Ion implantation (original) (raw)
غرس الأيونات (بالإنجليزية: Ion implantation) هي تقنية مستخدمة في علم المواد من أجل تغيير الخصائص الفيزيائية والكيميائية والكهربائية للأجسام الصلبة. تستخدم هذه العملية في تصنيع نبائط أشباه الموصلات وفي تجهيز الفلزات، والعديد من التطبيقات الأخرى في علم المواد. طور مبدأ غرس الأيونات كوسيلة من أجل إنتاج وصلات بي إن للأجهزة الكهرضوئية في أواخر سبعينات وأوائل ثمانينات القرن العشرين.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | غرس الأيونات (بالإنجليزية: Ion implantation) هي تقنية مستخدمة في علم المواد من أجل تغيير الخصائص الفيزيائية والكيميائية والكهربائية للأجسام الصلبة. تستخدم هذه العملية في تصنيع نبائط أشباه الموصلات وفي تجهيز الفلزات، والعديد من التطبيقات الأخرى في علم المواد. طور مبدأ غرس الأيونات كوسيلة من أجل إنتاج وصلات بي إن للأجهزة الكهرضوئية في أواخر سبعينات وأوائل ثمانينات القرن العشرين. (ar) Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt. Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials verändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter bezeichnet. (de) Ion implantation is a low-temperature process by which ions of one element are accelerated into a solid target, thereby changing the physical, chemical, or electrical properties of the target. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as well as in materials science research. The ions can alter the elemental composition of the target (if the ions differ in composition from the target) if they stop and remain in the target. Ion implantation also causes chemical and physical changes when the ions impinge on the target at high energy. The crystal structure of the target can be damaged or even destroyed by the energetic collision cascades, and ions of sufficiently high energy (10s of MeV) can cause nuclear transmutation. (en) L'implantation ionique est un procédé d'ingénierie des matériaux. Comme son nom l'indique, il est utilisé pour implanter les ions d'un matériau dans un autre solide, changeant de ce fait les propriétés physiques de ce solide. L'implantation ionique est utilisée dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs, pour le traitement de surface des métaux, ainsi que pour la recherche en science des matériaux. Les ions permettent à la fois de changer les propriétés chimiques de la cible, mais également les propriétés structurelles car la structure cristalline de la cible peut être abîmée ou même détruite. (fr) La implantación de iones es un proceso propio de la ingeniería de materiales por el cual los iones de un material pueden ser implantados en otro sólido, cambiando por tanto las propiedades físicas de este último. La implantación de iones es utilizada en la fabricación de dispositivos semiconductores y en el revestimiento de algunos metales, así como en diversas aplicaciones orientadas a la investigación en ciencia de materiales. Los iones provocan, por una parte cambios químicos en el objetivo, ya que pueden ser de un elemento distinto al que lo compone, y por otra un cambio estructural, puesto que la estructura cristalina del objetivo puede ser dañada o incluso destruida. La implantación iónica se desarrolló como un método para producir la unión p-n de dispositivos fotovoltaicos a finales de los años 1970 y comienzos de los 1980, junto con el uso de haz de electrones pulsados para el recocido rápido, aunque hasta la fecha no se ha utilizado para la producción comercial. (es) 이온 주입(ion implantation)은 특정 원소의 이온들을 특정 고체 대상에 주입, 가속화시킴으로써 해당 대상의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 변경시키는 저온 가공법이다. 이온 주입은 와 금속 표면 처리, 그리고 재료과학 연구에 사용된다. 이 이온들은 (이온들이 대상 물질과 성분이 다를 경우) 대상 물질의 기초 성분을 변화시킬 수 있다. 또, 이온 주입은 고에너지로 대상 물질에 침투할 때 화학적, 물리적 변화를 유발할 수도 있다. 대상 물질의 결정 구조는 에너지 에 의해 손상되거나 심지어는 파괴될 수도 있으며 충분히 높은 에너지를 가진 이온(10s의 MeV)들은 을 일으킬 수 있다. (ko) イオン注入（イオンちゅうにゅう、英語: ion implantation）は、物質のイオンを固体材料に注入し、固体材料の物性を変化させる 材料科学的手法である。電子工学分野で 半導体デバイスの生産に利用される他、金属の表面処理にも利用される。イオン注入は物質に化学的組成の変化を与えると同時に、結晶構造の構造的な変化も与える。 (ja) L'impiantazione ionica è un processo in cui degli ioni vengono impiantati in un solido (in particolare in un semiconduttore) cambiandone le proprietà fisiche. (it) Implantacja jonów – domieszkowanie materiałów polegające na rozpędzeniu jonów w polu elektrycznym i zderzeniu z domieszkowanym materiałem. Jony metali (najczęściej grupy 13 i 15) uderzając w półprzewodnik niszczą jego strukturę krystaliczną. Dlatego też niezbędny jest później proces wygrzewania poimplantacyjnego, który ma za zadanie odbudowę struktury oraz aktywację elektryczną domieszki.Głębokość domieszkowania zależy od energii jonów w czasie zderzenia, masy jonu, rodzaju podłoża, a także od kierunku padania wiązki na płytkę podłożową. Technika ta pozwala na tworzenie płytkich, wysoko domieszkowanych obszarów i jest dopełnieniem procesu dyfuzji. (pl) Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей (имплантата) в поверхностный слой материала, например, пластины полупроводника или эпитаксиальной плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 кэВ). Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов. Ионную имплантацию также применяют как метод легирования металлов для изменения их физических и химических свойств (повышения твёрдости, износостойкости, коррозионной стойкости и т. д.). Ионная имплантация в материалы высокотемпературных сверхпроводников семейства , — редкоземельный металл, используется для создания центров пиннинга, повышающих плотность критического тока. (ru) 離子注入是一種將特定離子在電場裡加速，然后嵌入到另一固體材料之中的技术手段。使用這個技术可以改變固體材料的物理化學性質，现在已经广泛应用于半導體器件製造和某些材料科學研究。離子注入可以導致，或改變某些固体材料的晶體結構。 (zh) Іо́нна імпланта́ція — спосіб введення атомів домішок у поверхневий шар пластини або епітаксіальної плівки шляхом бомбардування його поверхні пучком іонів домішки з високою енергією (10-2000 кеВ). Іонізація атомів домішки, прискорення іонів та фокусування іонного пучка виконується у спеціальних установках типу прискорювачів частинок у ядерній фізиці. Іонна імплантація використовується при створенні напівпровідникових приладів методом планарної технології. Її також застосовують як метод легування металів для зміни їх фізичних і хімічних властивостей (підвищення твердості, зносостійкості, корозійної стійкості тощо). (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Ion_implantation_machine_at_LAAS_0521.jpg?width=300 |
| dbo:wikiPageID | 15539 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 24603 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1122146539 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Amorphous_solid dbr:Sapphire dbr:Electrical_injury dbr:Electron_hole dbr:Nanoparticle dbr:Particle_radiation dbr:Boron dbr:Antimony dbc:Glass_coating_and_surface_modification dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Mass_spectrometry dbr:Particle_accelerator dbr:Electronvolt dbr:Epitaxy dbr:Bragg_peak dbr:N-type_semiconductor dbr:Corrosion dbr:Crystal_structure dbr:Crystallographic_defect dbr:Optoelectronics dbr:Annealing_(metallurgy) dbr:MOSFET dbr:Silica dbr:Stopping_and_Range_of_Ions_in_Matter dbr:Stopping_power_(particle_radiation) dbr:Collision_cascade dbr:Furnace_anneal dbr:Materials_science dbc:Semiconductor_technology dbr:Toxic dbr:Wafer_(electronics) dbr:Dislocation dbr:Glass dbr:Ion_beam_deposition dbr:Ion_beam_mixing dbr:Ion_source dbr:Linear_particle_accelerator dbr:Nickel_silicide dbr:P-type_semiconductor dbr:Carcinogen dbr:Vacuum_pump dbr:Flammable dbr:Arsenic dbr:Arsine dbc:Materials_science dbc:Semiconductor_device_fabrication dbr:Binary_collision_approximation dbr:Nuclear_transmutation dbr:Diamond_cubic dbr:Phosphine dbr:Phosphorus dbr:Fabrication_(semiconductor) dbr:Radionuclide dbr:Channelling_(physics) dbr:X-ray dbr:Silicon dbr:Plasma_acceleration dbr:Nonlinear_optics dbr:Sputtering dbr:Ion_(physics) dbr:Rutherford_backscattering dbr:Semiconductor_fabrication dbr:File:Diamond_structure.png dbr:File:Ion_implantation_machine_at_LAAS_0521.jpg dbr:File:Ion_implanter_schematic.png |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Commons_category dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Use_American_English dbt:Use_dmy_dates dbt:Glass_science |
| dct:subject | dbc:Glass_coating_and_surface_modification dbc:Semiconductor_technology dbc:Materials_science dbc:Semiconductor_device_fabrication |
| gold:hypernym | dbr:Process |
| rdf:type | yago:WikicatSemiconductorDevices yago:Artifact100021939 yago:Conductor103088707 yago:Device103183080 yago:Instrumentality103575240 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 dbo:Election yago:SemiconductorDevice104171831 yago:Whole100003553 |
| rdfs:comment | غرس الأيونات (بالإنجليزية: Ion implantation) هي تقنية مستخدمة في علم المواد من أجل تغيير الخصائص الفيزيائية والكيميائية والكهربائية للأجسام الصلبة. تستخدم هذه العملية في تصنيع نبائط أشباه الموصلات وفي تجهيز الفلزات، والعديد من التطبيقات الأخرى في علم المواد. طور مبدأ غرس الأيونات كوسيلة من أجل إنتاج وصلات بي إن للأجهزة الكهرضوئية في أواخر سبعينات وأوائل ثمانينات القرن العشرين. (ar) Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt. Auf diese Weise lassen sich die Materialeigenschaften (meistens die elektrischen Eigenschaften) des Grundmaterials verändern. Das Verfahren wird unter anderem in der Halbleitertechnik genutzt. Entsprechende Anlagen zur Ionenimplantation werden als Ionenimplanter bezeichnet. (de) Ion implantation is a low-temperature process by which ions of one element are accelerated into a solid target, thereby changing the physical, chemical, or electrical properties of the target. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as well as in materials science research. The ions can alter the elemental composition of the target (if the ions differ in composition from the target) if they stop and remain in the target. Ion implantation also causes chemical and physical changes when the ions impinge on the target at high energy. The crystal structure of the target can be damaged or even destroyed by the energetic collision cascades, and ions of sufficiently high energy (10s of MeV) can cause nuclear transmutation. (en) L'implantation ionique est un procédé d'ingénierie des matériaux. Comme son nom l'indique, il est utilisé pour implanter les ions d'un matériau dans un autre solide, changeant de ce fait les propriétés physiques de ce solide. L'implantation ionique est utilisée dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs, pour le traitement de surface des métaux, ainsi que pour la recherche en science des matériaux. Les ions permettent à la fois de changer les propriétés chimiques de la cible, mais également les propriétés structurelles car la structure cristalline de la cible peut être abîmée ou même détruite. (fr) 이온 주입(ion implantation)은 특정 원소의 이온들을 특정 고체 대상에 주입, 가속화시킴으로써 해당 대상의 물리적, 화학적, 전기적 특성을 변경시키는 저온 가공법이다. 이온 주입은 와 금속 표면 처리, 그리고 재료과학 연구에 사용된다. 이 이온들은 (이온들이 대상 물질과 성분이 다를 경우) 대상 물질의 기초 성분을 변화시킬 수 있다. 또, 이온 주입은 고에너지로 대상 물질에 침투할 때 화학적, 물리적 변화를 유발할 수도 있다. 대상 물질의 결정 구조는 에너지 에 의해 손상되거나 심지어는 파괴될 수도 있으며 충분히 높은 에너지를 가진 이온(10s의 MeV)들은 을 일으킬 수 있다. (ko) イオン注入（イオンちゅうにゅう、英語: ion implantation）は、物質のイオンを固体材料に注入し、固体材料の物性を変化させる 材料科学的手法である。電子工学分野で 半導体デバイスの生産に利用される他、金属の表面処理にも利用される。イオン注入は物質に化学的組成の変化を与えると同時に、結晶構造の構造的な変化も与える。 (ja) L'impiantazione ionica è un processo in cui degli ioni vengono impiantati in un solido (in particolare in un semiconduttore) cambiandone le proprietà fisiche. (it) 離子注入是一種將特定離子在電場裡加速，然后嵌入到另一固體材料之中的技术手段。使用這個技术可以改變固體材料的物理化學性質，现在已经广泛应用于半導體器件製造和某些材料科學研究。離子注入可以導致，或改變某些固体材料的晶體結構。 (zh) La implantación de iones es un proceso propio de la ingeniería de materiales por el cual los iones de un material pueden ser implantados en otro sólido, cambiando por tanto las propiedades físicas de este último. La implantación de iones es utilizada en la fabricación de dispositivos semiconductores y en el revestimiento de algunos metales, así como en diversas aplicaciones orientadas a la investigación en ciencia de materiales. Los iones provocan, por una parte cambios químicos en el objetivo, ya que pueden ser de un elemento distinto al que lo compone, y por otra un cambio estructural, puesto que la estructura cristalina del objetivo puede ser dañada o incluso destruida. (es) Implantacja jonów – domieszkowanie materiałów polegające na rozpędzeniu jonów w polu elektrycznym i zderzeniu z domieszkowanym materiałem. Jony metali (najczęściej grupy 13 i 15) uderzając w półprzewodnik niszczą jego strukturę krystaliczną. Dlatego też niezbędny jest później proces wygrzewania poimplantacyjnego, który ma za zadanie odbudowę struktury oraz aktywację elektryczną domieszki.Głębokość domieszkowania zależy od energii jonów w czasie zderzenia, masy jonu, rodzaju podłoża, a także od kierunku padania wiązki na płytkę podłożową. (pl) Ио́нная импланта́ция — способ введения атомов примесей (имплантата) в поверхностный слой материала, например, пластины полупроводника или эпитаксиальной плёнки путём бомбардировки его поверхности пучком ионов c высокой энергией (10—2000 кэВ). Широко используется при создании полупроводниковых приборов методом планарной технологии. В этом качестве применяется для образования в приповерхностном слое полупроводника областей с содержанием донорных или акцепторных примесей с целью создания p-n-переходов и гетеропереходов, а также низкоомных контактов. (ru) Іо́нна імпланта́ція — спосіб введення атомів домішок у поверхневий шар пластини або епітаксіальної плівки шляхом бомбардування його поверхні пучком іонів домішки з високою енергією (10-2000 кеВ). Іонізація атомів домішки, прискорення іонів та фокусування іонного пучка виконується у спеціальних установках типу прискорювачів частинок у ядерній фізиці. (uk) |
| rdfs:label | غرس الأيونات (ar) Implantació iònica (ca) Ionenimplantation (de) Implantación de iones (es) Implantation ionique (fr) Ion implantation (en) Impiantazione ionica (it) 이온 주입 (ko) イオン注入 (ja) Implantacja jonów (pl) Ионная имплантация (ru) 离子注入 (zh) Іонна імплантація (uk) |
| owl:sameAs | freebase:Ion implantation yago-res:Ion implantation wikidata:Ion implantation dbpedia-ar:Ion implantation dbpedia-bg:Ion implantation dbpedia-ca:Ion implantation dbpedia-de:Ion implantation dbpedia-es:Ion implantation dbpedia-fa:Ion implantation dbpedia-fr:Ion implantation http://hi.dbpedia.org/resource/आयन_रोपण dbpedia-it:Ion implantation dbpedia-ja:Ion implantation dbpedia-ko:Ion implantation dbpedia-pl:Ion implantation dbpedia-ru:Ion implantation dbpedia-tr:Ion implantation dbpedia-uk:Ion implantation dbpedia-zh:Ion implantation https://global.dbpedia.org/id/T7mo |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Ion_implantation?oldid=1122146539&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Diamond_structure.png wiki-commons:Special:FilePath/Ion_implantation_machine_at_LAAS_0521.jpg wiki-commons:Special:FilePath/Ion_implanter_schematic.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Ion_implantation |
| is dbo:academicDiscipline of | dbr:Igor_Serafimovich_Tashlykov |
| is dbo:knownFor of | dbr:William_Shockley |
| is dbo:wikiPageDisambiguates of | dbr:Implantation |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Ion_Implanter dbr:Ion_implanter dbr:Ion_irradiation dbr:SIMOX dbr:Implantation_of_ions |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Amorphous_silicon dbr:Precipitation_(chemistry) dbr:Electronic_engineering dbr:Electrospray dbr:Endohedral_fullerene dbr:Epitaxial_wafer dbr:Microlithography dbr:Nanoparticle dbr:Nitrogen-vacancy_center dbr:M._C._Joshi dbr:Monocrystalline_silicon dbr:Particle_radiation dbr:Process_(engineering) dbr:Boron dbr:Boron_trifluoride dbr:Decaborane dbr:Annealing_(materials_science) dbr:Beta_carbon_nitride dbr:Charge-coupled_device dbr:Varian_Semiconductor dbr:Depletion-load_NMOS_logic dbr:Dopant dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Integrated_circuit dbr:International_Conference_on_Radiation_Effects_in_Insulators dbr:International_Fusion_Materials_Irradiation_Facility dbr:James_W._Mayer dbr:Particle_accelerator dbr:X-ray_absorption_spectroscopy dbr:Gas-rich_meteorites dbr:Nuclear_physics dbr:P–n_junction dbr:Radiation_material_science dbr:Monte_Carlo_method dbr:Mostek dbr:Crystallographic_defects_in_diamond dbr:Applied_Materials dbr:Signetics_2650 dbr:Stopping_and_Range_of_Ions_in_Matter dbr:Stopping_power_(particle_radiation) dbr:Collision_cascade dbr:Comparative_planetary_science dbr:Emission_channeling dbr:Furnace_anneal dbr:Harold_R._Kaufman dbr:Physics dbr:Marchywka_effect dbr:Materials_science dbr:Microfabrication dbr:Silicon_photonics dbr:Axcelis_Technologies dbr:Threshold_displacement_energy dbr:Wafer_(electronics) dbr:Western_Electric dbr:William_Shockley dbr:Ion dbr:Ion_beam-assisted_deposition dbr:Ion_beam_deposition dbr:Ion_beam_mixing dbr:Ion_implantation-induced_nanoparticle_formation dbr:Ion_source dbr:Irradiation dbr:Liquid_metal_ion_source dbr:ASM_International dbr:Nissin_Electric dbr:Daniele_Cherniak dbr:Flood_gun dbr:Focused_ion_beam dbr:Fouling dbr:Germanium-vacancy_center_in_diamond dbr:Graphene_nanoribbon dbr:History_of_science_and_technology_in_Japan dbr:List_of_National_Inventors_Hall_of_Fame_inductees dbr:Radiation_damage dbr:Semiconductor_device_fabrication dbr:Rapid_thermal_processing dbr:Vacuum_pump dbr:Ion_beam dbr:Self-aligned_gate dbr:Albert_Polman dbr:Bifacial_solar_cells dbr:Binary_collision_approximation dbr:X-ray_photoelectron_spectroscopy dbr:Photolithography dbr:Burst_noise dbr:Plansee_SE dbr:Plasma_(physics) dbr:Igor_Serafimovich_Tashlykov dbr:Cathodic_arc_deposition dbr:Channel-stopper dbr:Semiconductor_process_simulation dbr:Implantation dbr:Silicon_on_insulator dbr:Schottky_barrier dbr:Semiconductor dbr:Extended_X-ray_absorption_fine_structure dbr:Room-temperature_superconductor dbr:Plasma-immersion_ion_implantation dbr:Tracer-gas_leak_testing dbr:Multi-threshold_CMOS dbr:Photo-reflectance dbr:Surface_modification_of_biomaterials_with_proteins dbr:Technology_CAD dbr:Transistor_model dbr:Thyristor dbr:Ion_Implanter dbr:Ion_implanter dbr:Ion_irradiation dbr:SIMOX dbr:Implantation_of_ions |
| is owl:differentFrom of | dbr:Ion_channel |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Ion_implantation |
