Electron-beam lithography (original) (raw)
L'utilisation d'un faisceau d'électrons pour tracer des motifs sur une surface est connue sous le nom de lithographie par faisceau d'électrons. On parle également de lithographie électronique. Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre. Cette forme de lithographie a trouvé diverses formes d'application dans la recherche et l'industrie des semi-conducteurs et dans ce qu'il est convenu d'appeler les nanotechnologies.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | Elektronová litografie (angl. electron-beam lithography, e-beam lithography, EBL) je postup, při kterém je svazek elektronů emitován tak, aby vytvořil vzory (obrazy) na ploše pokryté tenkou vrstvou elektronového rezistu (expozice) a následně jsou selektivně odstraněny (rozpuštěny) buď exponované nebo neexponované oblasti rezistu (vyvolání rezistu). Účelem tohoto postupu je vytvořit v rezistu velmi malé struktury, které pak mohou být přeneseny do materiálu podložky. Elektronová litografie byla vyvinuta pro potřeby výroby integrovaných obvodů (zejména výroba masek pro jednotlivé technologické operace). Používá se rovněž pro vytváření struktur v oblasti nanotechnologie. Elektronový litograf (cs) Die Elektronenstrahllithografie (ESL, englisch electron beam lithography oft als e-beam lithography abgekürzt) ist in der Mikro- und Halbleitertechnik ein spezielles Verfahren zur Strukturierung einer Elektronenstrahl-empfindlichen Schicht (engl. resist, in Analogie zur Fotolithografie auch Fotolack genannt). Das Verfahren gehört zur Gruppe der Next-Generation-Lithografie und ist eng verwandt mit der Ionenstrahllithografie. Durch die „Belichtung“ mit einem Elektronenstrahl wird der Resist chemisch geändert, so dass er lokal gelöst werden kann (Entwicklung) und eine strukturierte Resistschicht entsteht. Die Struktur kann anschließend auf eine Schicht aus einem anderen Material übertragen werden, z. B. durch Ätzen einer darunterliegenden Schicht oder durch selektive Abscheidung eines Materials auf dem Resist. Der wesentliche Vorteil des Verfahrens ist, dass Strukturen mit deutlich geringeren Abmessungen (im Nanometerbereich) als bei der Fotolithografie hergestellt werden können. Das Verfahren besitzt große Bedeutung bei der Herstellung von mikroelektronischen Schaltkreisen für moderne elektronische Geräte und wird vor allem bei der Herstellung der bei der Fotolithografie eingesetzten Fotomasken verwendet. Es kann aber auch als maskenloses Lithografieverfahren für die Strukturierung von Schichten bzw. Wafern in der Prototypen- oder Kleinserienherstellung eingesetzt werden. Die Elektronenstrahllithografie wird auch in der Großserienproduktion als Nachfolgeverfahren für heutige (Stand 2011) Fotolithografie auf Basis von Excimerlasern gehandelt. Die langen Prozesszeiten aktueller Techniken, bei denen der Elektronenstrahl beispielsweise über das Substrat gerastert wird, sind jedoch nicht wirtschaftlich und führen auch zu technischen Problemen, z. B. Instabilitäten beim Elektronenstrahl. (de) Electron-beam lithography (often abbreviated as e-beam lithography, EBL) is the practice of scanning a focused beam of electrons to draw custom shapes on a surface covered with an electron-sensitive film called a resist (exposing). The electron beam changes the solubility of the resist, enabling selective removal of either the exposed or non-exposed regions of the resist by immersing it in a solvent (developing). The purpose, as with photolithography, is to create very small structures in the resist that can subsequently be transferred to the substrate material, often by etching. The primary advantage of electron-beam lithography is that it can draw custom patterns (direct-write) with sub-10 nm resolution. This form of maskless lithography has high resolution and low throughput, limiting its usage to photomask fabrication, low-volume production of semiconductor devices, and research and development. (en) L'utilisation d'un faisceau d'électrons pour tracer des motifs sur une surface est connue sous le nom de lithographie par faisceau d'électrons. On parle également de lithographie électronique. Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre. Cette forme de lithographie a trouvé diverses formes d'application dans la recherche et l'industrie des semi-conducteurs et dans ce qu'il est convenu d'appeler les nanotechnologies. (fr) 電子線描画装置（でんしせんびょうがそうち、電子ビーム描画装置、電子ビーム露光装置、EB (electron beam) 露光装置、Electron Beam Lithography Exposure）は、電子線加工装置と走査型電子顕微鏡を応用したもので、主に半導体用レチクル作成に用いられる。電子銃から発せられた電子線を電子レンズやアパーチャー、デフレクタなどを通し、X-Y-Zステージを微細に制御しながらマスクブランクスへ照射して目的のパターンを露光する。また、マーク付きウェハーへの直接描画（ダイレクト描画）機能を持つものもある。 (ja) Elektronolitografia - jest obok fotolitografii i rentgenolitografii techniką wykorzystywaną do produkcji zminiaturyzowanych układów elektronicznych na podłożach półprzewodnikowych. W tej metodzie zamiast fotonów do uczulania wykorzystuje się wiązkę elektronów o energii rzędu 20 keV charakteryzującą się znacznie mniejszą długością fali. Główną zaletą tej techniki jest więc wysoka rozdzielczość sięgająca 0,1 nm. Dodatkowo nie trzeba stosować maski, gdyż wiązką elektronów można sterować bezpośrednio za pomocą pola elektrycznego lub pola magnetycznego. Odwzorowanie następuje przez przemiatanie wiązką po określonych rejonach zaprogramowanych w komputerze sterującym. Korekcja elektrostatyczna działa szybciej niż magnetyczna, jest jednak mniej precyzyjna. Wysoka energia elektronów oprócz klasycznych wzbudzeń prowadzi do rozrywania wiązań C-C, co powoduje zwiększenie rozpuszczalności rezystu. Otrzymanie tak wysokiej precyzji wymaga wprowadzenia dodatkowych elementów kontrolujących centrowanie maski i podłoża. Płytki umieszczane są na stolikach, których położenie kontrolowane jest z dokładnością do ułamków nanometrów za pomocą interferometrów laserowych. Ograniczeniem rozdzielczości elektronolitografii są przekrój wiązki elektronowej, rozpraszanie elektronów w podłożu i rezyście oraz wtórne odbicie od warstw rezystu. W zderzeniach generowane są również wtórne elektrony, które penetrują materiał daleko poza naświetlanym obszarem. Ekspozycji towarzyszy również silne rozpraszanie energii mogące częściowo rozkładać rezyst. Problemy te ujawniają się szczególnie przy produkcji struktur periodycznych i naświetlaniu blisko leżących elementów, Wtedy to sumują się bocznie rozproszone elektrony mogące powodować wywołanie rezystu w niechcianych obszarach. Jednym z rozwiązań jest stosowanie elektronów o niskiej energii, jednak wtedy pojawiają się problemy z silnym odpychaniem Coulombowskim elektronów i kolimacją wiązki. Użycie wysokoenergetycznych, głęboko penetrujących elektronów powoduje z kolei znaczne wydłużenie czasów naświetlania. Poważnym ograniczeniem elektronolitografii jest jej szybkość ograniczona prędkością skanowania wiązki. Choć powszechnie stosuje się ją w laboratoriach badawczych w przemyśle elektronicznym wciąż bezkonkurencyjna pod względem szybkości (100 razy szybsza) jest fotolitografia. Ważnym zastosowaniem elektronolitografii jest produkcja masek wykorzystywanych w fotolitografii. (pl) Litografia por feixe de elétrons (frequentemente abreviada na literatura em língua inglesa como e-beam lithography) é a prática de varrer com um feixe de elétrons em um padrão através de uma superfície coberta com um filme (chamado nesta área de atividade ), ("expondo" o resiste) e de remover seletivamente ou regiões expostas ou não expostas do resiste ("desenvolvimento"). O propósito, assim como com fotolitografia, é a criação de estruturas muito pequenas no resiste que podem posteriormente ser transferidas para o substrato material, muitas vezes por decapagem. Ele foi desenvolvido para a fabricação de circuitos integrados, e é também usado para criar arquiteturas nanotecnológicas. (pt) Электро́нная литогра́фия или электро́нно-лучева́я литогра́фия — метод нанолитографии с использованием электронного пучка. (ru) Електро́нна літогра́фія або електро́нно-промене́ва літогра́фія — метод нанолітографії з використанням електронного пучка. (uk) 电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。 光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波。这样，电子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米线提供了很有用的工具。电子束曝光需要的时间长是它的一个主要缺点。为了解决这个问题，应运而生。 电子束曝光在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/EB_litograph.jpg?width=300 |
| dbo:wikiPageID | 1093768 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 33408 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1103174926 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Electron_avalanche dbr:Electron_microscope dbc:Lithography_(microfabrication) dbr:Research_and_development dbr:Inelastic_scattering dbr:Interference_lithography dbr:Interferometry dbr:Inverse_problem dbr:Electron_beam_technology dbr:Convolution dbr:Cross_section_(physics) dbr:SEMATECH dbr:Shot_noise dbr:Electron dbr:Electronvolt dbr:Multibeam_Corporation dbr:Point_spread_function dbr:Ion_beam_lithography dbc:Electron_beam dbr:Field_electron_emission dbr:Lens_flare dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Thermionic_emission dbr:Proximity_effect_(electron_beam_lithography) dbr:Raster_scan dbr:Resist dbr:Hydrogen_silsesquioxane dbr:Maskless_lithography dbr:Lanthanum_hexaboride dbr:Transmission_electron_microscopy dbr:Photolithography dbr:Phonon dbr:Poly(methyl_methacrylate) dbr:Space_charge dbr:Optical_aberration dbr:Photomask dbr:Scanning_tunneling_microscope dbr:Secondary_electrons dbr:Extreme_ultraviolet_lithography dbr:Polaron dbr:Backscattering dbr:Ionization_potential dbr:Monte_Carlo_simulations dbr:File:EB_litograph.jpg dbr:File:Electron_Beam_scattering.svg dbr:File:Electron_travel_(Monte_Carlo).png dbr:File:Feature_stitching_across_fields.png dbr:File:PMMA_Linewidth_vs_SPL_Dose.PNG |
| dbp:date | June 2019 (en) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Nanolith dbt:Citation_needed dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Update_inline dbt:When |
| dct:subject | dbc:Lithography_(microfabrication) dbc:Electron_beam |
| gold:hypernym | dbr:Practice |
| rdf:type | dbo:Company |
| rdfs:comment | L'utilisation d'un faisceau d'électrons pour tracer des motifs sur une surface est connue sous le nom de lithographie par faisceau d'électrons. On parle également de lithographie électronique. Par rapport à la photolithographie, l'avantage de cette technique est qu'elle permet de repousser les limites de la diffraction de la lumière et de dessiner des motifs avec une résolution pouvant aller jusqu'au nanomètre. Cette forme de lithographie a trouvé diverses formes d'application dans la recherche et l'industrie des semi-conducteurs et dans ce qu'il est convenu d'appeler les nanotechnologies. (fr) 電子線描画装置（でんしせんびょうがそうち、電子ビーム描画装置、電子ビーム露光装置、EB (electron beam) 露光装置、Electron Beam Lithography Exposure）は、電子線加工装置と走査型電子顕微鏡を応用したもので、主に半導体用レチクル作成に用いられる。電子銃から発せられた電子線を電子レンズやアパーチャー、デフレクタなどを通し、X-Y-Zステージを微細に制御しながらマスクブランクスへ照射して目的のパターンを露光する。また、マーク付きウェハーへの直接描画（ダイレクト描画）機能を持つものもある。 (ja) Litografia por feixe de elétrons (frequentemente abreviada na literatura em língua inglesa como e-beam lithography) é a prática de varrer com um feixe de elétrons em um padrão através de uma superfície coberta com um filme (chamado nesta área de atividade ), ("expondo" o resiste) e de remover seletivamente ou regiões expostas ou não expostas do resiste ("desenvolvimento"). O propósito, assim como com fotolitografia, é a criação de estruturas muito pequenas no resiste que podem posteriormente ser transferidas para o substrato material, muitas vezes por decapagem. Ele foi desenvolvido para a fabricação de circuitos integrados, e é também usado para criar arquiteturas nanotecnológicas. (pt) Электро́нная литогра́фия или электро́нно-лучева́я литогра́фия — метод нанолитографии с использованием электронного пучка. (ru) Електро́нна літогра́фія або електро́нно-промене́ва літогра́фія — метод нанолітографії з використанням електронного пучка. (uk) 电子束曝光（electron beam lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。 光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论，电子是一种波长极短的波。这样，电子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米线提供了很有用的工具。电子束曝光需要的时间长是它的一个主要缺点。为了解决这个问题，应运而生。 电子束曝光在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路。 (zh) Elektronová litografie (angl. electron-beam lithography, e-beam lithography, EBL) je postup, při kterém je svazek elektronů emitován tak, aby vytvořil vzory (obrazy) na ploše pokryté tenkou vrstvou elektronového rezistu (expozice) a následně jsou selektivně odstraněny (rozpuštěny) buď exponované nebo neexponované oblasti rezistu (vyvolání rezistu). Elektronový litograf (cs) Die Elektronenstrahllithografie (ESL, englisch electron beam lithography oft als e-beam lithography abgekürzt) ist in der Mikro- und Halbleitertechnik ein spezielles Verfahren zur Strukturierung einer Elektronenstrahl-empfindlichen Schicht (engl. resist, in Analogie zur Fotolithografie auch Fotolack genannt). Das Verfahren gehört zur Gruppe der Next-Generation-Lithografie und ist eng verwandt mit der Ionenstrahllithografie. Durch die „Belichtung“ mit einem Elektronenstrahl wird der Resist chemisch geändert, so dass er lokal gelöst werden kann (Entwicklung) und eine strukturierte Resistschicht entsteht. Die Struktur kann anschließend auf eine Schicht aus einem anderen Material übertragen werden, z. B. durch Ätzen einer darunterliegenden Schicht oder durch selektive Abscheidung eines Materia (de) Electron-beam lithography (often abbreviated as e-beam lithography, EBL) is the practice of scanning a focused beam of electrons to draw custom shapes on a surface covered with an electron-sensitive film called a resist (exposing). The electron beam changes the solubility of the resist, enabling selective removal of either the exposed or non-exposed regions of the resist by immersing it in a solvent (developing). The purpose, as with photolithography, is to create very small structures in the resist that can subsequently be transferred to the substrate material, often by etching. (en) Elektronolitografia - jest obok fotolitografii i rentgenolitografii techniką wykorzystywaną do produkcji zminiaturyzowanych układów elektronicznych na podłożach półprzewodnikowych. W tej metodzie zamiast fotonów do uczulania wykorzystuje się wiązkę elektronów o energii rzędu 20 keV charakteryzującą się znacznie mniejszą długością fali. Główną zaletą tej techniki jest więc wysoka rozdzielczość sięgająca 0,1 nm. Dodatkowo nie trzeba stosować maski, gdyż wiązką elektronów można sterować bezpośrednio za pomocą pola elektrycznego lub pola magnetycznego. Odwzorowanie następuje przez przemiatanie wiązką po określonych rejonach zaprogramowanych w komputerze sterującym. Korekcja elektrostatyczna działa szybciej niż magnetyczna, jest jednak mniej precyzyjna. Wysoka energia elektronów oprócz klasycz (pl) |
| rdfs:label | Elektronová litografie (cs) Elektronenstrahllithografie (de) Electron-beam lithography (en) Lithographie à faisceau d'électrons (fr) 電子線描画装置 (ja) Elektronolitografia (pl) Litografia por feixe de elétrons (pt) Электронная литография (ru) Електронна літографія (uk) 电子束曝光 (zh) |
| owl:sameAs | freebase:Electron-beam lithography wikidata:Electron-beam lithography dbpedia-cs:Electron-beam lithography dbpedia-de:Electron-beam lithography dbpedia-et:Electron-beam lithography dbpedia-fa:Electron-beam lithography dbpedia-fi:Electron-beam lithography dbpedia-fr:Electron-beam lithography dbpedia-he:Electron-beam lithography http://hi.dbpedia.org/resource/इलेक्ट्रॉन_किरण_अश्मलेखन dbpedia-ja:Electron-beam lithography dbpedia-pl:Electron-beam lithography dbpedia-pt:Electron-beam lithography dbpedia-ru:Electron-beam lithography dbpedia-tr:Electron-beam lithography dbpedia-uk:Electron-beam lithography dbpedia-vi:Electron-beam lithography dbpedia-zh:Electron-beam lithography https://global.dbpedia.org/id/2Qwcy |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Electron-beam_lithography?oldid=1103174926&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/EB_litograph.jpg wiki-commons:Special:FilePath/Electron_Beam_scattering.svg wiki-commons:Special:FilePath/Electron_travel_(Monte_Carlo).png wiki-commons:Special:FilePath/Feature_stitching_across_fields.png wiki-commons:Special:FilePath/PMMA_Linewidth_vs_SPL_Dose.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Electron-beam_lithography |
| is dbo:product of | dbr:Multibeam_Corporation |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:EBL |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Electron-Beam_Lithography dbr:Electron_beam_lithography dbr:Electron_lithography dbr:E-beam_lithography |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:14_nm_process dbr:Electron dbr:Multibeam_Corporation dbr:Cornell_NanoScale_Science_and_Technology_Facility dbr:Optical_microcavity dbr:Multiple_patterning dbr:Photonic_crystal dbr:Synthetic_setae dbr:Scanning_electrochemical_microscopy dbr:Distributed-feedback_laser dbr:Laura_Heyderman dbr:Superlens dbr:32_nm_process dbr:Frances_M._Ross dbr:Photoresist dbr:Hesse dbr:Hydrogen_silsesquioxane dbr:EBL dbr:Atomically_precise_manufacturing dbr:Thermal_scanning_probe_lithography dbr:Polydimethylsiloxane dbr:InSight dbr:Micralign dbr:Ultra-high_vacuum dbr:Scanning_probe_lithography dbr:Selective_area_epitaxy dbr:Plasmonic_nanolithography dbr:Nano_guitar dbr:Nanochemistry dbr:Nanoelectromechanical_systems dbr:Nanolithography dbr:Schottky_junction_solar_cell dbr:Template-guided_self-assembly dbr:Electron-Beam_Lithography dbr:Electron_beam_lithography dbr:Electron_lithography dbr:E-beam_lithography |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Electron-beam_lithography |
