Valence and conduction bands (original) (raw)
En semiconductors i aïllants, la banda de conducció és l'interval d'energieselectròniques que, estant per sobre de la banda de valència, permet als electrons patir acceleracions per la presència d'un camp elèctric extern i, per tant, permet la presència de corrent elèctric. Els electrons d'un semiconductor poden assolir aquesta banda quan reben prou energia, majoritàriament per l'excitació tèrmica. Estructura de bandes en un semiconductor Vegeu conducció elèctrica i semiconductor per a una descripció més detallada de l'estructura de bandes.
.svg?width=300)
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | نطاق التوصيل هو نطاق طاقة تكون فيه الإلكترونات حرة الحركة وقادرة على نقل الكهرباء (حمل الشحنة). وطاقة نطاق التوصيل أعلى من طاقة نطاق التكافؤ بقيمة تدعى فجوة النطاق. وعرض نطاق التوصيل يدعى بالألفة الالكترونية. لكي يصعد الإلكترون من نطاق التكافؤ إلى نطاق التوصيل يحتاج إلى طاقة تساوي على الأقل فجوة النطاق. ولكي يهبط من نطاق التوصيل إلى نطاق التكافؤ عليه فقدان طاقة تساوي على الأقل فجوة النطاق على هيئة فوتون أو فونون. عند درجة حرارة صفر كيلفن, تتكدس الإلكترونات فوق بعضها وأعلى طاقة تبلغها تلك الالكترونات المتكدسة تدعى طاقة فيرمي. في الموصلات تكون طاقة فيرمي ضمن منطقة تداخل نطاقي التوصيل والتكافؤ. ولذلك تعد قادرة على نقل الكهرباء عند مختلف درجات الحرارة بعكس أشباه الموصلات والعوازل. (ar) En semiconductors i aïllants, la banda de conducció és l'interval d'energieselectròniques que, estant per sobre de la banda de valència, permet als electrons patir acceleracions per la presència d'un camp elèctric extern i, per tant, permet la presència de corrent elèctric. Els electrons d'un semiconductor poden assolir aquesta banda quan reben prou energia, majoritàriament per l'excitació tèrmica. Estructura de bandes en un semiconductor Vegeu conducció elèctrica i semiconductor per a una descripció més detallada de l'estructura de bandes. (ca) Ve fyzice pevných látek v poli polovodičů a izolantů je pásmo vodivosti rozsah elektronové energie, vyšší než u valenčního pásu, stačí uvolnit elektron z vazby s jeho vlastním atomem a nechat jej volně pohybovat v rámci atomové mřížky materiálu. Elektrony jsou v pásmu vodivosti mobilní v pevných látkách, zodpovědné za vedení elektrického proudu v kovech a dalších dobrých elektrických vodičích. Pásové struktury elektrického proudu v polovodičích. (cs) Der Begriff Leitungsband gehört zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit von Materialien erklärt wird. Er bezeichnet das Energieband, das am absoluten Temperatur-Nullpunkt (T = 0 K) über dem höchsten mit Elektronen besetzten Energieband (Valenzband) liegt. Dabei kann es * sich teilweise mit dem Valenzband überlagern (z. B. bei Natrium) und so teilweise besetzt sein (Metalle und Halbmetalle) * vom Valenzband durch die Bandlücke getrennt und daher unbesetzt sein (Halbleiter und Isolatoren). (de) En semiconductores y aislantes, la banda de conducción es el intervalo de energías electrónicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas. Los electrones de un semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energía, generalmente debido a la excitación térmica. Estructura de bandas en un semiconductorVéase conducción eléctrica y semiconductor para una descripción más detallada de la estructura de bandas. (es) In solid-state physics, the valence band and conduction band are the bands closest to the Fermi level, and thus determine the electrical conductivity of the solid. In nonmetals, the valence band is the highest range of electron energies in which electrons are normally present at absolute zero temperature, while the conduction band is the lowest range of vacant electronic states. On a graph of the electronic band structure of a material, the valence band is located below the Fermi level, while the conduction band is located above it. The distinction between the valence and conduction bands is meaningless in metals, because conduction occurs in one or more partially filled bands that take on the properties of both the valence and conduction bands. (en) 伝導帯(でんどうたい、Conduction band)は、バンドギャップのある系において、バンドギャップの直上にある、空のバンドのこと。バンドギャップのない場合にも、価電子帯、伝導帯の区別ができる場合がある（例：半金属）。しかし、純然たる金属のバンドにおいては、価電子帯、伝導帯の区別が判然としない（区別できない）場合もある。 (ja) 반도체와 부도체에서 전도띠(傳導-)란 원자가띠보다 높은 전자 에너지의 범위이다. 이 전도띠에 있는 전자는 전기장이 가해지면 쉽게 가속할 수 있어서 전류를 흐르게 한다. (ko) Si definisce banda di conduzione la banda elettronica a più bassa energia tra quelle non completamente occupate. Dal punto di vista della teoria degli orbitali molecolari, si può dire che la banda di conduzione è il LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital, orbitale molecolare non occupato a più bassa energia). Per un conduttore, la banda di valenza (cioè quella totalmente occupata) e quella di conduzione si sovrappongono. Nel caso di semiconduttori, il gap energetico è basso e pertanto la conduzione può avvenire una volta fornito un certo potenziale. Negli isolanti, la differenza di potenziale è troppo alta (il valore limite viene di solito posto a E > 1,6 eV). Allo stato fondamentale di un sistema a molti elettroni indipendenti, un potenziale è ottenuto riempiendo gli stati di banda di singolo elettrone fino all’energia di Fermi. L’energia di Fermi separa i livelli riempiti (sotto) dai livelli vuoti (sopra). A seconda del numero totale di elettroni nel solido, il livello corrispondente all’energia di Fermi può finire sia all’interno di una (o alcune) bande di energia, sia all’interno di un salto di banda. Nel primo caso gli elettroni che stanno nelle bande parzialmente riempite vicino all’energia di Fermi sono pronti a ricevere energia di eccitazione (fornita ad esempio da un campo elettromagnetico esterno). In particolare, l'applicazione di un campo elettrico può accelerare gli elettroni, che possono dunque condurre corrente elettrica: il solido con questa caratteristica è un metallo. Al contrario, tutti gli elettroni nelle bande complete devono ubbidire al principio di esclusione di Pauli; un solido dove le bande sono o tutte piene o tutte vuote, con l’energia di Fermi in una zona proibita, è chiamato isolante. Nei solidi, la banda più energetica completamente riempita è detta banda di valenza, mentre la prima banda di energia vuota o parzialmente vuota è detta banda di conduzione. Nei conduttori estrinseci, il gap energetico viene abbassato artificialmente attraverso il drogaggio, che genera bande di valenza supplementari a più alta energia (drogaggio n) o bande di conduzione a più bassa energia (drogaggio p). (it) Ledningsbandet är benämningen på de energinivåer hos elektronerna i en kristall som gör att elektronerna kan röra sig fritt i kristallen. Elektronerna i ledningsbandet har högre energi än elektronerna i valensbandet (med undantag för vissa metaller där valensbandet och ledningsbandet överlappar varandra). Området mellan valensbandet och ledningsbandet kallas för bandgap. Ämnen som leder elektrisk ström har elektroner i ledningsbandet. Ämnen som naturligt inte har elektroner i ledningsbandet kan göras ledande genom att ämnet tillförs energi (i form av exempelvis värme eller ljus), vilket gör att elektronerna exiteras till ledningsbandet om energitillskottet är tillräckligt stort. Att kunna styra mängden elektroner som finns i ledningsbandet är centralt för halvledare inom halvledarteknik, där man påverkar ledningsförmågan genom att tillföra dopämnen. (sv) Зо́на проводи́мости — в зонной теории твёрдого тела первая зона, целиком или большей частью расположенная над уровнем Ферми. Является энергетически разрешённой для электронов зоной, то есть доступным для электронов диапазоном энергий, в полуметаллах, полупроводниках и диэлектриках. Нижний край зоны проводимости называется её дном. Энергия дна обозначается (от англ. conduction (c-) band). Вопрос о численном значении неактуален, так как существенна только разница между энергией этого края и энергией других выделенных уровней (уровня Ферми , верхнего края валентной зоны и др.). Аналогом энергии нижней границы зоны проводимости в молекулярных системах (кластерах) является энергия нижней свободной молекулярной орбитали (англ. lowest unoccupied molecular orbital (LUMO)). При переходе от объёмного материала к системе из единичных атомов край , как правило, поднимается относительно . (ru) 導帶（英語：conduction band），又名傳導帶，是指半導體或是絕緣體材料中，一种電子所具有能量的範圍。這個能量的範圍高於價帶（valence band），而所有在導帶中的電子均可經由外在的電場加速而形成電流。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Semiconductor_band_structure_(lots_of_bands_2).svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://web.archive.org/web/20080515210419/http:/www.ee.byu.edu/cleanroom/EW_ternary.phtml http://www.chembio.uoguelph.ca/educmat/chm729/band/val1.htm https://web.archive.org/web/20210304065130/http:/www.chembio.uoguelph.ca/educmat/chm729/band/val1.htm http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/band.html |
| dbo:wikiPageID | 46870556 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 6072 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1090005257 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Electron_hole dbr:Electronic_band_structure dbr:Electronic_state dbr:Charge_carrier dbr:Insulator_(electricity) dbc:Electronic_band_structures dbr:Electric_field dbr:Electrical_conductivity dbr:Electron dbr:Energy dbr:Accelerate dbr:Fermi_level dbr:Band_gap dbr:Nonmetal dbr:Quantization_(physics) dbr:Introduction_to_Solid_State_Physics_(Kittel_book) dbr:Absolute_zero dbr:Semiconductors dbr:Semimetals dbr:HOMO/LUMO dbr:Semiconductor dbr:Valleytronics dbr:Valence_electron dbr:Solid-state_physics dbr:Electrical_conduction dbr:Fermi_liquid dbr:File:Semiconductor_band_structure_(lots_of_bands_2).svg |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Band_structure_filling_diagram dbt:Cite_book dbt:Cite_web dbt:Main dbt:No_footnotes dbt:Short_description dbt:Use_American_English |
| dct:subject | dbc:Electronic_band_structures |
| gold:hypernym | dbr:Bands |
| rdf:type | yago:Artifact100021939 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:YagoGeoEntity yago:YagoPermanentlyLocatedEntity dbo:Band yago:Structure104341686 yago:Whole100003553 yago:WikicatElectronicBandStructures |
| rdfs:comment | En semiconductors i aïllants, la banda de conducció és l'interval d'energieselectròniques que, estant per sobre de la banda de valència, permet als electrons patir acceleracions per la presència d'un camp elèctric extern i, per tant, permet la presència de corrent elèctric. Els electrons d'un semiconductor poden assolir aquesta banda quan reben prou energia, majoritàriament per l'excitació tèrmica. Estructura de bandes en un semiconductor Vegeu conducció elèctrica i semiconductor per a una descripció més detallada de l'estructura de bandes. (ca) Ve fyzice pevných látek v poli polovodičů a izolantů je pásmo vodivosti rozsah elektronové energie, vyšší než u valenčního pásu, stačí uvolnit elektron z vazby s jeho vlastním atomem a nechat jej volně pohybovat v rámci atomové mřížky materiálu. Elektrony jsou v pásmu vodivosti mobilní v pevných látkách, zodpovědné za vedení elektrického proudu v kovech a dalších dobrých elektrických vodičích. Pásové struktury elektrického proudu v polovodičích. (cs) Der Begriff Leitungsband gehört zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit von Materialien erklärt wird. Er bezeichnet das Energieband, das am absoluten Temperatur-Nullpunkt (T = 0 K) über dem höchsten mit Elektronen besetzten Energieband (Valenzband) liegt. Dabei kann es * sich teilweise mit dem Valenzband überlagern (z. B. bei Natrium) und so teilweise besetzt sein (Metalle und Halbmetalle) * vom Valenzband durch die Bandlücke getrennt und daher unbesetzt sein (Halbleiter und Isolatoren). (de) En semiconductores y aislantes, la banda de conducción es el intervalo de energías electrónicas que, estando por encima de la banda de valencia, permite a los electrones sufrir aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico externo y, por tanto, permite la presencia de corrientes eléctricas. Los electrones de un semiconductor pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energía, generalmente debido a la excitación térmica. Estructura de bandas en un semiconductorVéase conducción eléctrica y semiconductor para una descripción más detallada de la estructura de bandas. (es) 伝導帯(でんどうたい、Conduction band)は、バンドギャップのある系において、バンドギャップの直上にある、空のバンドのこと。バンドギャップのない場合にも、価電子帯、伝導帯の区別ができる場合がある（例：半金属）。しかし、純然たる金属のバンドにおいては、価電子帯、伝導帯の区別が判然としない（区別できない）場合もある。 (ja) 반도체와 부도체에서 전도띠(傳導-)란 원자가띠보다 높은 전자 에너지의 범위이다. 이 전도띠에 있는 전자는 전기장이 가해지면 쉽게 가속할 수 있어서 전류를 흐르게 한다. (ko) 導帶（英語：conduction band），又名傳導帶，是指半導體或是絕緣體材料中，一种電子所具有能量的範圍。這個能量的範圍高於價帶（valence band），而所有在導帶中的電子均可經由外在的電場加速而形成電流。 (zh) نطاق التوصيل هو نطاق طاقة تكون فيه الإلكترونات حرة الحركة وقادرة على نقل الكهرباء (حمل الشحنة). وطاقة نطاق التوصيل أعلى من طاقة نطاق التكافؤ بقيمة تدعى فجوة النطاق. وعرض نطاق التوصيل يدعى بالألفة الالكترونية. لكي يصعد الإلكترون من نطاق التكافؤ إلى نطاق التوصيل يحتاج إلى طاقة تساوي على الأقل فجوة النطاق. ولكي يهبط من نطاق التوصيل إلى نطاق التكافؤ عليه فقدان طاقة تساوي على الأقل فجوة النطاق على هيئة فوتون أو فونون. (ar) In solid-state physics, the valence band and conduction band are the bands closest to the Fermi level, and thus determine the electrical conductivity of the solid. In nonmetals, the valence band is the highest range of electron energies in which electrons are normally present at absolute zero temperature, while the conduction band is the lowest range of vacant electronic states. On a graph of the electronic band structure of a material, the valence band is located below the Fermi level, while the conduction band is located above it. (en) Si definisce banda di conduzione la banda elettronica a più bassa energia tra quelle non completamente occupate. Dal punto di vista della teoria degli orbitali molecolari, si può dire che la banda di conduzione è il LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital, orbitale molecolare non occupato a più bassa energia). Nei conduttori estrinseci, il gap energetico viene abbassato artificialmente attraverso il drogaggio, che genera bande di valenza supplementari a più alta energia (drogaggio n) o bande di conduzione a più bassa energia (drogaggio p). (it) Ledningsbandet är benämningen på de energinivåer hos elektronerna i en kristall som gör att elektronerna kan röra sig fritt i kristallen. Elektronerna i ledningsbandet har högre energi än elektronerna i valensbandet (med undantag för vissa metaller där valensbandet och ledningsbandet överlappar varandra). Området mellan valensbandet och ledningsbandet kallas för bandgap. Ämnen som leder elektrisk ström har elektroner i ledningsbandet. Ämnen som naturligt inte har elektroner i ledningsbandet kan göras ledande genom att ämnet tillförs energi (i form av exempelvis värme eller ljus), vilket gör att elektronerna exiteras till ledningsbandet om energitillskottet är tillräckligt stort. (sv) Зо́на проводи́мости — в зонной теории твёрдого тела первая зона, целиком или большей частью расположенная над уровнем Ферми. Является энергетически разрешённой для электронов зоной, то есть доступным для электронов диапазоном энергий, в полуметаллах, полупроводниках и диэлектриках. Нижний край зоны проводимости называется её дном. Энергия дна обозначается (от англ. conduction (c-) band). Вопрос о численном значении неактуален, так как существенна только разница между энергией этого края и энергией других выделенных уровней (уровня Ферми , верхнего края валентной зоны и др.). (ru) |
| rdfs:label | نطاق التوصيل (ar) Banda de conducció (ca) Pásmo vodivosti (cs) Leitungsband (de) Banda de conducción (es) Banda di conduzione (it) 伝導帯 (ja) 전도띠 (ko) Valence and conduction bands (en) Зона проводимости (ru) Ledningsband (sv) 导带 (zh) |
| owl:sameAs | freebase:Valence and conduction bands wikidata:Valence and conduction bands dbpedia-ar:Valence and conduction bands http://bn.dbpedia.org/resource/যোজনী_ও_পরিবহন_ব্যান্ড dbpedia-ca:Valence and conduction bands dbpedia-cs:Valence and conduction bands dbpedia-de:Valence and conduction bands dbpedia-es:Valence and conduction bands dbpedia-fa:Valence and conduction bands dbpedia-he:Valence and conduction bands dbpedia-it:Valence and conduction bands dbpedia-ja:Valence and conduction bands dbpedia-ko:Valence and conduction bands dbpedia-ru:Valence and conduction bands dbpedia-simple:Valence and conduction bands dbpedia-sv:Valence and conduction bands dbpedia-zh:Valence and conduction bands https://global.dbpedia.org/id/4iWNy |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Valence_and_conduction_bands?oldid=1090005257&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Semiconductor_band_structure_(lots_of_bands_2).svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Valence_and_conduction_bands |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:CB dbr:VB |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Valence_band dbr:Conduction_band dbr:Conductance_band dbr:Conduction_bands dbr:Conduction_electron dbr:Conduction_electrons dbr:Conduction_level dbr:Valence-band_electron dbr:Valence_bands |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Dephasing dbr:Antibonding_molecular_orbital dbr:Valence_band dbr:CB dbr:CBM dbr:Depletion_region dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Lifshitz_theory_of_van_der_Waals_force dbr:Mott_insulator dbr:Topological_insulator dbr:Photocatalysis dbr:Conduction_band dbr:Mass_action_law_(electronics) dbr:Organic_solar_cell dbr:QFET dbr:Electric-field_screening dbr:Elias_Burstein dbr:Free_electron_model dbr:Dangling_bond dbr:Density_of_states dbr:Transition_metal_dichalcogenide_monolayers dbr:Two-photon_photovoltaic_effect dbr:Dresselhaus_effect dbr:Band_bending dbr:Particle_in_a_box dbr:Dirac_cone dbr:Dirac_matter dbr:Graphene_lens dbr:Kelvin_probe_force_microscope dbr:Free_electron dbr:Quantum_well dbr:Bifacial_solar_cells dbr:Fine_electronic_structure dbr:UltraRAM dbr:Ultrafast_X-ray dbr:Photosensitizer dbr:Silicon dbr:VB dbr:VBM dbr:Evan_O'Neill_Kane_(physicist) dbr:Visible_Light_Photon_Counter dbr:Muon_spin_spectroscopy dbr:Photovoltaic_effect dbr:Silicon_quantum_dot dbr:Sources_of_electrical_energy dbr:Conductance_band dbr:Conduction_bands dbr:Conduction_electron dbr:Conduction_electrons dbr:Conduction_level dbr:Valence-band_electron dbr:Valence_bands |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Valence_and_conduction_bands |
