Варнин — Автор (original) (raw)

Варнин

Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления

Номер патента: 1577400

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая

...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...

Микрополосковая нагрузка

Номер патента: 1552266

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Алексеенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Исхаков, Кузьмин, Спицын

МПК: H01P 1/26

Метки: микрополосковая, нагрузка

...размещены токонесущий проводник 3 ипленочный резистивный слой 4, однойкромкой 5 подключенный к нему, а 15противоположной кромкой 6 - к заземляющему основанию 2. Между пленочнымрезистивным слоем 4 и диэлектрической подложкой 1 введена дополнительная диэлектрическая подложка 7, теплопроводность материала которой вышетеплопроводности материала диэлектри- .ческой подложки 1. Дополнительнаядиэлектрическая подложка 7 можетбыть выполнена из алмаза. 25Микрополоскковая нагрузка работаетследующим образом.СВЧ сигнал поступает по .токонесущему проводнику 3 и рассеивается впленочном резистивном слое 4. Для 30согласования в широком диапазоне частот соответствующим образом выбираются размеры пленочного резистивногослоя 4. При рассеивании мощности...

Способ получения поликристаллического алмазного материала

Номер патента: 549935

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Бакуль, Бочко, Варнин, Внуков, Герасименко, Дерягин, Никитин, Прихна, Федосеев, Цыпин

МПК: B24D 3/02

Метки: алмазного, поликристаллического

...отдельные алмазные частицы с эпитаксиально наращенным на их поверхности покры" тием, состоящим иэ алмазного и алмазно-графитового слоев.При проведении зпитаксиального наращивания Ълмаэов непосредствен-но на алмазную поверхность осажда" 59935 2ется углерод со структурой алмаза.Процесс протекает в метастабильныхусловиях, поэтому далее наряду спродолжающимся ростом алмаза будутвозникать и расти зародыши. графита.5мТаким образом создается переходныиалмазно-графитовый слой. Дальнейшее ведение процесса приведет к преимущественному росту графита, кото-рый термодинамически стабильнее, чем.алмаз. бсли графит в алмазно"графи"товом слое и в начале графитовогослоя имеет относительную ориентацию,то при последующем осаждении углеро"15 да ориентация...