Жебрюнайте — Автор (original) (raw)

Жебрюнайте

Магниточувствительный элемент

Номер патента: 505219

Опубликовано: 07.11.1983

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Рагаускас, Сталерайтис

...с электрически управляемойчувствительностью, содержащий прямоугольную полупроводниковую пластину с двумя токовыми торцами .на противоположных концах, область понышен"ной скорости рекомбинации носителейтока на одной из граней пластины иизолированный слоем диэлектрикауправляющий электрод. 15В известном элементе ограничендинамический диапазон, так как вследствие режима двойной инжекции, прикотором элемент чувствителен к магнитному полю, изменение поверхностной рекомбинации на грани с электродом сильно влияет на концентрациюнеравновесных (инжектированных) носителей тока как при наличии магнитного поля, так и б.з него. 25Целью изобретения является расширение динамического диапазона элемента,Поставленная цель достигается теМ,что управляющий...

Способ измерения напряженности постоянных магнитных полей

Номер патента: 1045180

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: G01R 33/02

Метки: магнитных, напряженности, полей, постоянных

...напряженности магнитногополя судят по величине напряженияпостоянного тока в момент равенстваконцентраций.На фиг, 1 показана зависимость относительного изменения сопротивления датчика от напряженности магнитного поля; на фиг. 2 - распределение концентрации носителей тока посечению датчика при отклонениИ носителей к грани с малой скоростью поверхностной рекомбинации в случае слабых и сильных полей; ца фиг. 3 схема устройства, реализующего способ.Изменение сопротивления. магциточувствительного датчика с увеличением напряженности магнитногополя при отклонении носителей к грани с большой СПР увеличивается (фиг. 1, кривая 1 ). При противоположном направлении магнитного поля, когда носители тока отклоняются к грани с малой СПР, в области...

Устройство для измерения отношения скоростей поверхностной рекомбинации

Номер патента: 533892

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...магнитном поле электромагнита 11, соединен с крайней точкой переменного резистора 5, подвижный контакт которого соединен через резистор 4 с выходом источника постоянного тока 7 и через конденсатор 8 с измерительным прибором 9. Источник постоянного тока 10 подключен к памагничивающей обмотке электромагнита 11.Измеряемый образец 6 ориентирован относительно направления вектора напряженности магнитного поля так, чтобы в постоянном электрическом и магнитном полях носители тока отклонялись к стороне с малой скоростью поверхностной рекомбинации, т. е. чтобы наблюдалось уменьшение сопротивления образца,В случае, когда носители тока отклоняются к стороне с малой скоростью рекомбинации, наблюдается увеличение проводимости, которое,...

Способ измерения отношения скоростей поверхностей рекомбинации

Номер патента: 530285

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностей, рекомбинации, скоростей

...на образец постоянным магнитполем, напряженность которого увеличивают до величины, при которой падение напряжения на образце от переменного токаравно падению напряжения до воздействиямагнитным полем, и по величине напряжен -ности поля расчетнь 1 м путем определяю: отношение скоростей поверхнсстной екомблнации,Это дает возможность повыс мерения, так как измеряется ния разогрева, а зависимость выхе;,ого ала от величины магнитного поля, ,ете5302 аь =ХаКОО и)НР. - толщина образца; где С Составитель В. НемцевТехред А. Демьянова Корректор Н. Бугагова Редактор Н. Коляда Заказ 5243/643 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д....

Способ измерения скорости поверхностной рекомбинации носителей тока полупроводников

Номер патента: 489049

Опубликовано: 25.10.1975

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела, Сталерайтис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: носителей, поверхностной, полупроводников, рекомбинации, скорости

...поле; .ае 4 гостоянные,Способ измерения скорости поверхности й рекомбинации заключается в следуюшем,Под воздействием силы Лоренц, процор 25 циональной величине силы ток е 7 и и,., ТИ МВГНИ ТНОГО ПОЛЯ .Г И НВПРВВ,.);1 ендйкул)ярно К ГраНЯМ 1 скороСТЬ-"ной рекомбинации на ОднОЙ из ,;ется) а на противополоиной соз);)Вст с болу цюй с: о о)т ю реком ) 5у этих граней происходит о кло:- . ;Ины кс пснтрации носи. елей отНОЙ. 1.".) Е;ПГ 1 ИЕ В ОТК ЛОНЕ Ь.5 и, М 8%С КРатг)Д ЭКСПОЕЬЦИЬНО ): МЕНбидот, апой диффузии,,.и О)В).с;с.Г)рот;:ь),поло;кн)ыми Гэ)ая:;м)р н;" ,.ревышаюшем длину биполярной диф:, ."рость пдве)эхностнОЙ рекскоинВцииГРВН-.Й, ОПРЕДЕЛЯЮИ в ;и ВМЕСТЕ:,)и гарамеграми полупроводника "ной силы Лоренца величину от".онцентрации от...

Множительное устройство

Номер патента: 428396

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Жебрюнайте, Манюшите, Сталиорайтис

МПК: G06G 7/162

Метки: множительное

...множительного устройства представлена па чергеже.2Устройство состоит из основного модуляционного датчика 1 и компенсационного модуляционного датчика 2, включенных последовательно в цепь источника по "тояппого напряжения 3 и размещенных в магнитном поле редме зобретеп ГасУдаРственный камитет 1 З) П о иСовета Министров СССРпа делам изааретеиий, Оп, бл;и;овгпо 1и открытий 72) Авторы "ооР"" 8 Г 1 Л(ебрюн айте Знамени и:стигут физикиЛитовской ССР иический ин:титут 1 катушки индуктивности 4, подключепнои к источнику умпожаемого напряжения 5. Модуляционные пластины 6, 7 датчика 1 соединены с противоположными пластинамн 8, 9 датчика 2 и подключены к источнику другого умножаемого напряжения 10.При подаче напряжения на модуляционные...

Б. иблиогека

Номер патента: 304594

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жебрюнайте, Изобрете, Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела

МПК: G06G 7/162

Метки: иблиогека

...11.Одно из умножаемых напряжений подается на катушку 1 через выводы 2 и 3. Второе умножаемое переменное напряжение подается на модуляционные пластины 8 и 9, расположенные перпендикулярно направлению прохождения тока .ерез потокочувствительный ГМР датчик и параллельно направлению магнитного поля. Напряжение источника постоянного тока подается на цепь, состоящую из нагрузочного сопротивления б и потокочувствительного ГМР датчика гочерез контакты 10 и 11.Электрический сигнал, выражающий результат умножения, снимается с конденсато 5 ра 6. Под воздействием магнитного поля к- тушки индуктпвности в потокочувствнтельномгальваномагниторекомбннационном датчикепроисходит изменение скорости рекомбинации носителей тока на поверхности полупро 0...

Чувствительный элемент трехкомпонентного магнитометра

Номер патента: 280664

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Жебрюнайте, Левитас, Пожела

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитометра, трехкомпонентного, чувствительный, элемент

...рекомбинации носителей тока, расположеных па гранях держателя, выполненногов виде куба, причем грани датчиков с большей рекомбинацией параллельны граням куба, а направление электрического тока всех трех компонентов взаимно перпендикулярно.На чертеже представлена схема описываемого чувствительного элемента.Чувствительный элемент состоит из шести гальваномагниторекомбинационых датчиков 1 - б, имеющих различную скорость поверхностной рекомбинации носителей тока и расположенных на гранях держателя 7, выполненного в виде куба. Заштрихованные поверхности изображают датчики с большей скоростью рекомбинации.Сопротивление гальваномагниторе ционных датчиков зависит от напря магнитного поля и от ориентации в последнем датчика.Максимальное...