Ohmic contact (original) (raw)
التلامس الأومي (بالإنجليزية: Ohmic contact) هو توصيل غير مقّوم وهي منطقة في جهاز أشباه الموصلات التي أعدت بحيث أن منحنى علاقة التيار - الجهد (IV) لهذه المنطقة يكون بشكل طولي ومتماثل. عادة هو تقاطع بين أشباه الموصلات والمعادن كمعدن الرصاص ومواد أشباه الموصلات.و نرمز لها بالحرف R
_8.2.1.svg?width=300)
| Property | Value |
|---|---|
| dbo:abstract | التلامس الأومي (بالإنجليزية: Ohmic contact) هو توصيل غير مقّوم وهي منطقة في جهاز أشباه الموصلات التي أعدت بحيث أن منحنى علاقة التيار - الجهد (IV) لهذه المنطقة يكون بشكل طولي ومتماثل. عادة هو تقاطع بين أشباه الموصلات والمعادن كمعدن الرصاص ومواد أشباه الموصلات.و نرمز لها بالحرف R (ar) Unter einem ohmschen Kontakt wird in der Halbleiterelektronik ein Übergang zwischen einem Metall und einem Halbleiter mit niedrigem elektrischen Widerstand verstanden, welcher sich wie ein ohmscher Widerstand verhält und keine gleichrichtende Wirkung, wie der Schottky-Kontakt, aufweist. Er dient dazu elektronische Bauelemente auf Halbleiterbasis zu kontaktieren und elektrisch mit anderen Bauteilen zu verbinden. Anwendungen liegen bei allen Halbleiterbauelementen wie integrierten Schaltungen oder auch diskreten Bauelementen wie Transistoren. Ohne ohmsche Kontakte mit niedrigem Übergangswiderstand und mechanisch stabilen Kontakten könnte man Halbleiterbauelemente nicht verwenden. (de) An ohmic contact is a non-rectifying electrical junction: a junction between two conductors that has a linear current–voltage (I–V) curve as with Ohm's law. Low-resistance ohmic contacts are used to allow charge to flow easily in both directions between the two conductors, without blocking due to rectification or excess power dissipation due to voltage thresholds. By contrast, a junction or contact that does not demonstrate a linear I–V curve is called non-ohmic. Non-ohmic contacts come in a number of forms, such as p–n junction, Schottky barrier, rectifying heterojunction, or breakdown junction. Generally the term "ohmic contact" implicitly refers to an ohmic contact of a metal to a semiconductor, where achieving ohmic contact resistance is possible but requires careful technique. Metal–metal ohmic contacts are relatively simpler to make, by ensuring direct contact between the metals without intervening layers of insulating contamination, excessive roughness or oxidation; various techniques are used to create ohmic metal–metal junctions (soldering, welding, crimping, deposition, electroplating, etc.). This article focuses on metal–semiconductor ohmic contacts. Stable contacts at semiconductor interfaces, with low contact resistance and linear I–V behavior, are critical for the performance and reliability of semiconductor devices, and their preparation and characterization are major efforts in circuit fabrication. Poorly prepared junctions to semiconductors can easily show rectifying behaviour by causing depletion of the semiconductor near the junction, rendering the device useless by blocking the flow of charge between those devices and the external circuitry. Ohmic contacts to semiconductors are typically constructed by depositing thin metal films of a carefully chosen composition, possibly followed by annealing to alter the semiconductor–metal bond. (en) Kontak ohmic merupakan wilayah pada perangkat semikonduktor yang telah disiapkan sehingga kurva antara arus-tegangan (I-V) dari perangkat membentuk garis linear dan simetris. Jika karakteristik I-V adalah non-linear dan asimetris, kontak dapat memblokir sebagai Schottky kontak. Tipe kontak ohmic pada Semikonduktor antara lain pada bantalan logam teruapkan yang menggunakan pola Fotolitografi. Rendah-hambatan, kontak stabil sangat penting untuk kinerja dan kehandalan dari sirkuit dan persiapannya serta karakterisasi sebagai upaya dalam pembangunan sirkuit. (in) Un contact ohmique est un contact métal-semi-conducteur avec une très faible résistance de contact. Il est dit ohmique lorsque le courant I est proportionnel à la tension V avec un facteur de proportionnalité . La résistance spécifique de contact rc est le produit de Rc par la surface de contact. La réalisation de contacts ohmiques performants, c’est-à-dire ayant une caractéristique I(V) linéaire et peu résistif, est une condition nécessaire au bon fonctionnement d’un grand nombre de dispositifs. En effet, le développement de certaines filières passe par l’optimisation de certains points cruciaux dans les briques technologiques. Dans le domaine de puissance par exemple: la brique concernant les contacts ohmiques est un point indispensable et à la fabrication de composant. Pour cela, le contact doit être déposé sur un semi-conducteur suffisamment dopé. En effet, le dépôt d’un métal sur un semi-conducteur se traduit par la création d’une barrière à fort potentiel à l'interface. Le dopage de la couche de semi-conducteur favorise le passage des porteurs électriques par effet tunnel . Les contraintes d’industrialisation de la filière imposent aussi des contacts reproductibles, compatibles avec les procèdes les plus communs de la micro-électronique (notamment l’absence d’or) et une température de recuit la plus faible possible. De plus, le recuit RTA (rapid thermal annealing) est une étape nécessaire à la formation de contact ohmique. Le modèle Schottky-Mott présente l’avantage de prédire simplement le contact métal/semi-conducteur. Ce modèle repose sur la structure de bande entre un métal et un semi-conducteur et fait apparaıtre une barrière de potentiel de type Schottky. Il existe différents modes de conduction qui permettent aux électrons de franchir cette barrière. Le contact métal/semi-conducteur est décrit par le modèle Schottky-Mott. Deux comportements différents, redresseur (aussi appelé Schottky) ou ohmique, peuvent apparaitre selon le signe de la différence entre les travaux de sortie du métal et du semi-conducteur et/ou le type de dopage du semi-conducteur considéré. On se place dans le cas d’un semi-conducteur de type n. Dans le cas du contact ohmique, le travail de sortie du métal Φm est inférieur à celui du semi-conducteur. Lors de la mise en contact des deux matériaux, les électrons présents dans le métal passent dans le semi-conducteur pour réaliser l’équilibre thermodynamique. Une zone d’accumulation d’électrons (ZAE) se forme donc dans le semi-conducteur, provoquant la courbure des bandes vers le bas. Il n’y a donc aucune barrière de potentiel qui limite la circulation des électrons. Ceux-ci peuvent aisément passer du métal au semi-conducteur, et vice-versa, sous l’effet d’une polarisation quelconque. Il en résulte un contact de type ohmique dont la caractéristique courant-tension est linéaire . Dans le cas d’un semi-conducteur p, les relations s’inversent. Le contact de type ohmique est observé pour Φm>Φs. A l'interface se forme une barrière de potentiel s'opposant au passage du courant. Trois mécanismes principaux régissent l'expression du courant: 1. * Le franchissement de la barrière par émission thermoionique dominant dans les semi-conducteurs peu dopés. La zone désertée qui se forme près du contact est étendue. Elle joue le rôle d'une barrière de potentiel large, ce qui rend le passage par effet tunnel peu probable. 2. * Le franchissement de la barrière par effet tunnel assisté thermiquement, dans le cas des semi-conducteurs moyennement dopés. L'émission thermo-ionique et l'effet tunnel jouent alors un rôle important dans les mécanismes de conduction. 3. * Le franchissement de la barrière par effet tunnel pur, qui intervient dans le cas des semi-conducteurs fortement dopés. Le semi-conducteur étant très dopé, la zone déserte est plus petite et donc la probabilité de passage par effet tunnel pur n'est plus négligeable, entraînant un mode de conduction par effet tunnel prédominant. Pour connaître l'importance relative de ces phénomènes, T. C. Shen, G. B. Gao et H. Morkoç introduisent un terme E00 qui permet de définir l'importance relative des mécanismes de conduction: où q est la charge électrostatique élémentaire, h la constante de Planck, Nd la concentration en atomes donneurs, est la constante diélectrique du semi-conducteur, me la masse effective d'un électron. Dans le cas d'un dopage de type p, il suffit de considérer la concentration en atomes accepteurs et la masse effective des trous. * Lorsque (faible dopage), la conduction est thermo-ionique avec une résistance spécifique de contact rc proportionnelle à , étant la barrière de contact. * Pour (dopage intermédiaire), les mécanismes émission thermo-ionique et tunnel coexistent avec une résistance rc au franchissement de la barrière du type * Enfin, lorsque (dopage élevé), la conduction est dominée par effet tunnel. Dans ce cas, la résistance spécifique de contact rc dépend fortement de la concentration en dopant, et est proportionnelle à (fr) オーミック接触とは、オームの法則に従って線型の (I-V) 曲線を持つ2つの導体の間ので、整流作用の無い接合である。抵抗の小さいオーミック接触は、電荷が2つの導体間のどちらの方向へも流れやすくし、整流による遮断や電圧しきい値による余剰電力損失を無くすために用いられる。 一方で線形のI-V曲線を示さない接合や接触は、非オーミックであると言う。非オーミック接触は、pn接合、ショットキー障壁、整流作用のあるヘテロ接合、降伏接合など多くの形で見られる。 一般的に「オーミック接触」という言葉は、オーミックな振る舞いの達成に技術を要する半導体と金属のオーミック接触を暗に指している。金属-金属オーミック接触は、金属間に絶縁する不純物や酸化が無く直接接触するによって、比較的単純に作ることができる。はんだ付け、溶接、圧着、蒸着、電気めっきなど様々な技術がオーミック金属-金属接合を作るために用いられる。この記事では、金属-半導体オーミック接触に焦点を当てる。 抵抗が小さくて安定な半導体へのオーミック接触は半導体デバイスの性能と信頼性において重要であり、回路作製ではその作製とキャラクタリゼーションに力が注がれる。半導体への接合が不十分だと、接合近くで空乏層ができることで整流作用を示してしまう。その結果デバイスと外部回路との間の電荷の流れをブロックし、デバイスを役に立たなくする。一般的に半導体へのオーミック接触は、注意して選ばれた組成の金属薄膜を堆積することにより構成され、その後半導体-金属結合の形成のためアニーリングをする。 (ja) Оми́ческий конта́кт — контакт между металлом и полупроводником или двумя разнородными полупроводниками, характеризующийся линейной и симметричной вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ асимметрична и нелинейна, то контакт в той или иной мере является выпрямляющим (например, является контактом с барьером Шоттки, на основе которого создан диод Шоттки). В модели барьера Шоттки выпрямление зависит от разницы между работой выхода металла и электронного сродства полупроводника. Однако на практике, в большинстве случаев, контакты металл — полупроводник не следуют точно модели Шоттки, так как наличие внешних поверхностных состояний на границе раздела металла и полупроводника (например, плёнки и частицы оксидов и дефекты кристаллической структуры) может сделать поведение контакта практически не зависящим от разницы между работой выхода металла и электронного сродства полупроводника к электрону. В производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем для создания омического контакта подконтактную область полупроводника дополнительно сильно легируют (например, применяют повышенное легирование донорной примесью пластин кремния n-типа при применении алюминия в качестве металла в контакте; сильно легированный слой кремния обозначается n+). При этом толщина области пространственного заряда барьера Шоттки становится настолько малой, что через неё возможно туннелирование носителей заряда (полевая эмиссия). Такие сильно легированные области структуры обычно обозначают p+ — для полупроводника с дырочным типом проводимости и n+ — полупроводника с электронной проводимостью. (ru) 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻製程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 (zh) Омі́чний конта́кт — контакт між металом і напівпровідником або двома напівпровідниками, що характеризується симетричною лінійною вольт-амперною характерисникою. Омічні контакти мають велике значення у напівпровідниковій технології, оскільки вони застосовуються для підведення струму до діодів і транзисторів. При використанні як провідників металів із великою роботою виходу (наприклад, золота) для покращення властивостей контакту, приповерхневу область напівпровідника легують високою концентрацією домішок, зменшуючи розміри області збіднення до таких значень, коли можливе тунелювання носіїв заряду крізь неї. Такі області зазвичай позначають p+ або n+. (uk) |
| dbo:thumbnail | wiki-commons:Special:FilePath/IEEE_315-1975_(1993)_8.2.1.svg?width=300 |
| dbo:wikiPageExternalLink | https://archive.org/details/physicsofsemicon00szes http://www.siliconfareast.com/ohmic_table.htm https://web.archive.org/web/20060207032647/http:/www.avs.org/literature.aspx https://web.archive.org/web/20060217144101/http:/www.electrochem.org/publications/jes/journal.htm http://www.elsevier.com/locate/issn/00406090 |
| dbo:wikiPageID | 3744388 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageLength | 12867 (xsd:nonNegativeInteger) |
| dbo:wikiPageRevisionID | 1113517012 (xsd:integer) |
| dbo:wikiPageWikiLink | dbr:Electrical_junction dbr:Electromigration dbr:Electroplating dbr:Soldering dbr:Non-stoichiometric dbr:Alloy dbr:Hydrofluoric_acid dbr:Current–voltage_characteristic dbr:Delamination dbr:Depletion_region dbr:Doping_(semiconductor) dbr:Indium_tin_oxide dbr:Molybdenum dbr:Sputter_deposition dbr:ZnO dbr:Copper_indium_gallium_selenide dbc:Semiconductor_structures dbr:Chemical_vapor_deposition dbr:Ohm's_law dbr:Oxide dbr:P–n_junction dbr:RC_time_constant dbr:Electron_affinity dbr:Gallium_arsenide dbr:Gallium_nitride dbr:Gold dbr:Contact_resistance dbr:Thin-film_deposition dbr:Annealing_(metallurgy) dbr:Clock_rate dbr:Joule_heating dbr:Photovoltaics dbr:Titanium dbr:Titanium_nitride dbr:Transmission_line_measurement dbr:Welding dbr:Crimp_connection dbr:Laser_diode dbr:Aluminum dbr:Band_gap dbr:Four-terminal_sensing dbr:Germanium dbr:Tungsten dbr:Rectifier dbr:Surface_reconstruction dbr:Heterojunction dbr:Fermi_level_pinning dbr:Silicide dbr:Arsenic dbc:Materials_science dbc:Semiconductor_device_fabrication dbr:LCD dbr:Diamond dbr:Avalanche_breakdown dbr:Solar_cells dbr:Frequency_response dbr:Materials_engineering dbr:Indium dbr:Optoelectronic dbr:Semiconductor_devices dbr:Work_function dbr:Metal-induced_gap_states dbr:Schottky_barrier dbr:Silicon dbr:Oxidation dbr:II-VI_semiconductor_compound dbr:Reactive_sputtering dbr:Evaporation_(deposition) dbr:Schottky–Mott_rule dbr:Tunneling_Effect dbr:File:IEEE_315-1975_(1993)_8.2.1.svg dbr:III-V dbr:GaAs dbr:InSb dbr:HgCdTe |
| dbp:name | Ohmic contact (en) |
| dbp:symbol | dbr:File:IEEE_315-1975_(1993)_8.2.1.svg |
| dbp:symbolCaption | Semiconductor region with one ohmic connection (en) |
| dbp:type | Connection (en) |
| dbp:wikiPageUsesTemplate | dbt:Authority_control dbt:Cite_book dbt:Main dbt:Reflist dbt:Short_description dbt:Infobox_electronic_component |
| dcterms:subject | dbc:Semiconductor_structures dbc:Materials_science dbc:Semiconductor_device_fabrication |
| gold:hypernym | dbr:Junction |
| rdf:type | owl:Thing yago:WikicatSemiconductorStructures yago:Artifact100021939 yago:Object100002684 yago:PhysicalEntity100001930 yago:YagoGeoEntity yago:YagoPermanentlyLocatedEntity dbo:Station yago:Structure104341686 yago:Whole100003553 |
| rdfs:comment | التلامس الأومي (بالإنجليزية: Ohmic contact) هو توصيل غير مقّوم وهي منطقة في جهاز أشباه الموصلات التي أعدت بحيث أن منحنى علاقة التيار - الجهد (IV) لهذه المنطقة يكون بشكل طولي ومتماثل. عادة هو تقاطع بين أشباه الموصلات والمعادن كمعدن الرصاص ومواد أشباه الموصلات.و نرمز لها بالحرف R (ar) Unter einem ohmschen Kontakt wird in der Halbleiterelektronik ein Übergang zwischen einem Metall und einem Halbleiter mit niedrigem elektrischen Widerstand verstanden, welcher sich wie ein ohmscher Widerstand verhält und keine gleichrichtende Wirkung, wie der Schottky-Kontakt, aufweist. Er dient dazu elektronische Bauelemente auf Halbleiterbasis zu kontaktieren und elektrisch mit anderen Bauteilen zu verbinden. Anwendungen liegen bei allen Halbleiterbauelementen wie integrierten Schaltungen oder auch diskreten Bauelementen wie Transistoren. Ohne ohmsche Kontakte mit niedrigem Übergangswiderstand und mechanisch stabilen Kontakten könnte man Halbleiterbauelemente nicht verwenden. (de) Kontak ohmic merupakan wilayah pada perangkat semikonduktor yang telah disiapkan sehingga kurva antara arus-tegangan (I-V) dari perangkat membentuk garis linear dan simetris. Jika karakteristik I-V adalah non-linear dan asimetris, kontak dapat memblokir sebagai Schottky kontak. Tipe kontak ohmic pada Semikonduktor antara lain pada bantalan logam teruapkan yang menggunakan pola Fotolitografi. Rendah-hambatan, kontak stabil sangat penting untuk kinerja dan kehandalan dari sirkuit dan persiapannya serta karakterisasi sebagai upaya dalam pembangunan sirkuit. (in) 欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。典型的欧姆接触是溅镀或者蒸镀的金属片，这些金属片通过光刻製程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 (zh) An ohmic contact is a non-rectifying electrical junction: a junction between two conductors that has a linear current–voltage (I–V) curve as with Ohm's law. Low-resistance ohmic contacts are used to allow charge to flow easily in both directions between the two conductors, without blocking due to rectification or excess power dissipation due to voltage thresholds. (en) Un contact ohmique est un contact métal-semi-conducteur avec une très faible résistance de contact. Il est dit ohmique lorsque le courant I est proportionnel à la tension V avec un facteur de proportionnalité . La résistance spécifique de contact rc est le produit de Rc par la surface de contact. Les contraintes d’industrialisation de la filière imposent aussi des contacts reproductibles, compatibles avec les procèdes les plus communs de la micro-électronique (notamment l’absence d’or) et une température de recuit la plus faible possible. On se place dans le cas d’un semi-conducteur de type n. (fr) オーミック接触とは、オームの法則に従って線型の (I-V) 曲線を持つ2つの導体の間ので、整流作用の無い接合である。抵抗の小さいオーミック接触は、電荷が2つの導体間のどちらの方向へも流れやすくし、整流による遮断や電圧しきい値による余剰電力損失を無くすために用いられる。 一方で線形のI-V曲線を示さない接合や接触は、非オーミックであると言う。非オーミック接触は、pn接合、ショットキー障壁、整流作用のあるヘテロ接合、降伏接合など多くの形で見られる。 一般的に「オーミック接触」という言葉は、オーミックな振る舞いの達成に技術を要する半導体と金属のオーミック接触を暗に指している。金属-金属オーミック接触は、金属間に絶縁する不純物や酸化が無く直接接触するによって、比較的単純に作ることができる。はんだ付け、溶接、圧着、蒸着、電気めっきなど様々な技術がオーミック金属-金属接合を作るために用いられる。この記事では、金属-半導体オーミック接触に焦点を当てる。 (ja) Оми́ческий конта́кт — контакт между металлом и полупроводником или двумя разнородными полупроводниками, характеризующийся линейной и симметричной вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ асимметрична и нелинейна, то контакт в той или иной мере является выпрямляющим (например, является контактом с барьером Шоттки, на основе которого создан диод Шоттки). В модели барьера Шоттки выпрямление зависит от разницы между работой выхода металла и электронного сродства полупроводника. (ru) Омі́чний конта́кт — контакт між металом і напівпровідником або двома напівпровідниками, що характеризується симетричною лінійною вольт-амперною характерисникою. Омічні контакти мають велике значення у напівпровідниковій технології, оскільки вони застосовуються для підведення струму до діодів і транзисторів. (uk) |
| rdfs:label | تلامس أومي (ar) Ohmscher Kontakt (de) Contact ohmique (fr) Kontak Ohmik (in) オーミック接触 (ja) Ohmic contact (en) Омический контакт (ru) Омічний контакт (uk) 歐姆接觸 (zh) |
| owl:sameAs | freebase:Ohmic contact yago-res:Ohmic contact http://d-nb.info/gnd/4172515-3 wikidata:Ohmic contact dbpedia-ar:Ohmic contact dbpedia-da:Ohmic contact dbpedia-de:Ohmic contact dbpedia-fa:Ohmic contact dbpedia-fr:Ohmic contact dbpedia-id:Ohmic contact dbpedia-ja:Ohmic contact dbpedia-ru:Ohmic contact dbpedia-uk:Ohmic contact dbpedia-zh:Ohmic contact https://global.dbpedia.org/id/vSjZ |
| prov:wasDerivedFrom | wikipedia-en:Ohmic_contact?oldid=1113517012&ns=0 |
| foaf:depiction | wiki-commons:Special:FilePath/IEEE_315-1975_(1993)_8.2.1.svg |
| foaf:isPrimaryTopicOf | wikipedia-en:Ohmic_contact |
| is dbo:wikiPageRedirects of | dbr:Non-rectifying_junction dbr:Nonrectifying_junction dbr:Ohmic_conductor dbr:Ohmic_device |
| is dbo:wikiPageWikiLink of | dbr:Electrical_junction dbr:Electromigration dbr:Metal–semiconductor_junction dbr:Sheet_resistance dbr:Non-rectifying_junction dbr:Nonrectifying_junction dbr:Reliability_(semiconductor) dbr:Index_of_physics_articles_(O) dbr:JFET dbr:List_of_plasma_physics_articles dbr:OLED dbr:Concentrator_photovoltaics dbr:P–n_junction dbr:Radio-frequency_microelectromechanical_system dbr:Multibeam_Corporation dbr:Contact_resistance dbr:Organic_field-effect_transistor dbr:PIN_diode dbr:Microelectromechanical_systems dbr:Ballistic_conduction_in_single-walled_carbon_nanotubes dbr:List_of_City_College_of_New_York_people dbr:Surface_photovoltage dbr:Band_diagram dbr:Direct_coupling dbr:Failure_of_electronic_components dbr:Terbium_silicide dbr:Theory_of_solar_cells dbr:Lam_Research dbr:Heterojunction_bipolar_transistor dbr:Martin_Pope dbr:Platinum_silicide dbr:Solar_cell dbr:Field-effect_transistor dbr:Nanogenerator dbr:Spreading_resistance_profiling dbr:Schottky_barrier dbr:Tunnel_junction dbr:Van_der_Pauw_method dbr:Poole–Frenkel_effect dbr:Semiconductor_detector dbr:Transepithelial_potential_difference dbr:Transfer_length_method dbr:Ohmic_conductor dbr:Ohmic_device |
| is foaf:primaryTopic of | wikipedia-en:Ohmic_contact |
