Пырченков — Автор (original) (raw)

Пырченков

Способ изготовления гибридной интегральной схемы

Номер патента: 2003207

Опубликовано: 15.11.1993

Автор: Пырченков

...планарной структуры, охлаждают структуру до затвердевания расплава и отделяют промежуточныйноситель. Затем Формируют .ФотолитограФией многослойную коммутацию.В результате погружения кристаллов МС в эвтектический расплав образуется прочное соединение этих элементов между собой и со сплавом, чем достигается высокая механическая прочность многокристальной структуры и надежнрсть ГИС (гибридная интегральная схема). При погружении кристаллов МС в расплав происходит плотное заполнение зазоров между кристаллами, и на стыках кристалл-металл микрорельеф высокого качества за счет приплавления кристаллов, что также новышает надежность устройства.Кристаллы, смонтированные на подложке в застывшем расплаве, находятся в одинаковых условиях для отвода...

Гибридная интегральная схема

Номер патента: 1808148

Опубликовано: 07.04.1993

Автор: Пырченков

МПК: H01L 27/12

Метки: гибридная, интегральная, схема

...кристаллами 3. На выводной рамке 8 находятся планарные контакты 9, сверху устройство закрыто крышкой 10,АЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА изобретения: кристаллы схеы в застывшем расплаве эвсостава, Многослойная анесена над кристаллами по нологии, Металлическая подя шиной питания. 1 ил,В предлагаемои конструкции гибридной интегральной схемы полупроводниковые кристаллы 3, установленные в металлической подложке 2 таким образом, что их лицевая поверхность 5 находится на одном уровне с металлической подложкой 2, образуя монолитную структуру с безрельефной поверхностью, позволяют уменьшить количество планарных операций по созданию многослойной коммутации. что увеличивает надежность устройства. Кроме того, металлическая подложка 2, в которой...

Бескорпусной полупроводниковый прибор

Номер патента: 1799488

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Гришаков, Пырченков

МПК: H01L 23/00

Метки: бескорпусной, полупроводниковый, прибор

...3 с микросхемой является ь,м растекателем тепга, выделяеаботе. что улучшает условия теп 1799488лоотвода и повышает надежность охлаждения,Герметизирующий компаунд 12 в данной конструкции имеет сравнительно малую площадь соприкосновения с. внешней средой и источником влагопоглощения могут являться лишь очень узкие торцевые поверхности в местах выхода внешних выводов 14,Керамическая крышка 11 и керамическая подложка 1, закрывающие кристалл 3 с микросхемой с лицевой и обратной сторон, являясь совместимыми по термомеханическим характеристикам с кристаллом 3, делают конструкцию надежной и прочной. Герметизация прибора компаундом малого обьема создает минимальные напряжения в местах присоединения выводов,Металлическая рамка 7...

Радиоэлектронный модуль

Номер патента: 1767712

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Лейтес, Музменко, Пырченков

МПК: H01L 23/46, H05K 7/20

Метки: модуль, радиоэлектронный

...диаметром витков размещены в пазах 17 верхнего основания корпуса 7. На контактную поверхность эластичной диафрагмы 4 нанесен слой мягкого припоя, например индия.Устройство работает следующим образом.На монтажное основание 1 устанавливают печатную плату 2, на монтажной поверхности которой распаивают бескорпусные интегральные микросхемы 3 методом перевернуто кристалла (лицевой гранью вниз).Бескорпусные интегральные схемы 3 на монтажном основании 1 закрывают эластичной диафрагмой 4 из теплопроводного материала, например меди, которая по периметру запаяна в монтажную раму 5. На сочленяемых поверхностях монтажного основания 1 и монтажной рамы 5 укладывают в пазы резиновые прокладки 6. Монтажное основание 1 и монтажную раму 5 стягивают...

Способ обработки керамических подложек перед металлизацией

Номер патента: 732219

Опубликовано: 05.05.1980

Авторы: Дроздова, Китаев, Кузина, Левкович, Пырченков

МПК: C03C 15/00

Метки: керамических, металлизацией, подложек

...нат.рева ортофосфорной кислоты цоо260-290 С и выдержки при этой температуре в течение 50-70 мин. При этом происходит образование пирофосфорной, а затем - метафосфорной кислоты,732219 которая является более активной, чем иохоцная ортофосфорная кислота, лен аоо-ЪооС3 4 4 а 1 г Источники информации,принятые по внимание при экспертизе 1. Патент Японии Иц 50-9269,31 кл, 99/5, С 3 опублик, 1975,2 Л.Ма 1 ег Бс 1, 1972, Мо 11,р, 1280-1284, Составитель Е. ХвощеваРедактор И, Гохфельд Техрец Э, Чужик Корректор Т. Синицкая Заказ 1643/15 Тираж 528 Подписное ЦНИИПИ Госуцарственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская набц. 4/5филиал ППП Патент, .г. Ужгороц, ул, Проектная, 4 П р и м е р 1. Поцложку из поликора с...

Стекло

Номер патента: 549435

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Артамонова, Каплина, Пырченков, Тарасов

МПК: C03C 3/10

Метки: стекло

...керамическую подложку с намыленным алюминиевым рисунком, Оно также нестойко к растворам кислот при нормальной температуре.Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является стекло, включающее РвО, 810 г, Вг Оз, Аг Оз, Вг изобретения является создание стекла соми свойствами: ературой плавления не более 600 оС;- коэффициентом термического расширения порядка (70 - 80).101/С;- диэлектрической проницаемостью 8 - 10.Эта цель достигается тем, что, в стекло,включающее РвО, 810 г, ВгОЗА 1 гОз йагО,КгО,допол нительно введены 2 пО, Си 0 при следующем соотношении указанных компонентов (в вес. %):810 г 27 - 31Вг Оз 5 - 10А 1 г Оз 2 - 7549435 марки "4" или "х 4", Конкретные составы стеколприведены в таблице....