PMOS logic (original) (raw)
منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب أو PMOS اختصارًا (من P-channel metal – oxide – semiconductor) عبارة عن عائلة من الدوائر الرقمية تعتمد على القناة p، وضع التعزيز الترانزستورات ذات التأثير الميداني لأكسيد أشباه الموصلات (MOSFET). في أواخر الستينيات وأوائل السبعينيات، كان منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب هو تقنية أشباه الموصلات المهيمنة للدوائر المتكاملة واسعة النطاق قبل أن تحل محلها أجهزة منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب وأشباه الموصلات ذات الأكاسيد المعندية المتتامة.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P. Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008. Funkce tranzistorů PMOS (MOSFET typu P) je založena na vytváření (indukovaného kanálu) v substrátu typu N přivedením dostatečně velkého záporného napětí na elektrodu nazývanou hradlo (G), čímž dojde k přitažení děr k elektrodě G. Vzniklá vrstva nazývaná p-kanál, může vést díry mezi elektrodami „source“ a „drain“ .Tranzistory PMOS mají jako jiné tranzistory MOSFET čtyři režimy činnosti: závěrný (anglicky cut-off, subthreshold), triodový (lineární), režim saturace (někdy nazývaný aktivní) a saturace rychlosti nosičů (anglicky velocity saturation). (cs) منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب أو PMOS اختصارًا (من P-channel metal – oxide – semiconductor) عبارة عن عائلة من الدوائر الرقمية تعتمد على القناة p، وضع التعزيز الترانزستورات ذات التأثير الميداني لأكسيد أشباه الموصلات (MOSFET). في أواخر الستينيات وأوائل السبعينيات، كان منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب هو تقنية أشباه الموصلات المهيمنة للدوائر المتكاملة واسعة النطاق قبل أن تحل محلها أجهزة منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب وأشباه الموصلات ذات الأكاسيد المعندية المتتامة. (ar) Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.Schaltkreise, die neben Widerständen nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik (n-channel metal-oxide-semiconductor) dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms im Kanal nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt. (de) PMOS or pMOS logic (from p-channel metal–oxide–semiconductor) is a family of digital circuits based on p-channel, enhancement mode metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In the late 1960s and early 1970s, PMOS logic was the dominant semiconductor technology for large-scale integrated circuits before being superseded by NMOS and CMOS devices. (en) La logica PMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo P per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistor PMOS operano creando uno strato di inversione in un substrato di tipo N. Questo strato di inversione, chiamato canale P, può condurre delle lacune tra i terminali source e drain di tipo P. Il canale P viene creato applicando una tensione elettrica sul terzo terminale, che prende il nome di gate. Come gli altri MOSFET, i transistor PMOS hanno tre modi di operare: in zona di interdizione, in zona di triodo e in zona di saturazione. La logica PMOS è semplice da progettare e costruire (un MOSFET può essere creato per operare come un resistore, quindi l'intero circuito può essere costruito a partire da transistor a effetto di campo di tipo PMOS), ma ciò comporta anche diversi difetti. Il problema peggiore è dato dalla presenza di una corrente continua che attraversa una porta logica PMOS quando la rete di pull-up è attiva, ossia ogni volta che l'uscita è alta, e ciò comporta una dissipazione di potenza statica anche quando il circuito è a riposo. Inoltre i circuiti PMOS sono lenti nella transizione da segnale alto a basso. Quando effettuano la transizione da basso ad alto, i transistor forniscono una bassa resistenza, e la carica capacitiva in uscita si accumula molto velocemente (come quando si carica un condensatore attraverso una resistenza molto piccola). Ma la resistenza tra l'uscita e il terminale negativo di alimentazione è molto più grande, perciò la transizione alto-basso dura molto di più (come quando si scarica un condensatore attraverso una resistenza grande). L'impiego di un resistore di valore più basso velocizzerà il processo, ma incrementerà di contro la dissipazione di potenza statica. Come se non bastasse, i livelli degli ingressi logici asimmetrici rendono i circuiti PMOS sensibili al rumore. La maggior parte dei circuiti integrati PMOS richiedono un'alimentazione tra i 17 e i 24 volt in corrente continua. Il microprocessore di tipo PMOS Intel 4004, tuttavia, utilizzava una logica PMOS in polisilicio anziché con porte metalliche, consentendo un differenziale di tensione. Per avere una compatibilità con i segnali TTL, l'Intel 4004 prevedeva una tensione di alimentazione positiva VSS=+5V ed una tensione di alimentazione negativa VDD = -10V. Sebbene fosse inizialmente più semplice da costruire, la logica PMOS venne in seguito soppiantata dalla logica NMOS, che impiega transistor con canale N ed è più veloce. I moderni circuiti integrati sono invece realizzati con la logica CMOS, che utilizza sia transistor con canale N sia transistor con canale P. (it) pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років. (uk) pMOS — технология производства элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel , . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет. (ru) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/CT7004.jpg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://web.archive.org/web/20180702235616/http:/www.quadibloc.com/comp/cp01.htm http://www.quadibloc.com/comp/cp01.htm |
| dbo:wikiPageID | 11968523 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 17401 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1123182627 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Robert_Noyce dbr:Rockwell_PPS-4 dbr:Electron_hole dbr:Electron_mobility dbr:NMOS_logic dbr:Read-only_memory dbc:Arab_inventions dbc:Egyptian_inventions dbr:Bell_Labs dbr:Dawon_Kahng dbr:Victor_Technology dbr:De_Morgan's_laws dbr:Dynamic_random-access_memory dbr:Integrated_circuit dbr:Intel_4040 dbr:Intel_8008 dbr:Inversion_layer_(semiconductors) dbc:South_Korean_inventions dbr:Gate_capacitance dbr:General_Instrument dbr:General_Microelectronics dbr:Gordon_Moore dbr:N-type_semiconductor dbr:Transistor-transistor_logic dbr:MOSFET dbr:Magnetic_core_memory dbr:Static_random-access_memory dbr:Frank_Wanlass dbr:National_Semiconductor_PACE dbr:4000_series dbc:MOSFETs dbr:Fairchild_Semiconductor dbr:Federico_Faggin dbr:P-type_semiconductor dbr:Central_processing_unit dbr:Direct_current dbr:Digital_circuit dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Logic_gate dbr:Metal_gate dbr:Texas_Instruments dbr:Self-aligned_gate dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Threshold_voltage dbr:Texas_Instruments_TMS1000 dbc:Logic_families dbr:CMOS dbr:Enhancement_mode dbr:Metal–oxide–semiconductor dbr:IBM dbr:Intel dbr:Intel_1103 dbr:Intel_4004 dbr:Microprocessor dbr:Microprocessor_chronology dbr:National_Semiconductor dbr:Multiplexer dbr:Rockwell_International dbr:IMP-16 dbr:P–n_junction_isolation dbr:National_Semiconductor_SC/MP dbr:Polysilicon dbr:Mohamed_Atalla dbr:Electron_holes dbr:Les_Vadasz dbr:CMOS_logic dbr:Digital_Circuit dbr:File:CT7004.jpg dbr:File:PMOS-inverter.svg dbr:File:PMOS-NAND-gate.svg dbr:File:PMOS-NOR-gate.svg |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Cite_web dbt:Main dbt:Reflist dbt:Rp dbt:See_also dbt:Short_description dbt:Logic_Families dbt:Electronic_components |
| dct:subject | dbc:Arab_inventions dbc:Egyptian_inventions dbc:South_Korean_inventions dbc:MOSFETs dbc:Logic_families |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatLogicFamilies yago:Abstraction100002137 yago:Family108078020 yago:Group100031264 yago:Organization108008335 yago:YagoLegalActor yago:YagoLegalActorGeo yago:YagoPermanentlyLocatedEntity yago:SocialGroup107950920 yago:Unit108189659 |
| rdfs:comment | منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب أو PMOS اختصارًا (من P-channel metal – oxide – semiconductor) عبارة عن عائلة من الدوائر الرقمية تعتمد على القناة p، وضع التعزيز الترانزستورات ذات التأثير الميداني لأكسيد أشباه الموصلات (MOSFET). في أواخر الستينيات وأوائل السبعينيات، كان منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب هو تقنية أشباه الموصلات المهيمنة للدوائر المتكاملة واسعة النطاق قبل أن تحل محلها أجهزة منطق أكسيد شبه موصل من النوع السالب وأشباه الموصلات ذات الأكاسيد المعندية المتتامة. (ar) Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.Schaltkreise, die neben Widerständen nur p-Kanal-MOSFETs als Transistoren nutzen, werden als PMOS-Logik bezeichnet. Sie stellt das Komplement zur NMOS-Logik (n-channel metal-oxide-semiconductor) dar, die Elektronen zur Leitung des elektrischen Stroms im Kanal nutzt. Schaltkreise beider Art wurden und werden mit der sogenannten Silizium-Gate-Technik (auch PMOS-Prozess) hergestellt. (de) PMOS or pMOS logic (from p-channel metal–oxide–semiconductor) is a family of digital circuits based on p-channel, enhancement mode metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). In the late 1960s and early 1970s, PMOS logic was the dominant semiconductor technology for large-scale integrated circuits before being superseded by NMOS and CMOS devices. (en) pMOS — технологія виробництва напівпровідникових елементів. На її основі будувалися елементи пам'яті, такі, як Intel 1702, К505РР1. Це серія МОН мікросхем з електричним записом і ультрафіолетовим стиранням. В основі — лавиноподібний пробій pn переходу зворотною напругою (до 50 В). Основний носій — електрони, оскільки за технологією того часу інжектувати електрони в ізольований шар було простіше. Одна комірка пам'яті будувалася на двох транзисторах. За теоретичними даними комірка могла зберігати інформацію до 10 років. (uk) pMOS — технология производства элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel , . Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — p-n-перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет. (ru) PMOS logika (anglicky P-type metal-oxide-semiconductor) je polovodičová technologie používaná pro realizaci logických členů v digitálních integrovaných obvodech složených pouze z unipolárních tranzistorů typu P. Technologií PMOS byly vyrobeny první mikroprocesory Intel 4004 a Intel 8008. (cs) La logica PMOS utilizza transistori a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET) con drogaggio di tipo P per implementare circuiti logici e altri circuiti digitali. I transistor PMOS operano creando uno strato di inversione in un substrato di tipo N. Questo strato di inversione, chiamato canale P, può condurre delle lacune tra i terminali source e drain di tipo P. (it) |
| rdfs:label | منطق أكسيد شبه موصل من النوع الموجب (ar) PMOS (cs) PMOS (de) Logica PMOS (it) PMOS logic (en) PMOS (ru) PMOS (pt) PMOS (uk) |
| rdfs:seeAlso | dbr:Background dbr:Depletion-load_NMOS_logic |
| owl:sameAs | freebase:PMOS logic yago-res:PMOS logic wikidata:PMOS logic dbpedia-ar:PMOS logic dbpedia-cs:PMOS logic dbpedia-de:PMOS logic dbpedia-fa:PMOS logic dbpedia-it:PMOS logic dbpedia-pt:PMOS logic dbpedia-ru:PMOS logic dbpedia-uk:PMOS logic dbpedia-vi:PMOS logic https://global.dbpedia.org/id/hNFX |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:PMOS_logic?oldid=1123182627&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/PMOS-NAND-gate.svg wiki-commons:Special:FilePath/PMOS-NOR-gate.svg wiki-commons:Special:FilePath/CT7004.jpg wiki-commons:Special:FilePath/PMOS-inverter.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:PMOS_logic |
| is dbo:knownFor of | dbr:Dawon_Kahng dbr:Mohamed_M._Atalla |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:PMOS |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:P-MOS dbr:P-type_MOS dbr:P-type_Metal-Oxide-Semiconductor |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Rockwell_PPS-4 dbr:Electron_hole dbr:Electronic_component dbr:Electronics_industry_in_the_Socialist_Republic_of_Romania dbr:NMOS_logic dbr:Read-only_memory dbr:Printed_electronics dbr:Dawon_Kahng dbr:History_of_computing_hardware dbr:History_of_general-purpose_CPUs dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:Depletion_and_enhancement_modes dbr:Integrated_circuit dbr:Intel_4040 dbr:Intel_8008 dbr:Inverter_(logic_gate) dbr:List_of_photographic_equipment_makers dbr:List_of_semiconductor_scale_examples dbr:Transmission_gate dbr:Gate_array dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Mostek dbr:Mostek_5065 dbr:Eric_Fossum dbr:Pro_Electron dbr:MOSFET dbr:MOSFET_applications dbr:Signetics_2650 dbr:ZMDI dbr:Zilog_Z80 dbr:National_Semiconductor_PACE dbr:PMOS dbr:COP400 dbr:Active-pixel_sensor dbr:Timeline_of_DOS_operating_systems dbr:Data_General_Nova dbr:Laser-assisted_device_alteration dbr:Logic_family dbr:3_nm_process dbr:EPROM dbr:Central_processing_unit dbr:Four-phase_logic dbr:History_of_the_transistor dbr:Kombinat_Mikroelektronik_Erfurt dbr:List_of_Intel_processors dbr:List_of_Soviet_microprocessors dbr:Logic_gate dbr:Metal_gate dbr:Pun_(disambiguation) dbr:Transistor dbr:Sam_Zeloof dbr:Texas_Instruments_TMS1000 dbr:Texas_Instruments_TMS1100 dbr:Digital_signal_processor dbr:Automotive_electronics dbr:CMOS dbr:Industry_Standard_Architecture dbr:Intel_1103 dbr:Intel_4004 dbr:Intel_8080 dbr:Microprocessor dbr:Microprocessor_chronology dbr:Random-access_memory dbr:Memory_cell_(computing) dbr:SONOS dbr:ULN2003A dbr:IMP-16 dbr:Transistor_fault dbr:NEC_μCOM_series dbr:National_Semiconductor_SC/MP dbr:Process_corners dbr:Phosphorene dbr:PFET dbr:Transistor_count dbr:Outline_of_information_technology dbr:P-MOS dbr:P-type_MOS dbr:P-type_Metal-Oxide-Semiconductor |
| is rdfs:seeAlso of | dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Extrinsic_semiconductor |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:PMOS_logic |
