Прохоцкий — Автор (original) (raw)
Прохоцкий
Способ получения высокоразрешающих фотоматериалов
Номер патента: 1101021
Опубликовано: 10.10.1998
Авторы: Аверьянова, Волков, Лосиевская, Прохоцкий, Шварцвальд
МПК: G03C 1/00
Метки: высокоразрешающих, фотоматериалов
Способ получения высокоразрешающих фотографических материалов путем нанесения на одну сторону очищенной стеклянной подложки композиции противоореольного слоя и его сушки, нанесения на противоположную сторону очищенной стеклянной подложки композиции адгезионного слоя и его сушки и нанесение поверх него композиции эмульсионного слоя, его сушки и термостарения, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности изготавливаемых фотографических материалов, поверх эмульсионного слоя наносят защитный слой, включающий поливиниловый спирт, глицерин, этиловый спирт и воду при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Поливиниловый спирт - 6 - 8Глицерин - 3 - 5Этиловый спирт - 47 - 49Вода - 40 - 42и сушку его ведут при...
Транзисторно-транзисторный логический элемент
Номер патента: 1679943
Опубликовано: 30.07.1994
Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Ножнов, Огурцов, Прохоцкий
МПК: H03K 19/088
Метки: логический, транзисторно-транзисторный, элемент
1. ТРАНЗИСТОРНО-ТРАНЗИСТОРНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий входной многоэмиттерный транзистор, эмиттеры которого подключены к входным шинам, база через первый резистор соединена с шиной питания, коллектор - с базой фазоразделительного транзистора, коллектор которого через второй резистор соединен с шиной питания, эмиттер через третий резистор - с общей шиной, к коллектору фазовращательного транзистора подключена база первого транзистора выходного эмиттерного повторителя, коллектор которого через четвертый резистор соединен с шиной питания, эмиттер подключен к базе второго транзистора выходного эмиттерного повторителя и через пятый резистор соединен с общей шиной, коллектор второго транзистора выходного эмиттерного повторителя через...
Способ изготовления интегральных схем
Номер патента: 1223784
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Латышев, Ломако, Прохоцкий, Соловьев, Тарасова
МПК: H01L 21/26
Метки: интегральных, схем
...1,х В:.О/ай ОК И 1 СОКОГО ) 1)ОИ 1(1;,;,;. - ВХОДЦОИ 1к низкого ровня Па 1 л 0)(Оццае цаг)р 1)ке 1 Р 18 питацР 1/ сост 1 ляла - 5,2 В, 1-а 1 ластице и)з)0 ци/1 и 00 р 1 "1 ую 1 рОВ-Ок)/ ).ехцэ фн" ;ци 01 иравацие и строили Г 1 стООГрдмлы РзсгРеДеле 11 Я :ЗРамт08 Г 10 Ос) аткла" дывд/и 0 цашециа числа фу ц:;Р 01 иру 10- 1 ЗМ 80 Е 1)/ Г)аРаМетРКГОлнаму чис.)схем ца 1;лзстице, па Оси Х - 3; ач 811 я а 18 лиг ируемаГО Г 1 арз/18;ра. г 13- ,)акааКУ , ГОДЫе) 8 1 Ы 1 ЗОВОДРОи ( 11ЛСсл 1 С) У Ь й Я"О 1 /1 У, 1 ак, 111;)им 3 р, па ) эза)1 цым Т)ГОДными язля 10 тс /С с гзлР;янам)1 Й,х1,6 В, ), ,50 мкА.ИсОльзавание в техцалаРчес ам працсссе Операций )адиациацна"термической Обрабг)ткиицтегрэльцы;пагак .=- 1,0 х 10 час Ги -.; см 1 Р) /д0 Сп в 1 дР)ла...
Способ изготовления интегральных схем
Номер патента: 1340477
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий, Савенок, Тарасова
МПК: H01L 21/26
Метки: интегральных, схем
...области базы и коллектора транзисторов радиационных дефектов, концентрацией которых управля;от выбором флюэнса облучения, отличаощийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров при увеличении быстродействия, после операции соединения элементов проводящими дорожками по всей поверхности схемы наносят защити-перехода составляет 1,80,2 мкм, толщина активной базы - "О,9-1 мкм,С помощью фотолитографии вскрьвают контактные окна над коллекторной, базовой и эмиттерной областями транзисторов и контактными площадками резисторов, напыляют металлизацию, по которой создают электропроводящие дорожки, обеспечиваощие в нужной последовательности соединенля между элементами интегральной схемы ИС. Далее наносят по асей поверхности схемы слой...
Способ изготовления биполярных транзисторов
Номер патента: 1544108
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Голубев, Гутько, Латышев, Ломко, Прохоцкий
МПК: H01L 21/263
Метки: биполярных, транзисторов
...Ь га обратный ток переходаколлектор - база 1,ь (при разомкнутом выводе эмиттера), напряжение пробоя ц, коллекторного и-р-пе"рехода.Обозначения в таблице следующие:ИН"аа " 1исходные значения параметров после присоединения выводов,ф, (квант/смэ) - флюенс у-квантовпри радиационной обработке транзисторов перед нанесением полиимида,Т (С) и 1;г (мин) - температура ивремл проведения операции имидиэацииполиимида, Тз (С) лл С (мин) - температура и время отжига радиационныхдефектов введенных при облученииФлюенсом Ф; Ь , 1, в , значенияпараметров после проведения всех технологических операций,Прй испытаниях радиационной стой"кости определялись максимальная скорость деградации К коэффициента усцленил при облучении11 га(ф ) - Ь г а(фг)ЕС ю...
Омический контакт к кремниевому солнечному элементу
Номер патента: 1635843
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Александров, Зиновьев, Зубков, Прохоцкий
МПК: H01L 31/04
Метки: контакт, кремниевому, омический, солнечному, элементу
...35 мас.оь снижается адгезионная прочность контактов из-за высоких внутренних напряжений в слое.Оптимальная толщина дополнительного слоя 3 алюминийникелевого сплава с содержанием алюминия 20-35 мас, составляет 60-1000 нм, При уменьшении толщины этого слоя меньше 60 нм несколько снижается адгеэионная прочность контакта из-за несплошности слоя в виде множества проколов. При увеличении толщины слоя больше 1000 нм снижается прочность контактов из-за возрастания в слоях внутренних напряжений. Следует отметить, что слои алюминийникелевых сплавов имеют близкие коэффициенты термического расширения, что снижает термические напряжения в контактах и повышает надежность работы солнечных элементов при колебаниях температуры. Переходный слой 4 между...
Способ изготовления интегральных схем
Номер патента: 1671070
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Огурцов, Прохоцкий, Савенок, Тарасова
МПК: H01L 21/02, H01L 21/265
Метки: интегральных, схем
...повреждения транзистора при использовании -обработки, так как одной из причин выхода транзистора из строя является появление последова" тельного сопротивления из-за компен сации кремния радиационными дефектами в коллекторной области.В предлагаемом способе стабилизирующий отжиг преДлагается проводить при 180-220 С. Температура (220 С) 11 ОУОна верхнем пределе опведепф на экспериментально и соответств,ет началустадии отжита радиационных дефектов,5которые ответственны за бысгруюкомпонентуизменения Ьг 1 прп попивг,зирующем излучении, те 1 пн ературы ниже180 С не обЕспечивают стабилиэацййпараметров схемы, Так как и ряде случаев после изготовления кристалловИС их необходимо нагревать лс ЗОО 350 С (например, при посадке крнсталлов в корпус на...
Способ изготовления биполярных транзисторов
Номер патента: 1800501
Опубликовано: 07.03.1993
Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий
МПК: H01L 21/263
Метки: биполярных, транзисторов
...типа (А,Е-центры, комплексы. С 5-Сь дивакансии), в процессе пассивации происходит электрическое взаимодействие между отрицательно заряженными РД и положительно заряженными атомами водорода, В результате процесса комплексообразования отрицательно заряженные центры теряют рекомбинационную активность, Атомы водорода пассивируют также разорванные радиацией связи в решетке на границе 51-302, уменьшая плотность поверхностных состояний. Следствием этого является уменьшение механических напряжений на границе Я-З 02 и улучшение электрических параметров транзисторов, При эксплуатации приборов в полях ионозирующих излучений атомы водорода в решетке Йснижают вероятность устойчивых радиационных дефектов за счет взаимодействия с первичными...
Солнечный элемент
Номер патента: 1790015
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Александров, Прохоцкий
МПК: H01L 31/04
...2, из-за поглощения света в р-и-переходе и областиполупроводника, прилегающего к р-и-переходу, происходит генерация новых носителей заряда. Диффузионное электрическое поле, существующее в р-п-переходе, производит разделение неравновесных носителей, Другими словами, с точки зрения энергетической диаграммы р-п-перехода, неравновесные электроны "скатываются" с+ потенциального барьера и попадают в и - слой, а дырки - в р-слой (базовый слой) 1. В результате происходит накопление электронов в и -слое и дырок в р-слое. Протекающий ток выводится с помощью электронов 6 и 9. При достижении фото ЭДС - 0,4 В барье р на контакте металл-диэлектри к-полуп роводник, расположенный на тыльной стороне солнечного элемента, оказывается смещенным в обратном...
Дискретный регулятор температуры печей
Номер патента: 1288658
Опубликовано: 07.02.1987
Авторы: Клецерман, Липатов, Маевский, Масленков, Николаев, Пенский, Прохоцкий, Сорокин, Страхов
МПК: G05D 23/22
Метки: дискретный, печей, регулятор, температуры
...Т , возникаетопять сигнал разбаланса, который переводит движок в крайнее левое положение. Нагреватель отключается, тем 1пература в печи начинает остыватьдо Т х . При Тх появляется сигналразбаланса, после чего нагревательснова включается и т,д. Изобретение относится к устройствам управления технологическими процессами, а именно к дискретным регуляторам температуры, и может бытьиспользовано, например, в металлургическом производстве или производстве интегральных схем,. Цель изобретения - повышение точности регулятора.На чертеже представлена блок-схема дискретного регулятора температуры печей для и+1=3 термопар и двухампул с эталонными веществами.Дискретный регулятор температурыпечей содержит печь 1, набор ампул2(п=2) с эталонными...
Способ очистки подложек
Номер патента: 954916
Опубликовано: 30.08.1982
Авторы: Волков, Прохоцкий, Ушомирский
МПК: G03C 5/00
Метки: подложек
...пленки и светочувствительного слоя. П р и м е р 1. Высокоразрешающиегалогенидосеребряные желатиновыеэмульсионные Фотопластины типа "Кода 1НВР" из партии, прошедшей срок хране- З 5ния 3 года (гарантийный срок хранения1 год) и забракованной из-за повышенной загрязненности поверхности фотопластин, выдерживают в 2-ном раство 40ре уксусной кислоты в течение 15 минпри комнатной температуре, споласкивают в этиловом спирте и покрываютпленкой стандартного лака ХСЛ, Гост 1313-55, вес.3:Перхлорвиниловая смола 2045Смесь растворителей бутилацетат (12):ацетон(26):толуол (62) До 100Высушенную (не менее 1 ч при комнатной температуре) пленку лака удаляютпутем отрывания с одного края при смачивании границы раздела пленка эмульсионный слой этиловым...
Позитивный фоторезист
Номер патента: 451978
Опубликовано: 30.11.1974
Авторы: Парамонов, Прохоцкий
МПК: G03C 1/68
Метки: позитивный, фоторезист
...на основе фенолформальдегидных смол адгезией к стеклу. Разрецпающая способность451978 Составитель Л.МаРтыненко Редактор К.ВетбейнТехред Г,Дворина КорректорЛ.Котова Заказ Тираж 506 Подписное Ц 1 ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб 4 Пртдприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб., 24 предлагаемого фоторезиста составляет не менее 200 линий/мм,П р и м е р 1. 140 мг эфира 1,21-нафтохинондиазид-(2 )-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы и 1,4 г смолы Э"С" типа ."Фенокси" растворяют в 14 мл циклогексанона. Раствор фильтруют и наносят методом центрифугирования на алюминиевую пластинку. Пленку фоторезиста сушат при 90 С в течениетО 15 мин, и экспонируют...
Атмосферический двигатель внутреннего горения
Номер патента: 20866
Опубликовано: 31.05.1931
Автор: Прохоцкий
МПК: F01B 29/02
Метки: атмосферический, внутреннего, горения, двигатель
...способов производится воспламенение, и цикл повторяется снова, Предусматривается использование энергии отходящих газов для приведения в действие турбины, для чего цилиндр А можетснабжаться (кроме клапана 5) добавочнымокном Б, перекрываемым поршнем (фиг, 1),В предлагаемом атмосферическом двигателе внутреннего горения со свободным поршнем, для поднимания поршня при всасывании смеси и опускания его при сжатии, применяются пружины, при чем опора одной иЗ пружин удерживается в верхнем положении собачкой, освобождаемой рабочим поршнем при движении его вверх.На,чертеже фиг. 1 схематически изображает вертикальный разрез цилиндра двигателя в конце рабочего хода поршня; фиг. 2 - то же, в конце выхлопа; фиг.3 - то же, в конце всасывания; фиг....