Tunnel magnetoresistance (original) (raw)
مقاومة مغناطيسية نفقية (بالإنجليزية: tunnel magnetoresistance) في الفيزياء هو تأثير مقاومة مغناطيسية يحدث في توصيلات مغناطيسية نفقية، والنفقية هنا يرجع إلى نفق ميكانيكا الكم الذي تفسره ميكانيكا الكم . أي أن تأثير المقاومة المغناطيسية النفقية هو تاثير كمومي لا تستطيع تفسيره الميكانيكا التقليدية وتفسره نظرية الكم. وتتكون هذه المقاومة من طبقتين مغناطيسيتين حديديتين وبينهما طبقة رقيقة جدا من مادة عازلة . فعندما تصل سمك الطبقة الرقيقة عدة نانومتر فيمكن للإلكترونات الانتقال بين المغناطيسين طبقا لظاهرة نفق ميكانيكا الكم .
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | مقاومة مغناطيسية نفقية (بالإنجليزية: tunnel magnetoresistance) في الفيزياء هو تأثير مقاومة مغناطيسية يحدث في توصيلات مغناطيسية نفقية، والنفقية هنا يرجع إلى نفق ميكانيكا الكم الذي تفسره ميكانيكا الكم . أي أن تأثير المقاومة المغناطيسية النفقية هو تاثير كمومي لا تستطيع تفسيره الميكانيكا التقليدية وتفسره نظرية الكم. وتتكون هذه المقاومة من طبقتين مغناطيسيتين حديديتين وبينهما طبقة رقيقة جدا من مادة عازلة . فعندما تصل سمك الطبقة الرقيقة عدة نانومتر فيمكن للإلكترونات الانتقال بين المغناطيسين طبقا لظاهرة نفق ميكانيكا الكم . (ar) Der magnetische Tunnelwiderstand (englisch tunnel magnetoresistance, TMR) oder TMR-Effekt ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten verwendet wird und Teil der Magnetoelektronik. Der TMR-Effekt ist mit Hilfe der klassischen Physik nicht erklärbar und ist ein quantenmechanisches Phänomen. (de) Si se separa a dos ferromagnetos mediante un aislante delgado (alrededor de 1 nm), la resistencia de la corriente de túnel cambia con la orientación relativa de las dos capas magnéticas. La resistencia es normalmente más alta en el caso antiparalelo. Esto se conoce como efecto magnetorresistencia túnel (TMR). Fue descubierta en 1975 por Michel Julliere, usando hierro como el ferromagneto y germanio como aislante. La TMR a temperatura ambiente fue descubierta en 1995 por Moodera et. al. al renovarse el interés en este campo por el descubrimiento de la magnetorresistencia gigante. Es una de las bases de la memoria de acceso aleatorio magnética (MRAM). Véase para más información técnica. (es) トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。 一般的には、二層の強磁性体の磁化が同じ方向を向いている場合（平行状態）に抵抗は低く、お互いに反対の方向を向いている場合（反平行状態）には抵抗が高い。 (ja) En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière. Pour qu'un courant tunnel soit possible l'épaisseur de cette barrière ne doit pas excéder 1 à 2 nanomètres. Puisque ce phénomène est interdit en physique classique, la magnétorésistance à effet tunnel est une propriété dérivant strictement de la mécanique quantique. (fr) Tunnel magnetoresistance (TMR) is a magnetoresistive effect that occurs in a magnetic tunnel junction (MTJ), which is a component consisting of two ferromagnets separated by a thin insulator. If the insulating layer is thin enough (typically a few nanometres), electrons can tunnel from one ferromagnet into the other. Since this process is forbidden in classical physics, the tunnel magnetoresistance is a strictly quantum mechanical phenomenon. Magnetic tunnel junctions are manufactured in thin film technology. On an industrial scale the film deposition is done by magnetron sputter deposition; on a laboratory scale molecular beam epitaxy, pulsed laser deposition and electron beam physical vapor deposition are also utilized. The junctions are prepared by photolithography. (en) 터널자기저항(Tunnel magnetoresistance, TMR)은 얇은 절연체로 분리되는 두 개의 강자성체 자석으로 구성되는, 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ)에서 발생하는 자기저항효과이다. (보통 얼마 안 되는 나노미터 정도로) 절연층이 충분히 얇으면 전자는 강자성체 자석 하나를 다른 강자성체 자석으로 터널링시킬 수 있다. 이러한 과정은 고전물리학에서는 금기시되므로 터널 자기저항은 명백히 양자역학적 현상으로 간주된다. 자기 터널 접합은 박막 기술을 사용하여 제조된다. 산업적 규모에서 필름 증착은 마그네트론 을 통해 수행되며, 연구소 규모에서는 , , 이 활용된다. 이러한 접합은 를 통해 준비된다. (ko) Tunelowa magnetorezystancja (ang. Tunnel magnetoresistance, TMR) jest efektem magnetorezystancji, który ma miejsce w skrzyżowaniu tunelu magnetycznego (ang. magnetic tunnel junction, MTJ), który jest komponentem składającym się z dwóch ferromagnetyków oddzielonych przez cienki izolator. Jeśli warstwa izolatora jest odpowiednio cienka (zazwyczaj kilka nanometrów), elektrony mogą przepływać tunelem z jednego ferromagnetyku do drugiego. Jako że proces ten jest zakazany w fizyce klasycznej, tunelowa magnetorezystancja jest tylko fenomenem fizyki kwantowej. Skrzyżowania tunelu magnetycznego są wytwarzane w technice cienkowarstwowej (TLC). Podczas produkcji na skalę przemysłową wykorzystuje się napylanie w polu magnetycznym; w produkcji laboratoryjnej wykorzystuje się epitaksję z wiązek molekularnych i fizyczne osadzanie pary z wiązką elektronów. Skrzyżowania przygotowywane są przy pomocy fotolitografii. (pl) Туннельное магни́тное сопротивле́ние, туннельное магнитосопротивление или магнетосопротивление (сокр. ТМС, англ. Tunnel magnetoresistance, сокр. TMR) — квантовомеханический эффект, проявляется при протекании тока между двумя слоями ферромагнетиков, разделенных тонким (около 1 нм) слоем диэлектрика. При этом общее сопротивление устройства, ток в котором протекает из-за туннельного эффекта, зависит от взаимной ориентации полей намагничивания двух магнитных слоев. Сопротивление выше при антипараллельной намагниченности слоев. Эффект туннельного магнитного сопротивления похож на эффект гигантского магнитного сопротивления, но в нём вместо слоя немагнитного металла используется слой изолирующего туннельного барьера. (ru) 隧道磁阻( TMR ) 是发生在磁隧道结( MTJ ）中的磁阻效应，由一个薄绝缘体及被其隔开的两个铁磁体组成的组件。绝缘层足够薄（通常为几纳米）的情况下，电子可以从一个铁磁体隧穿过去另一边。由于这个过程在经典物理学中不可能实现的，所以隧道磁阻是一种严格的量子力学现象。 磁性隧道结通过薄膜技术进行制造。工业规模上的薄膜沉积通过磁控完成；实验室规模通过分子束外延、脉冲激光沉积以及制备。隧道的结通过光刻法制备。 (zh) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/Magnetic_Tunnel_Junction.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageID | 845722 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 26306 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1107188918 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Quantum_mechanics dbr:Scanning_transmission_electron_microscopy dbr:Density_functional_theory dbc:Spintronics dbr:Cubic_crystal_system dbr:Voltage dbr:Jagadeesh_Moodera dbr:Electron_beam_physical_vapor_deposition dbr:Molecular_beam_epitaxy dbr:Sputter_deposition dbr:MRAM dbr:Conservation_law_(physics) dbr:Gauge_theory dbr:Quantum_tunnelling dbr:Cobalt dbr:Electrical_resistance dbr:Electron dbr:Green's_function_(many-body_theory) dbr:Antiferromagnet dbr:Magnesium_oxide dbr:Magnetic_field dbr:Magnetoresistive_random-access_memory dbc:Magnetoresistance dbr:Density_matrix dbr:Density_of_states dbr:Half-metal dbr:Hall_effect_sensor dbr:Giant_Magnetoresistance dbr:Spin_polarization dbr:Magnetization dbr:Tohoku_University dbr:Disk_read-and-write_head dbr:Crystalline dbr:Lanthanum_strontium_manganite dbr:Grain_boundaries dbr:Aluminum_oxide dbr:Amorphous dbr:Ferromagnet dbr:Non-volatile_memory dbr:Oxygen dbr:Germanium dbr:Pulsed_laser_deposition dbr:Thin_film dbr:Hard_disk_drive dbr:Iron dbr:MgO dbc:Electric_and_magnetic_fields_in_matter dbr:Coercivity dbr:Quantum_tunneling dbr:Zeeman_effect dbr:Photolithography dbr:Spin_(physics) dbr:Fermi_energy dbr:Nanometre dbr:Magnetoresistance dbr:Magnon dbr:Spin-transfer_torque dbr:Exchange_bias dbr:Heusler_alloy dbr:Thermal_Assisted_Switching dbr:Insulator_(electrical) dbr:File:TunnelSchema_TMR.svg dbr:File:Magnetic_Tunnel_Junction.svg |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Reflist dbt:Short_description |
| dct:subject | dbc:Spintronics dbc:Magnetoresistance dbc:Electric_and_magnetic_fields_in_matter |
| gold:hypernym | dbr:Effect |
| rdf:type | yago:Abstraction100002137 yago:Cognition100023271 yago:Component105868954 yago:Concept105835747 yago:Content105809192 yago:Idea105833840 yago:Part105867413 yago:PsychologicalFeature100023100 dbo:Disease yago:WikicatResistiveComponents |
| rdfs:comment | مقاومة مغناطيسية نفقية (بالإنجليزية: tunnel magnetoresistance) في الفيزياء هو تأثير مقاومة مغناطيسية يحدث في توصيلات مغناطيسية نفقية، والنفقية هنا يرجع إلى نفق ميكانيكا الكم الذي تفسره ميكانيكا الكم . أي أن تأثير المقاومة المغناطيسية النفقية هو تاثير كمومي لا تستطيع تفسيره الميكانيكا التقليدية وتفسره نظرية الكم. وتتكون هذه المقاومة من طبقتين مغناطيسيتين حديديتين وبينهما طبقة رقيقة جدا من مادة عازلة . فعندما تصل سمك الطبقة الرقيقة عدة نانومتر فيمكن للإلكترونات الانتقال بين المغناطيسين طبقا لظاهرة نفق ميكانيكا الكم . (ar) Der magnetische Tunnelwiderstand (englisch tunnel magnetoresistance, TMR) oder TMR-Effekt ist ein magnetoresistiver Effekt, der in magnetischen Tunnelkontakten verwendet wird und Teil der Magnetoelektronik. Der TMR-Effekt ist mit Hilfe der klassischen Physik nicht erklärbar und ist ein quantenmechanisches Phänomen. (de) トンネル磁気抵抗効果（とんねるじきていこうこうか・英: Tunnel Magneto Resistance Effect）とは、磁気トンネル接合(MTJ)素子において絶縁体を挟んでいる二層の強磁性体の磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、TMR効果とも呼ばれる。 一般的には、二層の強磁性体の磁化が同じ方向を向いている場合（平行状態）に抵抗は低く、お互いに反対の方向を向いている場合（反平行状態）には抵抗が高い。 (ja) En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière. Pour qu'un courant tunnel soit possible l'épaisseur de cette barrière ne doit pas excéder 1 à 2 nanomètres. Puisque ce phénomène est interdit en physique classique, la magnétorésistance à effet tunnel est une propriété dérivant strictement de la mécanique quantique. (fr) 터널자기저항(Tunnel magnetoresistance, TMR)은 얇은 절연체로 분리되는 두 개의 강자성체 자석으로 구성되는, 자기 터널 접합(magnetic tunnel junction, MTJ)에서 발생하는 자기저항효과이다. (보통 얼마 안 되는 나노미터 정도로) 절연층이 충분히 얇으면 전자는 강자성체 자석 하나를 다른 강자성체 자석으로 터널링시킬 수 있다. 이러한 과정은 고전물리학에서는 금기시되므로 터널 자기저항은 명백히 양자역학적 현상으로 간주된다. 자기 터널 접합은 박막 기술을 사용하여 제조된다. 산업적 규모에서 필름 증착은 마그네트론 을 통해 수행되며, 연구소 규모에서는 , , 이 활용된다. 이러한 접합은 를 통해 준비된다. (ko) Туннельное магни́тное сопротивле́ние, туннельное магнитосопротивление или магнетосопротивление (сокр. ТМС, англ. Tunnel magnetoresistance, сокр. TMR) — квантовомеханический эффект, проявляется при протекании тока между двумя слоями ферромагнетиков, разделенных тонким (около 1 нм) слоем диэлектрика. При этом общее сопротивление устройства, ток в котором протекает из-за туннельного эффекта, зависит от взаимной ориентации полей намагничивания двух магнитных слоев. Сопротивление выше при антипараллельной намагниченности слоев. Эффект туннельного магнитного сопротивления похож на эффект гигантского магнитного сопротивления, но в нём вместо слоя немагнитного металла используется слой изолирующего туннельного барьера. (ru) 隧道磁阻( TMR ) 是发生在磁隧道结( MTJ ）中的磁阻效应，由一个薄绝缘体及被其隔开的两个铁磁体组成的组件。绝缘层足够薄（通常为几纳米）的情况下，电子可以从一个铁磁体隧穿过去另一边。由于这个过程在经典物理学中不可能实现的，所以隧道磁阻是一种严格的量子力学现象。 磁性隧道结通过薄膜技术进行制造。工业规模上的薄膜沉积通过磁控完成；实验室规模通过分子束外延、脉冲激光沉积以及制备。隧道的结通过光刻法制备。 (zh) Si se separa a dos ferromagnetos mediante un aislante delgado (alrededor de 1 nm), la resistencia de la corriente de túnel cambia con la orientación relativa de las dos capas magnéticas. La resistencia es normalmente más alta en el caso antiparalelo. Esto se conoce como efecto magnetorresistencia túnel (TMR). Fue descubierta en 1975 por Michel Julliere, usando hierro como el ferromagneto y germanio como aislante. (es) Tunnel magnetoresistance (TMR) is a magnetoresistive effect that occurs in a magnetic tunnel junction (MTJ), which is a component consisting of two ferromagnets separated by a thin insulator. If the insulating layer is thin enough (typically a few nanometres), electrons can tunnel from one ferromagnet into the other. Since this process is forbidden in classical physics, the tunnel magnetoresistance is a strictly quantum mechanical phenomenon. (en) Tunelowa magnetorezystancja (ang. Tunnel magnetoresistance, TMR) jest efektem magnetorezystancji, który ma miejsce w skrzyżowaniu tunelu magnetycznego (ang. magnetic tunnel junction, MTJ), który jest komponentem składającym się z dwóch ferromagnetyków oddzielonych przez cienki izolator. Jeśli warstwa izolatora jest odpowiednio cienka (zazwyczaj kilka nanometrów), elektrony mogą przepływać tunelem z jednego ferromagnetyku do drugiego. Jako że proces ten jest zakazany w fizyce klasycznej, tunelowa magnetorezystancja jest tylko fenomenem fizyki kwantowej. (pl) |
| rdfs:label | مقاومة مغناطيسية نفقية (ar) Magnetischer Tunnelwiderstand (de) Efecto túnel magnético (es) Magnétorésistance à effet tunnel (fr) トンネル磁気抵抗効果 (ja) 터널자기저항 (ko) Tunelowy magnetoopór (pl) Tunnel magnetoresistance (en) Туннельное магнитосопротивление (ru) 隧道磁阻 (zh) |
| owl:sameAs | freebase:Tunnel magnetoresistance yago-res:Tunnel magnetoresistance wikidata:Tunnel magnetoresistance dbpedia-ar:Tunnel magnetoresistance dbpedia-de:Tunnel magnetoresistance dbpedia-es:Tunnel magnetoresistance dbpedia-et:Tunnel magnetoresistance dbpedia-fr:Tunnel magnetoresistance dbpedia-ja:Tunnel magnetoresistance dbpedia-ko:Tunnel magnetoresistance dbpedia-pl:Tunnel magnetoresistance dbpedia-ru:Tunnel magnetoresistance dbpedia-vi:Tunnel magnetoresistance dbpedia-zh:Tunnel magnetoresistance https://global.dbpedia.org/id/onSf |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Tunnel_magnetoresistance?oldid=1107188918&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/Magnetic_Tunnel_Junction.svg wiki-commons:Special:FilePath/TunnelSchema_TMR.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Tunnel_magnetoresistance |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Magnetic_tunnel_junction dbr:Magnetic_tunnel_effect dbr:Magnetic_tunnel_junctions dbr:MTJ_Magnetic_Tunnel_Junction |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Antisymmetric_exchange dbr:John_Slonczewski dbr:Robert_Fontana dbr:Index_of_physics_articles_(T) dbr:Jagadeesh_Moodera dbr:Memristor dbr:Spinmechatronics dbr:Magnesium_oxide dbr:Magnetic_storage dbr:Magnetoresistive_RAM dbr:TMR dbr:Linear_Tape-Open dbr:Everspin_Technologies dbr:Quantum_efficiency dbr:Nano-RAM dbr:Random-access_memory dbr:Magnetic_tunnel_junction dbr:Magnetoresistance dbr:Spin_engineering dbr:Spin-transfer_torque dbr:Yamazaki-Teiichi_Prize dbr:Exchange_bias dbr:Giant_magnetoresistance dbr:Multiferroics dbr:Spin_polarized_scanning_tunneling_microscopy dbr:Spintronics dbr:Spinterface dbr:Magnetic_tunnel_effect dbr:Magnetic_tunnel_junctions dbr:MTJ_Magnetic_Tunnel_Junction |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Tunnel_magnetoresistance |
