Зобенс — Автор (original) (raw)
Зобенс
Способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы
Номер патента: 545020
Опубликовано: 30.01.1977
Авторы: Аверченко, Зобенс, Ковалевский, Харламова
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластины, полупроводниковой, разделения
...проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации...
Устройство для газового анализа
Номер патента: 139146
Опубликовано: 01.01.1961
Авторы: Зобенс, Раховский
МПК: G01N 27/62, H01J 49/26
...сигналов, настроенных на фиксированныечастоты, в зависимости от рода анализируемого данной трубкой газа.Высокочастотные сигналы с выхода генератора 7 подаются на входыусилителей 8, 9, 10 переменного тока, подключенных к трубкам 3, 4, 5.Для контроля напряжения усиленного сигнала служат вольтметрыП, 1 г, и.Подключение трубок 3, 4, 5 к отдельным контурам генератора 7через усилители 8, 9, 10 обеспечивает получение параболического распределения потенциала. Токи коллекторов трубок 3, 4, 5 усиливают1.39146 электрометрическими усилителями 14, 15, 1 б и подают на самописцы 17 или используют в качестве управляющих сигналов в блоке 18 автоматического регулирования состава газовой фазы, При использовании одной трубки ее подключают через...