Рыжиков — Автор (original) (raw)
Рыжиков
Устройство формирования и сканирования характеристик направленности многоэлементной антенны
Номер патента: 1840757
Опубликовано: 27.04.2009
Авторы: Рыжиков, Соловьев
МПК: G01S 7/52
Метки: антенны, многоэлементной, направленности, сканирования, формирования, характеристик
Устройство формирования и сканирования характеристики направленности многоэлементной антенны, содержащее два квадратурных канала, каждый из которых включает себя многоканальный коммутатор, входы которого подключены к приемникам антенны, и квадратор, а также многопрограммное управляющее устройство, отличающееся тем, что, с целью обеспечения возможности формирования характеристики направленности антенны любой конфигурации, в него введен безынерционный сумматор, выполненный, например, на резисторах, входы которого подключены к выходам квадраторов, а в каждый квадратурный канал введен многоканальный сумматор с памятью, выполненный, например, на RC-элементах, входы которого подключены к выходам многоканального коммутатора, а выход - ко входу...
Устройство для записи синхроимпульсов
Номер патента: 1840755
Опубликовано: 27.04.2009
Авторы: Кузнецов, Матвеев, Рыжиков, Чернобродов
МПК: G11B 5/02
Метки: записи, синхроимпульсов
Устройство для записи синхроимпульсов, содержащее блок задержки, схему совпадения, триггер и переключатели, а также стирающую, воспроизводящую маркерные импульсы и универсальную магнитные головки, первая из которых через отдельный переключатель соединена с источником постоянного тока, вторая - непосредственно с выходом триггера, а третья - с одним из входов схемы совпадения, отличающееся тем, что, с целью упрощения электрической схемы и повышения надежности работы устройства, блок задержи, схема совпадения и триггер соединены между собой последовательно, при этом второй вход триггера связан с входом указанного блока задержки и с подвижным контактом второго переключателя.
Устройство получения синхроимпульса
Номер патента: 1840627
Опубликовано: 27.06.2007
Авторы: Матвеев, Рыжиков, Чернобродов
МПК: G11B 27/00
Метки: синхроимпульса
Устройство получения синхроимпульса, содержащее магнитный барабан, головки и переключатели, отличающееся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости и надежности оно выполнено со схемой совпадения, связанной одним входом через элемент задержки и переключатель, а выходом - непосредственно с универсальными головками, другим входом - с головкой воспроизведения маркерных импульсов с упомянутого барабана, при каждом обороте которого на его дорожках осуществляется перезапись синхроимпульса с задержкой на один такт маркерных импульсов, при этом стирающие головки связаны с генератором также посредством переключателя, срабатывающего при вращении магнитного барабана.
Способ нагружения полых изделий при испытаниях их на прочность и герметичность
Номер патента: 1628680
Опубликовано: 10.10.2006
Авторы: Желтов, Рыжиков, Савватеев
МПК: G01N 3/12
Метки: герметичность, испытаниях, нагружения, полых, прочность
1. Способ нагружения полых изделий при испытаниях их на прочность и герметичность, заключающийся в заполнении их жидкостью с сохранением воздушного пространства, герметизации полости и нагрева изделия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности нагружения многополостных изделий, объем Voi воздушного пространства каждой полости определяют из соотношения где Pиспi - испытательное давление для данной полости;Vi - объем данной полости изделия; i - коэффициент объемного расширения...
Способ тепловых и гидравлических испытаний жидкостно-жидкостных теплообменных аппаратов и стенд для его осуществления
Номер патента: 1074193
Опубликовано: 27.05.2006
Авторы: Желтов, Рыжиков, Савватеев, Сарафасланян, Шаров
МПК: F28D 15/00, F28F 27/02
Метки: аппаратов, гидравлических, жидкостно-жидкостных, испытаний, стенд, тепловых, теплообменных
1. Способ тепловых и гидравлических испытаний жидкостно-жидкостных теплообменных аппаратов путем поддержания температуры рабочих жидкостей с помощью рекуперативных теплообменников, включенных в рабочие и вспомогательные контуры, при доводке температуры вспомогательных жидкостей до величины, обеспечивающей заданную температуру рабочих жидкостей, и поддержания их расхода во всех контурах на требуемом уровне, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени испытаний, повышения точности замеров температур и снижения энергозатрат, предварительно вспомогательные контуры переключают на замкнутую циркуляцию вне рекуперативных теплообменников, а доводку температуры вспомогательных жидкостей...
Способ переработки бензиновых фракций вторичного происхождения
Номер патента: 1807721
Опубликовано: 10.12.1996
Авторы: Бочкарев, Вязков, Габутдинов, Гусев, Иванова, Каменский, Козлова, Мухитов, Рыжиков, Шалимова, Юсупов
МПК: C10G 65/12
Метки: бензиновых, вторичного, переработки, происхождения, фракций
...(111) имеет состав, мас, : Р 1 0,3; БпО 0,1; Р 0,1; СВКц 2; цеолит РЗСат 1; у-А 120 з 96,5, насыпная плотность 650 кг/м, коэффициент прочности 1,5 кг/мм.Процесс на приготовленных катализаторах (1, 11, 111) проводят с использованием легкой смолы пиролиза (ЛСП) следующего качества: содержание ароматических углеводородов (АУ) С 6-Св 67 - 70 мас,7 йодное число 150 - 200 г Хг/100 г, содержание серы-45 С, К.К, -210 С, Состав катализатора П, мас,: МоОз 8;0 - 200 мл/г. При СгОз 3; Р 205 1; цеолит Н-морденит 40ервом реакторе и при у-А 120 з 48, насыпная плотность 600 кг/море, объемной скорости коэффициент прочности 1,1 кг/мм.ч 1, давлении 3 МПа, Состав катализатора П 1, мас.о: Р 1 0,4;) 1000 нм /м сырья, Бп 0,2; Р 0,2; СВК-цеолит 3;...
Способ получения морфолина
Номер патента: 1609093
Опубликовано: 25.07.1995
Авторы: Заикин, Клигер, Лесик, Локтев, Марчевская, Рыжиков
МПК: C07D 295/02
Метки: морфолина
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОРФОЛИНА из диэтиленгликоля и аммиака в газовой фазе в проточном реакторе при повышенной температуре и давлении 1 3 МПа в присутствии водорода и гетерогенного катализатора, содержащего оксиды меди и хрома, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, процесс осуществляют при температуре 255 280oС, скорости подачи диэтиленгликоля 0,25 0,4 ч-1, молярном соотношении диэтиленгликоля, аммиака и водорода 1 (30 50) (30 160) в присутствии катализатора, содержащего следующие компоненты, мас.Оксид меди 50 60Оксид цинка 20 30Оксид алюминия 2 20Оксид хрома 3 5Графит 3 5
Комбинированный детектор ионизирующих излучений
Номер патента: 1623451
Опубликовано: 15.01.1994
Авторы: Гуляев, Квятковская, Рыжиков, Сохин
МПК: G01T 1/20
Метки: детектор, излучений, ионизирующих, комбинированный
...детекторы с различными вариациями кристаллов: 2 пЯе(Те) - в качестве первого сцинтиллятора, СВ/О - в качестве второго; СОЯ(Те) - в качестве первого сцинтиллятора, ВСО - в качестве второго; Сб 5(Те)- в качестве первого сцинтиллятора, САНЧО - в качестве второго.Наблюдается повышение рентгеночувствительности детекторов, обусловленное увеличением светового сигнала, поступающего на фотодиод за счет высокого коэффициента преобразования (0,8-0.9) светового потока первого сцинтиллятора во втором и практическое отсутствие потерь в оптическом тракте. Второй сцинтиллятор является прозрачным для фотонов излучения первого сцинтиллятора. что иллюстрируется фиг.2, на которой представлены спектры излучения сцинтилляторов:кривая 4 - СзЗ(Те),...
Блок детектирования ионизирующего излучения
Номер патента: 1519382
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Говорова, Горишний, Квитницкий, Романенко, Рыжиков
МПК: G01T 1/20
Метки: блок, детектирования, излучения, ионизирующего
...толщину де;екторэ и детекторы пасОл ага ;ся вптотнуо. В го же время 1 олниипнэ дс-ектор Ожет быть4-, :0 10 20 25 30 л 0 еыбрдна и; оиэвольной с тел", чтобы Обеспечить максил 1 алы 1 у 1 о для данной энергии излучения чувс аительность детектора. При этом размер входного окна и соответственно раэреша ощая спосооность детектора ос, дю и.".я 1 "ИЗМ Е 1: Н Ь МИ, Форма прямоугольного треугольника и нанесение фотоприемного устройства на его гипотенузу выбраны исходя из того, что для фиксированнои толщины детектора, т.е, высоты треугольника, наибольшую длину имеет гипотенуза треугольника, что обесг 1 ечивает наиболее высокую чувствительность детектора. Помимо этоо, способ изготовления детекторов указанной формы наиболее технологичен, тдк кпк...
Способ синтеза и наплавления шихты германоэвлинита и устройство для его осуществления
Номер патента: 1649852
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Загвоздкин, Кривошеин, Литичевский, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 11/00, C30B 29/22
Метки: германоэвлинита, наплавления, синтеза, шихты
...теплового поля и улучшает качество кристалла, а предотвращениеразрушения и продление срока эксплуатации платинового тигля снижает себестоимость кристалла;Скорость охлаждения до 970+70 С недолжна превышать 200 С/ч, так как дальнейшее увеличение скорости приводит к неравномерному затвердеванию расплава идеформации рабочего тигля, с другой стороны скорость менее 50 С/ч неоправданноувеличивает продолжительность процессаи, следовательно, его себестоимость.Скорость дальнейшего охлаждения должна быть не менее 200 С/ч, так как применьшей скорости возможно образование.метастабильных фаэ, и не более 600 С/ч,так как при большей скорости происходитместная закалка и появление хрупкости тигля.Наличие бункера позволяет производить весь процесс...
Устройство для электроснабжения потребителей
Номер патента: 1830586
Опубликовано: 30.07.1993
Авторы: Доброхотов, Колпаков, Мандрик, Пешехонов, Пранцузов, Прокопенко, Рыжиков
МПК: H02J 3/00
Метки: потребителей, электроснабжения
...выключателями низшего напряжения 28, 29 и 30,Устройство работает следующим образом. Секционный выключатель высшего напряжения 1 отключен, Количество рабо(57) Исп роткого высшег ние ост денной устройс телей, с включе повыша нители, секцион пряжен ользование, ограничение токов козамыкания на одной системе шин о напряжения (СШВН) и увеличеаточного напряжения на неповреж- СШВН, Сущность изобретения: в тве для электроснабжения потребиадержащем две СШВН, генераторы, нные на СШВН через выключатели, ющие трансформаторы и разъедипопарно соединены между собой ными выключателями низшего наия. 1 ил.1830586 4 Составитель Н. ПешвхонТехред М. Моргентал Н, Милю орр РЕдактор С. Коля Заказ 2525 Тираж Подписное ВИИИПИ Государственного комитета по...
Способ термообработки кристаллов германата висмута
Номер патента: 1828882
Опубликовано: 23.07.1993
Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки
...разрешения согласно ГОСТ 17038-079 и ГОСТ17038.7 79. Затем их помещают в ампулы иэоптического кварца вместе с навесками порошка В 20 з квалификации ос,ч, иэ расче.та 3,3-5,3 г на 1 м объема ампулы. Ампулы-3вакуумируют до остаточного давления 10мм рт.ст, запаивают и помещают в электропечь сопротивления. Печь нагревают в режиме 75-200 град/ч, После достижения1000 + 80" С температуру печи стабилизируют. В изотермическом режиме ампулы выдерживают 0,5-1,0 ч, Охлаждение печиосуществляют, как и в прототипе, сначала соскоростью 50-100 град/ч до 930 + 30 С идалее со скоростью 100-200 град/ч. Прикомнатной температуре ампулы извлекаюти вскрывают. Поверхности сцинтилляторовснова полируют, после чего проводят измерения сцинтилляционных...
Способ осаждения конденсатных пленок заданной толщины
Номер патента: 1820304
Опубликовано: 07.06.1993
Авторы: Рыжиков, Скарлыгина, Фискинд
МПК: G01N 17/00
Метки: заданной, конденсатных, осаждения, пленок, толщины
...и емкостью.Способ реализован на установке, принципиальная схема которой приведена на чертеже,На внутреннюю сторону предварительно снятой крышки 1 с помощью микропидетки наносили рассчитанную порцию воды 2, после установки крышки на основание 3 из гидрофобного материала (фторопласт) крышку нагревали электронагревателем 4, а образец 5 охлаждали до температуры ниже соответствующей точки росы с помощью пропускаемой через него воды с заданной . температурой. Температуру испарителя и(57) Изобретение относится к осаждению конденсатных пленок заданной толщины на поверхности исследуемого обьекта, установленного в герметичной емкости с водой в атмосфере ее паров и охлаждаемого ниже температуры точки росы. С целью сокращения трудоемкости в...
Способ обработки кристаллических элементов на основе селенида цинка
Номер патента: 1630334
Опубликовано: 15.05.1993
Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Рыжиков, Силин
МПК: C30B 29/48, C30B 33/02
Метки: кристаллических, основе, селенида, цинка, элементов
...полного удаления воздуха и затем нагревают до 1000 - 1080 С, выдерживают при заданной температуре 3 - 10 ч, после чего температуру снижают со скоростью 200 С/ч, при комнатной температуре отключают проток водорода и извлекают элементы. По известной технологии 30 получения сцинтилляционного материала из легированного селенида цинка с целью создания центров люминесценции элементы ЛпЯе(Те) дополнительно отжигают в насыщенных парах цинка. Для чего данные элементы помещают в кварцевые ампулы вместе с навесками цинка, необходимыми для создания насыщенных паров цинка. Ампулы вакуумируют, запаивают и выдерживают при 1000 С в течение 24 ч, После повторной шлифовки и пол ировки измеряют коэффициенты поглощения и ослабления элементов, которые...
Способ термообработки оптических элементов из селенида цинка
Номер патента: 1526303
Опубликовано: 07.05.1993
Авторы: Гальчинецкий, Рыжиков, Старжинский, Файнер
МПК: C30B 29/46, C30B 33/00
Метки: оптических, селенида, термообработки, цинка, элементов
...относится к обработке кристаллов, конкретно селенидд цинка, и позволяет уменьшить их коэффициент оптического поглощения в инфракрасной области, Иэ кристалла селенида цинка резкой, шлифовкой и полировкой получают оптический элемент, Элемент подвергают термообработке в атмосфере насыщенного пара еллура при 1000-1050" С в течение 40-44 ч, Достигают уменьшения коэффициента оптического поглощения по длине волны 10,6 мкм до 3,5 10 см . 1 табл,электропечь сопротивления. Температуру в печи доводят до 1000 С, оыдержиоаот при этой темературе 40 ч, здтел печь выключдют, После остыоднил печи до комнатной температуры ампулу вынимают, разбивают ее, извлекают оптические элементы и измеряют их коэффициенты поглощения, которые оказываотся равными...
Способ термообработки сцинтилляционных кристаллов
Номер патента: 1609211
Опубликовано: 23.04.1993
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Зеленская, Кривошеин, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/04
Метки: кристаллов, сцинтилляционных, термообработки
...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...
Сцинтилляционный материал
Номер патента: 1075726
Опубликовано: 15.04.1993
Авторы: Битеман, Вербицкий, Рыжиков, Сенчишин
МПК: C09K 11/08
Метки: материал, сцинтилляционный
...его к мягкомуу-излучению,В качестве органической дисперсионной среды по данному изобретению используют любые прозрачные полимеры, необязательно обладающие сцинтилляционными свойствами, или сцинтилляционнуюпластмассу,Поликристаллы твердых растворов соединений А В из указанной выше группыполучают следующим образом.Смесь соединений АиВф, которая может также содержать соединения активатооов, помещают в кварцевую ампулу, имеющую два патрубка в противоположных торцах ампулы, Входной патрубокподсоединяют к камере с инертным газомили водородом, находящимся под давлением 1,05 атм. выходной патрубок имеет выходв водяной затвор, Инертный газ или водород заполняют обьем ампулы и выходят через выходной патрубок, очищая ампулу откислорода и азота,...
Способ определения деформаций поверхности изделий
Номер патента: 1795270
Опубликовано: 15.02.1993
Автор: Рыжиков
МПК: G01B 11/16
Метки: деформаций, поверхности
...отражатель ортогонально по отношению к первому, направляют пучок излучения на одну из его граней и регистрируют характеристики излучения, отраженные от другой грани, о деформациях поверхности изделия судят по измеренным значениям смещений отражателей, а направление пучка излучения и регистрацию характеристик отраженного излучения производят одновременно для обоих отражателей.На фиг,1 показан вид на подвижную и неподвижную части литьевой формы; на фиг.2 показан разрез А-А на фиг.1; на фиг.3 - разрез Б-Б на фиг.1.Способ измерения смещения полуформ литьевой формы заключается в том, что в подвижной полуформе 1, содержащей пуансон 2, центрирующие втулки 3, размещают ортогонально друг другу два уголковых отражателя - угловых зеркала 4 и 5. В...
Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения
Номер патента: 1436794
Опубликовано: 15.02.1993
Авторы: Вербицкий, Рыжиков, Селегенев, Силин
МПК: G01T 1/20, H01L 31/0296
Метки: детектор, излучений, интегральный, ионизирующих, полупроводниковый
...эцс ггий лццицской вычислительцсй тол грдфии,эффективность регистрации вьппе цд20-307 чем ожидаемая, Более лс тдцьное исследование показало, что повышение чувствительности связдно свк.цдлом самого фотоприемцикд в преобразование энергии цоциэируюпцгоизлучения в электрическую, т.е. гетероцереход работает кдк полупроводниковый детектор ионизирующих излучений.При нанесении фотоприемццкд в виде оболочки Фотоприемник одцонременно работает как детектор и ионизирующего, и светового излучения.Приэтом повышение фоточувствительцостифотоприемника превьппдет ожидаемое втом случае,если приемник используется только как полупроводниковый детектор излучений. Специально проведенные исследования на фотоприемниках показали, что при одинаковой(по срдяцению...
Способ получения углеводородов и катализатор для его осуществления
Номер патента: 1792934
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Иванова, Каменский, Межидов, Нестеров, Рыжиков, Савина, Тарасов, Утебаев
МПК: C07C 4/04, C08J 11/10
Метки: катализатор, углеводородов
...в количестве 23 -8 30; СоО 10; 310 р 10; МоОз 2; 303 0,1; 45 0,064 г, вводят: 61 г Н-морденита, 30,5 г Н - А 1 Оз 22,9; М 905.ЕЯМ, 0,683 г (ИНа)рМо 04, 1,57 г талька,Опыт проводят по условиям примера 1, 0,858 г Со(ИОз)2, далее - как в примере 2, тоЛько в качестве исходного сырья исполь- Готовый катализатор имеет состав, мас.ф: эу тся смесь (1:1) измельченных ПЭНД и Н-морденит 61; Н - 23 М30,5; СоО 0,35; П ВД, . 50 3102 0,5; М 90 0,25; МоОз 0,5; ЗОз 0,05; , Результаты представлены в табл, 1, АЬОз 6,85.П р и м е р 3. Катализатор готовят по Катализатор указанного состава облапр меру 1, только на соответствующих ста- дает низкой механической прочностью, что ди х приготовления берут гидроксид алюми- не позволяет его использовать в опытах...
Роторная машина для горячей обкатки цилиндрических заготовок
Номер патента: 1792779
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Гончаров, Капорович, Рыжиков
МПК: B21D 51/02
Метки: горячей, заготовок, обкатки, роторная, цилиндрических
...долговечности,На фиг, 1 изображена роторная машина для горячей обкатки цилиндрических заготовок, общий вид; на фиг, 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - расположение деформирующих роликов на цилиндрическом корпусе.Роторная машина для горячей обкатки цилиндрических заготовок состоит из станины 1, смонтированного на ней приводного вала 2, на котором аксиальноустановлены жестко связанные с ним барабаны 3 и 4. На барабане 3 смонтированы шпиндели 5. а на барабане 4 - аксиально шпинделям толкатели 60 получающие возвратно-поступательное перемещение от кулачка 7, также расположенного на приводном валу 2 и жестко связанного со станиной. На эксцентричной относительно оси приводного вала втулке кулачка 7 в подшипниках качения 8 расположен...
Устройство для регистрации ионизирующих излучений
Номер патента: 1060035
Опубликовано: 07.02.1993
Авторы: Вербицкий, Комащенко, Круликовский, Мазин, Рыжиков, Силин, Фурсенко, Чалая
МПК: G01T 1/20
Метки: излучений, ионизирующих, регистрации
...изменение значения падения напряжения на сопротивлении нагрузки, к которому подключен вход опера"ционного усилителя,Входное Окно е 0 является частьюсцинтиллятора 3, через которую йонизирующее излучение попадает 9 объемсцинтиллятора. В используемых согласно изобретению полупроводниковыхсцинтилляторах которые ие йуедает" 38ся в защите от атиосФерного воздай"ствия, входное окно представляетиз себя механически обработайнуе етребуемой точйостье плоскость (какправило, торец цилиндра) иоиокрис" 4талла сцинтиллятора.Предложенное. устройство работаетследующим образом.В исходном состоянии между полу" ф проволником п-типа, которым являются сцинтиллятор 1 и низкоомный слой 2 сцинтиллятора, и полупроводником Р- типа, которым является...
Устройство для регистрации ионизирующих излучений
Номер патента: 766294
Опубликовано: 23.01.1993
Авторы: Вербицкий, Рыжиков
МПК: G01T 1/20
Метки: излучений, ионизирующих, регистрации
...Фотоприемников в этих устройствах обычно используют кремниевые Фотодиоды,максимум Фоточувствительности которых приходится на 900 нм, а в качестве сцинтилляторов - монокристаллыСя 1:ТЕ из соединений А В"ф или СдБ;:Те. из соединений А" В . Максимумспектра излучения их приходится на560 и 700-730 нм соответственно, онзначительно смещен относительно максимума фоточувствительности приемника, что ухудшает эффективность регистрации светового излучения.Большим недостатком всех известных устройств, включающих системусцинтиллятор-фотоприемник, являетсянеобходимость оптического согласования излучающего и принимающего светэлементов, а также их механическоесоединение. Эти недостатки в равноймере присущи системе сцинтилляторФЭУ и сцинтиллятор -...
Способ термообработки кристаллов германата висмута
Номер патента: 1784669
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Бороденко, Бурачас, Кухтина, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Метки: висмута, германата, кристаллов, термообработки
...сцинтилляцион- сцинтилляционного уровня кристаллов ных характеристик сцинтилляторов, вцре- ВОО. Сурьма, имея меньший атомный радизанных из одного кристалла, характерен ус,являетсяизовалентныманалогом висмубольшой разброс, Так, сцинтилляторы сли та, и поэтому может быть внедрена в нейными размерами 25 х 10 х 3 мм имеют све- подрешетку его оксида. Известно также, что товой выход от 11,2 до 16,3; а многие соединения сурьмы - хорошие люэнергетическое разрешение от 13,7 до минофоры, Пятиоксид сурьмы ЯЬ 205 - сое,5 О/о. динение устойчивое ниже 357 ОС, переходящееПредлагаемый способ принципиально 45 при более высоких температурах через отличается от аналогов составом кислород- ЯЬо 012 в ЯЬ 206 и далее в ЗЬ 20 з. Температусодержащей...
Роторная машина для обкатки цилиндрических заготовок
Номер патента: 1784479
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Гончаров, Капорович, Рыжиков
МПК: B30B 11/12
Метки: заготовок, обкатки, роторная, цилиндрических
...роторноймашины. При зтом сохраняется основноепреимущество машины-прототипа - обкат 4ка роликовым деформирующим инструментом,В предложенной конструкции полэунывыполнены подпружиненными и установлены на технологическом барабане соответственно каждому шпинделю с возможностьюрадиального перемещения перпендикулярно осям деформируемых заготовок, причемтолкатели всех ползунов получают перемещения в результате контакта с:одним кулацком,который установлен на копйрнойвтулке, жестко связанной со станиной. Сочетайие всех этих признаков; не встречающееся в извеСтных техййческих решениях,позволяет добиться поставленной задачи..На фиг, 1 показана роторная .машинадля обкатки цилиндрических заготовок; нафиг,2 - поперечный разрез роторной...
Полупроводниковый сцинтилляционный материал
Номер патента: 826769
Опубликовано: 30.12.1992
Авторы: Вербицкий, Носачев, Рыжиков
МПК: C30B 29/48, G01T 1/202
Метки: материал, полупроводниковый, сцинтилляционный
...изовалентного активатора, помимо соблюдения изложенного выше принципа объемной компенсации, необходимо выполнение также принципа частичной компенсации заряда, Это ДостигаетсЯ при использовании изовалентного активатора, существенно отличаю 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 щегося от замещаемого элемента не только ионным радиусом (что отражено в различии постоянных решетки), но и электроотрицательностью. При выполнении этого условия атом вводимого элемента частично компенсирует заряд образовавшегося точечного дефекта соответствующего знака и образует с ним комплекс (центр излучения), устойчивый до достаточно высоких температур,Авторами данного изобретения экспериментально установлено, что высокоэффективны такие полупроводниковые сцинтилляторы...
Способ получения омического контакта
Номер патента: 698450
Опубликовано: 15.12.1992
Авторы: Адольф, Вербицкий, Комар, Рыжиков
МПК: H01L 21/283
Метки: контакта, омического
...А 1(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А - В и-типа путемЧнанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кисло. родсодержащей среде, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Поставленная цель достигается тем, что на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Наличие второго слоя металла обеспечивает в процессе термообработки необхо- О димые условия, при которых индий, СО находясь в жидкой фазе, активно диффунди- ф рует в...
Медицинская игла
Номер патента: 1777901
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Балакишеев, Рыжиков
МПК: A61M 5/32
Метки: игла, медицинская
...разрыва. ткани во время истечения более мелких доз препарата через множество отверстий и, как следствие, способствует уменьшению болевых ощущений, быстрому усвоению препарата, чем достигается ускорение его воздействия на организм.Эта цель в предлагаемой игле медицинской, содержащей полую трубку с,глухим заостренным рабочим концом и отверстиями на ее боковой поверхности в зоне рабочего конца, достигается тем, что выходные отверстия (каналов на наружной поверхности иглы лежат в одной плоскости, пересекающей ее продольную ось.На фиг. 1 изображена предлагаемая игла медицинская, введенная в мышечную ткань; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1.Игла содержит трубку 1 с глухим рабочим концом 2. Сквозные каналы выполнены в стенке трубки 1...
Дробеметная установка
Номер патента: 1776227
Опубликовано: 15.11.1992
Авторы: Гущин, Рыжиков, Хоруженко, Чемерис, Шишкин
МПК: B24C 3/06
Метки: дробеметная
...плоскости стола до верхнего уровня опор, может меняться в значительных пределах. На выбор высоты влияют такие технические требования как априорно заданная высота 20 25 30 35 40 45 50 камеры и габариты обрабатываемых деталей, а также требования техники безопасности. Опоры должны иметь высоту 0,270,5 диаметра стола, При высоте опор менее 0,27 диаметра наименьший угол атаки составляет менее 30 град, что ведет к реэксму падению производительности очистки. Пи высоте опор более 0.5 диаметра стола эффективность от угла атаки возрастает незначительно, но увеличивается расстояние от дробеметного аппарата до обрабатываемой поверхности, а следовательно, происходит , значительное уменьшение плотности потока дроби и кинематической энергии дробинок....
Способ получения оптических линз
Номер патента: 1773956
Опубликовано: 07.11.1992
Авторы: Андрианова, Афанасьев, Ветров, Игнатенков, Рыжиков
МПК: C30B 29/12, C30B 29/20, C30B 33/00 ...
Метки: линз, оптических
...при изготовлении иэ них элементов Линзовой оптики. В оптически одноосных кристаллах, однако, существует единственное направление, при распространении вдоль которого луч света не разлагается на вышеуказанные компоненты. Это направление является осью кристалла, а заготовка оптической детали, плоскопараллельнэч пластинка, перпендикулярная этой оси, часто именуемая пластинкой 7.среза. Недостатком таких пластинок является то, что после придания поверхности пластины вогнуто-выпуклой формы лучи будут проходить вдоль направлений, отличных от оптической оси кристалла, что приведет к их разложению на компоненты и образованию двулучепреломления, тем большего, чем больше кривизна изготовляемых поверхностей, т.е, угол между направлением нормали к...