлениях, по которому определяют искомое время жизни 23. 20Недостатками известного...
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах
Номер патента: 983595
Опубликовано: 23.12.1982
МПК: G01R 31/27, H01L 21/66
Метки: времени, жизни, заряда, материалах, неосновных, носителей, полупроводниковых
...усилитель 7, измеритель 8 временных интервалов, генератор 9 импульсов, светоиэлучающийэлемент 10, запредельное отверстие11. Светоиэлучающий элемент 10 соединен оптически с образцом 4 череззапредельное отверстие 11 в волноводном тракте направленного ответвителя 3,Устройство работает следующимобразом. 10Поток мощности СВЧ электромагнитной волны с генератора 1 через вентиль 2, предназначенный для пропусканин мощности только в сторону измеряемого образца, т.е. для развязки генератора и измерительной цепи,направленный ответвитель (НО) падает на образец 4. Согласующий элементв виде короткоэаьыкающего подвижногоплунжера 5, включенного после образца 4, увеличивает дифференциальныйотклик системы путем настройки наминимальный отраженный...
Устройство для измерения времени жизни капель
Номер патента: 996917
Опубликовано: 15.02.1983
Автор: Целиковский
МПК: G01N 13/02
...микрометром, а полость шприцас одним концом капилляра, другой конец которого соединен с капилляромдля .исследуемой жидкости.На чертеже приведена схема пред" 25 лагаемого устройства.Устройство состоит из узла с разделяющей жидкостью, включающего ка.пилляр 1, шприц 2 и микрометрическийвинт 3; узла с примесью, включающе- ЗО го микрометрический винт 4,шприц 5996917 икапилляр 6 узла с исследуемой П р и м е р, Исследуют время жизни жидкостью, включающего микрометри- капель высоковязкой нефти Русского ческий. винт 7, шприц 8 и капилляр месторождения в водопроводной воде.9 муфты 10. Капилляры для исследуе- В качестве ПАВ испытывают импортный мой и разделяющей жидкости соединены (Япония) нефтерастворимый деэмульга,в точке 11, а капилляр для...
Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора
Номер патента: 1020788
Опубликовано: 30.05.1983
Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора
...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...
Устройство для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в мдп-конденсаторах
Номер патента: 919486
Опубликовано: 30.08.1983
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей
...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...
Устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках
Номер патента: 1064247
Опубликовано: 30.12.1983
Авторы: Абросимов, Лукичева, Мартяшин, Светлов, Соловьев, Цыпин
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, жизни, зарядов, неосновных, носителей, полупроводниках
...точностью контролявремени жизни н.нз., что обусловлено необходимостью визуального апре"деления изменения амплитуды тестового,импульса при различных значенияхвремени задержки,Кель изобретения - повышение точ 50ности контроля,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство контроля времени жизни неосновных носителей зарядов в полупроводниках, содержащеегенератор импульсов, резистор и клеммы для подключения исследуемой структуры, дополнительно введены блокформирования инжектирующих импуль-сов, блок формирования опорного напряжения,второй резистор, конденсатор, масштабирующий преобразователь,операционный усилитель, два блокавыборки и хранения и блок сравнения,при этом первый выход генератора 65 импульсов соединен с входом блока...
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках
Номер патента: 1075202
Опубликовано: 23.02.1984
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках
...вследствие низкой чувствительности выделение полезногосигнала на фоне паразитных фото-ЭДСтребует увеличения времени регистрации.Цель изобретения - повышение точности измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках.Эта цель достигается тем, чтов устройстве, содержащем блок намагничивания, соединенный с генератором переменного тока, источник светаи оптически связанный с ним модулятор света, блок регистрации, блокнамагничивания выполнен в виде двухпараллельных пластин со сквознойпродольной щелью, один конец которых замкнут, а два других подключены к генератору тока, при этомпродольная ось симметрии щели перпендикулярна продольной оси источника и модулятора света и пересекает ее,На чертеже представлена схема данного...
Устройство для определения времени жизни неосновных носителей тока в структурах
Номер патента: 1078357
Опубликовано: 07.03.1984
Авторы: Бойченко, Кулинич, Николашин, Петрик, Пудло, Шварцман
МПК: G01R 29/00
Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, структурах
...в виде соосно расположенных электродов с Токоотводами, блок, контроля обратного сопротивления,измерительный блок и шлифовальныйкруг с электроприводом, снабженозакрепленным,на корпусе узлом прижима с кронштейном, при,этом электроды контактного узла выполнены в видеупорного и прижимного валиков, установленных в подшипниках вращения,закрепленных. в корпусе и кронштейнесоответственно,Причем подшипник прижимного ва-.лика выполнен самоустанавливающимся, 60На фиг. 1 дано схематическое изображение механической части предлагае"мого устройства, на Фиг. 2 - электрическая схема устройства; на фиг. 3,осциллограмма напряжения на структуре 5 Механическая часть устройства со.держит диэлектрическую плату 1 иприжимной валик 2, посредством...
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей в тиристоре
Номер патента: 790996
Опубликовано: 23.03.1984
Авторы: Гуревич, Долгих, Салман
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, тиристоре
...жизни неосновных носителей в тиристоре; на фиг.2 - диаграммы, объясняющие работу предлагаемого устройства.Блок-схема содержит испытуемый тиристор 1, источник 2 обратного анодного напряжения и индикатор 3 анодного тока, который выполнен из датчика 4 анодного тока, запоминающего устройства 5, блока 6 вычислений и блок 7 цифровой индикации, при этом шунтирующий блок 8 подключен к источнику 2 обратного анодного напряжения, причем вход шунтирующего блока 8 соединен с первым выходом задающего устройства 9, три других выхода которого соединены с входами источника 2 обратного анодного напряжения, запоминающего устройства и источника 10 постоянного тока соответственно.При работе через испытуемый тиристор 1 по команде задающего устройства 9 от...
Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах с переходами
Номер патента: 1092436
Опубликовано: 15.05.1984
Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах
...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...