Кристаллы — Метка (original) (raw)
Патенты с меткой «кристаллы»
Способ разделения проскрайбированных полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 298015
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Чигринский, Шуваев
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разделения
...получить замкнутый объем. После этого из. под мембраны откачивается воздух, под действием атмосферного давления мембрана прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.Известный способ разделения имеет следук 1- щие недостатки; необходимость ориентации кристаллов относительно отверстий в мембране, что усложняет устройство для осуществления способа и снижает производительность, а также ограниченность использования мембраны, определяемой размерами пластин и кристаллов,Предложенный способ позволяет использовать пластины и кристаллы различных размеров. Сущность способа состоит в том, что пластиу помещают без ориентации на мелкоячеечную сетку, изолируют ее от атмосферногления с помощью эластичной воздухонецаемой пленки, из-под...
Способ резки пластин полупроводниковых материалов на кристаллы
Номер патента: 352771
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Бут
МПК: B28D 5/00
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, резки
...вдоль следов эцсргстичсски слабы.; кристаллографц ческих плоскостей. На фиг, 1 изображецы следы пересечения с плоскостью (111) плоскостей, слабых в эцер гетт 1 ческок Отцошеции; ца фиг, 2 показао кяк по трем естественным граням 1 роста ца цикием торце слитка цаходят цапраьлецис пло- кости (001), обозцачецьое стрелкой 2, и мсстопахождеццс базового среза 3 отцос:,тельц2 этои стрелки. Направлепие тлоскости (001) ця верхцем торце слитка будет противоположцым.Практически цахокдецие эцергегцческц слабых плоскостей и резка пластин ца кр;с НяпряВ 1 ецие 1 ка 1 заццых плоскостеи, тяк же как и (111) (111) и (111), можцо найти рентгецографическцм методом.Найденное по трсугольццку одцо цз напра- леций, например плоскости (001), прогцвополож...
Способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы
Номер патента: 545020
Опубликовано: 30.01.1977
Авторы: Аверченко, Зобенс, Ковалевский, Харламова
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластины, полупроводниковой, разделения
...проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации...
Жидкие кристаллы нематического типа с отрицательной диэлектрической анизотропией
Номер патента: 562547
Опубликовано: 25.06.1977
Авторы: Адоменас, Даугвила, Денис, Чепоните
МПК: C07C 69/78
Метки: анизотропией, диэлектрической, жидкие, кристаллы, нематического, отрицательной, типа
...1 и 6 и диэлектрическая анизотропия жидкокристаллического ди-(4-н-гексилокси)-бензойного эфира гидрохинона при различнытемпературах ( М 700 кГц) 3,80 1,35 3,80 5,05- 1,25- 1,20 3,80 4,90 1,10 Найден я; .;,. 76; Н 6,92Сзн НОВычисленс%: С 72,91; Н 6,86 аналогично синтезируют все сложные эфяры замещенных гидрохинонов,П р и м е р 2. ди-(н-Гексилокси)-бензойный эфир 2,3 - дициангидрохинона. Выход 62%, Нематический интервал146-168 С,Найдено,%: С 71,53; Н 6,42С Н Й ОВычислено %: С 71, 81; Н 6,38П р и м е р 3, ди-(4-н Бутилокси)-бензоат 2 3- дициангидрохинона,СМ СКн - СЕ)-90.-В-иВыход 65%, Нематический интервал164-195 С,16 П р и м е р 5, ди-( 4-н-Гексилоксн)= -бензоат 2-нитрогидрохинона. Полученные жидкие кристаллы при комнатной...
Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 587533
Опубликовано: 05.01.1978
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания
...прокатывают по поверхности разламывающего валика, повернув предварительно на 900 .Недостатком описанного устройстваявляется его сложность,так как для надежности работы устройства необходимо применение дополнительных механиз"мов прижима пластины к разламывающему валику и регулировки натяжениятранспортирующей и прижимной лент.Кроме того, . не исключено проскальзывание бесконечной транспортирующей ленты относительно разламывающего валика, что приводит к поврежде.нию рабочей поверхности кристалла впроцессе разламывания.пластины.Цель изобретения . - упрощение конструкции устройства и улучшениек ачества,разделяемых кристаллов .Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для. разламыванияполупроводниковых пластин на кристаллы, содержащем...
Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 777756
Опубликовано: 07.11.1980
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания
...5Устройство содержит пневмокамеру 1,образованную основанием 2 и упругой диафрагмой 8, выполненной, например, из резины, на которой расположена полупроводниковая пластина 4, На крышке б устройства закреплен упругий элемент б, выполненный, например, из термостойкой резины, Во внутренней части крышки б расположены нагревательный элемент 7 и сферическая опора 8, выполненная из легкоплавкого материала с температурой плавления 50 - 100 С, например из сплава Вуда. Пространство между крышкой б и сферической опорой 8 образует пневмокамеру9, соединенную, как и пневмокамера 1, спневмомагистралью (на чертеже не показана).Устройство работает следующим образом.Полупроводниковую пластину 4 после 25операции скрайбирования укладывают наупругую...
Вертикальный сгуститель-классификатор для суспензий, содержащих кристаллы
Номер патента: 1214149
Опубликовано: 28.02.1986
Авторы: Агеев, Жарский, Ковалев, Лакомкин, Плехов, Яковлев
МПК: B01D 21/24, B03B 5/62
Метки: вертикальный, кристаллы, сгуститель-классификатор, содержащих, суспензий
...вверх. Внутри центральнойподводящей трубы коаксиально ейрасположена промывная система 8,выполненная из соосных цилиндричес"ких обечаек 9 с увеличивающимся повысоте диаметром, в верхней частикоторых установлена подпружиненнаяперегородка 10, Центральная подводящая труба и промывная системарасположены соосно над разгрузочным патрубком 11,Устройство работает следующимобразом.Суспензия, полученная при кристаллизации, подается сверху по цен"тральной подводящей трубе ц, Поскольку центральная подводящаятруба выполнена из соосно установленных цилиндрических обечаек бразличного диаметра, то при переходе с большего диаметра на меньший часть суспензии через зазор 5за счет гидравлического сопротивления вытекает во внутреннюю полость конического...
Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 1423378
Опубликовано: 15.09.1988
МПК: B26F 3/00
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания
...ачения на оси 5 относительно станиы 1 и поджатого к эластичному роли у 2 острой кромкой свободного конца снования, причем острая кромка рас" оложена под роликом 2 по линии, проодящей через центр эластичного роли- .а 2 перпендикулярно плоскости осно ания, Основание стола 4 поджато к ластичному ролику 2 при помощи пружины 6, регулируемой винтом 7, На толе 4 установлена проскрайбированая полупроводниковая пластина 8, за" 30 люченная в вакуумный пакет 9 из ластичного материала,Устройство работает следующим обазом.35Полупроводниковая пластина 8, заключенная в вакуумный пакет 9 из 1 ластичного материала, устанавливается а столе 4, качающемся на оси 5 ориентируется в нужном направле сии и подводится под эластичный ро 4 ик 2, установленный на...
Способ определения эффективности присадок, растворяющих кристаллы замерзшей воды в топливе
Номер патента: 1596240
Опубликовано: 30.09.1990
Авторы: Лифанова, Орешенков, Сидорова, Сковородин
МПК: G01N 33/22
Метки: воды, замерзшей, кристаллы, присадок, растворяющих, топливе, эффективности
...извлекают из эксикатора и взвешивают на аналитических весах с точ 35 костью до 1 мг. После каждого взвешивания ячейку возвращают обратно в кристаллиэатор, находящийся в термостате, Затем открывают термостат 40 и, не извлекая из него бюксов с топливом, на дно каждого бюкса опускают пинцетом ячейку со льдом, выдерживая соотношение высоты топлива и льда равным 5. Закрывают бюксы 1, затем термостат и включают секундомер.Через 3-3,5 ч после помещения ячеек в бюксы открывают термостат, поочередно извлекают ячейки из бюксов, протирают фильтровальной бумагой и сразу взвешивают на аналитических весах с точностью домг.Пользуясь формулой,. определяют уменьшение массы кристалла льда, который был с контакте с топливом, содержащим ПВКЖ.Ш ШДшжБ...
Способ ориентированного разделения полупроводниковой пластины на кристаллы
Номер патента: 1619359
Опубликовано: 07.01.1991
Автор: Абраров
МПК: H01L 23/04
Метки: кристаллы, ориентированного, пластины, полупроводниковой, разделения
...материала.Плотность силы разламывания пластинОна кристаллы в ячейке в первом случаеопределяют из выражения(4) Поскольку наиболее ответственным участком при разделении пластины является ячейка с зазором (Е + д) и именно параметры этой ячейки обуслов- ливают процесс беспрепятственного разламь,вания пластины на кристаллы, то необходимую напряженность электрического поля и плотность силы раэламывания определяют из выражений (2) и (4).При этом толщинаи диэлектрическая проницаемость Е пленочного материала известны. Например, для материала полиэтилентерефталат ПЭТФ толщина пленок составляет 10-12 мкм, Я = = 3, 1, для фторлона ФБА 10 мкм, Е = = 8,6. Задаваясь, например, напряжением питания устройства в 1,6 кВ, определяют необходимую...
Способ разделения пластин на кристаллы
Номер патента: 1630907
Опубликовано: 28.02.1991
Автор: Беккер
МПК: B28D 5/00, H01L 21/70
Метки: кристаллы, пластин, разделения
...чтобы надрезпри скрайбировании алмазным резцом былсвежий. Скрайбирование пластины производят при коматной температуре. Проскрайбированную пластину, надрезы которой наполнены расклинивающей жидкостью, помещают в ванну, содержащую такую же жидкость - раствор гексана в нитробензоле. Затем включают ультразвуковойвибратор и возбуждают в жидкости ультразвуковые колебания,Для расчета собственных частот колебаний кристаллов следует пользоватьсяформулой для пластины с опорой по контуру-- (Гц),2 л 7 па 2где 1. = 9,87(1+ - ):раи Ь - соответственно длинная и короткая стороны кристалла;0= - жесткость кристалла на12 (1 - о )изгиб; .Е - модуль упругости;й - толщина кристалла;а- коэффициент Пуассона;а - масса, отнесенная к единице площади поверхности...
Резец для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 1735023
Опубликовано: 23.05.1992
Автор: Полков
МПК: B28D 1/00
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разделения, резец
...профиль рабочей части, с помощью которого на полупроводниковой пластине прорезаются на глубине, меньшей ее толщины, лунки в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Для окончательного разделения пластин на кристаллы используется струнная резка по центрам лунок пластины,Известен также профильный резец для изготовления кристаллов полупроводниковых приборов, в котором режущая кромка имеет клиновидную форму, Резец прорезает пластину на всю глубину.Недостатками применения данных резцов являются в первом случае наличие двух операций и смещение контактных поверхностей, а во втором - образование острых кромок у основания кристаллов, что приводит вследствие хрупкости материала к нарушению их целостности, а это снижает качество...
Способ разделения монокристаллических пластин на кристаллы
Номер патента: 1744737
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Иващук, Сухина, Титенко
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, монокристаллических, пластин, разделения
...последующее разламывание пластины до ее разделения на отдельные кристаллы, создание зон концен.5 10 15 2025 30 35 40 45 50 55 трации механических напряжений осуществляют путем нанесения микроуколов индентором до образования смыкающихся междусобой микротрещин.Кроме тогоперед нанесением микроуколов индентором на лицевой и тыльнойсторонах пластины формируют ограничительные зоны, расположенные параллельноплотно упакованным кристаллографическим направлениям.После нанесения микроуколов индентором пластину кратковременно охлаждают вжидком азоте,Как известно, плотно упакованные кристаллографические направления в полупроводниковом монокристаллическомматериале совпадают с направлениями плоскостей скольжения и скалывания материала, При локальном...
Способ разделения пластин на кристаллы двухдисковым инструментом
Номер патента: 1747285
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Баранов, Елизаров, Пылаев
МПК: B28D 5/00
Метки: двухдисковым, инструментом, кристаллы, пластин, разделения
...Так, например для обработки пластин диаметром 76 мм необходим инструмент длиной минимум 38 мм,Целью изобретения является повышение качества обработки при сохранении производительности,Это достигается тем, что в способе разделения пластин на кристаллы двухдисковцм инструментом, заключающемся в совмещении. первого по направлению подачи диска инструмента с первой ближней дорожкой разделения пластины и прореэке дорожек, перед каждым очередным проходом перемещают инструмент на шаг, соответствующий удвоенному расстоянию между соседними дорожками разделения на пластине, причем при этом перемещении между дисками оставляют по одной проре; занной и одной непререзанной дорожкам разделения,На чертеже показана схема разделейия пластины с шагом...
Способ разделения полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 1827696
Опубликовано: 15.07.1993
Авторы: Байкулов, Беккер, Волкова, Приходько, Шлыков
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разделения
...Здесь создается поле однородных напряжений сжатия, определяющеежелательное направление распространения микротрещин. Величина нагрузки Рподбирается экспериментально для данно 55 го алмаза скрайбера, т, к. зависит от глубины надреза пластин и шириныскрайбирования дорожки,Нагретая до температуры Т 1 нижняяплита находится о непосредственном тепловом контакте со скрайбированной повер 5 10 15 20 25 На фиг. 3 представлено схематическое расположение векторов внешнего механического напряжения о и термомеханического напряжения о), а также показано направление градиента температурного поля, где Т 2Т 1. Как видно из фиг. 3 градиент температурного поля направлен параллельно внешним механическим напряжениял ае, а разделяющие пластину...
Способ изготовления безаммиачной бромсеребряной или бромиодсеребряной фотографической эмульсии, содержащей т кристаллы
Номер патента: 1192514
Опубликовано: 20.03.1997
Авторы: Андреянов, Бреслав, Евграфова, Каплун, Караульщикова, Сергеева, Хейнман
МПК: G03C 1/005
Метки: безаммиачной, бромиодсеребряной, бромсеребряной, кристаллы, содержащей, фотографической, эмульсии
Способ изготовления безаммиачной бромсеребряной или бромиодсеребряной фотографической эмульсии, содержащей Т-кристаллы, путем проведения двухструйной эмульсификации введением в водный раствор желатины растворов азотно-кислого серебра и бромида калия или смеси бромида и иодида калия, осаждения твердой фазы, промывки, диспергирования и химической сенсибилизации в присутствии тиосульфата натрия, роданида натрия и золотохлористоводородной кислоты, отличающийся тем, что, с целью повышения кроющей способности эмульсии, эмульсификацию проводят в одну стадию в избытке ионов серебра pAg 2,8 3,2 до получения эмульсии с размером микрокристаллов галогенида серебра мкм и содержанием...
Способ изготовления бромйодсеребряной фотографической эмульсии, содержащей плоские кристаллы
Номер патента: 1468242
Опубликовано: 10.07.1999
Авторы: Андреянов, Бреслав, Донатова, Калентьев, Каплун, Караульщикова, Климзо, Сергеева, Сухотин, Хейнман, Шакиров, Шапиро, Шпольский, Щелкина
МПК: G03C 1/06
Метки: бромйодсеребряной, кристаллы, плоские, содержащей, фотографической, эмульсии
Способ изготовления бромиодсеребряной фотографической эмульсии, содержащей плоские кристаллы, путем двухструйной констролируемой эмульсификации при pBr 0,9 - 1,4 и температуре 50 - 65oC введением в водно-желатиновый раствор 1,6 - 3,5 М растворов нитрата серебра и бромида калия, содержащего 0,5 - 1,5 мол.% иодида калия, с постоянной объемной скоростью W, равной (2,0 - 5,0) 10-7 моль/см3 с в течение 60 - 120 мин до получения среднего линейного размера микрокристаллов 1,4 - 2,1 мкм, выделения твердой фазы, промывки,...