Улимов — Автор (original) (raw)

Улимов

Устройство для ввода информации

Номер патента: 1238258

Опубликовано: 15.06.1986

...кодирующего блока 14 не используется, так как пятый, шестой и седьмой элементы кодовой комбинации образуются в блоке 20 формирова ния посылок положениями подключателей (" Верх-Низ") 8, ("Лат-Рус") 9 и клавиши 19 управления. Переключатель 16 в семиэлементном коде разрываетцепь от клавиш Циф , Рус , Лат , 15 идущих на кодирующий блок 14, так как эти регистровые комбинации отсутствуют в семиэлементном коде. Переключатель 15 входов проиэво дит перекодировку (перекроссировку) входов кодирующего блока 14 в соответствие с семиэлементный кодом.Кодовая таблица семиэлементкого кода содержит 128 символов, которые 55 разделены на 8 столбцов по 16 символов в каждом. Любой столбец из 16 символов образован четырьмя посылками, т.е. представляет набор...

Способ определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе транзистора

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Способ изготовления термочувствительныхполупроводниковых элементов

Номер патента: 679025

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: H01L 21/263

Метки: термочувствительныхполупроводниковых, элементов

...приведены зависимости прямого падения напряжения, Оз транзистора МП 103 от потока облученияпри температурах 30 оС (кривая 1) и1400 С (кривая 2). Из результатовэксперимента следует, что для полупроводниковых приборов критическийпоток составляет 10 см , При по-токах, меньших критического 10 смстабилизация температурночувствительных параметров отсутствует; припотоках, больших критического, температурно-чувствительные параметрыОстаются без изменения,Облучение потоком, большим106 смпредставляется нецелесообразным вследствие увеличения стоимости облучения без достижения сущест венного улучшения характеристиктермозлемента.Как следует из приведенных результатов, кремниевые транзисторы и германиевые резисторы сохраняют силь ную температурную...