Gallium arsenide (original) (raw)
زرنيخيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaAs ، ويكون على شكل بلورات رمادية. زرنيخيد الغاليوم (GaAs) هو مركب من عناصر الغاليوم والزرنيخ. وهو عبارة عن أشباه موصلات ذات فجوة III-V مباشرة مع بنية بلورية من الزنك. يستخدم زرنيخ الغاليوم في تصنيع الأجهزة مثل الدوائر المتكاملة التردد الميكروويف، الدوائر المتكاملة الميكروويف متحدة، الثنائيات الباعثة للضوء الأشعة تحت الحمراء، الثنائيات الليزر والخلايا الشمسية والنوافذ البصرية. غالبًا ما يتم استخدام GaAs كمواد أساسية للنمو الفوقي لأشباه الموصلات III-V الأخرى بما في ذلك زرنيخيد الغاليوم الإنديوم وأرسينيد الألومنيوم الغاليوم وغيرها.
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | زرنيخيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaAs ، ويكون على شكل بلورات رمادية. زرنيخيد الغاليوم (GaAs) هو مركب من عناصر الغاليوم والزرنيخ. وهو عبارة عن أشباه موصلات ذات فجوة III-V مباشرة مع بنية بلورية من الزنك. يستخدم زرنيخ الغاليوم في تصنيع الأجهزة مثل الدوائر المتكاملة التردد الميكروويف، الدوائر المتكاملة الميكروويف متحدة، الثنائيات الباعثة للضوء الأشعة تحت الحمراء، الثنائيات الليزر والخلايا الشمسية والنوافذ البصرية. غالبًا ما يتم استخدام GaAs كمواد أساسية للنمو الفوقي لأشباه الموصلات III-V الأخرى بما في ذلك زرنيخيد الغاليوم الإنديوم وأرسينيد الألومنيوم الغاليوم وغيرها. (ar) Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a polovodičových laserů a fotovoltaických článků. (cs) L'arsenur de gal·li (GaAs) és un compost de gal·li i arsènic. És un important semiconductor i es fa servir per fabricar dispositius com circuits integrats a freqüències de microones, díodes d'emissió infraroja, díodes làser i cèl·lules fotovoltaiques. (ca) Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann. Die auf diesem Substratmaterial aufbauenden Verbindungen und Epitaxie-Schichten werden zur Herstellung elektronischer Bauelemente benötigt, die bei Hochfrequenzanwendungen und für die Umwandlung elektrischer in optische Signale eingesetzt werden. (de) Gallium arsenide (GaAs) is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure. Gallium arsenide is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows. GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and others. (en) L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs III-V. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende). Il est utilisé notamment pour réaliser des composants micro-ondes, des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, des composants opto-électroniques, des diodes électroluminescentes dans l'infrarouge, des diodes laser, des cellules photovoltaïques et des fenêtres optiques. Le GaAs est dit « III-V » car le gallium et l’arsenic se trouvent respectivement dans le groupe 13 et le groupe 15 du tableau périodique, appelés jadis colonne IIIB et colonne VB, et donc trois et cinq électrons de valence. L'arséniure de gallium est couramment utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale d'autres III-V tels que l'arséniure d'indium-gallium InxGa1−xAs et l'arséniure d'aluminium-gallium AlxGa1−xAs. (fr) El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas. (es) GaAs, ábhar leathsheoltóra a úsáidtear i dtrasraitheoirí, cealla gréine is léasair leathsheoltóra (ach nach n-úsáidtear in aon chor chomh minic le sileacan chuige seo). Cosúil le sileacan, agus déantar í a dhópáil chun a sheoltacht leictreach a mhodhnú mar is gá. Gluaiseann leictreoin i bhfad níos tapa ann ná i sileacan, agus is cinnte go mbainfear feidhm i bhfad níos mó aisti as seo amach. Buntáiste eile ag GaAs thar Si is ea go dtraiseolann sé solas, rud a bheidh an-tábhachtach sna slisní ina mbeidh fótóin mar iompróirí sonraí in ionad leictreon. (ga) Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari unsur-unsur galium dan arsenik. Ini adalah semikonduktor dengan struktur kristal seng blende. Galium arsenida digunakan dalam pembuatan perangkat seperti sirkuit terintegrasi frekuensi gelombang , , dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, sel surya dan jendela optik. GaAs sering digunakan sebagai bahan substrat untuk pertumbuhan epitaksial semikonduktor III-V lainnya, termasuk , dan lain-lain. (in) 비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다. GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다. 1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다. 갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다. 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다. 아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다. (ko) ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 (ja) Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische verbinding tussen gallium en arseen. Het is een belangrijke halfgeleider met toepassingen in leds en zonnecellen. Vanwege zijn hoge kunnen elektronen erg snel van het ene naar het andere atoom overspringen. Hierom wordt galliumarsenide veel toegepast in geïntegreerde schakelingen waarbij hoge frequenties (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden. (nl) L'arseniuro di gallio è un composto chimico inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs. È caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche. (it) Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu. Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej. Arsenek galu wykazuje większą od krzemu odporność na działanie promieniowania elektromagnetycznego. Urządzenia elektroniczne oparte na GaAs mogą pracować z częstotliwościami przekraczającymi 250 GHz.Parametr półprzewodnictwa – przerwa energetyczna (w temperaturze 300 K) Według = 1,424 eV. (pl) Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados. O arsenieto de gálio é obtido na forma de lâminas, a partir da combinação dos elementos químicos constituintes, arsênio e gálio, e permite, segundo a Revista da Siemens, a fabricação dos chips mais rápidos do mundo, os quais, embora mais caros do que os que utilizam substrato de apenas silício, são muito mais velozes na transmissão de informações, além de possibilitar uma redução significativa nos tamanhos dos equipamentos. (pt) Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений. (ru) Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка. Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям. Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds). (uk) Gallium(III)arsenid, galliumarsenid (ofta förkortat GaAs) är en förening av grundämnena gallium (kemisk beteckning 'Ga') och arsenik (kemisk beteckning 'As'). Den är en viktig halvledare och används för att tillverka integrerade kretsar som arbetar i mikrovågsfrekvenser (flera GHz), infraröda lysdioder, laserdioder och solceller. (sv) 砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。 (zh) |
| dbo:iupacName | Gallium arsenide (en) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | http://www.atsdr.cdc.gov/HEC/CSEM/arsenic/ http://www.wafertech.co.uk/galliumarsenide.htm https://web.archive.org/web/20060721233640/http:/www.logitech.uk.com/gallium_arsenide.asp http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaAs/index.html |
| dbo:wikiPageID | 144143 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 45464 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1118793952 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Cadmium_telluride dbr:Rocket_Lab dbr:Electron_hole dbr:Electron_mobility dbr:Monolithic_microwave_integrated_circuit dbr:MESFET dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:Noise_(physics) dbr:Hydride_vapour_phase_epitaxy dbr:Hydrochloric_acid dbr:Hydrofluoric_acid dbr:Hydrogen_peroxide dbr:United_States_Department_of_Defense dbr:Venera_3 dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Indium_gallium_phosphide dbr:Infrared dbr:Integrated_circuit dbr:Integrated_injection_logic dbr:Platinum dbr:Radar dbr:Molar_absorptivity dbr:Molecular_beam_epitaxy dbr:Zincblende_(crystal_structure) dbc:Arsenides dbr:Concentrator_photovoltaics dbr:Convex_Computer dbr:Cray dbr:Chemical_vapor_deposition dbr:Opportunity_rover dbr:Epitaxy dbr:Gallium dbr:Gallium(II)_sulfide dbr:Gallium_antimonide dbr:Gallium_nitride dbr:Gallium_phosphide dbr:Boule_(crystal) dbr:Mobile_phone dbr:Crystallographic_defect dbr:Thin-film_solar_cell dbr:Single_crystal dbr:Light-emitting_diode dbr:Silicon_dioxide dbr:Communications_satellite dbr:Zhores_Alferov dbr:Fraunhofer_Institute_for_Solar_Energy_Systems dbr:Photovoltaics dbr:Strain_(chemistry) dbr:Supercomputer dbr:5_nm_process dbr:Bromine dbr:CRC_Press dbr:Trimethylgallium dbr:USSR dbr:Gallium_arsenide_phosphide dbr:Gallium_manganese_arsenide dbr:Laser_diode dbr:Lattice_constant dbr:Acetone dbr:Alliant_Computer_Systems dbr:Aluminium_arsenide dbr:Aluminum_gallium_arsenide dbr:Aluminum_oxide dbc:Optoelectronics dbc:Solar_cells dbr:Crystalline_silicon dbr:Czochralski_process dbr:Economy_of_scale dbr:Aluminium_gallium_arsenide dbc:III-V_compounds dbc:III-V_semiconductors dbc:Light-emitting_diode_materials dbc:Zincblende_crystal_structure dbr:Ethanol dbr:European_Chemicals_Agency dbr:Fermi_level dbr:Band_gap dbr:Oxidation_state dbr:Carcinogen dbr:Germanium dbr:Thin_film dbr:Quantum_well dbc:IARC_Group_1_carcinogens dbr:International_Agency_for_Research_on_Cancer dbr:Cray-3 dbr:Hydroxamic_acid dbr:Fermi_level_pinning dbr:Arsenic dbr:Arsenic_acid dbr:Arsenic_trichloride dbr:Arsenide dbr:Arsine dbc:Inorganic_compounds dbc:Gallium_compounds dbr:Heterojunction_bipolar_transistor dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Silicate dbr:Mars dbr:Mars_Exploration_Rover dbr:CMOS dbr:Solar_cell dbr:Solar_cells dbr:HEMT dbr:Metalorganic_vapor_phase_epitaxy dbr:Metal–semiconductor_field-effect_transistor dbr:Indium_arsenide dbr:Indium_phosphide dbr:Integrated_Circuit dbr:Integrated_circuits dbr:Metal–oxide–semiconductor_field-effect_transistor dbr:Methanol dbr:Microprocessor dbr:Microwave dbr:Microwaves dbr:RCA dbr:Bridgman-Stockbarger_technique dbr:Strategic_Defense_Initiative dbr:Saturation_velocity dbr:Semiconductor dbr:Silicon dbr:Electron_volt dbr:Etching_(microfabrication) dbr:Gunn_diode dbr:Dielectric_constant dbr:Lunokhod_programme dbr:Solar_car_racing dbr:Nanoelectronics dbr:Radiation_hardening dbr:Photomixing dbr:Spintronics dbr:Surface_passivation dbr:Electrical_insulation dbr:Spirit_rover dbr:III-V dbr:GaN dbr:Photovoltaic_array dbr:Metalorganic dbr:Field_effect_transistor dbr:Direct_band_gap dbr:Indirect_band_gap dbr:QWIP dbr:Heterostructure_emitter_bipolar_transistor dbr:Spalling dbr:Junction_field-effect_transistor dbr:Multi-junction_solar_cells dbr:Multijunction_solar_cell dbr:MOCVD dbr:MOVPE dbr:Buffered_FET_Logic dbr:Capacitor–diode_FET_logic dbr:Direct-coupled_FET_logic dbr:File:Bandstruktur_GaAs_en.svg dbr:File:MidSTAR-1.jpg dbr:Source-coupled_FET_logic dbr:Spin-charge_converter |
| dbp:imagecaption | GaAs wafer of orientation (en) |
| dbp:imagefile | 2.0 (dbd:second) Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png (en) |
| dbp:imagename | Samples of gallium arsenide (en) |
| dbp:imagesize | 244 (xsd:integer) |
| dbp:pin | Gallium arsenide (en) |
| dbp:verifiedfields | changed (en) |
| dbp:verifiedrevid | 476995185 (xsd:integer) |
| dbp:watchedfields | changed (en) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Authority_control dbt:Chem dbt:Chembox dbt:Chembox_Hazards dbt:Chembox_Identifiers dbt:Chembox_Properties dbt:Circa dbt:Citation_needed dbt:Cite_book dbt:Commons_category dbt:Div_col dbt:Div_col_end dbt:E dbt:Redirect dbt:Reflist dbt:Val dbt:Cascite dbt:Chembox_Related dbt:Chembox_Structure dbt:Chemboximage dbt:Chemspidercite dbt:Fdacite dbt:GHS_health_hazard dbt:H-phrases dbt:P-phrases dbt:Stdinchicite dbt:Arsenic_compounds dbt:Arsenides dbt:Gallium_compounds dbt:Semiconductor_laser |
| dct:subject | dbc:Arsenides dbc:Optoelectronics dbc:Solar_cells dbc:III-V_compounds dbc:III-V_semiconductors dbc:Light-emitting_diode_materials dbc:Zincblende_crystal_structure dbc:IARC_Group_1_carcinogens dbc:Inorganic_compounds dbc:Gallium_compounds |
| gold:hypernym | dbr:Compound |
| rdf:type | owl:Thing dul:ChemicalObject dbo:ChemicalSubstance wikidata:Q11173 yago:WikicatArsenicCompounds yago:WikicatArsenides yago:WikicatCompoundSemiconductors yago:WikicatLight-emittingDiodeMaterials yago:WikicatSemiconductorMaterials yago:WikicatSemiconductors yago:Abstraction100002137 yago:Arsenide114610443 yago:Chemical114806838 yago:Cognition100023271 yago:Compound105870180 yago:Compound114818238 yago:Concept105835747 yago:Conductor114821043 yago:Content105809192 yago:Idea105833840 yago:InorganicCompound114919511 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:PsychologicalFeature100023100 yago:Relation100031921 yago:WikicatGalliumCompounds yago:WikicatIII-VCompounds yago:WikicatInorganicCompounds dbo:ChemicalCompound yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613 yago:Whole105869584 umbel-rc:ChemicalSubstanceType |
| rdfs:comment | زرنيخيد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaAs ، ويكون على شكل بلورات رمادية. زرنيخيد الغاليوم (GaAs) هو مركب من عناصر الغاليوم والزرنيخ. وهو عبارة عن أشباه موصلات ذات فجوة III-V مباشرة مع بنية بلورية من الزنك. يستخدم زرنيخ الغاليوم في تصنيع الأجهزة مثل الدوائر المتكاملة التردد الميكروويف، الدوائر المتكاملة الميكروويف متحدة، الثنائيات الباعثة للضوء الأشعة تحت الحمراء، الثنائيات الليزر والخلايا الشمسية والنوافذ البصرية. غالبًا ما يتم استخدام GaAs كمواد أساسية للنمو الفوقي لأشباه الموصلات III-V الأخرى بما في ذلك زرنيخيد الغاليوم الإنديوم وأرسينيد الألومنيوم الغاليوم وغيرها. (ar) Arsenid gallitý (také arsenid gallia), chemický vzorec GaAs, je sloučenina gallia a arsenu. Je to významný polovodič, používaný při výrobě integrovaných obvodů pracujících v oboru mikrovln, infračervených a polovodičových laserů a fotovoltaických článků. (cs) L'arsenur de gal·li (GaAs) és un compost de gal·li i arsènic. És un important semiconductor i es fa servir per fabricar dispositius com circuits integrats a freqüències de microones, díodes d'emissió infraroja, díodes làser i cèl·lules fotovoltaiques. (ca) Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann. Die auf diesem Substratmaterial aufbauenden Verbindungen und Epitaxie-Schichten werden zur Herstellung elektronischer Bauelemente benötigt, die bei Hochfrequenzanwendungen und für die Umwandlung elektrischer in optische Signale eingesetzt werden. (de) Gallium arsenide (GaAs) is a III-V direct band gap semiconductor with a zinc blende crystal structure. Gallium arsenide is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells and optical windows. GaAs is often used as a substrate material for the epitaxial growth of other III-V semiconductors, including indium gallium arsenide, aluminum gallium arsenide and others. (en) El Arseniuro de galio (GaAs) es un compuesto de galio y arsénico. Es un importante semiconductor y se usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de microondas, diodos de emisión infrarroja, diodos láser y células fotovoltaicas. (es) GaAs, ábhar leathsheoltóra a úsáidtear i dtrasraitheoirí, cealla gréine is léasair leathsheoltóra (ach nach n-úsáidtear in aon chor chomh minic le sileacan chuige seo). Cosúil le sileacan, agus déantar í a dhópáil chun a sheoltacht leictreach a mhodhnú mar is gá. Gluaiseann leictreoin i bhfad níos tapa ann ná i sileacan, agus is cinnte go mbainfear feidhm i bhfad níos mó aisti as seo amach. Buntáiste eile ag GaAs thar Si is ea go dtraiseolann sé solas, rud a bheidh an-tábhachtach sna slisní ina mbeidh fótóin mar iompróirí sonraí in ionad leictreon. (ga) Galium arsenida (GaAs) adalah senyawa dari unsur-unsur galium dan arsenik. Ini adalah semikonduktor dengan struktur kristal seng blende. Galium arsenida digunakan dalam pembuatan perangkat seperti sirkuit terintegrasi frekuensi gelombang , , dioda pemancar cahaya inframerah, dioda laser, sel surya dan jendela optik. GaAs sering digunakan sebagai bahan substrat untuk pertumbuhan epitaksial semikonduktor III-V lainnya, termasuk , dan lain-lain. (in) 비소화 갈륨(Gallium arsenide, GaAs) 또는 갈륨비소는 갈륨과 비소로 구성된 화합물이다. GaAs 태양전지는 태양에너지를 전기로 바꿔주는 광변환 효율이 40%로서, 실리콘 태양전지(16%)보다 두 배 이상 효율이 높다. 1980년대 초반에 갈륨비소 태양전지의 효율이 실리콘 태양전지 효율을 처음으로 뛰어넘었고, 1990년대 이르러서는 인공위성에 쓰이는 값싼 실리콘 태양전지를 값비싼 갈륨비소 태양전지로 대체하였다. 갈륨비소 태양전지는 실리콘 태양전지보다 훨씬 작게 만들 수 있고 원재료 사용량도 획기적으로 줄일 수 있다. 갈륨비소는 실리콘에 비해 신호처리 속도가 6배가량 빠르고 전력 소모량은 3분의 1 수준이지만, 가격은 실리콘 웨이퍼에 비해 15배가량 높다. 아이폰 등 현재의 스마트폰은 대규모집적회로(LSI), 갈륨비소(GaAs) 반도체, 리튬이온 배터리가 없었다면 불가능한 제품이다. (ko) ヒ化ガリウム（ヒかガリウム、gallium arsenide）はガリウムのヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素（ガリウム砒素）や、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。 (ja) Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische verbinding tussen gallium en arseen. Het is een belangrijke halfgeleider met toepassingen in leds en zonnecellen. Vanwege zijn hoge kunnen elektronen erg snel van het ene naar het andere atoom overspringen. Hierom wordt galliumarsenide veel toegepast in geïntegreerde schakelingen waarbij hoge frequenties (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden. (nl) L'arseniuro di gallio è un composto chimico inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs. È caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche. (it) Арсени́д га́ллия (GaAs) — химическое соединение галлия и мышьяка. Важный полупроводник, третий по масштабам использования в промышленности после кремния и германия. Используется для создания сверхвысокочастотных интегральных схем и транзисторов, светодиодов, лазерных диодов, диодов Ганна, туннельных диодов, фотоприёмников и детекторов ядерных излучений. (ru) Арсені́д га́лію (GaAs) — кристалічна речовина із кристалічною ґраткою типу цинкова обманка. Прямозонний напівпровідник із шириною забороненої зони 1,424 еВ. Широко використовується для створення напівпровідникових пристроїв, багатошарових структур, квантових точок, дротин й ям. Належить до класу інтерметалічних сполук елементів ІІІ і V груп періодичної системи елементів, скорочено — сполуки AIIIBV (англ. III-V Compounds). (uk) Gallium(III)arsenid, galliumarsenid (ofta förkortat GaAs) är en förening av grundämnena gallium (kemisk beteckning 'Ga') och arsenik (kemisk beteckning 'As'). Den är en viktig halvledare och används för att tillverka integrerade kretsar som arbetar i mikrovågsfrekvenser (flera GHz), infraröda lysdioder, laserdioder och solceller. (sv) 砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用來製作微波積體電路、紅外線發光二極體、半导体激光器和太陽電池等元件。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子迁移率比传统的硅快，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。 (zh) L'arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs III-V. C'est un matériau semi-conducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende). L'arséniure de gallium est couramment utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale d'autres III-V tels que l'arséniure d'indium-gallium InxGa1−xAs et l'arséniure d'aluminium-gallium AlxGa1−xAs. (fr) Arsenek galu, GaAs – nieorganiczny związek chemiczny galu i arsenu. Związek ten jest otrzymywany syntetycznie na potrzeby m.in. przemysłu elektronicznego ze względu na swoje właściwości półprzewodnikowe. Drugi obecnie po krzemie (Si) materiał najczęściej wykorzystywany w mikro- i optoelektronice oraz technice mikrofalowej. (pl) Arsenieto de gálio é composto químico sintético, de fórmula mínima GaAs. É material semicondutor de interesse da indústria eletrônica/informática, muito utilizado na construção de circuitos integrados. (pt) |
| rdfs:label | زرنيخيد الغاليوم (ar) Arsenur de gal·li (ca) Arsenid gallitý (cs) Galliumarsenid (de) Gallium arsenide (en) Arseniuro de galio (es) Arsanaíd ghailliam (ga) Galium arsenida (in) Arséniure de gallium (fr) Arseniuro di gallio (it) 비소화 갈륨 (ko) ヒ化ガリウム (ja) Galliumarsenide (nl) Arsenek galu (pl) Arsenieto de gálio (pt) Galliumarsenid (sv) Арсенид галлия (ru) Арсенід галію (uk) 砷化鎵 (zh) |
| owl:sameAs | freebase:Gallium arsenide yago-res:Gallium arsenide http://d-nb.info/gnd/4019155-2 wikidata:Gallium arsenide dbpedia-ar:Gallium arsenide dbpedia-az:Gallium arsenide dbpedia-be:Gallium arsenide dbpedia-bg:Gallium arsenide dbpedia-ca:Gallium arsenide dbpedia-cs:Gallium arsenide dbpedia-da:Gallium arsenide dbpedia-de:Gallium arsenide dbpedia-es:Gallium arsenide dbpedia-et:Gallium arsenide dbpedia-fa:Gallium arsenide dbpedia-fi:Gallium arsenide dbpedia-fr:Gallium arsenide dbpedia-ga:Gallium arsenide dbpedia-he:Gallium arsenide http://hi.dbpedia.org/resource/गैलियम_आर्सेनाइड dbpedia-hu:Gallium arsenide dbpedia-id:Gallium arsenide dbpedia-it:Gallium arsenide dbpedia-ja:Gallium arsenide dbpedia-ko:Gallium arsenide dbpedia-nds:Gallium arsenide dbpedia-nl:Gallium arsenide dbpedia-no:Gallium arsenide dbpedia-pl:Gallium arsenide dbpedia-pt:Gallium arsenide dbpedia-ru:Gallium arsenide dbpedia-sh:Gallium arsenide dbpedia-simple:Gallium arsenide dbpedia-sr:Gallium arsenide dbpedia-sv:Gallium arsenide http://ta.dbpedia.org/resource/காலியம்_ஆர்சினைடு dbpedia-th:Gallium arsenide dbpedia-tr:Gallium arsenide dbpedia-uk:Gallium arsenide dbpedia-vi:Gallium arsenide dbpedia-zh:Gallium arsenide https://global.dbpedia.org/id/3vbc3 |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Gallium_arsenide?oldid=1118793952&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Gallium_Arsenide_(GaAs)_2"_wafer.jpg wiki-commons:Special:FilePath/Bandstruktur_GaAs_en.svg wiki-commons:Special:FilePath/Gallium-arsenide-unit-cell-3D-balls.png wiki-commons:Special:FilePath/MidSTAR-1.jpg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Gallium_arsenide |
| is dbo:knownFor of | dbr:Lin_Lanying |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Gallium_Arsenide dbr:GaAs dbr:Galium_arsnide dbr:Gallium(II)_arsenide dbr:Gallium(III)_arsenide dbr:Gallium-arsenic dbr:Gallium-arsenide dbr:Gallium_arsenic dbr:GAAS_detector dbr:AsGa |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Carol_Trager-Cowan dbr:Carver_Mead dbr:Caswell,_Northamptonshire dbr:Quantum-cascade_laser dbr:Quantum_Hall_effect dbr:Roke_Manor_Research dbr:Electroluminescence dbr:Electronic_circuit dbr:Electronic_properties_of_graphene dbr:Epitaxial_wafer dbr:Myriade dbr:MEASAT_Satellite_Systems dbr:MESFET dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:Quantum-confined_Stark_effect dbr:Superluminescent_diode dbr:Beryllium dbr:Bismuth_antimonide dbr:Boeing_X-37 dbr:Boron_arsenide dbr:Boron_trioxide dbr:Dawn_(spacecraft) dbr:Applications_of_photovoltaics dbr:Horizons-3e dbr:List_of_LED_failure_modes dbr:Peregrine_Semiconductor dbr:Cubic_crystal_system dbr:Czochralski_method dbr:UoSAT-5 dbr:Uranium_dioxide dbr:Vitesse_Semiconductor dbr:Depletion_and_enhancement_modes dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Dymalloy dbr:E-Material dbr:ELED dbr:Index_of_chemistry_articles dbr:Index_of_electronics_articles dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Indium_gallium_arsenide_phosphide dbr:Indium_gallium_phosphide dbr:Infrared_spectroscopy dbr:Integrated_circuit dbr:Integrated_quantum_photonics dbr:Intel_MCS-96 dbr:Interconnect_(integrated_circuits) dbr:K·p_perturbation_theory dbr:Photoelectric_effect dbr:Photomultiplier_tube dbr:Radar dbr:Light-emitting_diode_physics dbr:Light-emitting_transistor dbr:Lin_Lanying dbr:Gaas dbr:Gallium_Arsenide dbr:List_of_inorganic_compounds dbr:List_of_semiconductor_fabrication_plants dbr:List_of_semiconductor_materials dbr:Opto-isolator dbr:Topological_insulator dbr:OPTOS dbr:Numerical_Wind_Tunnel dbr:Power-to-weight_ratio dbr:PowerCore_SunCruiser dbr:Thermally_stimulated_current_spectroscopy dbr:Timeline_of_solar_cells dbr:CoolSPICE dbr:Cray dbr:SES-8 dbr:STS-50 dbr:STS-60 dbr:Chemical_vapor_deposition dbr:Nuna dbr:Space_manufacturing dbr:Sound_amplification_by_stimulated_emission_of_radiation dbr:Spectrolab dbr:Shockley–Queisser_limit dbr:Quantum_dot_single-photon_source dbr:Quantum_well_infrared_photodetector dbr:Quantum_well_laser dbr:Cinnabar dbr:Effective_mass_(solid-state_physics) dbr:Eli_Yablonovitch dbr:Elias_Burstein dbr:Epitaxy dbr:Fulmer_Research_Institute dbr:GALEX dbr:GOES_15 dbr:Galileo_project dbr:Gallium dbr:Gallium(I)_oxide dbr:Gallium(III)_iodide dbr:Gallium(III)_oxide dbr:Gallium_antimonide dbr:Gallium_nitride dbr:Gallium_phosphide dbr:Genesis_I dbr:GiSAT-1 dbr:Mohamed_M._Atalla dbr:Monsanto dbr:Morton_B._Panish dbr:NEAR_Shoemaker dbr:Copper–tungsten dbr:Crystal_oscillator dbr:Crystalline_coatings dbr:Crystallographic_defects_in_diamond dbr:Thin-film_solar_cell dbr:Dangling_bond dbr:Organogallium_chemistry dbr:Pro_Electron dbr:Milton_Feng dbr:Aron_Pinczuk dbr:Lidar dbr:Light-emitting_diode dbr:MACOM_Technology_Solutions dbr:MESSENGER dbr:MOSFET dbr:Malvin_Carl_Teich dbr:Manganese_arsenide dbr:Boeing_601 dbr:California_Proposition_65_list_of_chemicals dbr:Silicon_dioxide dbr:Sinclair_Executive dbr:Cleaning_event dbr:Cleavage_(crystal) dbr:Compact_Linear_Collider dbr:Zachary_J._Lemnios dbr:Zhores_Alferov dbr:Zinc_sulfide dbr:Emission_channeling dbr:February_1918 dbr:Frank_Mücklich dbr:Hall_effect_sensor dbr:Horizons-1 dbr:Photoluminescence dbr:Photonic_integrated_circuit dbr:Quilt_packaging dbr:Magnetic_semiconductor dbr:Michael_Sturge dbr:Substrate_(printing) dbr:TRW_Inc. dbr:Tactical_engagement_simulation dbr:Transition_metal_dichalcogenide_monolayers dbr:Materials_science dbr:Medipix dbr:Solar_mirror dbr:Vertical-cavity_surface-emitting_laser dbr:Badr-B dbr:Active_electronically_scanned_array dbr:Active_laser_medium dbr:Thulium_phosphide dbr:Tiangong_space_station dbr:TriQuint_Semiconductor dbr:Trimethylgallium dbr:Tunnel_diode dbr:Two-photon_photovoltaic_effect dbr:Wafer_(electronics) dbr:Wide-bandgap_semiconductor dbr:Dresselhaus_effect dbr:Dropleton dbr:GEOStar-2 dbr:Gallium_arsenide_phosphide dbr:Gallium_compounds dbr:Glassy_carbon dbr:HP_Labs dbr:Johnson's_figure_of_merit dbr:Laser_diode dbr:Lattice_constant dbr:Minisat_01 dbr:Mir_Core_Module dbr:Organic_photorefractive_materials dbr:PoSAT-1 dbr:Scanning_Hall_probe_microscope dbr:ARGOS_(satellite) dbr:ASTER_(spacecraft) dbr:Akizuki-class_destroyer_(2010) dbr:Alf_Adams dbr:Aluminium_arsenide dbr:Aluminium_gallium_indium_phosphide dbr:Aluminium_nitride dbr:AlSiC dbr:Cyril_Hilsum dbr:EQUiSat dbr:Alta_Devices dbr:Aluminium_gallium_arsenide dbr:Amazonas_4A dbr:Fiber-optic_communication dbr:Band_gap dbr:Bridgman–Stockbarger_method dbr:Diamond_turning dbr:Die_(integrated_circuit) dbr:Diode dbr:Directed_assembly_of_micro-_and_nano-structures dbr:Failure_of_electronic_components dbr:Fanhui_Shi_Weixing dbr:Fluorescence_intermittency_in_colloidal_nanocrystals dbr:Fractional_quantum_Hall_effect dbr:Frances_M._Ross dbr:Germanene dbr:Germanium dbr:Graphene dbr:Hans-Joachim_Queisser dbr:History_of_supercomputing dbr:John_R._Arthur_Jr. dbr:Konica_FT-1 dbr:Thermionic_emission dbr:Thin_film dbr:Quantum_dot dbr:Quantum_point_contact dbr:Quantum_well dbr:Group_12_element dbr:Hanergy dbr:Heavy_metals dbr:Himawari_8 dbr:Himawari_9 dbr:Ion_beam dbr:J._B._Gunn dbr:James_R._Biard dbr:Telkom-2 dbr:Cray-3 dbr:Cray-4 dbr:Texas_Instruments dbr:The_Dukes_of_Hazzard:_Reunion! dbr:Jeffrey_Reimer dbr:Solder_alloys dbr:Arsenic dbr:Arsenide dbr:Arsine dbr:Asahi-class_destroyer dbr:Asynchronous_circuit dbr:AN/APG-77 dbr:AN/APG-79 dbr:Chang_Chun-yen dbr:Landsat_8 dbr:Laser dbr:Bipolar_junction_transistor dbr:Blue_laser dbr:Suomi_NPP dbr:TRACE dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:High_energy_X-ray_imaging_technology dbr:Terahertz_spectroscopy_and_technology dbr:Transistor dbr:Naoki_Yokoyama dbr:Diamond_cubic dbr:Arsenic_compounds dbr:Aurora_Odysseus dbr:Avalanche_transistor dbr:Mars_Polar_Lander dbr:Boron_group dbr:COBRA_(radar) dbr:Photon_etc. dbr:Photovoltaic_system dbr:Soitec dbr:Solar_cell dbr:Solar_panel dbr:Spectral_imaging_(radiography) dbr:Fiber-optical_thermometer dbr:Grimm–Sommerfeld_rule dbr:UltraRAM dbr:IQE dbr:Igor_Serafimovich_Tashlykov dbr:Indium(III)_oxide dbr:Indium_arsenide dbr:Indium_phosphide dbr:Intelsat_15 dbr:Intelsat_29e dbr:Intelsat_33e dbr:Intelsat_35e dbr:Intelsat_5 dbr:Intelsat_6B dbr:Microoptoelectromechanical_systems dbr:Microwave dbr:Nano-JASMINE dbr:Near_Earth_Object_Surveillance_Satellite dbr:Newton_Aycliffe dbr:O3b dbr:Oregon_Graduate_Center dbr:RF_Micro_Devices dbr:Raytheon_Company dbr:Seymour_Cray dbr:Satellite_television dbr:Solid dbr:Schottky_barrier dbr:Semiconductor dbr:Semiconductor_device dbr:Simplified_molecular-input_line-entry_system dbr:Surface_acoustic_wave dbr:Uttam_AESA_Radar dbr:Wetting_layer dbr:Night-vision_device dbr:Extrinsic_semiconductor dbr:Gunn_diode dbr:IARC_group_1 dbr:II-VI_semiconductor_compound dbr:List_of_thermal_conductivities dbr:Luttinger_parameter dbr:Ohmic_contact dbr:Wafer_dicing dbr:Topological_quantum_computer |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Gallium_arsenide |
