Gallium nitride (original) (raw)

About DBpedia

El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica, La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau.

thumbnail

Property Value
dbo:abstract El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica, La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau. (ca) نتريد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaN ، ويكون على شكل مسحوق بلوري أصفر . لمادة نتريد الغاليوم تطبيقات متعددة في علوم النانو. (ar) Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), eine Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet. (de) Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in blue light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure. Its wide band gap of 3.4 eV affords it special properties for applications in optoelectronic, high-power and high-frequency devices. For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without requiring nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitivity to ionizing radiation is low (like other group III nitrides), making it a suitable material for solar cell arrays for satellites. Military and space applications could also benefit as devices have shown stability in high radiation environments. Because GaN transistors can operate at much higher temperatures and work at much higher voltages than gallium arsenide (GaAs) transistors, they make ideal power amplifiers at microwave frequencies. In addition, GaN offers promising characteristics for THz devices. Due to high power density and voltage breakdown limits GaN is also emerging as a promising candidate for 5G cellular base station applications. (en) Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite (3,4 eV) utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de grande puissance ou de haute fréquence. C'est un composé binaire (groupe III/groupe V) qui possède une semiconductivité intrinsèque. Il est peu sensible aux rayonnements ionisants (comme tous les autres nitrures du groupe III), ce qui fait de lui un matériau approprié pour les panneaux solaires des satellites. (fr) El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LEDs) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV​ le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica,​​ dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia. (es) 질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 최근에는 전력 반도체나 레이다 등에도 응용되고 있다. (ko) 窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。また、近年ではパワー半導体やレーダーへの応用も期待されている。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。 (ja) Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3.7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een -zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet. (nl) Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche quest'ultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K. Diversamente da tutti i semiconduttori del gruppo III-V a larga energia di gap, il GaN ha un band gap diretto, che lo rende utilizzabile per la realizzazione di laser blu e LED. In questo materiale, l'energia di legame degli eccitoni, misurata sperimentalmente, varia tra i 18 ed i 28 meV. Il fondo della banda di conduzione è ben approssimato da una relazione di dispersione parabolica, il fondo delle valli adiacenti si trova invece ad energie maggiori di almeno 2 eV. Per descrivere la struttura a bande del GaN sotto deformazione (strain), sono necessari sei potenziali di deformazione, più il tensore di strain ed il potenziale di deformazione idrostatica totale. G. B. Ren, Y. M. Liu e P. Blood hanno proposto un insieme di parametri che modellano correttamente il calcolo della struttura a bande; per quanto riguarda invece il calcolo delle costanti elastiche la teoria si allinea ai risultati di A. Polian, M. Grimsditch e I. Grzegory; i coefficienti piezoelettrici utilizzati di norma sono invece calcolati da una media tra i lavori sperimentali di Bykhovki, Lueng e Shimada e quelli teorici di Bernardini e Fiorentini. (it) Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek chemiczny, niewystępujący naturalnie, stosowany głównie jako materiał półprzewodnikowy w optoelektronice, m.in. w laserach półprzewodnikowych (np. niebieski laser), diodach elektroluminescencyjnych, detektorach i przetwornikach elektroakustycznych. (pl) O nitreto de gálio, fórmula química , é indispensável para diversas das últimas evoluções do campo da tecnologia. Ele é um semicondutor pertencente ao grupo III-V, que compreende o nitreto de gálio, nitreto de alumínio, e ligas ternárias e quaternárias. Esse semicondutor se destaca por possuir um bandgap largo, no valor de eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda na faixa do azul ao ultravioleta. Os filmes produzidos por este material geralmente se cristalizam na estrutura zinc-blend com simetria cúbica ou na estrutura wurtzita com simetria hexagonal. Dependendo das condições de deposição, o crescimento dos filmes pode acontecer ao longo de vários planos. As características deste semicondutor permitem a aplicação na indústria optoeletrônica e na tecnologia de dispositivos eletrônicos, reduzindo custos de produção, diminuindo o tamanho e a massa dos dispositivos, aumentando a eficiência, além de diminuir o impacto ambiental. Recentemente, o tem sido sujeito a extensivas investigações experimentais para dispositivos optoeletronicos e tem experimentado continuo progresso e melhorias nas técnicas de crescimento de cristais. * Estrutura hexagonal wurtzita * Estrutura cúbica zinc-blend (pt) Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga.Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid. (sv) Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах. Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або оксигеном, для провідності p-типу — магнієм. (uk) Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K). Используется в качестве полупроводникового материала для изготовления оптоэлектронных приборов ультрафиолетового диапазона; с 1990 года начал широко использоваться в светодиодах. Также в мощных и высокочастотных полупроводниковых приборах. (ru) 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。 (zh)
dbo:alternativeName gallium(III) nitride (en)
dbo:iupacName Gallium nitride (en)
dbo:thumbnail wiki-commons:Special:FilePath/GaNcrystal.jpg?width=300
dbo:wikiPageExternalLink http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaN/index.html
dbo:wikiPageID 467198 (xsd:integer)
dbo:wikiPageLength 36529 (xsd:nonNegativeInteger)
dbo:wikiPageRevisionID 1124032553 (xsd:integer)
dbo:wikiPageWikiLink dbr:Romania dbr:Sapphire dbr:Electron_mobility dbr:Electronics dbr:Nitrogen dbr:MESFET dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:Transient_state dbr:Blu-ray_Disc dbr:Boron_nitride dbr:Hydrogen dbr:Lithium-ion_battery dbr:United_States_Army dbr:Velocity dbr:Dopant dbr:EL/M-2084 dbr:Indium_gallium_arsenide dbr:Indium_gallium_nitride dbr:United_States_Army_Research_Laboratory dbr:Molecular_beam_epitaxy dbr:Compound_(chemistry) dbr:Saab_AB dbr:Saab_JAS_39_Gripen dbr:Electric_field dbr:Electrical_resistivity_and_conductivity dbr:Electronvolt dbr:Elta_Systems dbr:Epitaxy dbr:Gallium dbr:Gallium_antimonide dbr:Gallium_arsenide dbr:Gallium_phosphide dbr:Giraffe_radar dbr:N-type_semiconductor dbr:Erieye dbr:Light-emitting_diode dbr:Lockheed_Martin dbr:MOSFET dbr:Magnetron dbr:Manganese dbr:Silicon_carbide dbr:Zinc_oxide dbr:Magnetic_semiconductor dbr:Steady_state dbr:Transition_metal dbr:Microwave_oven dbr:Active_electronically_scanned_array dbr:Triethylgallium dbr:Trimethylaluminium dbr:Trimethylgallium dbr:Trimethylindium dbr:Wide-bandgap_semiconductor dbr:Dislocation dbr:Gallium_arsenide_phosphide dbr:Gallium_nitride_nanotube dbr:Heat_capacity dbr:Johnson's_figure_of_merit dbr:Laser_diode dbr:Lattice_constant dbr:Aluminium dbr:Aluminium_nitride dbr:Ammonia dbr:Aluminium_gallium_arsenide dbr:Aluminium_gallium_nitride dbc:III-V_semiconductors dbc:Nitrides dbc:Wurtzite_structure_type dbr:Band_gap dbr:Oxygen dbr:P-type_semiconductor dbr:Biocompatible dbr:GlobalEye dbr:Knoop_hardness_test dbr:Thin_film dbr:Ground_Master_400 dbr:Ionizing_radiation dbr:Terahertz_radiation dbr:Thales_Group dbr:AN/TPQ-36_Firefinder_radar dbr:AN/TPQ-37_Firefinder_radar dbr:AN/TPQ-53_Quick_Reaction_Capability_Radar dbr:AN/TPS-80_Ground/Air_Task_Oriented_Radar dbc:Inorganic_compounds dbc:Gallium_compounds dbr:LED dbr:Laser dbr:Latvia dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Power_transmission dbr:Transistor dbr:Direct_bandgap dbr:Boron_group dbr:Solar_cell dbr:Field-effect_transistor dbr:Enhancement-mode dbr:FPS-117 dbr:Tensile_stress dbr:Indium dbr:Indium_nitride dbr:Microwave dbr:Optoelectronic dbr:Semiconductor_devices dbr:X_band dbr:Satellite dbr:Schottky_barrier_diode dbr:Second-harmonic_generation dbr:Saturation_velocity dbr:Schottky_diode dbr:Semiconductor dbr:Silicon dbr:Public_utility dbr:Wurtzite_crystal_structure dbr:Nitrogen_group dbr:Radiation_hardening dbr:Nitride dbr:Molecular-beam_epitaxy dbr:Metalorganic_vapour_phase_epitaxy dbr:Polymer_electrolytes dbr:Wurtzite_(crystal_structure) dbr:Spintronics dbr:Radio-frequency dbr:Breakdown_voltages dbr:Heterostructure dbr:CMOS_logic dbr:Depletion_mode dbr:MOVPE dbr:File:Crystal-GaN.jpg dbr:File:FBH_GaN_High_electron_mobility_transistor.jpg
dbp:imagefile GaN Wurtzite polyhedra.png (en) GaNcrystal.jpg (en)
dbp:iupacname Gallium nitride (en)
dbp:name Gallium nitride (en)
dbp:othernames gallium nitride (en)
dbp:verifiedrevid 476994965 (xsd:integer)
dbp:watchedfields changed (en)
dbp:wikiPageUsesTemplate dbt:! dbt:About dbt:Authority_control dbt:Chem2 dbt:Chembox dbt:Chembox_Hazards dbt:Chembox_Identifiers dbt:Chembox_Properties dbt:Citation_needed dbt:Commons_category dbt:Reflist dbt:Rp dbt:Use_dmy_dates dbt:Cascite dbt:Chembox_Related dbt:Chembox_Structure dbt:Chembox_Thermochemistry dbt:Chemspidercite dbt:Fdacite dbt:Stdinchicite dbt:Gallium_compounds dbt:Nitrides
dcterms:subject dbc:III-V_semiconductors dbc:Nitrides dbc:Wurtzite_structure_type dbc:Inorganic_compounds dbc:Gallium_compounds
gold:hypernym dbr:Semiconductor
rdf:type owl:Thing dul:ChemicalObject dbo:ChemicalSubstance wikidata:Q11173 yago:WikicatCompoundSemiconductors yago:WikicatNitrides yago:WikicatSemiconductorMaterials yago:WikicatSemiconductors yago:Abstraction100002137 yago:Chemical114806838 yago:Cognition100023271 yago:Compound105870180 yago:Compound114818238 yago:Concept105835747 yago:Conductor114821043 yago:Content105809192 yago:Idea105833840 yago:InorganicCompound114919511 yago:Material114580897 yago:Matter100020827 yago:Nitride114963317 yago:Part113809207 yago:PhysicalEntity100001930 yago:PsychologicalFeature100023100 yago:Relation100031921 yago:WikicatGalliumCompounds yago:WikicatIII-VCompounds yago:WikicatInorganicCompounds dbo:ChemicalCompound dbo:Drug yago:Semiconductor114821248 yago:Substance100019613 yago:Whole105869584 umbel-rc:ChemicalSubstanceType
rdfs:comment El nitrur de gal·li (GaN – anglès: gallium nitride) és un compost binari amb els elements gal·li i nitrogen. És un aliatge binari de semiconductors dels grups III / V de la taula periòdica, amb una banda prohibida directa que s'ha vingut usant en díodes emissors de llum (LEDs) des dels anys noranta. És un compost químic és un material molt dur que té una estructura cristal·lina wurtzita. Té especials aplicacions en optoelectrònica, La seva àmplia banda prohibida de 3.4 eV li proporciona propietats especials per a aplicacions en optoelectrònica, dispositius d'alta potència i dispositius d'alta freqüència. Per exemple el GaN és el subtrat que fa possible el làser Blau. (ca) نتريد الغاليوم مركب كيميائي له الصيغة GaN ، ويكون على شكل مسحوق بلوري أصفر . لمادة نتريد الغاليوم تطبيقات متعددة في علوم النانو. (ar) Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), eine Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet. Darüber hinaus ist das Material für verschiedene Sensorikanwendungen geeignet. (de) Le nitrure de gallium (GaN) est un semi-conducteur à large bande interdite (3,4 eV) utilisé en optoélectronique et dans les dispositifs de grande puissance ou de haute fréquence. C'est un composé binaire (groupe III/groupe V) qui possède une semiconductivité intrinsèque. Il est peu sensible aux rayonnements ionisants (comme tous les autres nitrures du groupe III), ce qui fait de lui un matériau approprié pour les panneaux solaires des satellites. (fr) El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LEDs) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV​ le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica,​​ dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia. (es) 질화 갈륨(Gallium nitride, GaN)은 갈륨의 로, 청색 발광 다이오드(LED)의 재료로 사용되는 반도체이다. 최근에는 전력 반도체나 레이다 등에도 응용되고 있다. (ko) 窒化ガリウム（ちっかガリウム、GaN）はガリウムの窒化物であり、主に青色発光ダイオード（青色LED）の材料として用いられる半導体である。また、近年ではパワー半導体やレーダーへの応用も期待されている。ガリウムナイトライド (gallium nitride) とも呼ばれる。 (ja) Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3.7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een -zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet. (nl) Azotek galu, GaN – nieorganiczny związek chemiczny, niewystępujący naturalnie, stosowany głównie jako materiał półprzewodnikowy w optoelektronice, m.in. w laserach półprzewodnikowych (np. niebieski laser), diodach elektroluminescencyjnych, detektorach i przetwornikach elektroakustycznych. (pl) Galliumnitrid är ett III/V halvledarmaterial med ett direkt bandgap på 3,4 eV. Materialet har använts för lysdioder sedan 1990-talet. Det besitter egenskaper som hög värmekapacitet och hög värmeledningsförmåga.Transistorer av galliumnitrid kan användas vid högre temperaturer och spänningar än transistorer av galliumarsenid. (sv) Нітрид галію (GaN) — прямозонний AIIIBV напівпровідник з шириною забороненої зони 3,4 еВ, що знайшов широке використання в блакитних світлодіодах. Нітрид галію є твердим стабільним матеріалом зі структурою вюртциту, високою теплоємністю та теплопровідністю. Завдяки широкій забороненій зоні нітрид галію використовується для виробництва світлодіодів та лазерів, що випромінюють в ультрафіолеті та блакитній області спектру. Для виробництва діодів використовуються тонкі плівки матеріалу, вирощені на сапфірі або карбіді кремнію. Для отримання провідності n-типу його легують кремнієм або оксигеном, для провідності p-типу — магнієм. (uk) Нитри́д га́ллия — бинарное неорганическое химическое соединение галлия и азота. Химическая формула GaN. При обычных условиях очень твёрдое вещество с кристаллической структурой типа вюрцита. Прямозонный полупроводник с широкой запрещённой зоной — 3,4 эВ (при 300 K). Используется в качестве полупроводникового материала для изготовления оптоэлектронных приборов ультрафиолетового диапазона; с 1990 года начал широко использоваться в светодиодах. Также в мощных и высокочастотных полупроводниковых приборах. (ru) 氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體，可以在不使用非線性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405 nm）雷射。 如同其他III族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。 (zh) Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in blue light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure. Its wide band gap of 3.4 eV affords it special properties for applications in optoelectronic, high-power and high-frequency devices. For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without requiring nonlinear optical frequency-doubling. (en) Il nitruro di gallio (GaN) è un semiconduttore a gap diretta che cristallizza generalmente sotto forma di wurtzite. In particolari condizioni è possibile però crescere epitassialmente GaN su un substrato con reticolo cristallino a zincoblenda, e ciò permette al GaN di assumere anche quest'ultima forma. Il GaN cristallizzato come wurtzite ha un energy gap diretto pari a 3,47 eV alla temperatura di 0 K. (it) O nitreto de gálio, fórmula química , é indispensável para diversas das últimas evoluções do campo da tecnologia. Ele é um semicondutor pertencente ao grupo III-V, que compreende o nitreto de gálio, nitreto de alumínio, e ligas ternárias e quaternárias. Esse semicondutor se destaca por possuir um bandgap largo, no valor de eV, emitindo/absorvendo comprimentos de onda na faixa do azul ao ultravioleta. Os filmes produzidos por este material geralmente se cristalizam na estrutura zinc-blend com simetria cúbica ou na estrutura wurtzita com simetria hexagonal. Dependendo das condições de deposição, o crescimento dos filmes pode acontecer ao longo de vários planos. As características deste semicondutor permitem a aplicação na indústria optoeletrônica e na tecnologia de dispositivos eletrônicos (pt)
rdfs:label نتريد الغاليوم (ar) Nitrur de gal·li (ca) Galliumnitrid (de) Gallium nitride (en) Nitruro de galio (es) Nitrure de gallium (fr) Nitruro di gallio (it) 질화 갈륨 (ko) 窒化ガリウム (ja) Galliumnitride (nl) Azotek galu (pl) Nitreto de gálio (pt) Galliumnitrid (sv) Нитрид галлия (ru) Нітрид галію (uk) 氮化鎵 (zh)
owl:sameAs freebase:Gallium nitride yago-res:Gallium nitride wikidata:Gallium nitride dbpedia-ar:Gallium nitride http://azb.dbpedia.org/resource/نیترید_قالیوم dbpedia-ca:Gallium nitride dbpedia-de:Gallium nitride dbpedia-es:Gallium nitride dbpedia-fa:Gallium nitride dbpedia-fi:Gallium nitride dbpedia-fr:Gallium nitride dbpedia-he:Gallium nitride http://hi.dbpedia.org/resource/गैलियम_नाइट्राइड dbpedia-it:Gallium nitride dbpedia-ja:Gallium nitride dbpedia-ko:Gallium nitride dbpedia-nl:Gallium nitride dbpedia-pl:Gallium nitride dbpedia-pt:Gallium nitride dbpedia-ru:Gallium nitride dbpedia-sh:Gallium nitride dbpedia-sr:Gallium nitride dbpedia-sv:Gallium nitride http://ta.dbpedia.org/resource/காலியம்_நைட்ரைடு dbpedia-uk:Gallium nitride dbpedia-vi:Gallium nitride dbpedia-zh:Gallium nitride https://global.dbpedia.org/id/3oTgb
prov:wasDerivedFrom wikipedia-en:Gallium_nitride?oldid=1124032553&ns=0
foaf:depiction wiki-commons:Special:FilePath/FBH_GaN_High_electron_mobility_transistor.jpg wiki-commons:Special:FilePath/GaN_Wurtzite_polyhedra.png wiki-commons:Special:FilePath/GaNcrystal.jpg wiki-commons:Special:FilePath/Crystal-GaN.jpg
foaf:isPrimaryTopicOf wikipedia-en:Gallium_nitride
foaf:name Gallium nitride (en)
is dbo:academicDiscipline of dbr:Rachel_Oliver_(scientist)
is dbo:wikiPageRedirects of dbr:Gallium_Nitride dbr:GaN dbr:Gallium(III)_nitride
is dbo:wikiPageWikiLink of dbr:Carol_Trager-Cowan dbr:Pyroelectricity dbr:Sapphire dbr:Electroluminescence dbr:Epitaxial_wafer dbr:List_of_electrical_engineers dbr:Nanowire dbr:MacBook dbr:Metalorganic_vapour-phase_epitaxy dbr:Superluminescent_diode dbr:Prize_of_the_Foundation_for_Polish_Science dbr:Blu-ray dbr:Boron_arsenide dbr:List_of_LED_failure_modes dbr:Lithium_aluminate dbr:Cubic_crystal_system dbr:University_of_California,_Santa_Barbara dbr:Vacuum_tube dbr:Death_of_Shane_Todd dbr:Debbie_Senesky dbr:Department_of_Materials_Science_and_Metallurgy,_University_of_Cambridge dbr:Doping_(semiconductor) dbr:EL/M-2090 dbr:Indium_aluminium_nitride dbr:Indium_gallium_aluminium_nitride dbr:Indium_gallium_nitride dbr:Infineon_Technologies_Austria dbr:Infrared_spectroscopy dbr:Integrated_circuit dbr:International_Conference_on_Nitride_Semiconductors dbr:International_Symposium_on_Power_Semiconductor_Devices_and_ICs dbr:International_Workshop_on_Nitride_Semiconductors dbr:Kyropoulos_method dbr:MagSafe dbr:Lin_Lanying dbr:Gan dbr:List_of_inorganic_compounds dbr:List_of_laser_types dbr:List_of_piezoelectric_materials dbr:List_of_semiconductor_fabrication_plants dbr:List_of_semiconductor_materials dbr:Potential_applications_of_carbon_nanotubes dbr:Gate_driver dbr:Quantum_well_laser dbr:1989_in_science dbr:Colin_Humphreys dbr:Epitaxy dbr:Freedom-class_littoral_combat_ship dbr:Gallium dbr:Gallium(III)_oxide dbr:Gallium_Nitride dbr:Gallium_acetylacetonate dbr:Gallium_antimonide dbr:Gallium_arsenide dbr:Gallium_phosphide dbr:Germanium_nitride dbr:Martin_Kuball dbr:Light-emitting_diode dbr:MACOM_Technology_Solutions dbr:MIM-104_Patriot dbr:MacBook_Pro_(Apple_silicon) dbr:Showa_Denko dbr:Shuji_Nakamura dbr:Silicon_carbide dbr:Committee_on_Foreign_Investment_in_the_United_States dbr:Dental_curing_light dbr:Yttrium_nitride dbr:Zinc_oxide dbr:Ferdinand-Braun-Institut dbr:Quilt_packaging dbr:Materials_science dbr:Meanings_of_minor_planet_names:_544001–545000 dbr:Optogan dbr:Active_laser_medium dbr:Trimethylgallium dbr:Wafer_(electronics) dbr:Wally_Rhines dbr:Wide-bandgap_semiconductor dbr:Dmitri_Z._Garbuzov dbr:Gallium_compounds dbr:Gallium_nitride_nanotube dbr:Joan_Redwing dbr:Johnson's_figure_of_merit dbr:Laser_diode dbr:Laser_pointer dbr:Wideband_materials dbr:A._James_Clark_School_of_Engineering dbr:AIDC_T-5_Brave_Eagle dbr:AN/MPQ-64_Sentinel dbr:AN/SPY-6 dbr:Akizuki-class_destroyer_(2010) dbr:Aluminium_gallium_indium_phosphide dbr:Aluminium_nitride dbr:Aluminium_gallium_nitride dbr:Evelyn_Hu dbr:Band_gap dbr:Nicolas_Grandjean dbr:Failure_of_electronic_components dbr:GlobalEye dbr:Thermionic_emission dbr:Thin_film dbr:Quantum_well dbr:Remote_radio_head dbr:Ground_Master_400 dbr:HAL_AMCA dbr:Isamu_Akasaki dbr:Samuel_Graham_(engineer) dbr:Solar-blind_technology dbr:Asahi-class_destroyer dbr:AN/APG-79 dbr:AN/TPQ-53_Quick_Reaction_Capability_Radar dbr:AN/TPS-80_Ground/Air_Task_Oriented_Radar dbr:Aegis_Combat_System dbr:LSAT_(oxide) dbr:Sylwester_Porowski dbr:TRML dbr:Efficient_Power_Conversion dbr:Efficient_energy_use dbr:Heterojunction_bipolar_transistor dbr:Hexagonal_crystal_family dbr:High-electron-mobility_transistor dbr:Transistor dbr:Mitsubishi_F-X dbr:Avalanche_photodiode dbr:Marian_Kazimierczuk dbr:Soitec dbr:Srabanti_Chowdhury dbr:Ground_Master_200 dbr:Ground_Master_200_Multi_Mission dbr:Huili_Grace_Xing dbr:IQE dbr:Indium_nitride dbr:Meteor_(missile) dbr:Microsemi dbr:Mikhail_Abyzov dbr:National_Research_Council_Canada dbr:Newton_Aycliffe dbr:Nichia dbr:Oleg_Losev dbr:RF_Micro_Devices dbr:Rachel_Oliver_(scientist) dbr:Raytheon_Company dbr:Chao-Jun_Li dbr:Wolfspeed dbr:Long_Range_Discrimination_Radar dbr:Metal_assisted_chemical_etching dbr:Mark_Jeffrey_Rosker dbr:Self-propagating_high-temperature_synthesis dbr:University_of_Tokushima dbr:Extrinsic_semiconductor dbr:FCS-3 dbr:Gunn_diode dbr:I-III-VI_semiconductors dbr:Ilesanmi_Adesida dbr:Lumileds dbr:Ohmic_contact dbr:NASA_Electric_Aircraft_Testbed dbr:Nanoring dbr:TAI_TF-X dbr:Radiation_hardening dbr:Nitride dbr:Polymer_electrolytes dbr:Sublimation_sandwich_method dbr:Umesh_Mishra dbr:Solar_cell_research dbr:Transphorm dbr:Thermal_inductance dbr:GaN dbr:Gallium(III)_nitride
is dbp:fields of dbr:Rachel_Oliver_(scientist)
is foaf:primaryTopic of wikipedia-en:Gallium_nitride