Electron hole (original) (raw)
ثغرة إلكترونية في الفيزياء وعلى الأخص أشباه الموصلات هي ثغرة تخيلية موجبة الشحنة، وتشترك مع الإلكترونات في نقل التيار الكهربائي وهي توجد في المواد شبه الموصلة ويساعد على إنشائها تشويب المادة شبه الموصلة مثل الجرمانيوم بشوائب من مادة أخرى، وتصل تركيزها في شبه الموصل إلى نحو 1 :1.000.000. . وينتقل التيار الكهربائي واقعيا عن طريق حركة الإلكترونات وقد ابتكرت فكرة الثغرة الإلكترونية من باب تبسيط المعاملة الرياضية المتعلقة بوصف أشباه الموصلات.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | ثغرة إلكترونية في الفيزياء وعلى الأخص أشباه الموصلات هي ثغرة تخيلية موجبة الشحنة، وتشترك مع الإلكترونات في نقل التيار الكهربائي وهي توجد في المواد شبه الموصلة ويساعد على إنشائها تشويب المادة شبه الموصلة مثل الجرمانيوم بشوائب من مادة أخرى، وتصل تركيزها في شبه الموصل إلى نحو 1 :1.000.000. . وينتقل التيار الكهربائي واقعيا عن طريق حركة الإلكترونات وقد ابتكرت فكرة الثغرة الإلكترونية من باب تبسيط المعاملة الرياضية المتعلقة بوصف أشباه الموصلات. (ar) Elektronová díra je koncepční a matematický protiklad elektronu používaný ve fyzice, chemii a elektrotechnice. Koncept popisuje nepřítomnost elektronu v místě, kde by měl v atomu nebo v atomové mřížce být. Nejedná se o antičástici elektronu – pozitron, který je součástí antihmoty, ale pouhou fikci, používanou pro snadnější modelování. Elektronová díra bývá zahrnuta do výpočtů v následujících situacích: * V příměsovém polovodiči vzniklém dotováním polovodiče atomy, které mají méně valenčních elektronů než základní látka, dochází k navázání některého z okolních elektronů na tento atom, čímž vznikne nepohyblivý záporný iont a oblast s chybějícím elektronem – elektronová díra. K vedení elektrického proudu dochází díky zaplňování těchto děr elektrony, čímž vznikají další díry. Vznik elektrického proudu lze snáze popsat jako přesun elektronových děr. * Pokud je elektron excitován na vyšší hladinu, vznikne v jeho původním stavu díra. Tato myšlenka se používá v Augerově elektronové spektroskopii (a jiných technikách rentgenového záření), ve výpočetní chemii a k vysvětlení nízké míry elektronového rozptylu v krystalech (kovy, polovodiče). * Výpočty pásové struktury u krystalů vedou ke konceptu efektivní hmotnosti elektronů, která je na konci pásu obvykle záporná. Protože je špatně představitelná, je v této situaci přirozenější uvažovat kladnou hmotnost a kladný náboj. (cs) En física de l'estat sòlid, un forat és l'absència d'un electró a la banda de valència, que sense la presència del forat seria plena. Una banda de valència plena o gairebé plena és una de les característiques que presenten els aïllants i els semiconductors. El concepte de forat és una manera d'analitzar el moviment dels electrons considerant l'absència d'un electró com una quasipartícula amb càrrega positiva igual a +e. Aquest concepte de forat és diferent del de positró, que seria la partícula d'antimatèria complementària a l'electró. Els forats s'originen a causa de la interacció entre els electrons i l'estructura cristal·lina d'alguns materials. Com en el cas de les altres partícules, els electrons també presenten un comportament ondulatori. La longitud d'ona corresponent és de l'ordre de magnitud de la separació entre els àtoms que formen el cristall i disminueix quan augmenta l'energia de l'electró. Els electrons situats a la part baixa de la banda tenen una energia feble i una longitud d'ona associada gran, en comparació a la distància que hi ha entre els àtoms. La seva interacció amb la xarxa cristal·lina també és feble i es comporten gairebé com electrons lliures. Els electrons situats a la part superior de la banda tenen una energia més gran, una longitud d'ona associada més feble i una interacció amb la xarxa cristal·lina més gran. Cada vegada que un electró passa a prop d'un àtom, experimenta un retard de fase que comporta una disminució de la seva velocitat que més important com és a prop sigui l'electró de la part superior de la banda. Així doncs, els electrons de la part baixa de la banda es comporten com a partícules gairebé lliures i la seva velocitat augmenta quan augmenta la seva energia, i gairebé tota l'energia és energia cinètica. Per contra, quan augmenta l'energia d'un electró proper a la part superior de la banda, la seva velocitat disminueix. Per exemple, si apliquem un camp elèctric que hauria d'augmentar la velocitat cap a la dreta d'un electró lliure (situat a la part baixa de la banda), aquest mateix camp disminuiria la velocitat d'un altre electró situat a la part alta de la banda. Això equivaldria a accelerar cap a la dreta una partícula lliure de càrrega positiva. Per això, en comptes de treballar amb electrons que tenen un comportament estrany es prefereix treballar amb partícules imaginàries que tenen el comportament habitual d'una partícula lliure: aquest és el concepte de forat. (ca) Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet. Es stellt die äquivalente Beschreibung des Fehlens eines (realen) Valenzelektrons dar, die der vereinfachten mathematischen Behandlung der Vorgänge im Halbleiter dient. Der reale Ladungstransport findet weiterhin durch Elektronen statt. Des Weiteren ist das Konzept der Defektelektronen wichtig für das Verständnis der Leitungsmechanismen in dotierten Halbleitern. Das Defektelektron ist ein Quasiteilchen, sein Gegenstück ist das Quasiteilchen „“. Entdeckt wurde das Defektelektron von Karl Baedeker (1911), der Name stammt von Fritz Stöckmann und Heinz Pick. (de) Estas du signifoj de la termino elektrona truo, unu en solid-stata fiziko kaj alia en . (eo) In physics, chemistry, and electronic engineering, an electron hole (often simply called a hole) is a quasiparticle which is the lack of an electron at a position where one could exist in an atom or atomic lattice. Since in a normal atom or crystal lattice the negative charge of the electrons is balanced by the positive charge of the atomic nuclei, the absence of an electron leaves a net positive charge at the hole's location. Holes in a metal or semiconductor crystal lattice can move through the lattice as electrons can, and act similarly to positively-charged particles. They play an important role in the operation of semiconductor devices such as transistors, diodes and integrated circuits. If an electron is excited into a higher state it leaves a hole in its old state. This meaning is used in Auger electron spectroscopy (and other x-ray techniques), in computational chemistry, and to explain the low electron-electron scattering-rate in crystals (metals, semiconductors). Although they act like elementary particles, holes are not actually particles, but rather quasiparticles; they are different from the positron, which is the antiparticle of the electron. Solids are made of only three kinds of particles: electrons, protons, and neutrons, a quasiparticle is none of these. (See also Dirac sea.) In crystals, electronic band structure calculations lead to an effective mass for the electrons that is typically negative at the top of a band. The negative mass is an unintuitive concept, and in these situations, a more familiar picture is found by considering a positive charge with a positive mass. (en) Un hueco de electrón , o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa sin el «hueco». Una banda de valencia completa (o casi completa) es característica de los aislantes y de los semiconductores. La noción de «hueco», desarrollada por Werner Heisenberg en 1931, es esencialmente un modo sencillo y útil para analizar el movimiento de un gran número de electrones, considerando expresamente tal ausencia o hueco de electrones como si fuera una partícula elemental o —más exactamente— una cuasipartícula. Considerado lo anterior, el hueco de electrón es, junto al electrón, entendido como uno de los portadores de carga que contribuyen al paso de corriente eléctrica en los semiconductores. El hueco de electrón tiene valores absolutos de la misma carga que el electrón pero, contrariamente al electrón, su carga es positiva. Aunque bien corresponde el recalcar que los «huecos» no son partículas como sí lo es —por ejemplo— el electrón, sino la «falta» de un electrón en un semiconductor; a cada falta de un electrón —entonces— resulta asociada una complementaria carga de signo positivo (+). Por ejemplo cuando un cristal tetravalente (es decir, de cuatro valencias) como el muy conocido silicio es dopado con átomos específicos que, como el boro, poseen solo tres electrones en estado de valencia atómica, uno de los cuatro enlaces del silicio queda libre. Es entonces que los electrones adyacentes pueden con cierta facilidad desplazarse y ocupar el lugar que ha quedado libre en el enlace; este fenómeno es llamado entonces hueco. Para un observador externo lo antedicho será percibido como el «desplazamiento de una carga positiva», sin embargo lo real es que se trata del desplazamiento de electrones en sentido opuesto al más frecuente. La descripción figurada de un hueco de electrón como si se tratara de una partícula equiparable al electrón «aunque con carga eléctrica positiva» es en todo caso didácticamente bastante útil al permitir describir el comportamiento de estos fenómenos. Otra característica peculiar de los huecos de electrón es que su movilidad resulta ser menor que la de los electrones propiamente dichos; por ejemplo la relación entre la movilidad de los electrones y la de los «huecos» (de electrones) tiene un valor aproximado de 2,5-3. (es) En physique du solide, un trou d'électron (habituellement appelé tout simplement trou) est l'absence d'un électron dans la bande de valence, qui serait normalement remplie sans le trou. Une bande de valence remplie (ou presque remplie) est une caractéristique des isolants et des semi-conducteurs. Le concept de trou est essentiellement une façon simple d'analyser le mouvement d'un grand nombre d'électrons en traitant cette absence d'électron comme une quasi-particule. (fr) 응집물질물리학에서 양공(陽孔, 영어: electron hole 일렉트론 홀[*])또는 정공(正孔)은 반도체 (혹은 절연체)에 대하여 (원래 전자로 채워져 있어야 됨) 원자가띠의 전자가 부족한 상태인 준입자이다. 예를 들어 빛이나 열로써 원자가띠가 전도띠 측에 전이되어서 원자가띠의 전자가 부족한 상태가 된다. 양공은 이 전자의 부족으로부터 생기는 구멍(상대적으로 양의 전하를 가지고 있는 것처럼 보임)이다. (ko) In elettronica la lacuna elettronica, chiamata anche semplicemente lacuna, è, insieme all'elettrone, uno dei due portatori di carica che contribuiscono al passaggio di corrente elettrica nei semiconduttori. (it) Dziura elektronowa – w pasmowej teorii przewodnictwa jest to brak elektronu w pełnym paśmie walencyjnym. Pojęcie to występuje w opisie przewodnictwa elektrycznego izolatorów i półprzewodników; jest to tzw. przewodnictwo dziurowe. Nazwa pochodzi stąd, że gdy w paśmie walencyjnym brakuje pojedynczego elektronu, to występująca „dziura” zachowuje się niczym dodatni nośnik ładunku elektrycznego. O występowaniu w przewodnikach dziur i ich udziale w przewodnictwie świadczy zjawisko Seebecka. (pl) 正孔（せいこう）は別名をホール（Electron hole または単にhole）ともいい、半導体において、真性半導体であれば電子で満たされているべき価電子帯の電子が不足した状態を表す。この電子の不足の状態を存在するはずの電子が存在しないという意味で孔(hole)といい、周辺の電荷分布から相対的に正の電荷を持っているように見えるため正孔という。 (ja) In vastestoffysica is een elektronengat het ontbreken van een elektron uit een anders volledig volle valentieband. Een volle (of bijna volle) valentieband komt voor bij halfgeleiders en isolatoren waar deze gescheiden is van de geleidingsband door een bandgap. Een elektron kan nu door thermische excitatie of excitatie ten gevolge van absorptie van invallende straling of fononen (of combinaties hiervan), uit de valentieband naar de conductieband geëxciteerd worden. Hierbij blijft er een gat in de valentieband over. In halfgeleiders zorgen elektronengaten, naast vrije elektronen, voor de elektrische geleiding. Het idee om zo een gat als een deeltje te bekijken zorgt voor een vereenvoudiging van de analyse van de beweging van de overige elektronen in de valentieband.Het deeltje dat we een gat noemen heeft dezelfde massa als het elektron maar een tegengestelde lading, zodat er ook geleiding ontstaat als het gat door het kristal beweegt. (nl) Hål eller elektronhål är i fysik och speciellt i halvledarefysik kvasipartiklar med massa, laddning, rörelsemängd, spinn och energi. Ett elektronhål beskriver ett kvantmekaniskt tillstånd som inte är fyllt och som kan uppta en elektron. Man kan formellt räkna med dessa hål som om de vore partiklar, påminnande om elektroner, fast med positiv elektrisk laddning. Konceptet används båda i atomfysik och i fasta tillståndets fysik och där särskilt för halvledare. (sv) Em física, química e engenharia eletrônica, um buraco de elétron (muitas vezes chamado simplesmente de buraco ou lacuna) é a falta de um elétron em uma posição onde um poderia existir em um átomo ou estrutura atômica. Já que em um átomo normal ou treliça de cristal a carga negativa dos elétrons é balanceada pela carga positiva do núcleos atômicos, a ausência de um elétron deixa uma carga líquida positiva na posição do buraco. Os buracos não são, na verdade, partículas elementares, mas sim quasipartículas; eles são diferentes do pósitron, que é a antipartícula do elétron. (Veja também mar de Dirac.) Ele é um dos dois tipos de portadores de carga responsáveis pela criação de corrente elétrica em materiais semicondutores. Um buraco pode ser visto como o "oposto" de um elétron. Buracos em um metal ou semicondutor de rede cristalina podem se mover através da rede como os elétrons podem, e agir de forma semelhante às partículas carga positiva. (pt) Ды́рка — квазичастица, носитель положительного заряда, равного элементарному заряду, в полупроводниках. Представление о квазичастице с положительным зарядом и положительной эффективной массой есть ни что иное, как терминологическая замена представлению о реальной частице с отрицательным зарядом и отрицательной эффективной массой. Определение термина «дырка» по ГОСТ 22622-77: «Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона». Понятие дырки вводится в зонной теории твёрдого тела для описания электронных явлений в не полностью заполненной электронами валентной зоне. В электронном спектре валентной зоны часто возникает несколько зон, различающихся величиной эффективной массы и энергетическим положением (энергетические зоны лёгких и тяжёлых дырок, зона спин-орбитально отщеплённых дырок). (ru) 空穴又称电洞、電子孔（Electron hole）、正孔，在固体物理学中指共價鍵上流失一个电子，最後在共價鍵上留下空位的現象。 一個呈電中性的原子，其正電的質子和負電的電子的數量是相等的。現在由於少了一個負電的電子，所以那裡就會呈現出一個正電性的空位——電洞。當有外面一個電子進來掉進了電洞，就會發出電磁波——光子。 電洞不是正電子，電子與正電子相遇湮滅時，所發出來的光子是非常高能的。那是兩粒子的質量所完全轉化出來的電磁波（通常會轉出一對光子）。而電子掉入電洞所發出來的光子，其能量通常只有幾個電子伏特。 半导体由于禁带较窄，电子只需不多的能量就能从价带激发到导带，从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴，同时在原位置产生一个新的空穴，因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。 在半导体的制备中，要在4价的本征半导体（纯硅、锗等的晶体）的基础上掺杂。若掺入3价元素杂质（如硼、镓、铟、铝等），则可产生大量空穴，获得P型半导体，又称。空穴是P型半导体中的多數载流子。 (zh) Ді́рка (англ. hole) — нанообласть кристала яка набуває додатного заряду внаслідок генерації. Позначається зазвичай латинською літерою h від назви англ. hole. Діркова провідність — перенесення електричного заряду через кристал під дією зовнішнього електричного поля, який полягає в тому, що електрони не вповні зайнятої основної смуги, переміщаються на незайняті квантові рівні (електронні дірки) в сфері цієї смуги в напрямку, протилежному вектору електричного поля, що формально відповідає пересуванню позитивних зарядів у напрямку цього вектора. Дірка має додатний заряд, який за величиною дорівнює заряду електрона. Спін дірки визначається спіном електронів у валентній зоні. Для більшості поширених напівпровідників, таких як кремній, арсенід галію тощо, він дорівнює 3/2. У напівпровідниках p-типу дірки є . Оскільки дірка переміщується в кристалі, як і вільний носій електричного заряду, то їй приписують позитивний заряд. Якщо діє зовнішнє електричне поле, в кристалі напівпровідника виникає впорядковане переміщення дірок і до електричного струму вільних електронів (електронна провідність) додається електричний струм, пов'язаний з переміщенням дірок (діркова провідність). Дірки зазвичай характеризуються ефективною масою. Для низки напівпровідників валентна зона вироджена в центрі зони Брілюена, хоча при більших квазі-імпульсах це виродження зникає. Тому існує кілька валентних зон і кілька типів дірок, які відрізняються ефективоною масою. Ці дірки називають, відповідно, легкими дірками й важкими дірками. (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Electron-hole.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageID | 142534 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 14474 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1123889332 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Proton dbr:Quantum_mechanics dbr:Electric_charge dbr:Electron_mobility dbr:Electronic_band_structure dbr:Electronic_engineering dbr:NMOS_logic dbr:Bloch's_theorem dbr:Anisotropy dbr:Antiparticle dbr:Uncertainty_principle dbr:Valence_band dbr:Integrated_circuit dbr:OLED dbr:Quasiparticles dbr:Conduction_band dbr:P–n_diode dbr:Quasiparticle dbr:Effective_mass_(solid-state_physics) dbr:Electric_field dbr:Electrical_resistivity_and_conductivity dbr:Electron dbr:Electron_rest_mass dbr:Elementary_particle dbc:Holes dbr:Crystal dbr:Crystal_structure dbr:Computational_chemistry dbr:PMOS_logic dbr:Particle_physics dbr:Physics dbr:Wave_packet dbr:Dispersion_relation dbr:Band_gap dbc:Charge_carriers dbr:Diode dbr:Dirac_sea dbr:Group_velocity dbr:Hall_effect dbr:Atom dbr:Atomic_nucleus dbr:Coupled_cluster dbr:Thermoelectric_effect dbc:Quantum_chemistry dbr:Chemistry dbc:Quasiparticles dbr:Bipolar_junction_transistor dbc:Electronics_concepts dbr:Hole_formalism dbr:Transistor dbr:Auger_electron_spectroscopy dbr:Planck_constant dbr:Positron dbr:Metal dbr:Negative_mass dbr:Neutron dbr:Carrier_generation_and_recombination dbr:X-ray dbr:Solid dbr:Semiconductor dbr:Semiconductor_device dbr:Crystal_lattice dbr:Wave_vector dbr:Solid-state_physics dbr:CMOS_logic dbr:File:15-puzzle-02.jpg dbr:File:BandDiagram-Semiconductors-E.PNG dbr:File:Electron-hole.svg |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Authority_control dbt:Distinguish dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Particles |
| dct:subject | dbc:Holes dbc:Charge_carriers dbc:Quantum_chemistry dbc:Quasiparticles dbc:Electronics_concepts |
| gold:hypernym | dbr:Lack |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatSemiconductors yago:Abstraction100002137 yago:Conductor114821043 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Measure100033615 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:Quantum105855517 yago:Quasiparticle106102116 yago:Relation100031921 dbo:Disease yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613 yago:WikicatQuasiparticles |
| rdfs:comment | ثغرة إلكترونية في الفيزياء وعلى الأخص أشباه الموصلات هي ثغرة تخيلية موجبة الشحنة، وتشترك مع الإلكترونات في نقل التيار الكهربائي وهي توجد في المواد شبه الموصلة ويساعد على إنشائها تشويب المادة شبه الموصلة مثل الجرمانيوم بشوائب من مادة أخرى، وتصل تركيزها في شبه الموصل إلى نحو 1 :1.000.000. . وينتقل التيار الكهربائي واقعيا عن طريق حركة الإلكترونات وقد ابتكرت فكرة الثغرة الإلكترونية من باب تبسيط المعاملة الرياضية المتعلقة بوصف أشباه الموصلات. (ar) Estas du signifoj de la termino elektrona truo, unu en solid-stata fiziko kaj alia en . (eo) En physique du solide, un trou d'électron (habituellement appelé tout simplement trou) est l'absence d'un électron dans la bande de valence, qui serait normalement remplie sans le trou. Une bande de valence remplie (ou presque remplie) est une caractéristique des isolants et des semi-conducteurs. Le concept de trou est essentiellement une façon simple d'analyser le mouvement d'un grand nombre d'électrons en traitant cette absence d'électron comme une quasi-particule. (fr) 응집물질물리학에서 양공(陽孔, 영어: electron hole 일렉트론 홀[*])또는 정공(正孔)은 반도체 (혹은 절연체)에 대하여 (원래 전자로 채워져 있어야 됨) 원자가띠의 전자가 부족한 상태인 준입자이다. 예를 들어 빛이나 열로써 원자가띠가 전도띠 측에 전이되어서 원자가띠의 전자가 부족한 상태가 된다. 양공은 이 전자의 부족으로부터 생기는 구멍(상대적으로 양의 전하를 가지고 있는 것처럼 보임)이다. (ko) In elettronica la lacuna elettronica, chiamata anche semplicemente lacuna, è, insieme all'elettrone, uno dei due portatori di carica che contribuiscono al passaggio di corrente elettrica nei semiconduttori. (it) Dziura elektronowa – w pasmowej teorii przewodnictwa jest to brak elektronu w pełnym paśmie walencyjnym. Pojęcie to występuje w opisie przewodnictwa elektrycznego izolatorów i półprzewodników; jest to tzw. przewodnictwo dziurowe. Nazwa pochodzi stąd, że gdy w paśmie walencyjnym brakuje pojedynczego elektronu, to występująca „dziura” zachowuje się niczym dodatni nośnik ładunku elektrycznego. O występowaniu w przewodnikach dziur i ich udziale w przewodnictwie świadczy zjawisko Seebecka. (pl) 正孔（せいこう）は別名をホール（Electron hole または単にhole）ともいい、半導体において、真性半導体であれば電子で満たされているべき価電子帯の電子が不足した状態を表す。この電子の不足の状態を存在するはずの電子が存在しないという意味で孔(hole)といい、周辺の電荷分布から相対的に正の電荷を持っているように見えるため正孔という。 (ja) Hål eller elektronhål är i fysik och speciellt i halvledarefysik kvasipartiklar med massa, laddning, rörelsemängd, spinn och energi. Ett elektronhål beskriver ett kvantmekaniskt tillstånd som inte är fyllt och som kan uppta en elektron. Man kan formellt räkna med dessa hål som om de vore partiklar, påminnande om elektroner, fast med positiv elektrisk laddning. Konceptet används båda i atomfysik och i fasta tillståndets fysik och där särskilt för halvledare. (sv) 空穴又称电洞、電子孔（Electron hole）、正孔，在固体物理学中指共價鍵上流失一个电子，最後在共價鍵上留下空位的現象。 一個呈電中性的原子，其正電的質子和負電的電子的數量是相等的。現在由於少了一個負電的電子，所以那裡就會呈現出一個正電性的空位——電洞。當有外面一個電子進來掉進了電洞，就會發出電磁波——光子。 電洞不是正電子，電子與正電子相遇湮滅時，所發出來的光子是非常高能的。那是兩粒子的質量所完全轉化出來的電磁波（通常會轉出一對光子）。而電子掉入電洞所發出來的光子，其能量通常只有幾個電子伏特。 半导体由于禁带较窄，电子只需不多的能量就能从价带激发到导带，从而在价带中留下空穴。周围电子可以填补这个空穴，同时在原位置产生一个新的空穴，因此实际上的电子运动看起来就如同是空穴在移动。 在半导体的制备中，要在4价的本征半导体（纯硅、锗等的晶体）的基础上掺杂。若掺入3价元素杂质（如硼、镓、铟、铝等），则可产生大量空穴，获得P型半导体，又称。空穴是P型半导体中的多數载流子。 (zh) En física de l'estat sòlid, un forat és l'absència d'un electró a la banda de valència, que sense la presència del forat seria plena. Una banda de valència plena o gairebé plena és una de les característiques que presenten els aïllants i els semiconductors. El concepte de forat és una manera d'analitzar el moviment dels electrons considerant l'absència d'un electró com una quasipartícula amb càrrega positiva igual a +e. Aquest concepte de forat és diferent del de positró, que seria la partícula d'antimatèria complementària a l'electró. (ca) Elektronová díra je koncepční a matematický protiklad elektronu používaný ve fyzice, chemii a elektrotechnice. Koncept popisuje nepřítomnost elektronu v místě, kde by měl v atomu nebo v atomové mřížce být. Nejedná se o antičástici elektronu – pozitron, který je součástí antihmoty, ale pouhou fikci, používanou pro snadnější modelování. Elektronová díra bývá zahrnuta do výpočtů v následujících situacích: (cs) In physics, chemistry, and electronic engineering, an electron hole (often simply called a hole) is a quasiparticle which is the lack of an electron at a position where one could exist in an atom or atomic lattice. Since in a normal atom or crystal lattice the negative charge of the electrons is balanced by the positive charge of the atomic nuclei, the absence of an electron leaves a net positive charge at the hole's location. (en) Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet. Es stellt die äquivalente Beschreibung des Fehlens eines (realen) Valenzelektrons dar, die der vereinfachten mathematischen Behandlung der Vorgänge im Halbleiter dient. Der reale Ladungstransport findet weiterhin durch Elektronen statt. Des Weiteren ist das Konzept der Defektelektronen wichtig für das Verständnis der Leitungsmechanismen in dotierten Halbleitern. Das Defektelektron ist ein Quasiteilchen, sein Gegenstück ist das Quasiteilchen „“. (de) Un hueco de electrón , o simplemente hueco, es la ausencia de un electrón en la banda de valencia que estaría normalmente completa sin el «hueco». Una banda de valencia completa (o casi completa) es característica de los aislantes y de los semiconductores. La noción de «hueco», desarrollada por Werner Heisenberg en 1931, es esencialmente un modo sencillo y útil para analizar el movimiento de un gran número de electrones, considerando expresamente tal ausencia o hueco de electrones como si fuera una partícula elemental o —más exactamente— una cuasipartícula. (es) In vastestoffysica is een elektronengat het ontbreken van een elektron uit een anders volledig volle valentieband. Een volle (of bijna volle) valentieband komt voor bij halfgeleiders en isolatoren waar deze gescheiden is van de geleidingsband door een bandgap. Een elektron kan nu door thermische excitatie of excitatie ten gevolge van absorptie van invallende straling of fononen (of combinaties hiervan), uit de valentieband naar de conductieband geëxciteerd worden. Hierbij blijft er een gat in de valentieband over. In halfgeleiders zorgen elektronengaten, naast vrije elektronen, voor de elektrische geleiding. (nl) Em física, química e engenharia eletrônica, um buraco de elétron (muitas vezes chamado simplesmente de buraco ou lacuna) é a falta de um elétron em uma posição onde um poderia existir em um átomo ou estrutura atômica. Já que em um átomo normal ou treliça de cristal a carga negativa dos elétrons é balanceada pela carga positiva do núcleos atômicos, a ausência de um elétron deixa uma carga líquida positiva na posição do buraco. Os buracos não são, na verdade, partículas elementares, mas sim quasipartículas; eles são diferentes do pósitron, que é a antipartícula do elétron. (Veja também mar de Dirac.) Ele é um dos dois tipos de portadores de carga responsáveis pela criação de corrente elétrica em materiais semicondutores. Um buraco pode ser visto como o "oposto" de um elétron. (pt) Ды́рка — квазичастица, носитель положительного заряда, равного элементарному заряду, в полупроводниках. Представление о квазичастице с положительным зарядом и положительной эффективной массой есть ни что иное, как терминологическая замена представлению о реальной частице с отрицательным зарядом и отрицательной эффективной массой. Определение термина «дырка» по ГОСТ 22622-77: «Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона». (ru) Ді́рка (англ. hole) — нанообласть кристала яка набуває додатного заряду внаслідок генерації. Позначається зазвичай латинською літерою h від назви англ. hole. Діркова провідність — перенесення електричного заряду через кристал під дією зовнішнього електричного поля, який полягає в тому, що електрони не вповні зайнятої основної смуги, переміщаються на незайняті квантові рівні (електронні дірки) в сфері цієї смуги в напрямку, протилежному вектору електричного поля, що формально відповідає пересуванню позитивних зарядів у напрямку цього вектора. (uk) |
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| owl:differentFrom | dbr:Holon_(physics) |
| owl:sameAs | freebase:Electron hole http://d-nb.info/gnd/4148983-4 yago-res:Electron hole wikidata:Electron hole dbpedia-ar:Electron hole dbpedia-be:Electron hole dbpedia-bg:Electron hole dbpedia-ca:Electron hole dbpedia-cs:Electron hole dbpedia-da:Electron hole dbpedia-de:Electron hole dbpedia-eo:Electron hole dbpedia-es:Electron hole dbpedia-et:Electron hole dbpedia-fa:Electron hole dbpedia-fi:Electron hole dbpedia-fr:Electron hole dbpedia-he:Electron hole http://hi.dbpedia.org/resource/इलेक्ट्रॉन_कोटर dbpedia-hu:Electron hole dbpedia-it:Electron hole dbpedia-ja:Electron hole dbpedia-kk:Electron hole dbpedia-ko:Electron hole http://ml.dbpedia.org/resource/ഇലക്ട്രോൺ_ദ്വാരം dbpedia-nl:Electron hole dbpedia-nn:Electron hole dbpedia-pl:Electron hole dbpedia-pt:Electron hole dbpedia-ro:Electron hole dbpedia-ru:Electron hole http://scn.dbpedia.org/resource/Pirtusu dbpedia-simple:Electron hole dbpedia-sl:Electron hole dbpedia-sv:Electron hole http://ta.dbpedia.org/resource/மின்துளை dbpedia-tr:Electron hole dbpedia-uk:Electron hole http://uz.dbpedia.org/resource/Elektron_teshik dbpedia-vi:Electron hole dbpedia-zh:Electron hole https://global.dbpedia.org/id/4q1yC |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Electron_hole?oldid=1123889332&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/15-puzzle-02.jpg wiki-commons:Special:FilePath/BandDiagram-Semiconductors-E.png wiki-commons:Special:FilePath/Electron-hole.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Electron_hole |
| is dbo:knownFor of | dbr:Werner_Heisenberg |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:Hole_(disambiguation) |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Electron-hole dbr:Electron_holes dbr:Hole_(electricity) dbr:Hole_(quasiparticle) dbr:Hole_(semiconductor) dbr:Hole_conduction dbr:Hole_theory_of_electrons |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Cadmium_sulfide dbr:Quantum-cascade_laser dbr:Qubit dbr:Rubrene dbr:Rudolf_Peierls dbr:Scintillator dbr:Electric_charge dbr:Electric_current dbr:Electrical_conductor dbr:Electrical_mobility dbr:Electrically_detected_magnetic_resonance dbr:Electrode dbr:Electroluminescence dbr:Electromotive_force dbr:Electron_mobility dbr:Electron_orbital_imaging dbr:Electron_quadruplets dbr:Energy-dispersive_X-ray_spectroscopy dbr:Negative-bias_temperature_instability dbr:Scanning_electron_microscope dbr:MOS_composite_static_induction_thyristor dbr:Quantum-confined_Stark_effect dbr:Superluminescent_diode dbr:Boron dbr:Degenerate_semiconductor dbr:Andreev_reflection dbr:Anode dbr:Anomalous_photovoltaic_effect dbr:Antiparticle dbr:John_N._Shive dbr:List_of_particles dbr:Charge-transfer_complex dbr:Charge-transfer_insulators dbr:Charge_carrier dbr:Cynthia_Cattell dbr:Deathnium dbr:Deep-level_transient_spectroscopy dbr:Deep-level_trap dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:Depletion_region dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Double_heterostructure dbr:Index_of_electronics_articles dbr:Index_of_physics_articles_(E) dbr:Interband_cascade_laser dbr:Intrinsic_semiconductor dbr:JFET dbr:K·p_perturbation_theory dbr:Optical_amplifier dbr:Leviton_(quasiparticle) dbr:List_of_quasiparticles dbr:OLED dbr:Convection–diffusion_equation dbr:Copper(I)_thiocyanate dbr:Mass_action_law_(electronics) dbr:Photorefractive_effect dbr:Shockley–Queisser_limit dbr:P–n_junction dbr:Quantum_well_laser dbr:Quasiparticle dbr:Time_resolved_microwave_conductivity dbr:Effective_mass_(solid-state_physics) dbr:Electrical_resistivity_and_conductivity dbr:Electricity dbr:Free_electron_model dbr:Gallium_arsenide dbr:Crystal_detector dbr:Crystal_oscillator dbr:Crystallographic_defects_in_diamond dbr:Dangling_bond dbr:Optical_transistor dbr:Organic_electrochemical_transistor dbr:Organic_field-effect_transistor dbr:Oscillistor dbr:Light-emitting_diode dbr:MCPA dbr:MOSFET dbr:Bogoliubov_quasiparticle dbr:Shubnikov–de_Haas_effect dbr:Stephan_W._Koch dbr:Franz–Keldysh_effect dbr:Hot-carrier_injection dbr:Hot-point_probe dbr:PMOS_logic dbr:Photodiode dbr:Magnetic_semiconductor dbr:Surface_properties_of_transition_metal_oxides dbr:Solid-state_electronics dbr:Semimetal dbr:Activator_(phosphor) dbr:Titanium_dioxide dbr:Tris(bipyridine)ruthenium(II)_chloride dbr:Tunnel_diode dbr:Dark_current_(physics) dbr:Werner_Heisenberg dbr:William_Shockley dbr:Drift_current dbr:Dropleton dbr:Gallium_manganese_arsenide dbr:Haynes–Shockley_experiment dbr:Ion_implantation dbr:Karl_Baedeker_(scientist) dbr:Laser_diode dbr:Lateral_quantum_dot dbr:Lazarus_effect dbr:Leakage_(electronics) dbr:Logic_family dbr:Organic_photorefractive_materials dbr:Polymer-based_battery dbr:Quasi_Fermi_level dbr:Photo–Dember_effect dbr:Dye-sensitized_solar_cell dbr:Earthquake_prediction dbr:Field_effect_(semiconductor) dbr:Band_diagram dbr:Band_gap dbr:Nir_Tessler dbr:Particle_in_a_box dbr:Diamond_battery dbr:Diamond_type dbr:Diode dbr:Dirac_sea dbr:Direct_and_indirect_band_gaps dbr:Gradient_multilayer_nanofilm dbr:Mixed_conductor dbr:List_of_Russian_physicists dbr:List_of_Russian_scientists dbr:H+ dbr:Quantum_well dbr:Hall_effect dbr:Heterojunction dbr:Hexafluoroarsenate dbr:Introduction_to_Solid_State_Physics dbr:Tetracene dbr:Hybrid_solar_cell dbr:Hydraulic_analogy dbr:Arsenic(III)_telluride dbr:Acceptor_(semiconductors) dbr:Landau_quantization dbr:Bilayer_graphene dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:T-antenna dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Hole dbr:Hole_formalism dbr:Holographic_data_storage dbr:Terahertz_spectroscopy_and_technology dbr:Transistor dbr:Trion_(physics) dbr:Potential_well dbr:X-ray_fluorescence dbr:Auger_effect dbr:Solar_cell dbr:Field-effect_transistor dbr:Free_carrier_absorption dbr:Inelastic_mean_free_path dbr:Kröger–Vink_notation dbr:Metal dbr:Capacitance–voltage_profiling dbr:Carrier_generation_and_recombination dbr:Carrier_lifetime dbr:Cathodoluminescence dbr:Yakov_Frenkel dbr:Valence_and_conduction_bands dbr:Hole_(disambiguation) dbr:Majorana_fermion dbr:Transmission_medium dbr:Scanning_voltage_microscopy dbr:Semiconductor_Bloch_equations dbr:Semiconductor_luminescence_equations dbr:Solid dbr:Spreading_resistance_profiling dbr:Scintillation_(physics) dbr:Semiconductor dbr:Semiconductor_device dbr:Silicon dbr:Exotic_atom dbr:Extrinsic_semiconductor dbr:Impact_ionization dbr:Maxwell–Jüttner_distribution dbr:P–n_junction_isolation dbr:Object_of_the_mind dbr:Seebeck_coefficient dbr:Wave_vector dbr:Point-contact_transistor dbr:Exciton dbr:Nanoelectronics dbr:Native_transistor dbr:Photoresistor dbr:Schottky_junction_solar_cell dbr:Schwinger_effect dbr:Radiation_hardening dbr:Mott_transition dbr:Multi-junction_solar_cell dbr:Phonon_drag dbr:Phonovoltaic dbr:Phosphor dbr:Phosphorescent_organic_light-emitting_diode dbr:Photodetector dbr:Polymer_capacitor dbr:Semiconductor_detector dbr:Semiconductor_optical_gain dbr:Silicon-vacancy_center_in_diamond dbr:Spin–charge_separation dbr:Thermistor dbr:Retinomorphic_sensor dbr:List_of_Russian_people dbr:Quantum_dot_display dbr:Oxide_thin-film_transistor dbr:Two-dimensional_electron_gas dbr:Thyristor dbr:X-ray_emission_spectroscopy dbr:Electron-hole dbr:Electron_holes dbr:Hole_(electricity) dbr:Hole_(quasiparticle) dbr:Hole_(semiconductor) dbr:Hole_conduction dbr:Hole_theory_of_electrons dbr:Spin_qubit_quantum_computer |
| is dbp:knownFor of | dbr:Werner_Heisenberg |
| is owl:differentFrom of | dbr:Holon_(physics) |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Electron_hole |
