Indium gallium nitride (original) (raw)
Indium gallium nitride (InGaN, InxGa1-xN) is a semiconductor material made of a mix of gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN). It is a ternary group III/group V direct bandgap semiconductor. Its bandgap can be tuned by varying the amount of indium in the alloy.InxGa1−xN has a direct bandgap span from the infrared (0.69 eV) for InN to the ultraviolet (3.4 eV) of GaN.The ratio of In/Ga is usually between 0.02/0.98 and 0.3/0.7.
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| dbo:abstract | Indiumgalliumnitrid (InGaN, InxGa1-xN) ist ein III-V-Halbleiter, welcher aus den beiden Grundsubstanzen Galliumnitrid und Indiumnitrid gebildet ist. Anwendung dieses Werkstoffes liegen insbesondere in der Optoelektronik zur Realisierung von blauen, violetten und grünen Leuchtdioden und von blau-violetten Laserdioden, welche im Bereich optischer Speichermedien wie der Blu-ray Disc eingesetzt werden. Es sind auch grüne Laserdioden auf InGaN-Basis verfügbar. Diese sind, kombiniert mit blauen und roten Laserdioden, interessant für zukünftige Displaytechnologien, da mit dem emittierten Grün (ca. 515 nm) eine größere Fläche im CIE-Normvalenzsystem eingeschlossen wird als es bisher der Fall war. Durch das wählbare Verhältnis von Galliumnitrid zu Indiumnitrid kann die Bandlücke, und damit die emittierte Farbe, im Rahmen des Herstellungsprozesses im Bereich von 0,7 eV bis 3,37 eV gewählt werden. Bei einem Verhältnis von 2 % Indiumnitrid und 98 % Galliumnitrid ergibt sich ein Bandabstand, der für eine Emission im nahen Ultraviolett sorgt, bei 20 % Indiumnitrid und 80 % Galliumnitrid entsteht dagegen eine blau-violette Strahlung mit einer Wellenlänge von 420 nm. Bei einem Verhältnis von 30 % / 70 % ergibt sich eine Strahlung mit 440 nm, was einer blauen Farbe entspricht. Weitere Anwendung dieses Halbleiters liegen im Bereich von Solarzellen. Dabei werden übereinander zwei Schichten von InGaN mit unterschiedlichen Mischungsverhältnissen aufgebracht, was aufgrund der relativen großen Störstellentoleranz des Werkstoffes möglich ist. Die beiden Schichten weisen unterschiedliche Bandabstände mit 1,1 eV und mit 1,7 eV auf. Der Vorteil besteht darin, dass damit spektral ein größerer Bereich des Sonnenlichts energetisch genutzt werden kann. Der theoretisch maximale Wirkungsgrad (Shockley-Queisser-Grenze) dieser Solarzellen liegt bei 50 %. (de) Indium gallium nitride (InGaN, InxGa1-xN) is a semiconductor material made of a mix of gallium nitride (GaN) and indium nitride (InN). It is a ternary group III/group V direct bandgap semiconductor. Its bandgap can be tuned by varying the amount of indium in the alloy.InxGa1−xN has a direct bandgap span from the infrared (0.69 eV) for InN to the ultraviolet (3.4 eV) of GaN.The ratio of In/Ga is usually between 0.02/0.98 and 0.3/0.7. (en) El nitruro de galio-indio (InGaN, IndioxGalio1-xNitruro) es un material semiconductor hecho de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de Indio en la aleación. En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7. (es) Le Nitrure de gallium-indium (InGaN, InxGa1-xN) est un semi-conducteur III-V composé de nitrure de gallium (GaN) et de nitrure d'indium (InN). C'est un composé à gap direct, dont la bande interdite peut varier théoriquement entre 0,67 et 3,4 eV, en fonction du ratio In/Ga. Ce ratio ne varie cependant en pratique qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7. (fr) 窒化インジウムガリウム（ちっかインジウムガリウム）はインジウムとガリウムの窒化物であり、三元化合物で組成式はInGaNである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。 (ja) |
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