Удовик — Автор (original) (raw)
Удовик
Устройство для управления силовым транзисторным ключом
Номер патента: 1838866
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Белопольский, Кузнецов, Лопатин, Медников, Удовик, Филиппов
МПК: H02M 1/08
Метки: ключом, силовым, транзисторным
...диод 11, обмотка 9 трансформатора. Транзистор 16 закрыт отрицательным напряжением на его базе, которое обеспечивается прямо смещенным диодом 13. По окончании управляемого импульса транзистор 3 закрывается и полярность напряжений на оомоткахРедактор ктор "М.Самборска аз 2928 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 роизводственно-издательский комбина трансформатора меняется, При этом отпирается транзистор 16, ток в базы которого задается резистором 15 и база силового транзистора 14 оказывается подключенной к отрицательно заряженному конденсатору 5 17. Током.перезаряда конденсатора 17 обеспечивается форсированное...
Способ экспресс-контроля обработанной поверхности
Номер патента: 1765758
Опубликовано: 30.09.1992
Авторы: Овсяник, Удовик
МПК: G01N 3/58
Метки: обработанной, поверхности, экспресс-контроля
...происходит процесс резания, режущий инструмент как бы дообрабатывает заготовку, что вызывает рост уровня и изменение спектрального состава АЭ. При наличии недообработанных участков, связанных, например, с микросколами передней грани режущего инструмента или отклонением размеров от заданных, происходит резкий рост сигнала АЭ, Рост сигнала АЭ наблюдается и при прохождении режущим инструментам участков с повышенной твердостью обрабатываемой поверхности.На чертеже видно, что отклонение шероховатости приводит к изменению средне- выпрямленного значения сигнала АЭ и мгновенной частоты.В результате контрольных экспериментов были определены пороги, соответствующие значению ба =0 45; Апор = 900 МВ, Епор.- = 22 10 имп./с.Заявляемый способ позволяет...
Способ определения износостойкости режущих пластин
Номер патента: 1711034
Опубликовано: 07.02.1992
Авторы: Минасевич, Овсяник, Олейников, Середа, Удовик
МПК: G01N 3/58
Метки: износостойкости, пластин, режущих
...выходы - с вторым и третьим входами устройства 15 деления.Способ осуществляется следующим образом.При резании образца, в частности шлифовгльного круга, режущей пластиной из кибора происходит износ режущей кромки пластины. При этом возникают волны напряжения, которые при помощи преобразователя 1 временные диаграммы, фиг.2), установленного на державке режущей пластины, преобразуются в электрическое напряжение, которое затем усиливается предварительным усилителем 2, проходит через полосовой фильтр 3, который вырезает информативную полосу сигнала АЭ, регулируемый усилитель 4, амплитудный детектор 5, фильтр 6 нижних частот, Сигнал с выхода фильтра 6 нижних частот поступает одновременно на входы первого электронного ключа 10 и компаратора 7,...
Установка для предпосевной обработки семян
Номер патента: 1687052
Опубликовано: 30.10.1991
Авторы: Кунец, Мирошник, Троценко, Удовик, Чернявский
МПК: A01C 1/00
Метки: предпосевной, семян
...процесса обработки семян на установке их предварительно замачивают путем погружения в воду,например, в сетчатом контейнере в ванны сводой на период интенсивного водопоглощения на 1-3 ч в зависимости от культуоц.Эта операция проводится с целью сокращения времени обработки семян на перфорированной рабочей поверхности,Замоченные семена рэссредотачивают на рабочей части перфорированной поверхности 17 слоем толщиной 15-30 см, загружая таким образом всю ее рабочую часть. При этом ворошилка 5 находится в крайнем переднем положении рабочей поверхности в камере 6. В такай последовательности загружают перфорированные поверхности камер.При включенном приводе 13 ворошилки 5 и насоса 3 вал ворошилки 10 приводится во вращательное движение, а сама...
Устройство для диагностики режущих пластин по износостойкости
Номер патента: 1582069
Опубликовано: 30.07.1990
Авторы: Майстренко, Малиновская, Овсяник, Удовик
МПК: G01N 3/58
Метки: диагностики, износостойкости, пластин, режущих
...участкаприработки инструмента, Значениеизносостойкости режущих пластин, определяемое с помощью прототипа,будет заниженным. При этом такжедля менее износостойких режущихпластин погрешность этой оценки будетвозрастать. По результатам измеренийс использованием прототипа второйрезец лучше первого резца, так какприданном пороге его иосостойкость(пройденный путЬ резания) больше.Однако реально, лучше первый резец,так как стабилизация роста уровнясигнала АЭ для второго резца вызва 20 на более быстрым износом резца и всвязи с этим, уменьшением глубинырезания. Благодаря введению дополнительных блоков предлагаемое устройство позволяет оценивать износпо параметру, являющемуся результатомотношения интегральных значенийэнергий сигнала АЭ, полученных...
Устройство для токовой защиты электроустановки
Номер патента: 816372
Опубликовано: 15.07.1983
Авторы: Ванкевич, Калашников, Токарь, Удовик
МПК: H02H 7/08
Метки: защиты, токовой, электроустановки
...деталях выработки.,вшестернях и валах и т,д., ведут также к увеличению тока холостого ходапроизводственного механизма, а следовательно и к повышению расходаэлектроэнергии на единицу изготовляемой продукции и возможным авариям.35Целью изобретения является расширение функциональных возможностейтоковой защиты электропривода, создания устройства для защиты электропривода при повреждениях, дающих ток 40ниже номинального, но выше тока холостого хода привода,Поставленная цель достигается тем,что в известном устройстве для токовой защиты электроустановки, содержащей трансформаторы напряжения итока, устанавливаемые в фазах питаемой линии, вторичные обмотки которых зашунтированы резисторами и через выпрямители связаны с токовымиреле,...
Дифференциальный усилитель
Номер патента: 985933
Опубликовано: 30.12.1982
Авторы: Остапенко, Удовик
МПК: H03F 3/45
Метки: дифференциальный, усилитель
...транзистором 1, через второй резистор б подается на эмиттер Очетвертого транзистора 4, образуяактивную отрицательную обратную связьпо току, которая стабилизирует высокое входное сопротивление дифференциального усилителя, Одновремен-,но сигнал, усиленный первым транзистором 1, поступает на базу третьеготранзиасора 3, динамической нагрузкой которого является второйтранзистор 2. Сигнал с эмиттера первого.транзистора 1 поступает на базу второго транзистора 2, коллекторнойнагрузкой которого является третийтранзистор 3. Работа другого плеча. дифференциального усилителя происходит.аналогично,25Таким образом, каскад с динамической нагрузкой, имеющий высокий коэфФициент усиления, охватывается своеобразной отрицательной обратнойсвязью, которая...
Источник тока
Номер патента: 726511
Опубликовано: 05.04.1980
Авторы: Иванов, Маркин, Прушинский, Тарасов, Удовик, Филиппов
МПК: G05F 1/44
Метки: источник
...Составит ль В.Мосинуфрич Корректор МПодписноекомитета СССРи открытийшская наб., д, 4/5од ул Проектная 4 Редактор О. СтенинаЗаказ 674/42 Техред Тираж арствен изобрет Ж - 35, тэ, г. К. Ш956ногоений ЦНИИПИ Госпо делам113035, Москва, илнал ППП вПат Рау жго 3 зистора 9, коллектор которого подключен к базе транзистора 1, Базы транзисторов 5, 6 и эмиттер транзистора 9 через резисторы 10, 11 и 12 соответственно соединены с шиной 4, а коллектор транзистора 8 - с шиной 2.Источник стабильного тока работает следу ощим образом.Коллекторный ток эталонного транзистора 5 независимо от его коэффициента усиления остается постоянным и равным отношению падения напряжения на эмиттерном переходе опорного транзистора 6 к вели чине сопротивления резистора...
Инвертор
Номер патента: 661804
Опубликовано: 05.05.1979
Авторы: Гаршин, Герш, Торопов, Удовик
МПК: H03K 19/08
Метки: инвертор
...4, транзистора инверсного выхода 5,транзистора 6 прямого выхода, первого дополнительного транзистора 7 и второго дополнительного транзистора 8. Коллектор транзистора 1 соединен с базой транзистора 5, эмиттер которого соединен с базой транзистора 7 и через резистор 9 с шиной нулевого потенциала 1 О. Эмиттер транзистора 7 соединен с шиной нулевого потенциала 10, а коллектор - с базой транзистора 6 и через резистор 11 - с шиной 4, Коллектор и эмиттер транзистора 8 соединены соответственно с коллектором и эмиттером транзистора 7, база транзистора 8 соединена с эмиттером транзистора 6 и через резистор 12 - с шиной 10. Коллекторы транзисторов 5 и 6 соединены с шиной 4, а"их-эмиттеры " в сбответствецйо с инверсным 13 и прямым 14 выходами...
Формирователь тактовых импульсов
Номер патента: 572906
Опубликовано: 15.09.1977
Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов
МПК: H03K 5/01
Метки: импульсов, тактовых, формирователь
...33 и 39 открыты и насыщены, На выходе 43 устанавливается высокий уровень напряжения, при этом ток в базу транзистора 39 проходит через резисторы 34 - Зб от вспомогательного источника питания шины 38. Транзистор 40 находится в области инверсного насыщения, При поступлении на вход 42 положительного входного импульса вследствие различного порога срабатывания входных диодно-резисторных переключательных цепей 5 - 8 вначале включаются транзисторы 1 и 2, а затем - последовательно транзисторы 3 и 4.Коллекторным током транзисторов 1 - 3 закрываются последовательно транзисторы 32, 33 и 39, а за счет коллекторного тока транзистора 4 формируется срез на входе 42. Во время действия на входе 42 высокого уровня напряжения на выходе 43 поддерживается...
Динамический элемент
Номер патента: 571909
Опубликовано: 05.09.1977
Авторы: Алексенко, Коночкин, Удовик
МПК: H03K 19/08
Метки: динамический, элемент
...импульсов, а эмвгтеры с соответствующей сиг 6 иальной шиной. На чертеже приведена принципиальнаясхема элемента.Универсальный динамический элемент сь держит логическую цепь на эмиттерах переключающего транзистора 1, многоэмиттериый транзистор 2, входящий в левое плечоэлемента памяти, ннвертирующий транзиотор 3, входящий и правое плечо элемента Ипамяти, резисторы 4, б,Работает элемент следующим образом.На.прямом выходе 6 в исходном состоянии находятся низкий уровень потенциала,принятый за нуль, на инверсном выходе 7 -)20высокий уровень потенпиала, принятый заединицу. Тогда при наличии на сигнальныхшинах 8, 9 аысокого уровня потенциала сприходом очередного тактового импульсапереключающий транзвгтор 1 не изменяетсвоего вьииаочеиного...
Ячейка памяти для регистра сдвига
Номер патента: 565328
Опубликовано: 15.07.1977
Авторы: Иванов, Крюков, Маркин, Прушинский, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 19/28
Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка
...второго переключающего р-и-р транзистора соединен с коллектором второго токозадающего р-и-р транзистора, эмиттеры переключающих р-и-р транзисторов подключены ко входам ячейки памяти,30 коллекторы и-р-и транзисторов соединены сдополнительной шиной тактовых импульсов,ММВ Составитель А. Воронинюрина Техред 3. Тараненио Корректор А, Степанова Редактор Заказ 1654/19ЦНИИП Изд.609 осударственного к по делам изоб 035, Москва, Ж 3Тираж 738омитета Совета Минисетений и открытий5, Раушская наб д. 4/ ПодписноеСССР 5 ипография, пр. Сапунова,Йа чертеже представлена принципиальная схема описываемой ячейки.Первый эмиттер первого двухэмиттерного п-р-п транзистора 1 соединен с базой второго двухэмиттерного п-р-п транзистора 2, с коллектором...
Способ контроля качества интегральных монолитных схем
Номер патента: 542151
Опубликовано: 05.01.1977
Авторы: Голомедов, Домнин, Пиорунский, Удовик, Федоров
МПК: G01R 31/28, H01L 21/66
Метки: интегральных, качества, монолитных, схем
...крис ным условием является выполне нентов на кристалле такими, ч совершенно одинаковую конфигур зательным требованием является н542151 20 30 35 Составитель В. Немцев Тсхред М. Левицкая Редактор Г. Орловская КоРРектоР А Лакида Заказ 5968/29 Тираж 1032 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 лансирования транзисторов дифференциальной тестовой пары.Тестовые структуры могут содержать, кроме транзисторов дифференциальной пары, также другие компоненты - транзисторы, резисторы, диоды.Измерение относительных приращений тока через транзисторы и относительных приращений коэффициента усиления...
Ячейка памяти
Номер патента: 536527
Опубликовано: 25.11.1976
Авторы: Аракчеева, Иванов, Мамута, Прушинский, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...коллектор и-р-и транзистора 8, бава которого связана с числовой шиной 7, а эмиттер его - с шиной питания (смещения) 9. З 5Ячейка памяти работает в трех режимах;режим хранения; режим записи информации и режим считывания информаптл.В режиме хранения информации прямым смещением напряжения на переходе база - 4 О эмиттер открыт и насыщен транзистор 8, а, следовательно, смещены в прямом направлении переходы эмиттер - база транзисторов 5 и б, и происходит непосредственная инжекция носителей в базы гг-р-гг транзисторов 1 45 и 2.Если один из транзисторов 1 или 2, например транзистор 1, насыщен и инверсный коэффициент усиления по току этих транзисторов В=1, то обратный ток эмиттера насы щенного транзистора 1 переключает на себя ток инжекции...
Ячейка памяти
Номер патента: 494767
Опубликовано: 05.12.1975
Авторы: Аракчеева, Мамута, Прушинский, Удовик, Федоров, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...протекающий через переход транзи, Яворовская тор Л, Утехина Корректор Т. Фисенко хред амышникова аказ 196/14 Изд, Мо 129 ИПИ Государственного ко по делам изобре 113035, Москва, Ж, Тираж 648 итета Совета Мин ений и открытий Раушская наб., дПодписноев СССР Типографи пр. С ва стора 5. Этот транзистор входит в насыщение, его переход база - коллектор (который является одновременно переходом база - эмиттер транзисторов 1 и 2) смещается в прямом направлении, и большая часть базового тока ответвляется за счет инжекции неосновных носителей в этот открытый переход. Ток, протекающий по переходам эмиттер - база транзисторов 1 и 2, вызывает вторичную инжекцию в коллекторы этих транзисторов, являющиеся базами транзисторов 3, и транзисторы 3 и 4...
Ячейка памяти
Номер патента: 491998
Опубликовано: 15.11.1975
Авторы: Аракчеева, Иванов, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...транзисторов 3 и 4 задается базовым током этих транзисторов через диод 13 и резистор 14. 11 ереключающие транзисторы р - п - р-типа 5 и 6 в этом режиме закрыты, так как закрыты эмиттеры двухэмиттерных транзисторов 1 и 2, подключенные к разрядным шинам 8 и 9, а падение напряжения на диоде 13 недостаточно для открывания переключающего транзистора, база которого подключена к коллектору насыщенного двухэмиттерного транзистора.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. В момент считывания потенциал на шине питания 10 увеличивается. Это ведет за собой увеличение потенциала на шине смещения 11, к которой подключены эмиттеры переключающих транзисторов 5 и 6, Транзистор 5 открывается, так как база его...
-разрядный сдвигающий регистр
Номер патента: 444249
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Белопольский, Иванов, Мамута, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 19/28
Метки: разрядный, регистр, сдвигающий
...7 и 8. Передача информации происходит с помощью управляющих тактовых импульсов р, и р которые подаются соответст венно по шинам 9 и 10. Изменение величин токов при переходе из режима хранения в режим передачи информации осуществляется путем использования тактовых импульсов питания ср, и ср 4, приложенных соответственно к 25 шинам 11 и 12.Сдвигающий регистр работает следующимобразом.Пусть к шине управляющих тактовых импульсов 9 приложен низкий уровень потенциа- ЗО ла (ячейка 1 работает в режиме хранения ин.формации) и двухэмиттерный транзистор 3 ячейки насыщен, а транзистор 4 закрыт. В момент времени 1, на шине 9 потенциал увеличивается, а на шине 10 уменьшается, Ток насыщенного транзистора 3 переключается во второй эмиттер этого...
Ячейка памяти
Номер патента: 444245
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Аракчеева, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...3, так как на разрядный эмиттер 5 этого транзистора подается низкий уровень потенциала. Транзистор 3 насыщается и током эмиттера обратной связи 9 закрывает транзистор 4. Схема переключалась в другое состояние, После записи информации напряжение на шине питания уменьшается, ток насыщенного транзистора 3 переключает. ся в эмиттер 7 хранения и в резистор 11 а ячейка переходит в режим хранения информации уже в новом состоянии.Ток в режиме хранения информации может быть на несколько порядков меньше тока, включающего усилитель считывания информации и тока, переключающего ячейку в другое состояние в момент записи информации, чем обеспечивается малая потребляемая мощность. В то же время в схеме предусмотрен высокий уровень токов в режимах...
Ячейка памяти
Номер патента: 444244
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Аракчеева, Прушинский, Пуппинь, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...хранения информации. Переключающие транзисторы р - и - р типа 5 и 6 в этом режиме закрыты и 15 не влияют на работу схемы.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. При подаче положительного импульса считывания - записи на числовую шину 7 открывает ся транзистор 5, так как база его оказывается подключенной к насыщенному транзистору 1, Эмиттерный ток насыщенного транзистора 1 резко увеличивается, что обеспечивает резкое повышение напряжения на разрядной 25 шине 8 и быстрое включение усилителя считывания 12. При этом за счет коллекторного тока транзистора 5 обеспечивается увеличение тока базы транзистора 1, необходимое для поддержания его в насыщенном состоянии, ЗО так как коллектор ного тока нагруз очного...
Составной сложный инверторв п 1 ьр-шц •ifoerptnnkvulk слу1, г sua
Номер патента: 420124
Опубликовано: 15.03.1974
Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов
МПК: H03K 19/08
Метки: инверторв, сложный, слу1, составной, ьр-шц, •ifoerptnnkvulk
...заряда в цих. Приэтом транзисторы 1, 2 и 3 закрыты, а транзисторы 20 и 21 открыты и насыщены благодаря протеканию тока от источника 24 через резисторы 22 и 23. На выходе 26 инвертора уста навливается высокий уровень потенциала,близкий по величие к напряжецио источника 19 питания.При поступлении на вход инвертора положительного импульса в момент достижения ЗО входным напряжением порогового зцаченилИзд,1396ПИ Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушская ирая 811 ета Мини крьпийд. 4/5Подпнснов СССР на Типография, пр. Сапунова,происходит переключение тока во входныхдиодных цепях. При этом за счет заряда, накопленного в диодах 4, 5 и 6, в цепях базытранзисторов 1, 2 и 3 создается мощный импульс тока,...
Усилитель постоянного токавптбфонд знооерт08
Номер патента: 420090
Опубликовано: 15.03.1974
Авторы: Изобретени, Порт, Удовик
МПК: H03F 3/34
Метки: знооерт08, постоянного, токавптбфонд, усилитель
...6. Коллектор транзистора 11 свободный, т. е. т 1 занзистор в 1 лючен как диод, работающий на участке с малым дшамическимсопротивлением. База транзистора 7 подклю 5 чена к коллектору транзистора 1, а коллектор транзистора 6 - к базе транзистора 2,При подаче сигнала на базу транзистора 1с его коллектора усилительный сигнал подается на базу составного транзистора, содержа 10 щего транзисторы 7 и 5, которьш с транзистором 6 образует несимметричный дифференциа;ы 1 ы усил 11 тель, и сигна; с ко;1 лекторатранзистора 6 через эмигтернь:и повторитель,выполненный на транзи торе 2, подается че 15 рсз резистор 3 па вход составного транзистора. Вследствие глубокой отрицательной обратной связи, охватывающей несимметричныйдифф,рснциальныи каскад, его...
Операционный усилитель
Номер патента: 375754
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Домнин, Никишин, Тонких, Удовик
МПК: H03F 3/34
Метки: операционный, усилитель
...эмиттер-база транзисторов 1, 3 и 2,4.База транзисторов 13, 14 через дополнительный диод 17, включенный в прямом направлении и резистор 18, соединены с шиной источника питания. Диод 17 и резистор 18 являются нагрузкой для транзисторов 15, 1 б и одновременно термостабилизирующей цепочкой для транзисторов И, 14.База транзистора 15 соединена с коллекторной цепью транзисторов 11, 12. Базы транзисторов 3, 4, соединенные между собой, подключены к коллекторам транзисторов 9, 10.К коллектору транзистора б подключен вход усилителя мощности 19, а к базам транзисторов 10, 12, соединенным между собой, - стабилизатор тока 20. Эмиттеры транзисторов 13, 5, 7, б, 14, 10, 12 через резисторы 21 - 27 соответственно подключены к шине источника...
Усилитель мощности
Номер патента: 364071
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Домнин, Петров, Тонких, Удовик
МПК: H03F 3/26
...каскада, при этом база одного транзи стора дополнительного каскада соединена с коллектором транзистора каскада усиления по напряжению, а база другого транзистора - с базой транзистора каскада усиления по напряжению. 20На фиг. 1 изображена принципиальная схема усилителя мощности; на фиг. 2 приведены осцилограммы входного и выходного напряжений.Усилитель мощности содержит на входе 25 эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторе 1, параллельно переходу база - эмиттер которого включен резистор 2. Коллектор транзистора 1 подключен к положительному полюсу источника питания через ре чь мощности работает следующимциент усиления его не превышает единицы. С эмиттера транзистора 1 сигнал снимается на базу транзистора б. Усиленный по...
Д-триггер
Номер патента: 389628
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Вител, Иванов, Маркин, Удовик, Филиппов
МПК: H03K 3/286
Метки: д-триггер
...на многоэмиттерном транзисторе (МЭТ) 1, инвертирующие транзисторы 2 и 8, диод смещения 4, токораспределяющий транзистор 5, резистивный делитель б, подключенный к шине симметричных прямоугольных тактовых импульсов (ТИ) 7.При наличии,на входах 8 - 10 высокого потенциала ток от,источника ТИ во время действия положительного импульса течет через резнстивный делитель б в базу переключающего транзистора 5 и через диод смещения 4 - в базу инвертирующего транзистора 2.Протекание тока в коллекторной цепи транзи стора 5 создает падение, напряжения на частирезистивного делителя, что препятствует смещению коллекторного перехода МЭГ в прямом направлении. Ток эмиттера транзистора 5 делится на две составляющие: основная 15 часть его течет через диод...
Усилитель мощности
Номер патента: 355728
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Домнин, Еремин, Петров, Тонких, Удовик
МПК: H03F 3/20
...8 - с,пол ожцтел ьцы мпол 1 осом источника литания, к которому подключен и эмиттер транзистора 7 - динамической нагрузки. Коллектор транзистора 7 соединен со входом оконечного эмиттерного пов торителя 9 и с коллектором транзистора 10 -355728 Подддсдад Изд. Ыа 1495 Тираж 406 Заказ 3654/6 Типография, пр, Сапунова, 2 элемента термостабилизации, базовый делитель которого составлен из резисторов 11 и 12.Эмиттер транзистора 10 соединен с коллектором транзистора 2 и входом оконечного эмиттерного повторителя 13, 5Эмиттер транзистора 2 связан с базойтранзистора 14 - защиты от перегрузки и через резистор 15 - с отрицательным полюсомисточника питания и эмиттером транзистора14, Коллектор транзистора 14 соединен с 10базой транзистора 1 и через...
Импульсно-потенциальный логический элемент
Номер патента: 343382
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Алексенко, Гасум, Никишин, Петров, Удовик, Шатурин
МПК: H03K 17/66
Метки: импульсно-потенциальный, логический, элемент
...первого многоэмиттерного транзистора,база которого соединена через резистор с лсточником опорного напряжения,Это позволяет расширить функцчональплыевоз можнос пи устройства, а также повыситьуровень интепрации при реализации устройства методами интегральной технологии.Схема предлагаемого устройства изображена на чертеже.Она содержит многоэмиттерные транзисторы 1 МЭТ) 1 и 2, резисторы 3, 4 и 5, шину источника коллекторного питания (+Е) 6 иопорного напряжения (=О. ) 7, гг глодов 8первого МЭТ, т входов 9 второго МЭТ, общийвход 10 обоих МЭТ, выход 11, При таком вострое 1 и 1 схемы обеспечивается задержка переключающего сигнала, подаваемого на входь( 8.Устройство работает следующим Образом.Если в стаиеском рсжпмс на все входы 8 подые 1 с 5 1...
Усилитель мощности
Номер патента: 343356
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Домнин, Еремин, Ключников, Удовик, Федоров
МПК: H03F 3/26
...для увеличения входного сопротивления усиди)геля. С эмнттера транзистора 1.сигнал снимается на базу усиди)тельного трапзистора 2 и )на базу транзистора 8 первого плеча оконечного каскада.Усиленньй сигнал с коллектора тр)анзистора 2 попадает на нагрузку. В нагруз)ке, собранной на д)вух транзисторах 4 и 5, диоде б и двух резисторах 7 и 8, сигнал дополнительно усиливается и приходит на коллектор транзистор)а 2 в фазе с имеющимся та)м сигналом,вследствие чего )сипнал, дополнительно усиленный )в напрузке, складывается с сигналомна коллекторе транзистора 2 и уже су)мма)рный5 пост)у)пает на базу транзи)отора 9 второго плеча оконечного каскада, и далее с эмнттератранзистора 10, соеди)ненного с коллекторомтранзистора 8, сигнал )поступает...
Зондовая головка
Номер патента: 317133
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Тать, Удовик
МПК: H01L 21/00
...совмещения может быть выполнена в том же процессе напыления и фотогравировки напыленного металла. Толщина металлических полос 2 составляет 10 - 20 лк,я. В случае изготовления металлических полос 2 вакуумным напылением (с учетом малых размеров корпуса зопдовой головки) толщина отдельных полос отличается не более чем на несколько десятых микрона,С поверхностью металлических полос 2 жестко скреплены зонды 3, имеющие форму пирамиды или конуса. Зонды могут быть изготовлены путем гальванического осаждения с предварительным покрытием поверхности корпуса 1 и металлических полос 2 слоем кварцевого стекла, в котором плавиковой кислотой вытравлены окна над металлическими полосами. В этом случае гальваническоеосаждение металла, например, вольфрама...
314272
Номер патента: 314272
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Аракчеева, Домнин, Еремин, Никишин, Остапенко, Петров, Ткачев, Удовик
МПК: G05F 1/567, H02M 3/155
Метки: 314272
...устройства, базы зисторов регулирующего каскада соед между собой, а их коллекторы подклт один к другому через переход база лектор дополнительного транзистора п 25 воположной проводимости, эмиттер кот соединен с нагрузкой.щии игтеи на вхо с це- транинены очены - кол роти- орого Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано в интегральных схемах.Известные источники постоянного тока, выполненные на транзисторе с цепью температурной компенсации, имеют недостаточное выходное сопротивление.Цель изобретения - повышение к. п. д. устройства,Для этого в предлагаемом источнике базы транзисторов регулирующего каскада соеди. иены между собой, а их коллекторы подключены один к другому через переход база - коллектор...
Дифференциальный усилитель
Номер патента: 308483
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Аракчеева, Домнин, Колесников, Никишин, Остапенко, Петров, Ткачев, Удовик
МПК: H03F 3/26
Метки: дифференциальный, усилитель
...предлагаемого усилительного каскада.В каждое плечо симметричного дифференциального усилителя включены четыре транзистора. Транзисторы 1 являются выходными, а транзисторы 2 работают в режиме усиления и связаны с транзисторами 3 через транзисторы 4, которые включены последовательно с транзисторами 2 и служат с эмиттерными повторителями на транзисторах 3 и резисторах 5 своеобразной динамической нагрузкой с отрицательной обратной связью.В эмиттерную цепь к общей точке б дифференциального усилителя подсоединен стабилизатор тока.Последовательное включение эмиттеров и коллекторов транзисторов соответственно в базе цепи транзисторов 2 и 3 создает обратные связи и позволяет свести до минимума входные токи транзисторов 1 и тем самым обеспечить...