С последующим разделением подложки на несколько отдельных приборов — H01L 21/78 — МПК (original) (raw)
Способ изготовления полупроводникового фотоэлектрического генератора
Номер патента: 288160
Опубликовано: 01.01.1970
Авторы: Заддэ, Зайцева, Ландсман, Стребков
МПК: H01L 21/78
Метки: генератора, полупроводникового, фотоэлектрического
...способу, твердотельные матрицы с р - и-переходами соединяют между 30 собой в заготовки посредством металлических или изолирующих слоев так, чтобы плоскости р - и-переходов, перпендикулярных рабочей поверхности матриц, были параллельны у всех матриц, входящих в состав заготовки, Полученные заготовки из матриц разрезают перпендикулярно плоскости р - и-переходов на твердотельные блоки, у которых указанные плоскости перпендикулярны рабочей поверхности. На готовых блоках создают дополнительные р - и-переходы на рабочих сторонах, например методом ионной бомбардировки. Изготовление фотоэлектрического генератора заканчивается после присоединения контактов, просветления и нанесения защитного покрытия,Описываемый способ позволяет получать...
Способ разделения проскрайбированных полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 298015
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Чигринский, Шуваев
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разделения
...получить замкнутый объем. После этого из. под мембраны откачивается воздух, под действием атмосферного давления мембрана прогибается, и пластина раскалывается на кристаллы.Известный способ разделения имеет следук 1- щие недостатки; необходимость ориентации кристаллов относительно отверстий в мембране, что усложняет устройство для осуществления способа и снижает производительность, а также ограниченность использования мембраны, определяемой размерами пластин и кристаллов,Предложенный способ позволяет использовать пластины и кристаллы различных размеров. Сущность способа состоит в том, что пластиу помещают без ориентации на мелкоячеечную сетку, изолируют ее от атмосферногления с помощью эластичной воздухонецаемой пленки, из-под...
Способ разделения пластины на отдельные элементы
Номер патента: 351267
Опубликовано: 01.01.1972
Авторы: Васильев, Лебедев, Левинсон, Меркулов, Сверидов, Усольцев
МПК: H01L 21/78
Метки: отдельные, пластины, разделения, элементы
...относится к электронной технике, в частности к технологии разделению пластин полупроводникового материала на кристаллы.Известны различнуяе способы разделения пластин на кристаллы. Наибольшее применение получил способ разделения посредством скрайбирования, т. е, механического нанесения, например, алмазным резцом, на поверхность пластины прямолинейных рисок, по которым производится последующее разделение пластин на кристаллы, например, резиновым роликом.Основным недостатком известного способа является возникновение сколов и выкрашивание материалов, приводящее к нарушению геометрической формы кристаллов, ухудшению характеристик выделяемых элементов.Цель изобретения - улучшение параметров отдельных элементов.Цель достигается...
Устройство для отделения модулей интегральных схем с консольными выводами от пленочного носителя
Номер патента: 515419
Опубликовано: 25.11.1976
Авторы: Афанасьев, Иваш, Ходыкин
МПК: H01L 21/78
Метки: выводами, интегральных, консольными, модулей, носителя, отделения, пленочного, схем
...режущие кромки 13, разделенные канавкой 14 от контактной площад ки 15, покрытой слоем износостойкого низкоомического покрытия.Устройство работает следующим образом.Модуль интегральной схемы с консольными,выводами на лечте-носителе ориентирует- О ся относительно режущих кромок (фиг. 2 и 3)и контактных площадок 15 пластин 4 пуансона. При перемещении верхней подвижной плиты 7 вниз прижим-съемник прилегает к консольным выводам модуля интегральной схемы и прижимает их к режущим кромкам 13 и контактным площадкам 15 пластины 4, сжимая пружину 11. При дальнейшем перемещении плиты 7 матрица 9 касается консольных выводов модуля и отделяет их от ленты-носителя.Перемещение плиты 7 происходит до тех пор, пока матрица 9 не выйдет из контакта с...
Способ разделения полупроводниковой пластины на кристаллы
Номер патента: 545020
Опубликовано: 30.01.1977
Авторы: Аверченко, Зобенс, Ковалевский, Харламова
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластины, полупроводниковой, разделения
...проводят скрайбирование, образуются на пластине путем проведения дополнительной операции: между разделяемыми кристаллами по всей их длине в двух взаимно перпендикулярных и 545020.Оставн 1 сл Н, ОстровскаТсхрсд А. К 11 мкниннкова лактор Е. Караулова ррсктор А. Николаева Пол 1 гнсноГССР Заказ 209,Изд 1 о 166 Тираж 1019 Гол дарственного комитета Совета .Л 1 иннстро по лелагв изобретений н открытий 13035, Москва, )К1 аушскан наб., л. 4 51 ИПИ 11 н 1 ографив, ир. Сапунов положенную между линией разделения, например, риской, наносимой инструментом при скрайбировании, и той частью кристалла, в которой создан полупроводниковый прибор. Такими локальными областями в приповерхностном слое являются границы различных фаз и места концентрации...
Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 587533
Опубликовано: 05.01.1978
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания
...прокатывают по поверхности разламывающего валика, повернув предварительно на 900 .Недостатком описанного устройстваявляется его сложность,так как для надежности работы устройства необходимо применение дополнительных механиз"мов прижима пластины к разламывающему валику и регулировки натяжениятранспортирующей и прижимной лент.Кроме того, . не исключено проскальзывание бесконечной транспортирующей ленты относительно разламывающего валика, что приводит к поврежде.нию рабочей поверхности кристалла впроцессе разламывания.пластины.Цель изобретения . - упрощение конструкции устройства и улучшениек ачества,разделяемых кристаллов .Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для. разламыванияполупроводниковых пластин на кристаллы, содержащем...
Устройство для разламывания полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 777756
Опубликовано: 07.11.1980
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания
...5Устройство содержит пневмокамеру 1,образованную основанием 2 и упругой диафрагмой 8, выполненной, например, из резины, на которой расположена полупроводниковая пластина 4, На крышке б устройства закреплен упругий элемент б, выполненный, например, из термостойкой резины, Во внутренней части крышки б расположены нагревательный элемент 7 и сферическая опора 8, выполненная из легкоплавкого материала с температурой плавления 50 - 100 С, например из сплава Вуда. Пространство между крышкой б и сферической опорой 8 образует пневмокамеру9, соединенную, как и пневмокамера 1, спневмомагистралью (на чертеже не показана).Устройство работает следующим образом.Полупроводниковую пластину 4 после 25операции скрайбирования укладывают наупругую...
Устройство для разрезания хрупкихматериалов
Номер патента: 836707
Опубликовано: 07.06.1981
Авторы: Захаров, Мананникова, Фунтиков
МПК: H01L 21/78
Метки: разрезания, хрупкихматериалов
...ооратноа связи возможно только при наличии высокой чувствительности к исполнению команд, поэтому узел подачи стола так же выпблнен на аэростатических опорах.На фиг. 3. приведена схема устрой ства, на фиг. 2 - аэростатический под шипник и его разрез А-А.Устройство состоит из пневмощпинде ля 3., размещенного в аэростатическом подшипнике 2, рабочего стола 3, перемещаемогов рабочую зону пневмоцоршнем 4. На рабочем столе закреплен обра батываемый материал 5, на пневмошпин деле 1 - режущий инструмент 6: В аэро статическом подшипнике 2 выполнены сопла 7 для подвода воздуха из ппевмосистемы 8 и допопнительные сопла 9, которые связаны с системой управления пневмопоршнем 4 посредством последовательного соединения пневмологического элемента...
Устройство для растяжения эластичного носителя полупроводниковых кристаллов
Номер патента: 1089676
Опубликовано: 30.04.1984
Авторы: Елинский, Зайцев, Приходченко, Токарев
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллов, носителя, полупроводниковых, растяжения, эластичного
...и фиксации обоймы относительно опорного выступа, снабжено выдвижными базирующими упорами, установленными на обойме, и упругим эле-. ментом, размещенным. между обоймой и основанием, а механизм перемещения и Фиксации обоймы выполнен в виде пневмокамеры, размещенной между обоймой и основанием, причем в обойме выполнены окна и пневмодорожки для перемещения эластичного носителя. На фиг, 1 изображено предлагаемоеустройство, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг, 2 в положении загрузки на фиг. 4 - разрез Б"Б на фиг, 2.Устройство содержит основание 1 сцилиндрическим) опорным выступом 2, на котором происходит растяжение эластичного носителя 3 полупроводниковых кристаллов 4, выполненного в виде пленки,...
Устройство фиксации разрезаемой пластины
Номер патента: 1121723
Опубликовано: 30.10.1984
МПК: H01L 21/78
Метки: пластины, разрезаемой, фиксации
...являетсяустройство, содержащее основание сэлементами базирования разрезаемойпластины крышку и узел креплениякрышки к основанию, причем крышкаснабжена прорезями, между которымирасположены упругие элементы 21.Недостатками данного устройстваявляются обязательное наличие вакуумной системы, обеспечивающей крепление пластины к основанию, а такженизкая производительность ввиду необ.ходимости снятия, поворота и закрепления крышки, а также поворота всегоустойства,Цель изобретения - повышение проРизводительности с одновременным исключением потребности в вакуумнойсистеме.Поставленная цель достигается тем,З 5что в устройстве фиксации разрезаемойпластины, содержащем основание с эле 23 2ментами базирования разрезаемой пластины, крышку и узел...
Способ изготовления контактов к кремнию
Номер патента: 1661875
Опубликовано: 07.07.1991
МПК: H01L 21/78
...150 кэВ и дозой 510 см, Способ позволяет уменьшить величину сопротивления контакта в 2 - 3 раза. 1 табл. алюминием диссоциируют на атомы кремния и фтора.Вследствие относительной близости масс атомов фтора, кремния и алюминия передаваемая при столкновениях энергия упругого рассеяния приближается к своему максимальному значению. Это приводит к увеличению числа и равномерности распределения радиационных дефектов и обусловливает оптимизацию твердофазного перемешивания алюминия и кремния, При термообработке происходит восстановление атомами фтора островковой пленки диоксида кремния на границе Я-Я)О 2, чем подавляется миграция алюминия в кремниевую подложку,В результате совершенствования структуры пленки и подавления миграции алюминия...
Способ разделения монокристаллических пластин на кристаллы
Номер патента: 1744737
Опубликовано: 30.06.1992
Авторы: Иващук, Сухина, Титенко
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, монокристаллических, пластин, разделения
...последующее разламывание пластины до ее разделения на отдельные кристаллы, создание зон концен.5 10 15 2025 30 35 40 45 50 55 трации механических напряжений осуществляют путем нанесения микроуколов индентором до образования смыкающихся междусобой микротрещин.Кроме тогоперед нанесением микроуколов индентором на лицевой и тыльнойсторонах пластины формируют ограничительные зоны, расположенные параллельноплотно упакованным кристаллографическим направлениям.После нанесения микроуколов индентором пластину кратковременно охлаждают вжидком азоте,Как известно, плотно упакованные кристаллографические направления в полупроводниковом монокристаллическомматериале совпадают с направлениями плоскостей скольжения и скалывания материала, При локальном...
Способ получения кристаллов полупроводниковых структур
Номер патента: 1050475
Опубликовано: 15.07.1993
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур
...над элементами ной канавкой 13.структуры подложки и в разделительных П р и м е На пол ир и м е р, а полупроводникоои.от 5 до 5 мкм. вые пластины кремния 1 с интегральл и сводникКроме того, травящая среда для по- ными структурами 3 после Форм ру р , овой подложки не должна 15 ния металлизированной разводки 5 изи овавоздействовать на открытое маскирую- алюминия методом плаэмохимическогот бщее диэлектрическое покрытие, Таким осаждения наносят " " 6тре ованиям отвечает указанное в спозащитныи слои особе идвуокиси кремния в режиме: темпера"со е плазмохимическое травление, но тура подложки Т = 200+10 Сне в полной ме ео ожки = + , давлениеой мере, поскольку диэлект О кислорода Р = (2-2,5) Па с добавлеием моносилана до давления 25...
Способ разделения полупроводниковых пластин на кристаллы
Номер патента: 1827696
Опубликовано: 15.07.1993
Авторы: Байкулов, Беккер, Волкова, Приходько, Шлыков
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разделения
...Здесь создается поле однородных напряжений сжатия, определяющеежелательное направление распространения микротрещин. Величина нагрузки Рподбирается экспериментально для данно 55 го алмаза скрайбера, т, к. зависит от глубины надреза пластин и шириныскрайбирования дорожки,Нагретая до температуры Т 1 нижняяплита находится о непосредственном тепловом контакте со скрайбированной повер 5 10 15 20 25 На фиг. 3 представлено схематическое расположение векторов внешнего механического напряжения о и термомеханического напряжения о), а также показано направление градиента температурного поля, где Т 2Т 1. Как видно из фиг. 3 градиент температурного поля направлен параллельно внешним механическим напряжениял ае, а разделяющие пластину...
Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур
Номер патента: 1160895
Опубликовано: 15.07.1993
МПК: H01L 21/78
Метки: кремниевых, полупроводниковых, структур
...воздухом. Следующей после нддрездния чисткой5 11удаляют продукты надрезания и буртикс поверхности подложки, а также удаляют поверхностный дефектный и загрязненный слой маскирующего диэлектрического покрытия двуокиси кремния,Отсутствие специальной операциинанесения защитной маски, а такжеочистки подложки от продуктов скрайбирования маскирующего диэлектрического покрытия и мгталлизированной разводки в одном технологическомцикле упрощает способ и сокращаетвремя его проведенияП р и м е р, Полупроводниковуюподложку кремния толщиной 250 мкми-типа проводимости, служащую коллектором, подвергают термическомуокислению при температуре 1150 С втечение 3 ч, Процесс проводят в ком"Ьинированной среде сухого и увлажненного водяными парами кислорода...
Способ получения кристаллов полупроводниковых структур
Номер патента: 980568
Опубликовано: 15.07.1993
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллов, полупроводниковых, структур
...на общей полупроводниковой подложке структур друг от друга.П р и м е р, Полупроводниковую подложку кремния 1 и-типа проводи" мости, служащую коллектором, подвер" гают термическому окислению при тем" пературе 1150 С в течение 3 ч. Процесс проводят в комбинированной среде сухого и. увлажненного водяными парами кислорода, выращивая маскирующее дизлектрицеское покрытие 2 двуокиси. кремния БхО. 8 результате получают пленку толщиной 0,8 мкм, достаточной для маскирования подложки 1 от последующих операций диффузии и селективного травления кремния. Через вскрытое Фотогравировкой окно в покрытии 2 Формируют базовую область. 3; например, термической загонкой бора из борного ангидрида ВОз с последующей его разгонкой при температуре 1150 С...
Способ изготовления полупроводниковых кристаллов
Номер патента: 2001467
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Астапов, Коломицкий
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллов, полупроводниковых
...что и при первом никелировании,На сплошной слой никеля по обе стороны пластины наносят слой гальванического свинца, Состава ванны свинцевания: свинец борфтористоводородный 220 мл/л, кислота борфтористоводородная 50 мл/л, клей меэдровый 0,5 г/л. Режим свинцевания:температура 18 - 55 С, плотность тока 2 А/дм, напряжение 3 В, отношение поверхности анодной к катодной 2: 1, При выдержке 3 мин получают толщину свинцового покрытия 4 ммк. Пластины промывают также, как и после никелирования и сушат. Пластину с двухслойным металлическим покрытием разделяют алмазной пилой на отдельные кристаллы и обрабатывают в травителе НЕ: НИОэ - 1: 2 в течение 15 с. После снимают верхний слой свинца в растворе Н 202: СНзСООН: Н 20 = 2: 1:1, промывают в...
Способ изготовления полупроводниковых кристаллов
Номер патента: 2001468
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Астапов, Коломицкий
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллов, полупроводниковых
...ГтсД)1 х и рог )е(дки Б дРО(иэовдпнОЙ БОДГ кс)чсгт 30 и 30 ьвки 10 контролировали омностью Бодн:) протока, котордл должна составлять валии у,е ме 30неа 1 1 О О(, На сплошном слое (икаля с обеих сторон плас сиы (орсл;(От необхг- димьй рисунок иэ 0)торз)стд ФП, Нд 15 ЦРЭД)ЦИ(нс.Пыа фТОГ)ЕЭПСтЕ(Ьа Пола,)Х ОСТИ НДОСЛТ Г/О Гс)л3 Д 3 ,ГСКП О СБ 111 ц д, С 0 с т д Б Р д1 ы с Б и ие Б 3 и и л: (. Б иа ц борфторисгоподород.313 220 мл/л, кислота бортористоводородндл 50 мл/л, клей аэд Г)ОВый 05 Г/л, рР)ким сви 1 ЦГБ 3 Ич тгмг)е -Ггратурд 10 - 25 С, плотность тока 2 А//)л, ндг)я)кгчиа 3 Р, 0(тцГЕе(;( и. (:( с)хнаг;ти энОДНОЙ к кдтОДОЙ 2: , 11(3 30 Рап 1 пы- деГ)жки Б Пана 3 м 11 полудот (,лип)(ОБО 3 25 Пог,ГЫ) ИР ТОЛ(ЦИНОЙ1(3(31. ПЗ);)(;Т(П Ы Пс 0...
Способ изготовления меза-структур
Номер патента: 1050476
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Глущенко, Колычев, Решетин
МПК: H01L 21/78
Метки: меза-структур
...меза-структур, включающемоперации формирования элементов структуры в полупроводниковой подложке с маскирующим их диэлектрическим покрытием,вскрытия контактных областей к элементамструктуры. получения металлизированнойразводки и меза-областей, пассивации меза-структур диэлектрическим покрытием и 55вскрытия металлизированных контактных ф.площадок, пассивирующее диэлектрическое покрытие формируют нанесениемсвинца с последующей термической обработкой для получения свинцово-силикатного стекла, а вскрытие металлизированныхконтактных площадок осуществляют селективным травлением окиси свинца с их поверхности, .На фиг,1 показано формирование элементов структуры и меза-областей; на фиг.2- нанесение слоя свинца и окиси свинца; нафиг.З -...
Способ изготовления полупроводниковых структур
Номер патента: 1364154
Опубликовано: 30.08.1994
МПК: H01L 21/78
Метки: полупроводниковых, структур
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования в полупроводниковой подложке областей структур, нанесение слоя металла, формирование металлизированной разводки, окисление части толщины металла, нанесение слоя защитного диэлектрика, вскрытие контактных окон в защитном диэлектрике и присоединение металла проводников к металлизированной разводке через вскрытие окна, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности структуры путем создания беспористого диэлектрика, слой металла наносят толщинойT = t + ,где t - минимальная толщина металла, обеспечивающая токо- и теплопроводность;D - толщина наносимого защитного диэлектрика,...
Способ крепления преимущественно полупроводниковой пластины на кольцевом держателе
Номер патента: 1598778
Опубликовано: 30.11.1994
Авторы: Жуковец, Комкова, Рогов
МПК: H01L 21/78
Метки: держателе, кольцевом, крепления, пластины, полупроводниковой, преимущественно
СПОСОБ КРЕПЛЕНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ НА КОЛЬЦЕВОМ ДЕРЖАТЕЛЕ, включающий фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением, нанесение теплостойкого клея по периферии пластины, размещение кольцевого держателя на пластине на слое клея, прижим кольцевого держателя к пластине, выдержку пластины с кольцевым держателем на столике при температуре затвердевания клея и отделение пластины с держателем от столика, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности крепления путем уменьшения деформации пластины, фиксацию полупроводниковой пластины на столике под давлением осуществляют посредством нанесенного на поверхность столика теплостойкого расплавленного клея, прижим кольцевого держателя к пластине осуществляют...
Способ сборки полупроводниковых кристаллов в микросборку
Номер патента: 1743314
Опубликовано: 25.07.1995
Автор: Варламов
МПК: H01L 21/78
Метки: кристаллов, микросборку, полупроводниковых, сборки
СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ В МИКРОСБОРКУ, включающий нанесение термопластичного адгезива на металлический носитель, формирование сборки из полупроводниковой пластины, адгезива и металлического носителя, надрез сборки со стороны полупроводниковой пластины для разделения на полупроводниковые кристаллы, съем кристаллов с носителя и приклеивание кристаллов на предварительно разогретую плату микросборки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, адгезив наносят слоем толщиной 0,05 0,25 мм, надрез сборки осуществляют на глубину адгезива, равную 60 92% его толщины при съеме каждого кристалла осуществляют разогрев соответствующего участка носителя до температуры на 10 50oС, превышающей температуру плавления...
Способ изготовления чувствительных элементов кремниевых тензопреобразователей
Номер патента: 1478913
Опубликовано: 10.12.1995
Авторы: Белозубов, Михайлов, Ульянов
МПК: H01L 21/78
Метки: кремниевых, тензопреобразователей, чувствительных, элементов
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ КРЕМНИЕВЫХ ТЕНЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ по авт. св. N 1144667, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и прочности чувствительных элементов, окна для травления профиля в маскирующем слое на пластинах формируют с размерами, определяемыми соотношением:где ak размер входного отверстия углубления в k-й пластине;A0 рабочий размер мембраны чувствительного элемента;Hi толщина i-й пластины;t0 толщина мембраны чувствительного элемента; -показатель анизотропии, угол между боковой гранью...
Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов
Номер патента: 1535272
Опубликовано: 27.06.2000
Авторы: Бротиковский, Минков
МПК: H01L 21/78
Метки: высоковольтных, диодов, изготовлении, кремниевых, мезаструктур, формирования
Способ формирования мезаструктур при изготовлении кремниевых высоковольтных диодов, включающий изготовление на полупроводниковой пластине диффузионной структуры с р-n переходом контактов, нанесение защитной маски, формирование мезаструктур путем надрезания пластины алмазным диском с последующим химическим травлением по образованным надрезам, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных приборов с повышенными значениями обратных пробивных напряжений, надрезание осуществляется со стороны n-слоя структуры с частотой вращения диска от 20 до 50 тыс.об/мин со скоростью подачи от 1 до 30 мм/с при толщине алмазной режущей кромки от 150 до 400 мкм и величине алмазного зерна от 0,5 до 20...
Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов
Номер патента: 1284433
Опубликовано: 10.02.2006
Авторы: Алексеева, Сивенков, Скопич, Чугунов
МПК: H01L 21/78
Метки: высокотемпературных, тензорезисторов, формирования
Способ формирования высокотемпературных тензорезисторов на металлической подложке, включающий нанесение через маску изолирующего слоя, тензорезистивного слоя и проводящей пленки, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного диапазона работы и повышения воспроизводимости параметров тензорезисторов, для нанесения проводящей пленки используют металлическую маску с подслоем, имеющим высокие адгезионные свойства с материалом тензорезистивного слоя, а массу для нанесения тензорезистивного слоя формируют методами фотолитографии, после чего проводят ионное травление этого слоя.