Шустин — Автор (original) (raw)

Шустин

Пеногенератор

Загрузка...

Номер патента: 1797920

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Дюсебаев, Зальцман, Колпаков, Шустин

МПК: A62C 5/02, E21F 5/00

Метки: пеногенератор

...стекаюЩей с пакстапенообразующих сеток прямоугольной формы 2, служит растворосборник 8, соединенный с коопуРОМ1 пеногенераторатрубопроводом 9. Положение пакета пеноОбразфощих сеток 2 Относительно Оси сцелью регулировки процесса пенообраэОВания можно изменять с помощьО шарнирНОГО соеДинениЯ 10, на котором эакрепл 8 нбр 838 нт 11, присо 8 динснный ОДним конЦОМк пакету пенообразощих сетОк 2, а другимк корпусу пеногенератора 1, Для направлания ВоздушноГО потока, поступающего извозДухОВОДа б, служит пластина 12,Степень пОГруж 8 ния цилиндрическОГОВалика 3 В пенообраэующий раствор регулируется с помоць 1 о специального приспособленил (на рисунк 8 не показанО),Вращательное движени 8 цилиндрическомуВалику 3 придается с помощьЮ электрОДви.Гат...

Газоочистное устройство

Загрузка...

Номер патента: 1346203

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Адамов, Константинов, Сачков, Семененко, Хижняк, Шустин, Яковенко

МПК: B01D 45/12, B04C 9/00

Метки: газоочистное

...через входной патрубок 2 поступает в вихревой пылеуловитель 1 и закручивается осевым лопаточным завихрителем 6. Под действием центробежных сил восходящий вихревой поток освобождается от относительно крупной дисперсной фазы, По мере продвижения газового потока в рабочей полости пылеуловителя 1 вихревое течение ослабевает. Для того, чтобы подкрутить поток по высоте аппарата, в рабочую полость тангенциально к образующей пылеуловителя 1 и под некоторым углом к его центральной оси подают струи чистого газа через сопла 8 камеры 7 вторичного дутья, Турбулентные пристеночные струи, выходящие из сопел 8, подкручивают основной газовый поток и увеличивают действие центробежных сил. Кроме то го, эти струи транспортируют пыль, скопившуюся в...

Способ определения характеристик роста кристаллов в растворе

Загрузка...

Номер патента: 1290092

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Мкртчян, Рашкович, Шустин

МПК: G01J 9/02

Метки: кристаллов, растворе, роста, характеристик

...на экран телевизора 11 вточке с наименьшим порядком изображения интерференционной картины. 2Сигнал с фотоприемника усиливают усилителем 13,и регистрируют самописцем 14. Сначала по сигналу с фотоприемника регистрируют период Т изменения порядка освещенности во времени и определяют нормальную скорость роста грани кристалла В из о м лы: фруВгде 9 - длина в олны св ета;- показатель преломления раствора.Затем перемещают фотоприемник с областью постоянной освещенности пер пендикулярно интерференционным полосам и регистрируют скорость Ч движения полосы, а по измерениям расстояния между полосами Й определяют наклон вицинальных холмов Р иэ формулы:Р2 пй Предлагаемый способ позволяет одновременно измерять характеристики роста кристалла твид...

Фильера для получения синтетических нитей из пленок

Загрузка...

Номер патента: 1258907

Опубликовано: 23.09.1986

Авторы: Бойко, Зверев, Крымов, Лазарев, Мясоедов, Половихина, Светлицкий, Смирнов, Шебалков, Шустин

МПК: D01D 5/00

Метки: нитей, пленок, синтетических, фильера

...выполнена ввиде плоской направляющей 1 без пазов и отверстий, а другая направляющая 2 выполнена профилированной иимеет поперечные щелевые пазы 3,крайние пазы 4, отверстия 5 для регулировки и резьбовое отверстие 6.Профилированная направляющая 2при помощи болтов, которые входятв резьбовые отверстия 6, устанавливается с определенным зазором отплоской направляющей, После установки зазора профилированная направляющая крепится болтами, проходящимичерез отверстия 5 для регулировки,к корпусу головки экструдера не показан, Полимер расплавляется в экструдере и в расплавленном виде проходит через направляющие щелевойфильеры, одна из которых имеет плоскую поверхность, а другая - чередующиеся прямоугольные щелевые пазы 3,у которых отношение...

Токосъемное устройство потенциометра

Загрузка...

Номер патента: 871227

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Петров, Смогунов, Сосна, Шустин

МПК: H01C 1/12

Метки: потенциометра, токосъемное

...материала, ролик выполнен с двумя расположенными по краям скругленными бур тиками, между которыми расположены два неподвижных контакта, упруго поджатьи к скругленной впадине профиля ролика.На фиг. 1 изображено токосъемное устройство; на фиг.2-разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - вид сверху на неподвижный токосъемный контакт; на фиг. 4 - профиль ролика в контакте с неподвижным токо съемным контактом.Токосъемное устройство содержит ро лик 1 с двумя расположенными по краям скругленными буртиками, контактируюцвк ми с резисторным элементом 2 в двух точках 3.871227 4формула изобретенияТокосъемное устройство потенциометра, содержащее подпружиненный к резисторному элементу ролик, выполненный изэлектропроводящего материала, о т л ивч а ю щ е е...

Устройство для вытяжения шейногоотдела позвоночника

Загрузка...

Номер патента: 848025

Опубликовано: 23.07.1981

Авторы: Бабурин, Загородный, Шустин

МПК: A61F 5/045

Метки: вытяжения, позвоночника, шейногоотдела

...тракционную педаль 19 и ощущает более сильное натяжение, 20 соответствующее 5-6 кг. В состоянии указанного натяжения он остается, как правило, до конца сеанса.Таким образом, осуществляется дозированная атравматичная аутотракцияшейного отдела позвоночника.При возникновении необходимости больной отжимает стопорную планку 22 и натяжение троса 6 сбрасывается. Н жение троса 6 может быть также атя7 ЗО снято вращением ручки 11 лебедки в противоположную сторону бЛагодаря действию внутренних муфт 9.Предлагаемое устройство позволяет осуществлять дозированную аутотракцию шейного отдела позвоночника с минимальной его травматизацией.Формула ИзобретенияУстройство для вытяжения шейного отдела позвоночника, содержащее раму с установленными на ней...

Способ обработки одубины

Загрузка...

Номер патента: 844303

Опубликовано: 07.07.1981

Авторы: Евланов, Захаров, Минин, Шустин

МПК: B27K 5/04

Метки: одубины

...операцию сдувки парогазовой смеси. Это позволяет сохранить в одубине продукты разложения древесины, что обусловливает улучшение физико-механических свойств пьезотермопластиков.Для осуществления предложенного способа одубину загружают в герметизируемую емкость, в которую затем подают насыщенный водяной пар. После обработки одубины в течение заданного времени подачу пара прекращают и охлаждают одубину и парогазовую смесь в емкости. Далее одубину выгружают (температура 50 - 80 С), высушивают, измельчают и из полученной таким образом пресс-массы изготавливают пьезотермопластик.В качестве примеров в табл. приведены физико-механические свойства пьезотермопластиков, полученных предложенным способом, в сравнении со свойствами...

Одновибратор

Загрузка...

Номер патента: 773914

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Гославский, Журова, Иванов, Шустин

МПК: H03K 3/284

Метки: одновибратор

...времязадающий конденсатор 18, время- задающий резистор 19, входной транзистор 20, выходной транзистор 21, резисторы 22 и 23, источник питания Е 1, =+ЗВ, источник литания Е =+5 В.Все транзисторы включены по схеме с общим эмиттером.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии транзисторы 4,1 и 20 нормально закрыты, а транзисторы 2,3 и 21 открыты и находятся в насыщении. Времязадающий конденса тор 18 .заряжен до напряжения( , кэ, дэ 3фгде Г - основной источник питания;О, - напряжение "база-эмиттер"насыщенного транзистора 3О- напряжение "коллекторэмиттер" насыщенноготранзистора 2. 15При подаче на вход одновибратора положительного запускающего импульса открывается транзистор 20, потенциал на его коллекторе уменьшается, что...

Устройство для защиты стабилизатора постоянного напряжения

Загрузка...

Номер патента: 547755

Опубликовано: 25.02.1977

Авторы: Власенко, Куделько, Шустин

МПК: G05F 1/58

Метки: защиты, постоянного, стабилизатора

...диод 4 проходит ток. Транзистор 1 закрыт напряжением, выделя 1 ощимся на диоде 4 и прикладываемом через резисторы 8, б к базе- эмиттерному переходу транзистора.Напряжения, выделяющегося на резисторах 8, 9 от прохождения тока нагрузки, недостаточно для открывания транзистора 1. Выходного напряжения стабилизатора, подаваемого через резисторный делитель на резисторах 1012 на стабилитрон 1 и резисторы 8, 6 также недостаточно для перевода стабилитрона 13 на участок стабилизапии напряжения и тока, достаточного цля открытия транзисто. ра 1. При перегрузке по току увеличивается падение напряжения на резисторах 8 и 9, которым открьп 1 ается транзистор 1, сопротивление коллектор-эм 11 ттерного участка которого шунтирует обмотку реле 3, вызывая...

Бандаж

Загрузка...

Номер патента: 480415

Опубликовано: 15.08.1975

Авторы: Андреева, Баринов, Бубнов, Короткая, Смирнов, Стрельцов, Шаховский, Шустин, Яновская

МПК: A61F 5/24

Метки: бандаж

...имеющими возможепляться друг с другом на брюшной пациента с помощью элементов креп 0 Вкладыш по своей форме соответствуеточертаниям нижней части спины. Нижний вырез вкладыша окаймляет ягодпчные мышцы, Средняя часть вкладыша, выполненная с выступом книзу, хорошо прилегает к крестцу.15 Верхний край вкладыша достигает уровня4 - 5-го поясничных позвонков, но так, чтобы не оказывать давления на Х 1 и Х 11 ребра, На прилегающей к телу поверхности вкладыш имеет систему выступов 5, выступающих на 20 2 мм от уровня поверхности пластины, Эти выступы, не вызывая никаких неприятных ощущений, обеспечивают при движениях своеобразный массаж пояснично-крестцовой области, способствуя улучшению кровообращения и 25 лимфооттока в указанной зоне....

Прессформа

Загрузка...

Номер патента: 475283

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Евланов, Захаров, Минин, Шустин

МПК: B29J 5/04

Метки: прессформа

...в деревообрабатывающей промышленности.Известны пресс-формы для изготовления пьезотермопластиков, содержащие матрицу и верхнюю и нижнюю прокладки.Однако они сложны по конструкции.С целью упрощения конструкции с сохранением ее герметичности матрица предлагаемой пресс-формы со стороны нижней прокладки выполнена с фаской по внутреннему периметру.На фиг. 1 схематично изображена предлагаемая пресс-форма, общий вид в разрезе; на фиг, 2 - пресс-форма с пресс-материалом; на фиг. 3 - пресс-форма с готовым изделием.Пресс-форма состоит из матрицы 1 и двух прокладок - нижней 2 и верхней 3, Матрица с нижней стороны имеет по периметру фаску 4.Прес сование изделий в пресс-форме осущет в прессах с обогреваемыми плитами. На нижнюю прокладку...

Способ изготовления резиновых кисетов

Загрузка...

Номер патента: 49093

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Шустин

МПК: B29C 35/02, B29C 65/78, B29D 22/00 ...

Метки: кисетов, резиновых

...производится сле- , дующим образом. Склеенный вручнуючехол кисета надевают на металличе-скую цилиндрическую форму с расши ренным дном, На этих формах при-клеивают донышко кисета и затем заготовку подвергают предварительной вулканизации в течение 5 - 7 мин. при, температуре 135 в 1, снимают заготовку с формы и надевают на другую металлическую форму для нижней части кисета. В верхнюю часть кисета вставляют металлический диск и поворачивают его, отчего в верхней части образуются складки и она прилегает, к нижней форме, образуя кисет в сложенном виде замком, Для закрепления полученной формы кисета последний обвязывают миткалевой ленточкой и в таком виде производят окончательнуювулканизацию.Предлагаемый способ состоит в том,что клейку...