С отводом тепла посредством потока жидкости или газа — H01L 23/46 — МПК (original) (raw)
Устройство для принудительного жидкостного охлаждения полупроводниковых вентилей
Номер патента: 531220
Опубликовано: 05.10.1976
МПК: H01L 23/46
Метки: вентилей, жидкостного, охлаждения, полупроводниковых, принудительного
...стенках радиаторов у каждых двухсмежных радиаторов расположены диаметрально противоположно, благодаря чему образуются кольцевые каналы для протекания охлаждающей жидкости между внешнейповерхностью вентиля и внутренней поверхностью вставки параллельно торцовым стенкам радиаторов.На фиг. 1 показано соединение вентилейи радиаторов, разрез по вертикали; на фиг,2- радиатор, поперечный разрез и вид сверху,Таблеточные вентили 1 и радиаторы 2поочередно соединены в одну цепь, Каждыйрадиатор имеет с противоположных сторонплоско-параллельные посадочные поверхности под вентили и используется для одновременного охлаждения двух вентилей.Для направления потока охлаждающейжидкости между радиаторами последние соединены между собой гидравлически с...
Полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 663002
Опубликовано: 15.05.1979
МПК: H01L 23/46
Метки: полупроводниковый
...охладителями 6. Силовые вентили 4, индивидуальные охладители 6 припомощи изолятора , траверсы 8 посредством шпилек 9 прижаты с определенным уси - лием к групповому охладителю 5. Силовойблок 2 содержит также быстродействующиепредохранители 1 О, соединенные одним концом с шиной 11 выпрямленного тока, а другим концом с токопроводящей частью 12трубопровода, соединенной с его изоляционной частью 13 посредством переходника 14.Токопроводящая часть 12 трубопровода имеет токосъемный контакт 15, через которыйона соединяется с быстродействующимпредохранителем 10, выполняя назначениетокосъемной шины. Соединенные таким образом токопроводящая часть 12 трубопровода, его изоляционная часть 13 и индивидуальный охладитель 6...
Устройство для охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 708439
Опубликовано: 05.01.1980
Авторы: Мачалин, Морев, Саркисов, Тер-Ионесян, Тимченко
МПК: H01L 23/46
Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной
...17автоматического регулирования температуры хладагента в режиме охлаждения, электрически связанный стермодатчиком 18 и электропринодным клапаном 16, установленнымисоответственно на линии нагнетанияи на обводной линии, сообщающей выход из объекта с всасыванием насосапомимо радиатора.Емкость для хладагента соединенас охлаждающей системой через обратный клапан 19.Устройство работает следующимобразом. В режиме прогрева жидкостидля подачи н объект нагнетаемаянасосом 1 жидкость через клапан 15(клапаны 14 и 16 закрыты) поступаетв емкость 9 и далее в блок нагрева10, где нагревается и через трубопровод, всасывается насосом. Циркуляция жидкости по указанному контурупродолжается до достижения необходимой температуры, величина которой...
Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 1163126
Опубликовано: 23.06.1985
МПК: F28F 3/04, H01L 23/46
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор
...о рф оф офоф р О,ф Р . Ооф 000 офр00 офрф 00000 Ффф Оо ф офф о 0Оф Рффрфр О 0000 ефф Оф о фо Фо0 0ффф ффр000 фф 0ОООфф оеф ф орфф фо Оффорфффф фррооф О 00000Ф 00000 Рофффофф 00 фрр0000000 О Офо ррррр Оф 00 орОО оф Оф Офф ф фро ф ф .Ор0 ф фф 0 г игЗ Риг г Составитель Ю. Карпенко Техред С.йовжий .Корректор В, Бутяга Редактор О.Юр Тираж 623 Государственного комитета елам изобретений и открытий осква, Ж, Раушская наб.о 4/ 13 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 1Изобретение относится к радиаторам для охлаждения полупроводниковых приборов и может быть использовано в электротехнике.Цель изобретения - интенсификациятеплообмена.На фиг, 1 изображен радиатор,поперечный разрез; на фиг. 2 - видА на фиг. 1: на фиг. 3 - узел 1 нафиг,...
Устройство для охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1277441
Опубликовано: 15.12.1986
Авторы: Саркисов, Тер-Ионесян, Цыпкин
МПК: C25B 13/00, G12B 15/00, H01L 23/46, H05K 7/20 ...
Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной
...34, а выходной трубопровод 27 конденсатора 23 соединен 45 с выходным трубопровоДом 11 испарителя 1 трубопроводами 51 и 12 и вентилем 50,При окружающих температурах, нео50превышающих +40 С, теплоноситель изблока 10 через тепловой: разъем 9,трубопроводы б, 5 и 36, открытыйвентиль 34 и трубопровод 33 посту"пает в конденсатор 23, где охлаж-дается воздухом, продуваемым вентилятором 37. Далее теплоноситель через трубопроводы 51 и 12 и открытый вентиль 50 всасывается насосом13, В указанном режиме работы вен 1277441тили 16, 4, 3, 21, 25, 39, 42, 49, 46, 45, 20, 26 и 31 закрыты.При окружающих температурах более +40 С для охлаждения теплоносителя0используется искусственный холод, вырабатываемый паровой компрессионной холодильной...
Устройство для охлаждения радиоэлектронных блоков
Номер патента: 1292215
Опубликовано: 23.02.1987
МПК: H01L 23/46, H05K 7/20
Метки: блоков, охлаждения, радиоэлектронных
...охлаждения радиоэлектронных блоков с выдвинутым блоком, общий вид; на фиг.2 - то же, в рабочем положении.Устройство для охлаждения радиоэлектронных блоков содержит нижний теплообменник 1 и верхний теплообменник 2 с ребрами 3. Между радиоэлектронным блоком 4 и верхним теплообменником 2 размещена оребренная теплосъемная планка 5, на торцах которой выполнены передний 6 и задний 7. скосы и продольные овальные отверстия 8.,Теплоотводящая планка 5 соч" леняется своей оребренной частью с оребренной частью верхнего теплообменника 2. Прижимные элементы выполнены в виде установленных на осях 9 переднего 10 и заднего 11 сухарей со скосами, а оси 9 выполнены с хвостовиками 12, расположенными на скосах сухарей 1 О и 11. Хвостовики 12 размещены в...
Радиоэлектронное устройство
Номер патента: 1621195
Опубликовано: 15.01.1991
МПК: H01L 23/46, H05K 7/20
Метки: радиоэлектронное
...тока поступает в нижний горизонтальный участок б, при этом происходит охлаждение жидкости, после чего ющкость вновь поднимается по соединительным каналам 8 к местам установки вентилей 3. Таким образом осуществляется непрерывное охлажцение полупроводниковых вентилей 3 за счет естественной циркуляции охлажцающей жидкости по замкнутому контуру. В предлагаемом устройстве используется естественная циркуляция охлаждающей жидкости, что обеспечиваетравномерный теплосъем от вентилей,Кроме того, конструкция устройстваупрощена и повышена технологичностьее изготовления,Изобретение может быть использовано в конструкциях полунроводниковых преобразователей, выполненныхпо мостовой схеме с установкой одногоили нескольких вентилей в плече моста, и при...
Устройство для охлаждения радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1651330
Опубликовано: 23.05.1991
Авторы: Баракан, Рузманов, Чернышев
МПК: H01L 23/46
Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной
...охлаждения объектов сизвестными паспортными данными устройство работает следующим образом.5Вначале по известным данным каждого объекта по расходу жидкости определяют количество одновременно подклю-" чаемых в устройство объектов охцаждения исходя из. того, чтобы суммарный расход жидкости объектов охлаждения не превышал производительности , насоса 1. Ввод в работу объектов охлаждения производится поочередно, Сначала к выходным штуцерам 21, заканчивающимся разъемами 9, подсоединяется рассчитанное количество объектов охлаждения. Ручкой 25 поворота через ось 26 устанавливают клапан 15 н Ьиксированное положение, соответствуюг 1 ее включаемому (например, первому) объекту, При этом в распределителе 6 отверстие 19 выступа 20 клапана 15 соединит...
Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 1691913
Опубликовано: 15.11.1991
МПК: H01L 23/46
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор
...прибсры могут быть закреплены на нескольких или на всех плоскостях радиатора, Благодаря пересечению отверстий в обьеме радиатора Образуется достаточно развитая поверхность теплообмена, а наличие отверстий со всех сторон радиатора способствует актив ому его охлаждению при различных направлениях охлаждающего потока, Размещение приборов на всех или на нескольких плоскостях дает преимущество для более равномерного распределения в обьеме радиатора тепловых нагрузок,На чертеже показан радиатор с закрепленным на нем охлаждаемым прибором,Радиатор состоит из плиты 1, имеющей форму прямоугольного параллелепипеда или куба с закрепленным на ней охлаждаемым прибором 2, Через три плоскости плиты 1 просверлены сквозные отверстия 3, причем...
Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов
Номер патента: 1734250
Опубликовано: 15.05.1992
Автор: Тепман
МПК: H01L 23/34, H01L 23/46, H05K 7/20 ...
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, силовых
...45 50 55 конденсации 4 снабжен пустотелыми ребрами 5 с внутренними перегородками 6. Токоподводы 7 с испарителями 3 жестко закреплены с внутренней стороны тонкостенной оболочки с возможностью образования между испарителями 8 зазора для размещения полупроводникового прибора 9,Сборка устройства для охлаждения силовых полупроводниковых приборов осуществляется следующим образом,Из изоляционного материала методом прессования (литья) изготовляют две части тонкостенной оболочки с пустотелыми ребрами, вставив в оболочку токоподводы 7, затем при горизонтальном положении охладителя помещают в него полупроводниковые приборы 9 и заполняют полость изолирующей жидкостью 3, устанавливают вторую часть оболочки, Устройство помещают в закрытую камеру....
Охладитель силового полупроводникового прибора
Номер патента: 1746437
Опубликовано: 07.07.1992
Автор: Тепман
МПК: H01L 23/46
Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового
...к диаметруоснования тепловыде-лг.ющего тела,Минимальная толщина пластичной массы (прокладки) должна быть такой, чтобы при сжатии обеспечивать выборку макрозазоров, вследствие неплоскостности тепло- выделяющего тепла и охладителей, суммарная величина которых по ТУ может составлять 40 микрометров.Максимальная толщина прокладки выбирается при использовании групповых охладителей для 2-стороннего теплоотвода от 2 или 3 СПП такой толщины, чтобы обеспечить плотное прилегание всех оснований таблеточных СПП к охладителям, учитывая возможную разницу высот используемых полупроводниковых приборов, Так, при диаметре оснований СПП 40 мм, максимальной разности их толщин 2 мм и расстоянии между. осями СПП 400 мм толщина прокладки должна быть не менее...
Радиоэлектронный модуль
Номер патента: 1767712
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Лейтес, Музменко, Пырченков
МПК: H01L 23/46, H05K 7/20
Метки: модуль, радиоэлектронный
...диаметром витков размещены в пазах 17 верхнего основания корпуса 7. На контактную поверхность эластичной диафрагмы 4 нанесен слой мягкого припоя, например индия.Устройство работает следующим образом.На монтажное основание 1 устанавливают печатную плату 2, на монтажной поверхности которой распаивают бескорпусные интегральные микросхемы 3 методом перевернуто кристалла (лицевой гранью вниз).Бескорпусные интегральные схемы 3 на монтажном основании 1 закрывают эластичной диафрагмой 4 из теплопроводного материала, например меди, которая по периметру запаяна в монтажную раму 5. На сочленяемых поверхностях монтажного основания 1 и монтажной рамы 5 укладывают в пазы резиновые прокладки 6. Монтажное основание 1 и монтажную раму 5 стягивают...
Радиоэлектронное устройство с испарительным охлаждением жидким диэлектриком
Номер патента: 1777255
Опубликовано: 23.11.1992
Авторы: Большаков, Каликанов, Туник
МПК: H01L 23/46, H05K 7/20
Метки: диэлектриком, жидким, испарительным, охлаждением, радиоэлектронное
...паров жидкого диэлектрика, передаваемая из кожуха с помощью сильфона, оказываются приложеньг с одной дом, что приводит к снижению давления 10 мкнутый контакт, который при перемещении сильфоном штока в крайнее верхнее положение, соответствующее превышению величины предельно допустимого давления паров в герметичном кожухе, вызванного сокращением расхода воды на охлаждение 20 теплообменника или полным прекращением 25 30 лектриком 2, Ниже уровня жидкого диэлектрика в кожухе расположены охлаж 35 40 ступающей на охлаждение теплообменника.Клапан установлен таким образом, что поток воды из трубопровода водоснабжения подведен с той же стороны тарелки 7, плотно прижимаемой сверху к посадочному гнезду клапана пружиной 8, которой прикреплен...
Полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 1786544
Опубликовано: 07.01.1993
Автор: Ярыш
МПК: H01L 23/46, H01L 25/00
Метки: полупроводниковый
...силовой ошиновкой 6 и системой жидкостного охлаждения 8 и расположены поэтажно друг над другом, образуя.при этом три вертикальные секции 9 - 11, причем в одной секции, например 9, собраны блоки реакторов 4, в средней секции10 - блоки тиристоров 2 и в третьей секции 11 - блоки демпфирующих цепей 5, Внешние разноименные полюса 12, 13 блоковтиристоров 2 через крайние внешние 4,1 и 4.4 реакторы блока реакторов 4 модуля 7.1связаны общими полюсными шинами 14, 15 через одноименные крайние реакторы дру.гих блоков реакторов 4 секции реакторов 9 с одноименными внешними разнопотенциальными полюсами 12, 13 блоков тиристоров 2 двух других модулей 7,2 и 7.3,20253035405055 Внутренние разноименные полюса 16, 17 блоков тиристоров 2 изолированы друг от...
Устройство для термостатирования радиоэлектронной аппаратуры
Номер патента: 1605873
Опубликовано: 10.10.2006
Авторы: Добротворцева, Рудько
МПК: H01L 23/46, H05K 7/20
Метки: аппаратуры, радиоэлектронной, термостатирования
Устройство для термостатирования радиоэлектронной аппаратуры, содержащее замкнутый контур для жидкого теплоносителя, образованный последовательно соединенными между собой посредством трубопроводов соответственно корпусом для размещения оборудования радиоэлектронной аппаратуры, на входе которого размещен датчик температуры, насосом и воздушно-жидкостным теплообменником, воздушная часть которого подключена к компрессору энергетической системы оборудования радиоэлектронной аппаратуры посредством воздушной магистрали, образованной последовательно соединенными между собой посредством воздуховодных каналов соответственно первичным воздушно-воздушным теплообменником, одна воздушная часть -...
Межсоединение для сверхбольших интегральных схем
Номер патента: 1730989
Опубликовано: 20.01.2008
Авторы: Демьянович, Дулинец, Красницкий, Лесникова, Родин, Турцевич
МПК: H01L 23/46
Метки: интегральных, межсоединение, сверхбольших, схем
1. Межсоединение для сверхбольших интегральных схем, содержащее последовательно расположенные диэлектрический слой с контактным окном к активной области полупроводниковой подложки, барьерный проводящий слой, нижний слой алюминия или его сплавов, слой тугоплавкого металла, верхний слой алюминия или его сплавов, антиотражающий проводящий слой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества межсоединения путем улучшения надежности и электрофизических характеристик, толщина слоя тугоплавкого металла выбрана равной 40-100 нм, а толщина d1 и d 2 соответственно верхнего и нижнего слоев алюминия или его сплавов выбраны из выражений