Aluminium gallium arsenide (original) (raw)
زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم هي مادة شبه موصلة لها الصيغة العامة (AlxGa(1-x) As) حيث تتراوح قيمة x بين 0 والـ 1، فالمركب بالتالي عن خليطة عشوائية من زرنيخيد الغاليوم GaAs وزرنيخيد الألومنيوم AlAs.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم هي مادة شبه موصلة لها الصيغة العامة (AlxGa(1-x) As) حيث تتراوح قيمة x بين 0 والـ 1، فالمركب بالتالي عن خليطة عشوائية من زرنيخيد الغاليوم GaAs وزرنيخيد الألومنيوم AlAs. (ar) Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke. Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist. Die ternäre Verbindung AlGaAs ist ein sehr wichtiges Materialsystem in der Grundlagenforschung und industriellen Anwendung. Wegen des von der Zusammensetzung nahezu unabhängigen Gitterparameters ist es mit epitaktischen Methoden wie der Molekularstrahlepitaxie oder der metallorganischen Gasphasenepitaxie (engl.: metal organic vapor phase epitaxy, MOVPE) möglich, unverspannte Halbleiter-Heterostrukturen herzustellen. Die Möglichkeit, die Bandlücke in verschiedenen Bereichen verschieden zu gestalten, ist die Grundlage für elektronische Bauelemente wie Diodenlaser, Leuchtdioden, Heterojunction bipolar transistoren (HBT) und High Electron Mobility Transistoren (HEMT). Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom Zinkblendetyp mit der Raumgruppe F43m (Raumgruppen-Nr. 216). (de) Aluminium gallium arsenide (also gallium aluminium arsenide) (AlxGa1−xAs) is a semiconductor material with very nearly the same lattice constant as GaAs, but a larger bandgap. The x in the formula above is a number between 0 and 1 - this indicates an arbitrary alloy between GaAs and AlAs. The chemical formula AlGaAs should be considered an abbreviated form of the above, rather than any particular ratio. The bandgap varies between 1.42 eV (GaAs) and 2.16 eV (AlAs). For x < 0.4, the bandgap is direct. The refractive index is related with the bandgap via the Kramers–Kronig relations and varies between 2.9 (x = 1) and 3.5 (x = 0). This allows the construction of Bragg mirrors used in VCSELs, , and substrate-transferred crystalline coatings. Aluminium gallium arsenide is used as a barrier material in GaAs based heterostructure devices. The AlGaAs layer confines the electrons to a gallium arsenide region. An example of such a device is a quantum well infrared photodetector (QWIP). It is commonly used in GaAs-based red- and near-infra-red-emitting (700–1100 nm) double-hetero-structure laser diodes. (en) El Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs. El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo. La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto. El arseniuro de galio-aluminio se usa como material de barrera en las heteroestructuras de GaAs. Esta capa concentra los electrones en una zona compuesta por arseniuro de galio. Un ejemplo de uso de estas estructuras es en los fotodetectores infrarrojos de pozos cuánticos (QWIP). (es) L'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre l'arséniure de gallium (GaAs) et l'arséniure d'aluminium (AlAs). (fr) L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio. Ha un parametro reticolare simile a quello del GaAs, ma una maggiore band gap; queste caratteristiche rendono la coppia AlGaAs/GaAs adatta per la formazione di eterostrutture di buona qualità. Trova quindi applicazione in dispositivi di tipo HEMT. (it) ヒ化アルミニウムガリウム（AlxGa1-xAs）は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つ半導体材料。 アルミニウムガリウムヒ素とも。 (ja) Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием, переменного состава, состав выражается химической формулой AlxGa1-xAs). Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов алюминия и галлия в соединении. При x=0 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=1 — арсениду алюминия (AlAs). Является широкозонным полупроводником, причём ширина запрещенной зоны при 300 К плавно изменяется в зависимости от х от 1,42 эВ у GaAs до 2,16 эВ у AlAs. В диапазоне х от 0 до 0,4 является прямозонным полупроводником. Постоянная решётки этого соединения практически не зависит от параметра х, и, соответственно, совпадает с таковой у GaAs. В литературе параметр х, где не возникнет двусмысленности, обычно опускается, и формула AlGaAs подразумевает именно это соединение указанного переменного состава. (ru) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/AlGaAs/index.html |
| dbo:wikiPageID | 102718 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 2937 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1070254453 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Environment,_health_and_safety dbr:Bragg_mirror dbr:Alloy dbc:Arsenides dbr:Gallium dbr:Gallium_arsenide dbr:Kramers–Kronig_relations dbr:Trimethylgallium dbr:Laser_diode dbr:Lattice_constant dbr:Aluminium dbr:Aluminium_arsenide dbc:III-V_compounds dbc:III-V_semiconductors dbc:Light-emitting_diode_materials dbc:Zincblende_crystal_structure dbr:Arsenic dbr:Arsine dbc:Aluminium_compounds dbc:Gallium_compounds dbr:Direct_bandgap dbr:Infra-red dbr:Red dbr:Refractive_index dbr:Electron_volt dbr:GaAs dbr:Bandgap dbr:QWIP dbr:VCSEL dbr:Semiconductor_material dbr:MOVPE dbr:File:Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png dbr:RCLED |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Aluminium_compounds dbt:Cite_web dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Arsenides dbt:Gallium_compounds |
| dcterms:subject | dbc:Arsenides dbc:III-V_compounds dbc:III-V_semiconductors dbc:Light-emitting_diode_materials dbc:Zincblende_crystal_structure dbc:Aluminium_compounds dbc:Gallium_compounds |
| gold:hypernym | dbr:Material |
| rdf:type | yago:WikicatArsenicCompounds yago:WikicatArsenides yago:WikicatLight-emittingDiodeMaterials yago:WikicatSemiconductorMaterials yago:WikicatSemiconductors yago:Abstraction100002137 yago:Arsenide114610443 yago:Chemical114806838 yago:Cognition100023271 yago:Compound105870180 yago:Compound114818238 yago:Concept105835747 yago:Conductor114821043 yago:Content105809192 yago:Idea105833840 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:PsychologicalFeature100023100 yago:Relation100031921 yago:WikicatGalliumCompounds yago:WikicatIII-VCompounds dbo:ChemicalCompound yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613 yago:Whole105869584 yago:WikicatAluminiumCompounds |
| rdfs:comment | زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم هي مادة شبه موصلة لها الصيغة العامة (AlxGa(1-x) As) حيث تتراوح قيمة x بين 0 والـ 1، فالمركب بالتالي عن خليطة عشوائية من زرنيخيد الغاليوم GaAs وزرنيخيد الألومنيوم AlAs. (ar) L'arséniure d'aluminium-gallium (AlxGa1-xAs) est un semi-conducteur utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) émettant dans le rouge ou l'infrarouge. Le x dans la formule ci-dessus est un nombre compris entre 0 et 1 - ceci indique un alliage arbitraire entre l'arséniure de gallium (GaAs) et l'arséniure d'aluminium (AlAs). (fr) L'arseniuro di gallio e alluminio è un semiconduttore, formato da una lega di arseniuro di alluminio (AlAs) e arseniuro di gallio (GaAs); è indicato con la formula AlxGa1-xAs, dove x è il contenuto relativo di alluminio rispetto al gallio. Ha un parametro reticolare simile a quello del GaAs, ma una maggiore band gap; queste caratteristiche rendono la coppia AlGaAs/GaAs adatta per la formazione di eterostrutture di buona qualità. Trova quindi applicazione in dispositivi di tipo HEMT. (it) ヒ化アルミニウムガリウム（AlxGa1-xAs）は、GaAsとほぼ同じ格子定数を持つ半導体材料。 アルミニウムガリウムヒ素とも。 (ja) Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Der Aluminiumanteil x kann bei der Synthese zwischen 0 und 100 % variiert werden, wodurch die Bandlücke zwischen 1,42 eV (GaAs) und 2,16 eV (AlAs) eingestellt werden kann. Für x < 0,4 liegt eine direkte Bandlücke vor, ansonsten besteht eine indirekte Bandlücke. Die Formel AlGaAs wird als Kurzbezeichnung benutzt, wenn der Aluminiumgehalt unbestimmt ist. Die Verbindung besitzt eine Kristallstruktur vom Zinkblendetyp mit der Raumgruppe F43m (Raumgruppen-Nr. 216). (de) Aluminium gallium arsenide (also gallium aluminium arsenide) (AlxGa1−xAs) is a semiconductor material with very nearly the same lattice constant as GaAs, but a larger bandgap. The x in the formula above is a number between 0 and 1 - this indicates an arbitrary alloy between GaAs and AlAs. The chemical formula AlGaAs should be considered an abbreviated form of the above, rather than any particular ratio. The bandgap varies between 1.42 eV (GaAs) and 2.16 eV (AlAs). For x < 0.4, the bandgap is direct. (en) El Arseniuro de galio-aluminio (AlxGa1-xAs) es un material semiconductor con un parámetro de red muy similar al del GaAs, pero con un ancho de banda prohibida mayor. La x en la fórmula anterior es un número entre 0 y 1 - lo cual indica la proporción entre el GaAs y el AlAs. El ancho del gap oscila entre 1.42 eV (GaAs) y 2.16 eV (AlAs). Para x < 0.4 obtendremos un semiconductor directo. La fórmula AlGaAs es una abreviación de la anterior, y no representa ninguna proporción en concreto. (es) Арсенид алюминия-галлия (иные названия: алюминия галлия арсенид, алюминия-галлия арсенид) — тройное соединение мышьяка с трехвалентными алюминием и галлием, переменного состава, состав выражается химической формулой AlxGa1-xAs). Здесь параметр x принимает значения от 0 до 1 и показывает относительное количество атомов алюминия и галлия в соединении. При x=0 формула отвечает арсениду галлия (GaAs), при x=1 — арсениду алюминия (AlAs). Является широкозонным полупроводником, причём ширина запрещенной зоны при 300 К плавно изменяется в зависимости от х от 1,42 эВ у GaAs до 2,16 эВ у AlAs. В диапазоне х от 0 до 0,4 является прямозонным полупроводником. Постоянная решётки этого соединения практически не зависит от параметра х, и, соответственно, совпадает с таковой у GaAs. (ru) |
| rdfs:label | زرنيخيد الألومنيوم والغاليوم (ar) Arsenur d'alumini de gal·li (ca) Aluminiumgalliumarsenid (de) Aluminium gallium arsenide (en) Arseniuro de galio-aluminio (es) Arséniure d'aluminium-gallium (fr) Arseniuro di gallio e alluminio (it) ヒ化アルミニウムガリウム (ja) Арсенид алюминия-галлия (ru) |
| owl:sameAs | freebase:Aluminium gallium arsenide yago-res:Aluminium gallium arsenide wikidata:Aluminium gallium arsenide dbpedia-ar:Aluminium gallium arsenide dbpedia-ca:Aluminium gallium arsenide dbpedia-de:Aluminium gallium arsenide dbpedia-es:Aluminium gallium arsenide dbpedia-fr:Aluminium gallium arsenide dbpedia-it:Aluminium gallium arsenide dbpedia-ja:Aluminium gallium arsenide dbpedia-ru:Aluminium gallium arsenide http://ta.dbpedia.org/resource/அலுமினியம்_கேலியம்_ஆர்சனைடு https://global.dbpedia.org/id/2pB9v |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Aluminium_gallium_arsenide?oldid=1070254453&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Sphalerite-unit-cell-depth-fade-3D-balls.png |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Aluminium_gallium_arsenide |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Aluminum_gallium_arsenide dbr:GaAlAs dbr:AlGaAs |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Quantum-cascade_laser dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:List_of_LED_failure_modes dbr:ELED dbr:Index_of_chemistry_articles dbr:Light-emitting_diode_physics dbr:List_of_laser_types dbr:List_of_semiconductor_fabrication_plants dbr:List_of_semiconductor_materials dbr:Opto-isolator dbr:Gallium dbr:Gallium_arsenide dbr:Gallium_nitride dbr:Milton_Feng dbr:Vertical-cavity_surface-emitting_laser dbr:Trimethylaluminium dbr:Jerry_Woodall dbr:Laser_diode dbr:Laser_pointer dbr:Laser_printing dbr:Lattice_constant dbr:Aluminium_arsenide dbr:Aluminum_gallium_arsenide dbr:Band_gap dbr:Failure_of_electronic_components dbr:Quantum_well dbr:Artemis_(satellite) dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Dimethylzinc dbr:Image_intensifier dbr:Photonics dbr:Wigner_crystal dbr:GaAlAs dbr:AlGaAs |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Aluminium_gallium_arsenide |
