P–n junction (original) (raw)
PN přechod je rozhraní polovodiče typu P a polovodiče typu N. PN přechod propouští elektrický proud pouze jedním směrem a je základem polovodičových součástek jako jsou diody a tranzistory, fotovoltaické články, svítivé LED a integrované obvody. Objev PN přechodu učinil v roce 1939 americký fyzik v Bellových laboratořích. V roce 1941 popsal sovětský fyzik objev PN přechodu na materiálu Cu2O a sulfidu stříbrném u fotobuňky a u selenových usměrňovačů. Schottkyho dioda používá speciální případ PN přechodu, kde polovodič typu P je nahrazen kovem.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | وصلة الموجب والسالب ووصلة بي إن والوصلة الثنائية (بالإنجليزية: P-N Junction): يتألف من رقاقتين من شبه موصل، الرقاقة الأولى n تكون بنيتها غنية باللإلكترونات (سالبة) والرقاقة الثانية p تكون خاصية بنيتها غنية بالفجوات (موجبة). يتم تصنيعهما بعملية تسمى تشويب حيث نًدخل مادة مشوبة مناسبة في بنية شبه موصل مثل السيليكون، فينتج «النوع إن» و «النوع بي». عند وصل الرقاقتين تتشكل (منطقة عزل) بين الرقاقتين ويتكون لدينا صمام ثنائي Diode. تكتسب الوصلة أهميتها من أنها حجر الأساس في صنع الثنائي والخلايا الشمسية والمقحل زوجي الأقطاب، والثنائي الضوئي، والثنائي المشع ، والمقداح والترياك وغيرها. يرجع ابتكار وصلة بي-إن إلى الفيزيائي الأمريكي ومان يعمل في بل لابوراتوريز وتوجد وصلة شوتكي وهي نوع خاص من وصلة بي-إن ، ولكن فيها يقوم معدن مقام «النوع بي» من شبه الموصل. (ar) PN přechod je rozhraní polovodiče typu P a polovodiče typu N. PN přechod propouští elektrický proud pouze jedním směrem a je základem polovodičových součástek jako jsou diody a tranzistory, fotovoltaické články, svítivé LED a integrované obvody. Objev PN přechodu učinil v roce 1939 americký fyzik v Bellových laboratořích. V roce 1941 popsal sovětský fyzik objev PN přechodu na materiálu Cu2O a sulfidu stříbrném u fotobuňky a u selenových usměrňovačů. Schottkyho dioda používá speciální případ PN přechodu, kde polovodič typu P je nahrazen kovem. (cs) Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos , un de tipus N i un altre de tipus P. Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció. Es basa en la tecnologia del semiconductor. Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat , s'obtenen unes propietats elèctriques diferents que si se n'apliquen unes altres. (ca) En elektro, 'junto' estas kunigo de diversspecaj duonkonduktantoj: pn-junto (p =pozitivaregiono, n = negativa regiono) formas diodon; duo da juntoj npn aŭ pnp farastransistoron. * * * * (eo) Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.So wirkt ein p-n-Übergang wie ein „Stromventil“, welches beispielsweise bei Einkristall-Halbleiterdioden eingesetzt wird und angelegten Strom sperrt (Sperrzustand) oder durchlässt (Durchlasszustand). (de) En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique courant-tension de la jonction est fortement non linéaire : c'est celle d'une diode. La physique des jonctions p-n a de grandes utilités pratiques dans la création de dispositifs à semi-conducteurs. La diode redresseuse de courant ainsi que la plupart des autres types de diodes contiennent ainsi une jonction p-n. Les cellules photovoltaïques sont également constituées d'une jonction p-n de grande surface dans laquelle les paires électron-trou créées par la lumière sont séparées par le champ électrique de la jonction. Enfin, un type de transistor, le transistor bipolaire, est réalisé en mettant deux jonctions p-n en sens inverse – transistor pnp ou npn. (fr) Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico. Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica. (es) A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. The "p" (positive) side contains an excess of holes, while the "n" (negative) side contains an excess of electrons in the outer shells of the electrically neutral atoms there. This allows electrical current to pass through the junction only in one direction. The p-n junction is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scattering the electrons and holes. p–n junctions are elementary "building blocks" of semiconductor electronic devices such as diodes, transistors, solar cells, light-emitting diodes (LEDs), and integrated circuits; they are the active sites where the electronic action of the device takes place. For example, a common type of transistor, the bipolar junction transistor (BJT), consists of two p–n junctions in series, in the form n–p–n or p–n–p; while a diode can be made from a single p-n junction. A Schottky junction is a special case of a p–n junction, where metal serves the role of the n-type semiconductor. (en) P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor dan bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah: (in) Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente. La giunzione p-n è composta di due zone: una con un eccesso di lacune (strato p) e una con eccedenza di elettroni (strato n). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine giunzione fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento); in questo volume i portatori, rispettivamente del lato p e del lato n, di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, diffondono nel semiconduttore adiacente (generando una corrente di diffusione), lasciando non compensati gli atomi ionizzati dei droganti, i quali a loro volta genereranno una differenza di potenziale, un campo elettrico e, spostando i portatori, una corrente di trascinamento che si oppone a quella di diffusione; la differenza di potenziale costante generata dagli ioni di materiale drogante è chiamata tensione di built-in. La larghezza della zona di carica spaziale dipende dai drogaggi e da ciascun lato è inversamente proporzionale al drogaggio del semiconduttore. Dato che la carica elettrica degli ioni negativi deve compensare perfettamente quella degli ioni positivi si avrà: dove e sono le concentrazioni degli atomi accettori e donatori, e l'estensione della regione di svuotamento rispettivamente della zona p ed n. La giunzione p-n è alla base di dispositivi a semiconduttore quali il diodo a giunzione, il transistor, il LED e la cella solare. (it) P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있다. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋다. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 (depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 끌어당김에 의해 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다. 여기서 바이어스라는 말은 P-N접합에 전압을 걸어주는 것을 뜻한다. 전 작업자가 전도도가 떨어지는 영역이라고 표현했지만 이것은 결과적인 의미해석이고전기적인 장벽은 전자의 균일화 엔트로피때문에 일어난다. 정공이라고 불리는 것이 전자가 없는 부분이라는 것을 생각할 때 p형 반도체는 전자의 밀도가 낮은상태이고 n형반도체는 전자의 밀도가 높은 상태가 된다. 이상태에서 접합된다면 두 반도체의 전자 밀도가 같아지려는 현상을 보일 것이고 결과적으로 정공과 전자는 각각 반대쪽 반도체로 넘어가게 된다. 하지만 각각의 반도체는 원래상태(전자와 정공이 넘어가지 않은 상태)가 안정된 상태이기에 이 현상은 접합면에 n->p의 방향을 가지는 전기장을 만들며 이 전기장이 역전압이 된다. (ko) pn接合（pnせつごう、pn junction）とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。 (ja) Een pn-overgang (ook p-n-overgang, PN-overgang of anders) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd (negatief) naar p-gedoteerd (positief) halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus). Deze overgang wordt aangeduid als junctie (Engels: junction). Hoewel een pn-overgang in principe gemaakt kan worden door materiaal van het p-type in nauw contact te brengen met materiaal van het n-type, is dit praktisch moeilijk te realiseren. Men vormt daarom een pn-overgang door in een enkel stukje van het basismateriaal gebieden van verschillende dotering te creëren, en wel zo dat in één deel de p-dotering overheerst en in een ander deel de n-dotering. De grens tussen beide vormt een pn-overgang. (nl) Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n. W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w sieci krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim. Atomy domieszek są tu akceptorami. W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych. Obszar o mniejszej koncentracji domieszek znajdujący się pomiędzy kontaktem złącza a warstwą zubożoną nazywany jest bazą. (pl) En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden. PN-övergångar har några intressanta egenskaper som har användbara tillämpningar i modern elektronik. P-dopade halvledare är relativt konduktiva och detsamma gäller för N-dopade dito, men övergången mellan dem är icke-konduktiv. Detta icke-konduktiva områden kallas och uppstår därför att de elektriska laddningsbärarna i de P- och N-dopade halvledarna (hål respektive elektroner) attraherar och eliminerar varandra i en process som kallas . Genom att manipulera spärrskiktet kan man få PN-övergången att fungera som en diod: elektriska kretsar som leder ström i en riktning men inte i den motsatta. Denna egenskap kan förklaras med hjälp av förspännings- och backspänningseffekter. (sv) Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino. Ou seja, não basta apenas colocar em contato íntimo os tipos de semicondutores, pois além da presença de impurezas e defeitos nas superfícies, existem também filmes de óxidos que cobrem essas superfícies, mudando totalmente a interface dos semicondutores. O diodo de junção é um elemento básico para quase todos os dispositivos semicondutores que usam uma junção P-N. A maioria dos dispositivos semicondutores usados em componentes eletrônicos modernos utiliza junções P-N como sua estrutura fundamental. (pt) p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других). (ru) p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- таn-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого. Ця область характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. На властивостях p-n переходів ґрунтується робота напівпровідникових діодів, транзисторів та інших електронних елементів з нелінійною вольт-амперною характеристикою. Відкриття p-n переходу зазвичай відносять американському фізику Расселу Олу з Bell Labs. Проте патент Ола було отримано лише в 1946 році, а перші західні публікації, присвячені p-n переходу, з'явилися ще роком пізніше. Натомість уже в 1941 році український фізик Вадим Лашкарьов опублікував роботу в якій методом термозонду було досліджено перші p-n переходи . (uk) 一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面间有一个过渡层，稱為pn结、p-n结、pn接面（p-n junction）。pn结是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/PN_diode_with_electrical_symbol.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://web.archive.org/web/20090420084422/http:/ee.byu.edu/cleanroom/pn_junction.phtml https://web.archive.org/web/20110727112904/http:/nanohub.org/tools/pntoy https://web.archive.org/web/20120210214029/http:/web.ift.uib.no/~torheim/pnsjikt.pdf https://web.archive.org/web/20191215174504/https:/nanohub.org/ https://www.youtube.com/watch%3Fv=JBtEckh3L9Q http://www.powerguru.org/2012/08/22/p-n-junction/ |
| dbo:wikiPageID | 571755 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 20784 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1120428010 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Electric_potential dbr:Electron_hole dbr:Metal–semiconductor_junction dbr:Non-rectifying_junction dbr:Bell_Labs dbr:Boltzmann_constant dbr:Alloy-junction_transistor dbr:Anode dbr:Permittivity dbr:Charge_carrier dbr:Deep-level_transient_spectroscopy dbr:Depletion_region dbr:Donor_(semiconductors) dbr:Dopant dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Integrated_circuit dbr:Photocell dbc:Semiconductor_structures dbr:Russell_Ohl dbr:Electric_field dbr:Electrical_conductivity dbr:Electricity dbr:Electron dbr:Epitaxy dbr:N-type_semiconductor dbr:Crystal dbr:Light-emitting_diode dbr:Delocalized_electron dbr:Potential_difference dbr:Ion_implantation dbr:Breakdown_voltage dbr:P-type_semiconductor dbr:Diffusion dbr:Diode dbr:Diode_modelling dbr:Grain_boundary dbr:Atom dbr:Acceptor_(semiconductors) dbr:Charge_density dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Einstein_relation_(kinetic_theory) dbr:Transistor dbr:Zener_diode dbr:Avalanche_breakdown dbr:Solar_cell dbr:Fermi_energy dbr:Field-effect_transistor dbr:Kirchhoff's_current_law dbr:Micrometers dbr:Capacitance–voltage_profiling dbr:Cathode dbr:Space_charge_region dbr:Scattering dbr:Schottky_diode dbr:Semiconductor_device dbr:Ohmic_contact dbr:Transistor–transistor_logic dbr:Semiconductor_detector dbr:Schottky_junction dbr:Shockley_diode_equation dbr:Vadim_Lashkaryov dbr:Varactor dbr:Forward_bias dbr:Reverse_bias dbr:Majority_carrier dbr:Majority_carriers dbr:P–n–p_transistor dbr:N–p–n_transistor dbr:Shockley_ideal_diode_equation dbr:Semiconductor_material dbr:Depletion_layer dbr:Depletion_zone dbr:Zener_breakdown dbr:File:PN_Junction_in_Reverse_Bias.png dbr:File:PN_diode_with_electrical_symbol.svg dbr:File:Pn-junction-equilibrium.png dbr:File:Silicium-atomes.png dbr:File:PN_band.gif dbr:File:Pn-junction-equilibrium-graphs.png |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Authority_control dbt:Citation_needed dbt:Cite_journal dbt:Commons_category dbt:Div_col dbt:Div_col_end dbt:Lowercase_title dbt:More_citations_needed_section dbt:Reflist dbt:See_also dbt:Short_description dbt:Technical dbt:Unreferenced_section |
| dct:subject | dbc:Semiconductor_structures |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatTransistors yago:WikicatSemiconductorDevices yago:Artifact100021939 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:Diode103202940 yago:ElectronicDevice103277771 yago:Instrumentality103575240 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Transistor104471632 yago:Tube104494204 yago:Whole100003553 yago:WikicatDiodes |
| rdfs:comment | PN přechod je rozhraní polovodiče typu P a polovodiče typu N. PN přechod propouští elektrický proud pouze jedním směrem a je základem polovodičových součástek jako jsou diody a tranzistory, fotovoltaické články, svítivé LED a integrované obvody. Objev PN přechodu učinil v roce 1939 americký fyzik v Bellových laboratořích. V roce 1941 popsal sovětský fyzik objev PN přechodu na materiálu Cu2O a sulfidu stříbrném u fotobuňky a u selenových usměrňovačů. Schottkyho dioda používá speciální případ PN přechodu, kde polovodič typu P je nahrazen kovem. (cs) Una junció PN, o junció NP, és la unió de dos , un de tipus N i un altre de tipus P. Qualsevol dispositiu electrònic utilitza aquesta Junció. Es basa en la tecnologia del semiconductor. Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat , s'obtenen unes propietats elèctriques diferents que si se n'apliquen unes altres. (ca) En elektro, 'junto' estas kunigo de diversspecaj duonkonduktantoj: pn-junto (p =pozitivaregiono, n = negativa regiono) formas diodon; duo da juntoj npn aŭ pnp farastransistoron. * * * * (eo) Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen der Halbleitertechnik vor. Die Besonderheit des p-n-Übergangs ist die Ausbildung einer Raumladungszone (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt), die beim Anlegen einer äußeren Spannung Stromfluss nur in einer Richtung zulässt.So wirkt ein p-n-Übergang wie ein „Stromventil“, welches beispielsweise bei Einkristall-Halbleiterdioden eingesetzt wird und angelegten Strom sperrt (Sperrzustand) oder durchlässt (Durchlasszustand). (de) Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque también se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algún otro metal o compuesto químico. Es la base del funcionamiento de la energía solar fotovoltaica. (es) P-n junction terbentuk dengan menggabungkan semikonduktor dan bersamaan dalam hubungan yang sangat dekat. Istilah junction menunjuk ke bagian di mana kedua tipe semikonduktor tersebut bertemu. Dapat dilihat sebagai perbatasan antara wilayah antara blok tipe-P dan tipe-N seperti yang diperlihatkan di diagram bawah: (in) pn接合（pnせつごう、pn junction）とは、半導体中でP型半導体の領域とN型半導体の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。またショットキー接合の示す整流性も、pn接合と原理的に良く似る。 (ja) Złączem p-n nazywane jest złącze dwóch półprzewodników niesamoistnych o różnych typach przewodnictwa: p i n. W obszarze typu n (negative) nośnikami większościowymi są elektrony (ujemne). Atomy domieszek (donory) pozostają unieruchomione w sieci krystalicznej. Analogicznie w obszarze typu p (positive) nośnikami większościowymi są dziury o ładunku elektrycznym dodatnim. Atomy domieszek są tu akceptorami. W półprzewodnikach obu typów występują także nośniki mniejszościowe przeciwnego znaku niż większościowe; koncentracja nośników mniejszościowych jest dużo mniejsza niż większościowych. Obszar o mniejszej koncentracji domieszek znajdujący się pomiędzy kontaktem złącza a warstwą zubożoną nazywany jest bazą. (pl) p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других). (ru) 一塊半導體晶體一側摻雜成p型半導體，另一側摻雜成n型半導體，中間二者相連的接觸面间有一个过渡层，稱為pn结、p-n结、pn接面（p-n junction）。pn结是電子技術中許多元件，例如半導體二極管、雙極性晶體管的物质基础。 (zh) وصلة الموجب والسالب ووصلة بي إن والوصلة الثنائية (بالإنجليزية: P-N Junction): يتألف من رقاقتين من شبه موصل، الرقاقة الأولى n تكون بنيتها غنية باللإلكترونات (سالبة) والرقاقة الثانية p تكون خاصية بنيتها غنية بالفجوات (موجبة). يتم تصنيعهما بعملية تسمى تشويب حيث نًدخل مادة مشوبة مناسبة في بنية شبه موصل مثل السيليكون، فينتج «النوع إن» و «النوع بي». عند وصل الرقاقتين تتشكل (منطقة عزل) بين الرقاقتين ويتكون لدينا صمام ثنائي Diode. تكتسب الوصلة أهميتها من أنها حجر الأساس في صنع الثنائي والخلايا الشمسية والمقحل زوجي الأقطاب، والثنائي الضوئي، والثنائي المشع ، والمقداح والترياك وغيرها. (ar) A p–n junction is a boundary or interface between two types of semiconductor materials, p-type and n-type, inside a single crystal of semiconductor. The "p" (positive) side contains an excess of holes, while the "n" (negative) side contains an excess of electrons in the outer shells of the electrically neutral atoms there. This allows electrical current to pass through the junction only in one direction. The p-n junction is created by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or by epitaxy (growing a layer of crystal doped with one type of dopant on top of a layer of crystal doped with another type of dopant). If two separate pieces of material were used, this would introduce a grain boundary between the semiconductors that would severely inhibit its utility by scatter (en) En physique des semi-conducteurs, une jonction p-n désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage p à un dopage n. Lorsque la région dopée p est mise en contact avec la région n, les électrons et les trous diffusent spontanément de part et d'autre de la jonction, créant ainsi une zone de déplétion, ou zone de charge d'espace (ZCE), où la concentration en porteurs libres est quasiment nulle. Alors qu'un semi-conducteur dopé est un bon conducteur, la jonction ne laisse quasiment pas passer le courant. La largeur de la zone de déplétion varie avec la tension appliquée de part et d'autre de la jonction. Plus cette zone est petite, plus la résistance de la jonction est faible. La caractéristique courant-tension de la jonction est fortement non linéaire : c'est (fr) P-N 접합(p–n junction)은 현대 전자공학에서 유용하게 사용할 수 있는 성질을 가지고 있다. P형 반도체나 N형 반도체나 모두 전도율이 좋다. 하지만, 이 둘 사이의 접합면은 그렇지 않다. 이 전도율이 떨어지는 접합면을 (depletion zone)이라고 하며, P형 반도체의 운반자인 정공과, N형 반도체의 운반자인 전자가 끌어당김에 의해 재결합하면서 없어지기 때문에 생긴다. 이 전도율이 떨어지는 부분을 이용해서 다이오드를 만든다. 다이오드는 한쪽 방향으로는 전류가 흐를 수 있지만, 다른쪽 방향으로는 전류가 흐르지 않는 소자이다. 이런 특성은 정방향 바이어스와 역방향 바이어스를 이용해서 설명한다. 여기서 바이어스라는 말은 P-N접합에 전압을 걸어주는 것을 뜻한다. 전 작업자가 전도도가 떨어지는 영역이라고 표현했지만 이것은 결과적인 의미해석이고전기적인 장벽은 전자의 균일화 엔트로피때문에 일어난다. (ko) Con il termine giunzione p-n si indica l'interfaccia che separa le parti di un semiconduttore sottoposte a drogaggio di tipo differente. La giunzione p-n è composta di due zone: una con un eccesso di lacune (strato p) e una con eccedenza di elettroni (strato n). Le eccedenze di elettroni e lacune si ottengono mediante drogaggio, con varie tecniche. Il termine giunzione fa riferimento alla regione in cui si incontrano i due tipi di drogaggio (P e N). La regione di confine tra i blocchi di tipo P e di tipo N è detta zona/regione di carica spaziale (o di svuotamento); in questo volume i portatori, rispettivamente del lato p e del lato n, di fronte al forte gradiente dovuto al diverso tipo di drogaggio, diffondono nel semiconduttore adiacente (generando una corrente di diffusione), lasciando n (it) Een pn-overgang (ook p-n-overgang, PN-overgang of anders) is het grensgebied rond de overgang van n-gedoteerd (negatief) naar p-gedoteerd (positief) halfgeleidermateriaal. Een pn-overgang vormt een sperlaag of uitputtingszone tussen het p-type en n-type materiaal. Een groot deel van de halfgeleidertechnologie berust op de eigenschappen van een pn-overgang. Bijvoorbeeld bij de led (light emitting diode) is er een pn-overgang van de kathode (min) naar de anode (plus). Deze overgang wordt aangeduid als junctie (Engels: junction). (nl) Uma junção P-N é produzida quando dois semicondutores do tipo P e do tipo N são ligados de forma que se mantenha a continuidade do reticulado cristalino. Ou seja, não basta apenas colocar em contato íntimo os tipos de semicondutores, pois além da presença de impurezas e defeitos nas superfícies, existem também filmes de óxidos que cobrem essas superfícies, mudando totalmente a interface dos semicondutores. O diodo de junção é um elemento básico para quase todos os dispositivos semicondutores que usam uma junção P-N. (pt) En PN-övergång bildas där n-dopade och p-dopade halvledare kommer i kontakt. Termen övergång syftar på området där de olika halvledartyperna möts. Den kan betraktas som gränsområde mellan de n- och p-dopade områdena i bilden. (sv) p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- таn-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого. Ця область характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. На властивостях p-n переходів ґрунтується робота напівпровідникових діодів, транзисторів та інших електронних елементів з нелінійною вольт-амперною характеристикою. (uk) |
| rdfs:label | وصلة الموجب والسالب (ar) Junció PN (ca) PN přechod (cs) P-n-Übergang (de) Junto (elektro) (eo) Unión PN (es) Pertemuan p-n (in) Giunzione p-n (it) Jonction p-n (fr) PN 접합 (ko) Pn接合 (ja) Pn-overgang (nl) Złącze p-n (pl) P–n junction (en) Junção PN (pt) P-n-переход (ru) PN-övergång (sv) P-n-перехід (uk) Pn结 (zh) |
| rdfs:seeAlso | dbr:P–n_diode dbr:Band_bending |
| owl:sameAs | freebase:P–n junction http://d-nb.info/gnd/4174949-2 wikidata:P–n junction dbpedia-ar:P–n junction dbpedia-be:P–n junction dbpedia-bg:P–n junction http://bn.dbpedia.org/resource/পি–এন_সংযোগ dbpedia-ca:P–n junction dbpedia-cs:P–n junction dbpedia-da:P–n junction dbpedia-de:P–n junction dbpedia-eo:P–n junction dbpedia-es:P–n junction dbpedia-et:P–n junction dbpedia-fa:P–n junction dbpedia-fi:P–n junction dbpedia-fr:P–n junction http://hi.dbpedia.org/resource/पी_एन_जंक्शन dbpedia-hu:P–n junction dbpedia-id:P–n junction dbpedia-it:P–n junction dbpedia-ja:P–n junction dbpedia-ko:P–n junction http://lv.dbpedia.org/resource/P-n_pāreja dbpedia-nl:P–n junction dbpedia-nn:P–n junction dbpedia-pl:P–n junction dbpedia-pt:P–n junction dbpedia-ro:P–n junction dbpedia-ru:P–n junction dbpedia-sh:P–n junction dbpedia-sr:P–n junction dbpedia-sv:P–n junction http://tg.dbpedia.org/resource/P-n-гузариш dbpedia-th:P–n junction dbpedia-uk:P–n junction dbpedia-zh:P–n junction https://global.dbpedia.org/id/iaSa |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:P–n_junction?oldid=1120428010&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Silicium-atomes.png wiki-commons:Special:FilePath/PN_band.gif wiki-commons:Special:FilePath/PN_Junction_in_Reverse_Bias.png wiki-commons:Special:FilePath/PN_diode_with_electrical_symbol.svg wiki-commons:Special:FilePath/Pn-junction-equilibrium-graphs.png wiki-commons:Special:FilePath/Pn-junction-equilibrium.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:P–n_junction |
| is dbo:knownFor of | dbr:William_Shockley |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:P–N_junction dbr:Pn_junction dbr:P-N_junction dbr:P-n_junction dbr:P-n dbr:PN_junction dbr:Pn-junction dbr:Pn_Junction dbr:Formation_of_a_p-n_Junction dbr:Reverse-biased dbr:Reverse_bias dbr:Idiot_Diode dbr:Single-junction_cell dbr:Semiconductor_junction |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Cadmium_telluride dbr:Electrical_junction dbr:Electromotive_force dbr:Electroreflectance dbr:Electrowetting dbr:NP dbr:Nanowire dbr:Ring_modulation dbr:MESFET dbr:Metal–semiconductor_junction dbr:Blackmer_gain_cell dbr:Boltzmann_constant dbr:Charge-coupled_device dbr:Depletion_region dbr:Dynamical_billiards dbr:Index_of_physics_articles_(P) dbr:James_W._Mayer dbr:Solar-cell_efficiency dbr:Light-emitting_diode_physics dbr:P–N_junction dbr:Chemical_potential dbr:Low-level_injection dbr:Silicon_bandgap_temperature_sensor dbr:P–n_diode dbr:QFET dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Crystal_Fire:_The_Birth_of_the_Information_Age dbr:Photoelectrochemistry dbr:Pn_junction dbr:Light-emitting_diode dbr:Silicon_dioxide dbr:Comparator dbr:Computer_program dbr:ZMDI dbr:Hardware_random_number_generator dbr:Josephson_diode dbr:PIN_diode dbr:PN dbr:Phase-change_memory dbr:Photodiode dbr:Photovoltaics dbr:Transition_metal_dichalcogenide_monolayers dbr:Tunnel_diode dbr:Two-photon_photovoltaic_effect dbr:Walter_H._Schottky dbr:William_Shockley dbr:Junction_temperature dbr:Laser_diode dbr:Piezophototronics dbr:Abdulaziz_Karimov dbr:Daryl_Chapin dbr:Dye-sensitized_solar_cell dbr:Fermi_level dbr:Band_bending dbr:Bandgap_voltage_reference dbr:Diode dbr:Glossary_of_mechanical_engineering dbr:Positive_feedback dbr:Rectifier dbr:Hanergy dbr:Heterojunction dbr:Invention_of_the_integrated_circuit dbr:Jean_Hoerni dbr:Hydraulic_analogy dbr:Solaristor dbr:John_Bardeen dbr:Bifacial_solar_cells dbr:Bilayer dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Homojunction dbr:Thermal_management_(electronics) dbr:Thermal_management_of_high-power_LEDs dbr:Transistor dbr:Zener_diode dbr:Diffusion_current dbr:Avalanche_transistor dbr:Solar_cell dbr:Field-effect_transistor dbr:Capacitance–voltage_profiling dbr:XMM-Newton dbr:Silicon_controlled_rectifier dbr:Single-photon_avalanche_diode dbr:Switched_capacitor dbr:Schottky_barrier dbr:Schottky_diode dbr:Semiconductor dbr:Semiconductor_device dbr:Silicon dbr:IMPATT_diode dbr:Ohmic_contact dbr:P–n_junction_isolation dbr:Tribovoltaic_effect dbr:Photoresistor dbr:Scanning_quantum_dot_microscopy dbr:Schottky_junction_solar_cell dbr:Multi-junction_solar_cell dbr:Photodetector dbr:Photovoltaic_effect dbr:Semiconductor_detector dbr:Silicon–germanium dbr:Perovskite_solar_cell dbr:Varicap dbr:P-N_junction dbr:P-n_junction dbr:Stabistor dbr:Outline_of_electronics dbr:Thermophotovoltaic_energy_conversion dbr:P-n dbr:PN_junction dbr:Pn-junction dbr:Pn_Junction dbr:Formation_of_a_p-n_Junction dbr:Reverse-biased dbr:Reverse_bias dbr:Idiot_Diode dbr:Single-junction_cell dbr:Semiconductor_junction |
| is dbp:workingPrinciple of | dbr:P–n_diode |
| is rdfs:seeAlso of | dbr:P–n_diode |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:P–n_junction |
