Рифтин — Автор (original) (raw)
Рифтин
Способ изготовления полупроводниковых диодов
Номер патента: 1817867
Опубликовано: 23.05.1993
Авторы: Головнин, Джуманова, Рифтин, Тихонов, Церфас
МПК: H01L 21/306
Метки: диодов, полупроводниковых
...при получении диодов средней ибол . эй мощности,После соэд.ния р-и перехода путемдиффузии влюмии.,:я, бора и фосфора иа соответствуюшие стороны пластины на ее поверхность осаждают никель, Химическоеосаждение никеля с отжигом 1-.го слоя притемпературе 600-700 С в среде водородаповторяют 2-3 раза для получения качественного омического контакта, На никелированные пластины, наносят рисунок иэ слояфоторезиста с помощью фотолитографического процесса, Слой фотореэиста наносятв местных промежутков между полупроводниковыми структурами диодов. На свобод ные от фотореэиста области наносятэлектрохимическим способом слой золота,толщиной 1 - 1,5 мкм, который выполняетфункции омического контакта и одновременно является маскирующим покрытиемпри...
Способ пайки элементов полупроводникового прибора
Номер патента: 1739401
Опубликовано: 07.06.1992
Авторы: Головнин, Дрозд, Рифтин, Христич, Церфас
МПК: H01L 21/50
Метки: пайки, полупроводникового, прибора, элементов
...к кристаллодержателю. Поэтому было проведено исследование влияния различных факторов, влияющих на этот режим.10 15 Яэфф=КЯ,50 55 20 25 30 35 40 45 В текущем производстве для получения воспроизводимых результатов пайку кристаллов припоем ПОСведут при 240- 260 оС, что на 60-80 С превышает температуру плавления этого припоя. Следовательно и при пайке кристаллов с помощью нагретого азота должна поддерживаться такая температура. При исследовании условий поддержания температуры пайки в диапазоне 240 - 260 С применяют припои ПОСи ПОС, имеющие соответствующие температуры плавления 260 и 240 оС,Опыт проводят в следующем порядке, Кристаллодержатели на гребенке облуживают одним из указанных припоев, При этом толщина припоя Л поддерживалась в...
Тензометр
Номер патента: 1710994
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Лукашенок, Недельский, Рифтин
МПК: G01B 5/30
Метки: тензометр
...2 штоки 8 и 9, связанные с трзверсой 2, и втулки 10 и 11, связанные с траверсой 1, Хвостик конуса 4 установлен в резьбовой втулке 7, а штоки 8 и 9 - соответственно во втулках 10 и 11, Штоки 8 и 9 и втулки 10 и 11 размещены по разные стороны от тензобалок 5 и 6. Каждая иэ траверс 1 и 2 выполнена в виде планки 12 с пазами 13 для образца 3 и накладки 14 с выступом 15. входящим в паэ 13. Планка 12 и накладка 14 соединяются с помощью болтов 16, Каждая из тензобалок 5 и 6 представляет собой пластину из упругого материала (например, из стали марки 30 Х ГСА) с размещенными (наклеенными) на ней с двух сторон тензореэисторзми (твнэодатчиками) 17, включенными дифференциально в активные плечи тенэомоста, соединенного с соответствующей...
Эластичная кассета для герметизации полупроводниковых приборов
Номер патента: 1684833
Опубликовано: 15.10.1991
Авторы: Альтман, Головнин, Гордон, Деневич, Левин, Рифтин, Сухоруков, Церфас
МПК: H01L 21/00
Метки: герметизации, кассета, полупроводниковых, приборов, эластичная
...3510 ВНИИПИ Государственного 113035, раж Подписноекомитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СС Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 10 сеты за счет оптимизации соотношенияглубины ячеек и высоты кассеты, прикоторой достигается максимальный срокслужбы кассеты,Эластичная кассета для герметизации полупроводниковых приборов, выполненная в Форме прямоугольного параллелепипеда с основными ячейками, выполненными на одной из больших сторсн параллелепипеда, о т л и ч а ющ а я с я тем, что, с целью снижения материалоемкости кассеты при повышении ее надежности, на противолежащей большей стороне параллелепипеда выполнены дополнительные ячейки, расположенные зеркально симметрично...
Способ изготовления полупроводниковых приборов в пластмассовых корпусах каплевидной формы
Номер патента: 1661876
Опубликовано: 07.07.1991
Авторы: Головнин, Нуридинов, Рифтин, Церфас
МПК: H01L 23/31
Метки: каплевидной, корпусах, пластмассовых, полупроводниковых, приборов, формы
...офсетного нанесения жидкогокомпаунда на арматуру (фиг. 3) имеет дискдиаметром Оо= 5,5 см, вращающийся с частотой 5 - 80 об/мин, С помощью этой машинки наносился слой компаунда типа 5ЭКЛБ, в котором в качестве основы используется эпоксидная смола ЭД.После нанесения компаунда рамки с арматурами помещают в термошкаф с температурой 160.ф 15 С и вращают соосно с 10частотой 30 об/мин в. течение 15 - 20 мин дозагустевания слоя.Выполнение габаритов каплевидногокорпуса приборов КД 209, КД 221 требуеттрехкратного нанесения слоев эпоксидного 15компаунда с последующей полимериэациейего при 160.ф.10 С не менее 12 ч, Затемнесущие части рамки или гребенки отрезают и на отдельных приборах измеряют электрические параметры и проводят...
Устройство для определения накопленных усталостных повреждений деталей
Номер патента: 1499169
Опубликовано: 07.08.1989
Авторы: Белайчук, Кулаго, Новарро, Рифтин, Церлюк
МПК: G01N 3/32
Метки: накопленных, повреждений, усталостных
...связаны с поверхностью исследуе 69 4мой детали 3. Продольная ось пластин 1 при этом должна совпадать с направлением действия главных напряжений,Под воздействием на деталь 3 периодически изменяющихся нагрузок зазор между торцами гребней изменяется на величину Д, определяемую Формулойгде- действующие напряжения в детали;Е - модуль упругости материаладетали и чувствительных элементов;1, - база крепления устройства кдетали.При этом в 1-м чувствительном элементе возникают напряжения б. и де 1 Формации Е ., равные:6 =6 - Е=Е1 1.1 ф 1 М 11где 1 - двойная длина -го выступаили база элемента.Таким образом, применением в устройстве набора выступов разной длины при постоянной базе крепления достигается эффект умножения деформаций или напряжений....
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Номер патента: 1325603
Опубликовано: 23.07.1987
Авторы: Альтман, Головнин, Рифтин, Столбов, Церфас
МПК: B23K 1/12, H01L 21/50
Метки: полупроводниковых, приборов
...импульсами,П р и м е р, Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозалегяющим р-п-переходом, Глубина р-и-перехода 90 - 100 мкм при толщине пластины 210 - 230 мкм. йорма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения пластины (Лиг,1). Р-п-переход получают дивизией алюминия в и-тил с удельным сопротивлением О Омасм. ,Соосцые омические контакты разного диаметра (П = 1,65 мм, Б = 1,85 мм) ця криста 3(ях 13 ы 1 о)5 цт из Золта пчтем электрохимическаго осаждения.Пайку кристаллов к выводу вьполцяют поочередно илулт сямц прямого тока. При первой лайке используют импульс длительностью 0,35 с, а лри второй - 1 с лри одинаковой мощности...
Способ изготовления высоковольтного диода
Номер патента: 1296335
Опубликовано: 15.03.1987
Авторы: Альтман, Баронин, Левин, Рифтин, Церфас
МПК: B23K 1/12
Метки: высоковольтного, диода
...быть расположен у одного из его полюсов. Изобретение относится к производству полупроводниковых высоковольтныхциодов, применяемых, например, в блоках строчной развертки цветных телевизоров. 5Цель изобретения - упрощение операции определения полярности столбиков.На фиг.1 изображен пакет пластинс дополнительной пластиной из лористого никеля, разрез; на фиг,2 - зависимость процента лома столбиков прирезке пакета алмазными дисками отпроцента пористости никеля; на фиг,З -схема расположения кассет и магнита 15при рассортировке столбиков по полярности,Способ изготовления высоковольтного диода заключается в следующем.Пластины 1 с р-и-переходом собирают в пакет с размещением между ними припоя 2. К одной стороне пакетаприсоединяют...
Способ изготовления высоковольтного диода
Номер патента: 1250411
Опубликовано: 15.08.1986
Авторы: Альтман, Головин, Дрозд, Риттенман, Рифтин, Церфас, Янкевич
МПК: B23K 1/12, H01L 21/50
Метки: высоковольтного, диода
...с ллуклу;у.л кч лл осуплссллъцлнслсъл прпллайкгл ь мкцллчлппэл с омпчсскллкллл колллаль х 111 111, 1 л 1 л 1 лк 11111 г 11 глпслл 3 хлсллльл полхлс прич лл ; -л-л 1. к лгллллллгльлся часль цлсллльл лм л мкл ллллло лльлллоцолл л;ллсклл.ллыл" л Б.1 25 л :3 нт м; рл-л улллролъалл, по ;лпллшллролкаль рсмллхл проп.лалзхлклллллн колллаклон к лслллс оса псрслрслаа плмуллролелмплллклплол слруклуръл.Нрпллир (Ъпмлгллаэл ллрлмлслтка была лэрокс лспа па учаслкс 1191 л 1 л 1 в.111111 лвьлслколло.ллл поло плода кп 117 1%ллслкилло.лллллыссл л лГэлл кп поло прибора соглоял п: 111 крсклллллспых крпсла.л.лл: с рчъллслтсхлхлохл, сол-лллллслл ллл.л ллоьхлл-длоллдлгссльлло проьнгоплшл НКЛЗ. 11 а лорпах сллл.пллллх;л лзлллл.=;лсллл...
Способ определения усталостной долговечности конструкции
Номер патента: 918816
Опубликовано: 07.04.1982
Авторы: Белайчук, Миртов, Нестеренко, Рифтин, Слепечец, Якобсон
МПК: G01N 3/32
Метки: долговечности, конструкции, усталостной
...и в исследуемой конструкции, Та" койобразец называют образец-свидетель. Группу образцов-свидетелей подвергают нагружению при параметрах типового нагружения до разрушения с целью определения усталостной долговечности Н . При этом напряженное состояние образца-свидетеля идентич" но напряженному состоянию в опасном сечении конструкции.Затем другую группу образцов-свидетелей собирают в партии по 2-3 штуки и осуществляют наработку Н каждой партии до различных значений 8 долях от долговечности образцов-свидетелейов интервале Н/Н =0,2-0,8. Партии. образцов-свидетелей после наработки прикрепляют к конструкции, которая еще не была в эксплуатации, в опасном сечении таким образом, чтобы напряженное состояние образцов-свидетелей было идентично...
Тензометр
Номер патента: 894330
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Бахотский, Клейнхоф, Рифтин, Шарипов
МПК: G01B 5/30
Метки: тензометр
...выполненыкаждая в виде планки с пазом для образца и накладки с выступом, входящимв паз,На Фиг. 1. показан тенэометр, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сбокуна Фиг. 3 - разрез А-А на Фиг.(по одной иэ траверс).Тензометр содержит две траверсы1 и 2 для установки на образец 3,конус 4 с резьбовым хвостовиком и дветензобалки 5 и 6, одни концы которыхразмещены на траверсе 2, а другиеконтактируют с конусом 4, резьбовуювтулку 7, размещенную на.траверсе 1,перпендикулярные траверсам 1 и 2 штоки 8 и 9, связанные с траверсой 1, ивтулки 10 и 11, связанные с траверсой 2. Хвостовик конуса 4 установленв резьбовой втулке 7, а штоки 8 и 9,соответственно, во втулках 10 и, 11.Штоки 8 и 9 и втулки 10 и 11 размещены по разные стороны от тензобалок5 и 6....
Прибор для измерения толщины прозрачных пластин
Номер патента: 457876
Опубликовано: 25.01.1975
МПК: G01B 11/06
Метки: пластин, прибор, прозрачных, толщины
...относится к уматического контроля и моизовано для бесконтактного ины прозрачных пластин.Известен прибор для измерения толщины прозрачных пластин, содержащий газоразрядный источник света с блоком управления световым лучом и оптическую систему, расположенные по одну сторону от измеряемой пластины, фотоприемники, установленные на базовом расстоянии друг от друга по другую сторону измеряемой пластины, и регистратор временного интервала.Предложенный прибор отличается тем, что он снабжен блоком управления световым лучом, выполненным в виде генератора сантиметровых волн периодически изменяемой частоты и источником света, выполненным в виде помещенных в прозрачный балон двух протяженных электродов.Это позволяет повысить быстродействие,...
Устройство для контроля непараллельностиграней стекла
Номер патента: 431126
Опубликовано: 05.06.1974
Авторы: Изобретени, Кадлец, Рифтин
МПК: G01B 11/14
Метки: непараллельностиграней, стекла
...образом.Световой поток источника 1 при помощи зеркал 20 и конденсоров 21 направляется на отражательную призму 22, проходя через отверстия дисковых модуляторов 25 и 26, вращающихся с разными угловыми скоростями.Сечение светового пучка, выходящего из объектива 24, разделено на две равные части изображением ребра 23 призмы 22. При этом одна из частей пучка модулирована частотой ь а другая - частотой ,.Часть светового потока, отразившись от передней грани стекла 12, при помощи полупрозрачной пластины 3 направляется на фотоприемник 28 блока коррекции 17. Оставшаяся часть проходит через исследуемое стекло 12 и собирается на фотоприемнике 5 линзой 4.фотоприемник расположен так, что в отсутствии оптических искажений попадающие на него...
Способ анодирования алюминия и его сплавов
Номер патента: 69818
Опубликовано: 01.01.1947
Автор: Рифтин
МПК: C25D 11/04
Метки: алюминия, анодирования, сплавов
...напряжения требуют наличия специальных регулирующих аппаратов-трансформаторов, реостатов и т. п.По предлагаемому способу анодирования на переменном токе (одно-, двух- или трехфазном) процесс осуществляется на двух или более ступенях без применения каких-либо регулирующих аппаратов от сети налряжением 120 - 380 в. Для этого между несущими изделия электродными штангами, к которым подводится напряжение, располагают металлические листь 1-перегородки, изымаемые из ванн для перехода с одной ступени на другую.Количество листов берется в зависимости от выбранного режима: для работы на двух ступенях - один лист, на трех ступенях - два листа и т, д. Для перехода с одной ступени на следующую достаточно вынуть один лист-перегородку.Например, при...
Устройство для сигнализации о сгорании плавких предохранителей
Номер патента: 55032
Опубликовано: 01.01.1939
Автор: Рифтин
МПК: H01H 85/30
Метки: плавких, предохранителей, сгорании, сигнализации
...бленкера сномером фидера, в котором сгорел предохранитель П, 2) продолжительный звонок и 3) длительный свето. вой сигнал (красная лампа).Датчик Й образуют дисковый коммутатор 4 (искатель"), контакты которого присоединены к фидерам1,2,3 при помощи линий 1,2, 3, а контактный ползун приводится во вращение небольшим моторчиком М, и электрические сопротивления (например, лампы) б, соединенные звездой и приключенные к коммутатору 4. Основной частью сигнализатора С является электромагнитный нумератор 7, рабочий электромагнит б которого приводится в синхронное с ползуном коммутатора 4 вращение от такого же моторчика и включен в цепь тока нулевой последовательности через контактные кольца; на периферии диска коммутатора расположены...