Выращивание эпитаксиальных слоев — C30B 23/02 — МПК (original) (raw)
Способ кристаллизации углерода
Номер патента: 117544
Опубликовано: 01.01.1958
МПК: C30B 23/02, C30B 29/04
Метки: кристаллизации, углерода
...затр ов проей.верды хиваемомере и,нных в себя устройс ью индукто ой в форме х с катода а распыляе енным с вые ествления в кой частоы для фокусиктромагнитной иц, с целью их ответствующеи осущысо тво для ра токов полусфе 2) с эл 1 ых час мками с способа заключается в том, что по- твердые модификации кристаллов и мет изооретен 1.Гпособ к твердый углер вакуумной или сталлизуют пар ре, на аноде. 2. Устройст с я тем, что, с тода, применяющийся тем, что ливаемый катод в мере, и далее криных в той же камеристаллизации углерода, о т л и ч а ю од распыляюг, помещая его на нак заполненной нейтральным газом к ы углерода на затравках, расположе во для о целью ф т катод ществления способа по п. 1, отл и ч а ю щ ееусирования потока частиц, распыляемых...
Способ получения монокристаллических пленок олова
Номер патента: 282298
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Лобода, Чайковский
МПК: C30B 23/02, C30B 29/02
Метки: монокристаллических, олова, пленок
...осаждения в таких условиях дает возможность получать пленки олова ориентации (020) в вакууме 5 10- 10мм рт. ст., в связи с чем упрощается аппаратурное оформление процесса,Получение пленок производится следующим образом. В качестве исходного материала используют олово чистотой 99,9998%, дополнительно очищенное зонной плавкой. Подложку Описываемый с для получения п следований в облИзвестные спос лических пленок на монокристалл ют получать плен условиях остаточ - 10 9 мл рт, ст. одложку из хлористого катемпературы 320 - 350 К, давлении газа 5 10- -размером 20 Х 20 люле устанавливают в полости вакуумной камеры на расстоянии 50 - 55 лм от испарителя исходного материала, Во время разогрева исходного олова подложку экра нируют,...
341519
Номер патента: 341519
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Джугастер, Катрич, Розенберг, Шаповалова
МПК: C30B 23/02
Метки: 341519
...12.Вся установка, за исключением диффузионного насоса, изготовлена из нержавеющей стали, собрана на металлических уплотнениях в виде колец из медной проволоки, зажатых между коническими поверхностями, Благодаря этому установка допускает прогревание до 400 С.Установка работает следующим образом.После размещения в кристаллодержателе образца 12 установку откачивают форвакуумным насосом 1, затем заливают жидкий азот341519 го 731 Тираж 40Подписно елам изобретений Министров СССР я наб., д. 4/5 каз 4115/4 а Изд.ЦНИИПИ Комитета пон открытий при СоветеМосква, Ж-З 5, Раушс ипография, пр. Сапунова в азотную ловушку 4 и включают диффузионный насос 2, Через 1 - 1,5 час начинают нагревание ростовой камеры. В течение 3 4 час камера нагревается до...
Способ получения термоэлектрических пленок
Номер патента: 1054461
Опубликовано: 15.11.1983
Авторы: Комиссарчик, Мейкшанс
МПК: C30B 23/02
Метки: пленок, термоэлектрических
...охлаждения свежеосажденных пленок со скоростью 200-:300 град/ч и отжига пленок при 620 К,Параметры пленок, полученных известным способом, составляют: коэффици-.ент термо-ЭДС сС) 200 мкв/град.,удельная электропроводнссть(б)850 омсм , параметр мощноститермоэлектрических пленок(о, б), определяющий эффективность термоэлектрического споссба преобразованияэнергии ф 31 мВ/град 2 ом.см.Однако в полученных пленках, как ус 30 .тановлено экспериментально, возникаютзначительные термические напряжения, вызванные различием коэффициентов линейного расширения подложки и пленки, Знак ,термических напряжений, пропорциональных ЬйТ , определяется тем,какой из коэффициентов линейногорасширения:,.подложки или пленкибольше, где Ь Р - разность коэффициентов...
Способ получения пленок n о
Номер патента: 1490167
Опубликовано: 30.06.1989
МПК: C30B 23/02, C30B 29/16
Метки: пленок
...состав и кристаллическую структуру пленки исследуют на электронном микроскопе ЭМВл. Электронно-графическим анализом показывают, что пленка диоксида ниобия монофазна по составу и эпитакспальна по структуре.Термическую устосиальной пленки оце1490167 25 лице. Температураподложкиград, К Давление кислорода, Р,Торр 5 1 О 1 10 1100 1100 5 103 10810 1100 1100 1100 1 10 1000 1 10 1 1 О 1050 1150 1 10 1 10 1200893 ходивших при нагреве непосредственно в колонке электронного микроскопа. Нагреву подвергают двухслойные элементы пленка-подложка толщину коФ5 торых берут соответственно 50 и 10 нм, Такой элемент получают при отделении пленки с помощью желатины от подложки, когда вместе с пленкой отрывается тонкий слой слюды.10При нагреве до температур...
Устройство для получения монокристаллических слоев
Номер патента: 1555400
Опубликовано: 07.04.1990
Автор: Жохов
МПК: C30B 23/02
Метки: монокристаллических, слоев
...в нужном направлении. Угловую ориен- тацию дефлекторов 5 осуществляют юстировочными винтами 11, Расстояние 1 в между.дефлектором 5 и подложкой 8 30 мм, от испарителя 3 до центра отражающей поверхности теплового дефлектора 5 60 мм. Расстояние меяду элементами устройства регулируют с . помощью рамки 2.Устройство работает следующим образом.Напыляемое вещество - селен помещают в испаритель 3, Верхняя сдсть испарителя 3 закрыта заслонкой (не показана), Все устройство помещено в вакуумную камеру (не показана), которую откачивают до давления остаточных газов 5 10 -10 мм рт.ст. Одновременно с откачкой производят нагрев испарителя 3 до 250 С для удаления газов, .содержащихся в селене, тепловых дефлекторов 5 до 230-250 С, паропровода 6 и...
Устройство для осаждения пленок твердых растворов
Номер патента: 1574697
Опубликовано: 30.06.1990
Авторы: Абдулзаде, Галущак, Заверуха, Сендерская
МПК: C30B 23/02
Метки: осаждения, пленок, растворов, твердых
...в испарителе, а затем в нижней части камеры. При прохождении паров через сопло упругая перегородка деформируется. Пары поступают в верхнюю часть камеры. При этом поддерживается определенное давление над испарителем и обеспечивается стабильность состава осаждаемых паров на подложке, Получают пленки (РЬЬе)(ЯпТе). 1 ил. стройство работает следую После загрузки испарителя 3 компонентами твердого раствора его устанавливают в нижней части камеры 1. Подложку 4 с системой охлаждения 5 и механической заслонкой 6 монтируют в верхней части камеры 1, затем ее вакуумируют. Нагрев камеры 1 до заданной температуры, необходимой для испарения компонентов твердого раствора, осуществляют подачей электроэнергии через электроды 2. Образуемые при...
Способ получения кремния
Номер патента: 1515795
Опубликовано: 07.01.1991
Авторы: Бабичев, Назарова, Страшинский
МПК: C30B 23/02, C30B 29/06
Метки: кремния
...до давления10 арпа. При установке реактора напротив его отФормула изобретения Преимущества предлагаемого способа по сравнению со способом-прототипом, заключается в том, что предлагаемый способ позволяет получить цэ элементарного кремния мишени, фильтСоставитель Б, БезбородоваРедактор 11.Самерхацова Техред Л.Олийнык Корректор Т.Палиц Заказ 673 Тираж 254 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета ло иэобретениям и открытиям при ГЕНГ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., и. 4/5 Производственно-иэдательсний комбинат Патент", г.ужгорол, ул. Гагарина, 10 3 1)1579верстия располагают подложку для чистого кремния,Реактор цэготавливают иэ тацталас толщиной стецок 50 мкм. Применяют5токовый нагрев. Подложку изготавливают из тантала. Помещенную...
Способ получения оптического элемента
Номер патента: 1678920
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов
МПК: C30B 23/02, C30B 29/48
Метки: оптического, элемента
...3 О гз 3.5 48 6/ 68 го 60 56 61 60 68 68 60 62 65 43 з;44 Зв 63 63 Составитель. Е.ЛебедевРедактор М.Кузнецова Техред М,Моргентал Корректор С.Черни Заказ 3187 Тираж 247 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ние при А =0,63; 1,06 и 8-12 мкм составляет 55; 63 и 707 о соответственно. Микротвердость защитного слоя составляет 220-250 кГс/мм. Деталь, изготовленная из такого оптического элемента, удовлетворяет конструкционным требованиям, предъявляемым к оптическим приборам, работающим в жестких условиях эксплуатации. 1 1050 2 1100 3 1080 4 1000 5 1130 6 1080 / 1080 8 1000 9 . 1080...
Способ получения просветляющих фторидных покрытий
Номер патента: 1691434
Опубликовано: 15.11.1991
Авторы: Быков, Гельфонд, Жаркова, Игуменов, Малобродская, Морозова, Стабников, Тюкалевская, Царев
МПК: C30B 23/02, C30B 29/12
Метки: покрытий, просветляющих, фторидных
...ведут в испарителе при Тдсп. 190 С:16)1434 3 Составитель 3. БезбородоваТех ред М ЫО ) ге нтал Корректор Ы, Шароши Редактор Ы Петрова Заказ 3 с 09 Тираж ПодписноеБН 41 ЛП 1 ЛОсудс 1 рсс в;.Оноо комлтета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР3035, Ыогва, )-35, Раушская наб., 4/5 11 рсп 1 заодстс 1 еш.; н ,ча)ельсий комбинатПатент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 давление в камере осакдения Р) 760 торр; время процесса(т) 10 мин.П р и м е р 2, Полуфенис) покрытия из гексафторацетилацетоната кальция 11) на лейкосапфире, Навеска 13 мг, Тппдл.500"С, Тисп.: - 160 С, Р =-торр, Х =- 10 МИН,П р и м е р 3. Получение покрытия из ексафторацетилацетона,а с гронция (1) на )ейкосапфире, Навеска 15 мг, Тппдп.550"С, Тисп200 С, Р =- 2 торр,т =- 10...
Устройство для получения металлоорганических соединений и кластеров
Номер патента: 1701757
Опубликовано: 30.12.1991
Авторы: Горелик, Гусейн-Курбан, Черных
МПК: C30B 23/02
Метки: кластеров, металлоорганических, соединений
...вакуума 10 мм рт.ст. (тор) включают испарители 9 металла, Участок поверхности матрицы в результате вращения цилиндрической подложки попадает в зону осаждения частиц металла, которые взаимодействуют с матрицей и в зависимости от условий образуют МОС или кластеры, Далее, вращаясь, этот же участок г,опадает а следующую зону осаждения другого металла (металлы могут быть различными), Таким образом, происходит процесс последовательной конденсации частиц металлов (см. фиг. 3). За последней зоной осаждения частиц металла установлен нож 7 для среза матрицы. Срезанные куски матрицы сбрасывают в коллектор 8 для сбора срезанного продукта, где они тают и выводятся из корпуса. Для одновременной конденсации частиц металла испэрители частиц 9 необходимо...
Способ получения сверхчистых пленок и устройство для его осуществления
Номер патента: 1712474
Опубликовано: 15.02.1992
МПК: C30B 23/02
Метки: пленок, сверхчистых
...границе, Моноэнергетические ионы с массой Мо после отклонения в поле продолжают двигаться в виде параллельного пучка, Если пучок на выходе из магнитного поля пропустить через продольные каналы коллектора 10, образованные тонкими металлическими перегородками, то на подложку попадут только ионы с массой Мо. Ионы с отличными от Мо массами из-за движения по свертывающимся М 1 Мс) и развертывающимся (МоМ 2) спиралям не пройдут через узкие каналы, Разрешающая способность такой системы определяется соотношением ширины одиночного канала к его длине, Известно, что подобные устройства позволяют создать анализаторы большой светосилы, что важно для обеспечения практически приемлемых скоростей осаждения пленок. Заметим также, что в установке...
Полупроводниковый материал
Номер патента: 1730219
Опубликовано: 30.04.1992
Авторы: Гогоци, Сафаралиев, Таиров, Цветков, Шабанов
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: материал, полупроводниковый
...карбида кремния и карбида ниобия, обработанные так же, как и в примерах 1 и 2, прикладывали друг к другу и подвергали горячему прессованию в засыпке порошка дисперсностью .5 мкм, Процесс проводили при 1700 С, давлении 20 МПа в среде ч 2 в течении 60 мин. Ширина слоя гетеровалентного твердого раствора (ЯС)1-х(ИЬС)х 5 - 7 мкм,Во всех трех случаях получали гетеровалентные твердые растворы (ЯС)1- х(МЬС)х во всем диапазоне изменения состава (О х 1). Исследования концентрационного распределения КЬ и Я проводились на Оже-микроанализаторе "3 ЕО Я". На фиг, 1 дана обычная электронная микрофотография, Области с элементами различной тяжести отличаются. Более тяжелые элементы светлее.На фиг. 2 изображены концентрационные профили ниобия и...
Термостойкое покрытие
Номер патента: 1737035
Опубликовано: 30.05.1992
Авторы: Дмитрик, Мизяк, Момот, Патон, Притула, Пузиков, Семенов, Семиноженко
МПК: B23K 10/02, C30B 23/02, C30B 29/04 ...
Метки: покрытие, термостойкое
...гексагональных алмазов,имеющих форму эллипсоидов вращения с30 осями 9 - 10 А и 5 - 6 А. Граничные участкимежду ними представляют собой совокупность одиночных тетраэдров. Причем объемграничных участков в 1,4 - 1.6 раза превышает объем упорядоченной области,35 Кроме того, структура кристаллитов является текстурированной - большие оси эллипсоидов ориентированы в направлении0001. Учитывая, что ориентация выделенных направлений связана, видимо, с на 40 правлением передачи энергии и импульсаиона пленке, ориентация больших осей кристаллов 0001 нормальна поверхностипленки, Структура пленки содержит высокую концентрацию дефектов ввиду того, что45 тетраэдры граничных областей не взаимодействуют друг с другом, и степень заполнения ими...
Способ получения пленок теллура
Номер патента: 1767049
Опубликовано: 07.10.1992
Авторы: Водолазский, Глыва, Кособуцкий, Хапко
МПК: C30B 23/02, C30B 29/02
...не менее 1 ч. Затем на нее проводят осаждение пленок теллура. Обеспечивается увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленки,пленка; 2 - подложка), наличие которой не- З удовлетворительно сказывается на механи- у ческих свойствах пленок теллура, т.е. имеет место их отслаивание от подложек при тер- С. моударе,Цель изобретения - увеличение сцепления пленки с подложкой и повышение стойкости пленок к термоудару. -ФйСпособ осуществляют следующим образом, Поверхность подложки подвергают химико-динамической полировке, затем отмывают в деионизированной воде, сушат в потоке сухого азота, производят термоот- к, жиг в вакууме при температуре, при которой + происходит эФфективное испарение анион- сОной составляющей...
Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих пленок
Номер патента: 1589690
Опубликовано: 30.11.1992
Авторы: Зосим, Пузиков, Семенов
МПК: C30B 23/02, C30B 29/22
Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих
...6 высокотемпературной сверхпроводящей керамики УВа 2 Соз 07-х размером частиц 1-5 мкм под1589690 ают со скоростью 50 мкг/мин на испаритель3 вдоль поверхности на расстоянии 1-2 ммперпендикулярно потоку 7 испаряемого вещества, Поток бесконтактно испаренногопорошка в течение 4 мин осаждают на подложку 5, выполненную в виде диска диаметром 15 мм из мо окристалла ЯгТ 10 з,расположенную на расстоянии 3 см от испарителя и нагретую до 300 С. Охлаждение докомнатной температуры подложки с пленкой проводят естественным путем,В результате без дополнительного отжига получают высокотемпературнуюсверхпроводящую пленку УВа 2 Сцз 07-х диаметром 15 мм и толщиной 0,8 мкм. Поверхность пленки является зеркально гладкой ине содержит включений других...
Устройство для получения пленок халькогенидов из паровой фазы
Номер патента: 1807102
Опубликовано: 07.04.1993
Авторы: Варавин, Козырь, Сидоров
МПК: C30B 23/02, C30B 29/48
Метки: паровой, пленок, фазы, халькогенидов
...выходящей из горячей зоны в холодные части реактора. Величина зазора л 1 ежду источникол 1 ртути и стенками реактора равняетсч 1-2 мм, При расстояниях, больших 2 мм. источник ртути не является для реактора заглушкой и в холодных частях реактора происходит конденсация большого количества ртути, вышедшей из горячей эоны реактора. При расстояниях, меньших 1 мм, невозможно осуществить загрузку кварце- "0 вого источника ртути в кварцевый реакториз-за эллиптичности кварца, Конструкция источника ртути обесг 1 ечивает уплотнение выхода из реактора, достаточную вместимость по ртути и создание необходимого 15 давления паров ртути в реакторе.Давление паров теллура на два порядкаменьше, чем давление паров ртути, и перенос теллура в сторону...
Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления
Номер патента: 1577400
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая
МПК: C30B 23/02, C30B 29/04
Метки: алмаза, выращивания, слоев
...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...
Способ получения алмазоподобных пленок
Номер патента: 1610949
Опубликовано: 15.10.1994
Автор: Тарасенко
МПК: C30B 23/02, C30B 29/04
Метки: алмазоподобных, пленок
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПЛЕНОК путем распыления мишени из графита импульсным лазером и осаждения паров на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных и бездефектных пленок, стойких к лазерному излучению, распыление ведут с помощью ТЕА СО2-лазера с плотностью мощности излучения 1 107 - 5 108 Вт/см2 при расстоянии от мишени до подложки не менее 7 см и вакууме в камере не менее 10-5 торр.
Способ получения слоев карбида кремния
Номер патента: 1398484
Опубликовано: 30.10.1994
Авторы: Водаков, Мохов, Рамм, Роенков
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: карбида, кремния, слоев
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ КАРБИДА КРЕМНИЯ путем конденсации паров источника на подложку карбида кремния в инертной атмосфере при температуре выше 1800oС и температурном градиенте, перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения морфологического и структурного совершенства слоев, конденсацию паров ведут на подложку с одной или несколькими выступающими квадратными площадками высотой 5 - 200 мкм, площадью 0,01 - 1,0 мм2 при дополнительном радиальном температурном градиенте 10 - 50 град/см, скорости роста не более 100 мкм/ч в течение не менее 10 мин.
Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)00100-00x(aln)00x
Номер патента: 1297523
Опубликовано: 10.10.1996
Авторы: Нурмагомедов, Сафаралиев, Таиров, Цветков
МПК: C30B 23/02
Метки: sic)00100-00x(aln)00x, растворов, слоев, твердых, эпитаксиальных
Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)4-x(AlN)х сублимацией источника в атмосфере инертного газа при 1900 2100oС, отличающийся тем, что, с целью получения совершенных слоев заданного состава в интервале 0,35 0,9 и удешевления процесса, процесс ведут в контейнерах из карбида циркония, а в качестве источника используют поликристаллические спеки из SiC и AlN при следующем соотношении компонентов, мас.SiC 20 80AlN Остальное
Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4h
Номер патента: 913762
Опубликовано: 20.11.1996
МПК: C30B 23/02, C30B 29/36
Метки: выращивания, карбида, кремния, политипа, эпитаксиального
1. Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния политипа 4Н путем пересублимации исходного материала на монокристаллическую подложку карбида кремния в присутствии паров вещества, трансформирующего ее в политип 4Н, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных кристаллов, их совершенства и чистоты, в качестве трансформирующего вещества используют олово, или свинец, или германий, или их смесь.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины переходного слоя, пересублимацию ведут со скоростью нагрева исходного материала 100 1000oС/мин.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что, с целью легирования кристаллов, пересублимацию ведут в присутствии паров легирующего вещества из ряда:...
Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы
Номер патента: 1736211
Опубликовано: 10.02.1997
Авторы: Борисов, Демиденко, Дунаев, Миронов
МПК: C30B 23/02
Метки: газовой, нанесения, покрытий, фазы
1. Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы, включающее контейнер, установленные в нем кольцевую камеру испарения, снабженную фильтрующим элементом, и размещенную над ней камеру конденсации с подложкой, отличающееся тем, что, с целью получения композиционных слоистых структур на профильных подложках и повышения их оптического качества, между камерами испарения и конденсации установлен экран-ловушка с углублением, выполненным напротив внутреннего отверстия камеры испарения и имеющим диаметр, превышающий диаметр этого отверстия, и на дне камеры конденсации размещен подложкодержатель, наружный профиль которого соответствует профилю подложки.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода горных структур,...