Семиноженко — Автор (original) (raw)
Семиноженко
Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала
Номер патента: 1526290
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Воронов, Космына, Некрасов, Семиноженко, Ткаченко
МПК: C30B 29/22, C30B 9/06
Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего
...материала с высокой плотностью. При этом обеспечивается увеличение размеров материала за счет разращивания слоя по диаметру и толщине, Материал представляет собой монолитную массу, состоящую из кристаллов размерами 30-50 мкм, которая в целом обладает сверхпроводящими свойствами, Концентрация основного вещества в материале составляет 95-97.Прекращение процесса кристаллизации при 1200-1210 С и извлечение материала из расплава (слой, образованный на поверхности, еще не примерз к стенкам тигля) обеспечивает целостность размеров поликристаллического материала, так как при этом исключается операция выбивания и отделения этого слоя материала от застывшего раствора - расплава.Размеры поликристаллического слитка составляат: диаметр 15 мм,...
Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе
Номер патента: 1522792
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко
МПК: C30B 29/22, C30B 9/06
Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих
..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...
Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе
Номер патента: 1515789
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко
МПК: C30B 29/22, C30B 9/06
Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих
...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...
Способ получения сверхпроводящей керамики на основе бариевого купрата
Номер патента: 1557950
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Антонова, Загоскин, Квичко, Литвиненко, Могилко, Помазунов, Семиноженко
МПК: C04B 35/64
Метки: бариевого, керамики, купрата, основе, сверхпроводящей
...способа по срав нению с прототипом и уровень достигнутыхсвойств представлены в таблице.(56) А Авег, Сегаа. Зос., 1987, 70, Ь 12, с. 388-390.20 Хим, состав Способ СвойстваОотн, 3 Тс,к Технологическиепа амет ы С 1,ч Т 2, ОС Т 1, С ЬТс, К Р, МПа 12,Ч 99 1,0 1,0 960 450 3 аяв- УВжСцз 07- ляе 96,1 800 0,8 960 450 1,0 1,0 92,3 92,2 958 988 850 1,2 960 10 910 450 10 09 960 10 10 933 880 300 978 960 600 880 1,0 10 960 989 0,8 960 3 аяв- УВа 2 Сцз 07- ляе 05 1,0 880 450 92,8 92,1 96,0 98.6 94,2 96,5 1,3 960 450 880 1,5 880 960 0,5 1,0 450 1,2 960 450 1,0 15 . 958 98,8 880 0,9 1000 10 94,2 98,2 880 450 1,0 а 1,0 1000 1,0 92,8 450 810 1,0 9,3 1,0 1000 45010-40 870 1,0 94,5 97,197- 99 90 - 92 1/360 - 2,7 1,8 - 2,2 По УВФСцз 07 спосо.бу прототип...
Способ получения магнитного поля заданной величины внутри магнитного экрана
Номер патента: 1639363
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Литвиненко, Могилко, Павлюк, Пирогов, Семиноженко
МПК: H01L 39/24
Метки: величины, внутри, заданной, магнитного, поля, экрана
...тока в соленоиде.При охлаждении экрана до 77,4 К (температура жидкого азота) в неэкранированном пространстве в экране захватывается магнитное поле Земли с продольной составляющей 0,46 Э. При изменении внешнего магнитного поля Нвнеш создаваемого соленоидом, от 0 до - 11,0 Э поле внутри экрана остается неизменным и равным 0,46 Э,ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТВЕДОМСТВО СССР1639363 Из таблицы следует, ч ния поля наЬ Н= 0,1 экрана уменьшается и чере ся равным чувствительност го датчика - 2,2 10 2 Э, С по показаниям феррозонд тается на уровне его чувст о после измене- Э поле внутри 8 мин становит- и феррозондововременем поле вого датчика осительности в теоставитель А,Семеновехред М.Моргентал Корректор С.Юск Н.Кол Реда аказ 1968 Тираж...
Способ получения сверхпроводящих пленок
Номер патента: 1610801
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Дубовик, Космына, Семиноженко
МПК: C04B 35/00
Метки: пленок, сверхпроводящих
...суспензию с взвесью мелкой фракции в исходный бюкс, После отстаивания суспензии в течение 3 ч раствор сливают, а мелкую фракцию ВТСП просушивают, Размер зерна такой фракции б - 1 - 5 мкм.Рассчитывают навеску мелкой фракции В 1-ВТСП и А 9202 по формуле, например, для состава В 25 г 2,БСаолСц 20 з (В 2-ВТСП): (1- х)ВЫг 2,БСаоБСО 20 в + хА 902 (В 123 г 2,БСао,5 Сц 20 в)1- х (А 9202)х при опреде;,1610801 Формула изобретения Свойства сверх проводящих пленок, полученных по заявленному способу и поспособу-прототипу,Способ (пример) Температ. обх ига, С Скорость Скоростьнагрева оклажд град/ч град/ч Соле рж;наполнит,АггО г,мас. % Время выдержки, мин Ха акте истика пленок Тс ТС) 1 К микротвердость,ГПаСпособ прототип (поткжкя моно. 11 ет Нет...
Способ получения высокотемпературного магнитного экрана
Номер патента: 1586095
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Загоскин, Литвиненко, Малько, Могилко, Павлюк, Пирогов, Помазунов, Рамакаева, Семиноженко, Шешина
МПК: C04B 35/00
Метки: высокотемпературного, магнитного, экрана
...90,5 К; ЬТсо = 2,8 К, 1 табл,ного интервала перехода в сверхпроводящее состояние.П р и м е р, Порошоксверхпроводящего состава УВа 2 Соз 07- засыпают в цилиндрическую пресс-форму из закаленной стали, в которую плотно вставлен цилиндр из вакуумной резины с внутренним отверстием, соответствующим по диаметру внешнему диаметру прессуемой заготовки. После засыпки порошка в отверстие резинового цилиндра его плотно закрывают вкладышем из вакуумной резины и сверху вставляют пуансон.Прессование проводят на прессе Д 24 34 В. прикладывая давление 900 МПа в течение 15 мин, Отпрессованную заготовку изме 15 б 15 6 15 8,0 7,7 7,9 7,8 7 7 7 Пред- лагае- мый 5 5 5 1060 2060 15 50 60 7,60 60 60 50 70 9 30 30 20 ОО ОО ОО ыи бработки; ого поля;дящего...
Устройство для радиационного контроля
Номер патента: 1457604
Опубликовано: 15.09.1992
Авторы: Вербицкий, Рыжиков, Селегенев, Семиноженко
МПК: G01T 1/202
Метки: радиационного
...7 пТе,Бе иЫТе,Я соответственно.Предлагаемое устройство работабет в двух режимах: беэ подачи напря-,жения от внещнего источника на Фотоприемник н при его подаче на Фотоприемник (лавинный Фотодиод). В первом режиме свет от сцннтиллятора пой 6падает на Фотопокрытие из А В, генерируемая Фото-ЭДС поступает на регистрирующее устройство, Характерис"тики заявляемого устройства таковы,что при воздействии ичлучения около 1 я0,1 р/ч ЭДС на выходных клеммах Фотоприемника составляет 10 мВ, ток-10-20 мкА, Это позволяет использовать н диапачоне мощностей доз ОэФ2 10 Р/ч устройство,включающее де птектор и систему регистрации беэ усилительных каскадов и источников питания, что обеспечивает высокую радиационную стойкость и стабильностьустройства в...
Зубной имплантат
Номер патента: 1750673
Опубликовано: 30.07.1992
Авторы: Бессонов, Литвинов, Любомудров, Нападов, Семиноженко
МПК: A61C 8/00
...сингонии; 1,0 мм и засыпали ихв питатель плазменнойто получается прочное соединение; моно горелки 6 установки ОПУ-ЗД, Затем в плазкристалл - монокристаллические зерна, В ме аргона нанесли покрытие на группу иэ 50то же время рельеф покрытия, состоящий из трубок, вставленных в штыри 8 вращающебольшого количества различных кристалло- гася диска 9, как показано.на фиг, 3.графических плоскостей, способствует сра- При.пролете зерна частично оплавистанию с костной тканью и остеогенезу. 10 лись, но не потеряли первоначальную криЕсли в покрытии образовалась пора - это не сталлографическую ориентацию,приводит к нежелательным явлениям, так Разнотолщинность покрытия боковой покак костная ткань проникает к инертному верхности трубок,...
Способ преобразования дневного света в свет, поглощаемый хлорофиллом
Номер патента: 1642749
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Бондаренко, Винецкая, Дюмаев, Кормилова, Красовицкий, Крыжановский, Сальвицкая, Семиноженко, Цветков, Чеголя
МПК: C09K 11/06
Метки: дневного, поглощаемый, преобразования, свет, света, хлорофиллом
...в концентрации 0,3 мас,%,полученный как в примереВыходные данные по преобразованиюсветаеф ма кс.аогеоь 1 ени Ю330 и 560 цмФ маг, люминеоценсии440 пбЧ циВ отн,люминесценции 5Пропускание прн20 ф 675 нмРассеяние приЯ 65 нм 25%Интенсивность преоб. разованного света25 при Я 675 нм 1207,П р и и е р 7. Дцевцой спет фильтруют через пленку толщццой 50 мкм,включающую дневной флуоресцентный пигмент в концентрации Р, мас.Т,цплу 30 ченный как в примере 6 (ццлиаидувльного люминесцентцого красителя - родямина С в пленке 0,007 мас.%),Выходные данные по пр"образованиюсвета:Пропускаиие приЯ 675 цм 89%Рассеяние при675 нм 34%Интенсивность преобразованного света приЯ 675 нм25 8 отн,люмине, цендии . б11 ропускание вобластиМаксимального поглоще"ния...
Полимерная композиция для сельскохозяйственной пленки
Номер патента: 1602024
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Бондаренко, Дроздов, Колодяжный, Кормилова, Крайнов, Красовицкий, Ломоносов, Сальвицкая, Семиноженко, Сердечная
МПК: C08K 5/04, C08L 23/06, C08L 81/10 ...
Метки: композиция, пленки, полимерная, сельскохозяйственной
...измельчают до размера частиц 5"50 мкм,Получают порошок с температурой раз" мягчения 125"С 1 Выход 322 г.Пр и мер,2 вПолучение полимерной пленки, Полиэтилен маркй 108-08 массой 33,3 кг(100 мас,ч,) опудривают порошком МПмассой 1 кг (3 мас,ч 1) и далее пленку получа 1 от как п примереМП получают как описано в примеРе 1тельное стабилизирующее действие в процессе эксплуатации.. ИП частично поглощает И(-радиацию с длиной волны 8-15 мкм, вследствие чего улучшаются теплоизоляционные свойства пленки.МП в пленке находится в виде тон, кой дисперсии, пропускающей и много кратно преломляющей попадающие в 1 О пленку лучи, а за счет этого значительная их доля выходит из пленки . в виде рассеянного света.. ,Получение полимерной пленки. В сМесителе типа...
Термостойкое покрытие
Номер патента: 1737035
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Дмитрик, Мизяк, Момот, Патон, Притула, Пузиков, Семенов, Семиноженко
МПК: B23K 10/02, C30B 23/02, C30B 29/04 ...
Метки: покрытие, термостойкое
...гексагональных алмазов,имеющих форму эллипсоидов вращения с30 осями 9 - 10 А и 5 - 6 А. Граничные участкимежду ними представляют собой совокупность одиночных тетраэдров. Причем объемграничных участков в 1,4 - 1.6 раза превышает объем упорядоченной области,35 Кроме того, структура кристаллитов является текстурированной - большие оси эллипсоидов ориентированы в направлении0001. Учитывая, что ориентация выделенных направлений связана, видимо, с на 40 правлением передачи энергии и импульсаиона пленке, ориентация больших осей кристаллов 0001 нормальна поверхностипленки, Структура пленки содержит высокую концентрацию дефектов ввиду того, что45 тетраэдры граничных областей не взаимодействуют друг с другом, и степень заполнения ими...
Устройство для гипотермии поджелудочной железы
Номер патента: 1602513
Опубликовано: 30.10.1990
Авторы: Зайцев, Криворучко, Пеев, Пикенин, Резниченко, Семиноженко
МПК: A61F 7/12
Метки: гипотермии, железы, поджелудочной
...15 сегментного выреза. Все секции 2 снабжены термодатчиками 4 и эластичными двухстенными клапанами 5, содержашими регулируюшее скорость отвода хладагента кольцо 6, трубку 7 с отверстием 8, внутреннюю эластичную оболочку 9, с расположенным на ее поверхности капилляром 10, а также наружную эластичную оболочку 11 с капилляром 12. Кроме этого, секции, предназначенные для охлаждения головки и средней части поджелудочной железы, снабжены штуцерами 13, 14, соединенными грушей 15, содержашей клапана прямого и обратного действия.Устройство работает следу юшим образом.Охлаждаюший эластичный баллон 1, со 30 стороны сегментного выреза накладывается на поверхность поджелудочной железы, Вследствие теплопритока от ткани хладагент, например хлорэтил,...
Способ определения трехвалентной меди
Номер патента: 1599766
Опубликовано: 15.10.1990
Авторы: Лебедь, Панталер, Семиноженко
МПК: G01N 31/22
Метки: меди, трехвалентной
...Цель изобретения производимости анализпроцесса.П р и м е р, 0,02 г измельчпробы помещают в коническую кона 50 мл, содержащую 2 мл хлорили нитрата кобальта (11) с корацией 0,1 моль/ (в раство0,02 моль/1), 1 .мл ацетатногоного раствора с концентрациейрН 4,55, 2 мл динатриевой солилендиаминтетрауксусной кислотылона Б) и 5 мл воды, Содержимо 11) 5,6 + 0,3%.ены сопоставительделению меди дящих оксидных магаемому и извест1599766 В табл.4 приведены данные по определению меди (1 П) при разных значениях концентраций трилона Б,Предложенный способ позволяет повысить воспроизводимость анализа- относительное стандартное отклонение 0,03 (в изввестном - 0,12) и упростить процесс за счет исключения использования инертной атмосферы. Формула...
Устройство для охлаждения переливаемых лекарственных веществ
Номер патента: 1438804
Опубликовано: 23.11.1988
Авторы: Гурьев, Пикенин, Резниченко, Семиноженко
МПК: A61M 1/02
Метки: веществ, лекарственных, охлаждения, переливаемых
...снижения температуры протекакицего лекарственного вещества. Формула иэ обре те ния Составитель М.Позняк Техред Л.Сердюкова Корректор Э.Лончакова Редактор А.Шандор Заказ 5992(9 Тираж 541 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к медицинской технике, а именно к системам охлаждения переливаемых лекарственных средств одноразового или много кратного пользования в хирургии и терапии.Целью изобретения является обеспечение поддержания постоянной температуры переливаемых лекарственных 10 веществ.На чертеже показана конструкция устройства для охлаждения переливаемых...
Нож для отсечения нити
Номер патента: 1438746
Опубликовано: 23.11.1988
Авторы: Гурьев, Косенко, Резниченко, Семиноженко, Фомин
МПК: A61B 17/32
...нож для отсечения нити, общий вид; на Фиг.2 - сечение А-А на Фиг.1.Нож для отсечения нити содержитэластичное кольцо 1 с поперечным пазом 2, выполненным на утолщенной части 3 кольца 1, Нож содержит также 2 Орасположенную над пазом 2 обойму 4,внутри которой закреплен режущий эле"мент 5, размещенный в пазу 2,Нож работает следующим образом,При сгибании пальца эластичное 25кольцо 1 плотно облегает первый иливторой сустав пальца, на котором онорасположено. Благодаря деФормациикожного покрова в области суставаразмер пальца увеличивается в обьеме, 3 Овследствие чего кольцо растягивается,а утолщенная часть 3 пазом 2 в сред" ней части, облегая сустав, изгибается. Таким образом обойма 4 с расположенным в ней режущим элементом 5 приподнимается и...
Двухвходовое устройство приоритета
Номер патента: 1396143
Опубликовано: 15.05.1988
Авторы: Кобец, Прахов, Пшисуха, Семиноженко
МПК: G06F 9/50
Метки: двухвходовое, приоритета
...через элемент И 14 и определяет момент окончания обслуживаниязапроса первого канала, при этом навыходе 9 фиксируется потенциал логического нуля, а потенциал логической единицы на выходе элемента И-НЕ6 разрешает прохождение сигнала синверсного выхода триггера 2 черезэлемент И 8 на выход 1 О, что соответствует обслуживанию запроса на выходе 4, причем триггер 7 переводитсяв единичное состояние и потенциаломлогического нуля на инверсном выходе блокирует прохождение сигналов свыхода триггера 1 через элемент И 5на выход 9 и поддерживает на выходеэлемента И - НЕ 6 потенциал логическойеципид.Импульс сброса на входе 21 устанавливает триггер 2 в единичное состояние через элемент И 15 и определяетмомент окончания обслуживания запроса второго...
Устройство для формирования временных интервалов
Номер патента: 1339540
Опубликовано: 23.09.1987
Авторы: Кобец, Прахов, Пшисуха, Семиноженко
МПК: G06F 1/04
Метки: временных, интервалов, формирования
...на30 вход пуска устройства, Причем длительность входного сигнала регламентируется импульсным временным дискриминатором 5, По длительности входного сигнала, большей заданной для им1339540 лучения возможности формировашя последовательности временных команд,задаваемых в широких пределах и безвзаимных ограничений по длительности.Формула и з о б р е т е н и яУстройство для формирования временных интервалов, содержащее генератор фиксированных частот, коммутатор,1-декадный счетчик, 1 дешифраторов,два элемента ИЛИ, формирователь импульсов, причем группа выходов генератора фиксированных частот соединенас группой информационных входов коммутатора, выход которого соединен сосчетным входом 1-декадного счетчика, .вход сброса которого соединен с...
Устройство для контроля запоминающих матриц на магнитных пленках
Номер патента: 773736
Опубликовано: 23.10.1980
Авторы: Август, Семиноженко
МПК: G11C 29/00
Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках
...к соответствующим входам и выходам регистра сдвига.На чертеже изображена блок-схема устройства.7737 36 Устройство содержит генератор 1импульсов, элемент И 2, регистр 3 сдвига, выполненный на триггерах 3, 1 - ЗВ,коммутатор 4, блок 5 индикации, блок6 управления, блок 7 местного управления, счетчик 8 адреса, дешифратор 9адреса, формирователь 10 разрядноготока, элементы ИЛИ 11; 1 - 11 в, шины 12 и 13 обратной связи, адресный14 и разрядный 15 выходы устройства, 0первый 16 и второй 17 управляющиевыходы коммутатора,Выход генератора 1 импульсов соединен с одним из входов блока 6 управления и первым входом элемента И 2.Первый выход блока 7 местного управления подключен ко входу счетчика 8 адреса, выход которого соединен со входомдешифратора...