配線用トレンチ - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
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配線用トレンチの英語
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配線用トレンチ
「配線用トレンチ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
例文
ゲート配線２４と金属配線２７とを接続する配線コンタクトトレンチ２６の直下に、この配線コンタクトトレンチ２６よりも幅の広いゲート**配線用トレンチ２２を形成する。例文帳に追加
A trench 22 for gate wiring which is larger in width than a wiring contact trench 26 connecting the gate wiring 24 and metal wiring 27 is formed right below the wiring contact trench 26. - 特許庁
アルミ配線２０，２１を除去した後、封止用膜を成膜してトレンチ２６を塞ぐ。例文帳に追加
After aluminum wiring 20 and 21 is eliminated, a film for sealing is formed to block the trench 26. - 特許庁
集積回路装置用の金属配線は、集積回路基板にトレンチと、トレンチの一部分下にビアホールとを形成して製造する。例文帳に追加
The metal wiring of an integral circuit device is manufactured by forming the trench on the integral circuit substrate and a via hall under a part of the trench. - 特許庁
その後、トレンチ８の内部にゲート配線 用金属１１を形成し、サイドウォール１２および埋め込み絶縁膜１３でトレンチ８を塞ぐ。例文帳に追加
Thereafter, the trench 8 is closed with a side wall 12 and an embedded insulating film 13 by forming metal 11 for gate wiring to the internal side of the trench 8. - 特許庁
トレンチ側壁のバッファー層を使用して半導体装置用金属配線を形成する方法及びそれにより製造された装置例文帳に追加
METHOD FOR FORMING METAL WIRING FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICE USING BUFFER LAYER OF TRENCH SIDEWALL AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY - 特許庁
Ｃｕめっきを用いることなくＰＶＤのみでトレンチまたはホールＣｕを埋め込んでＣｕ配線を形成すること。例文帳に追加
To form a Cu wiring by embedding a trench or a hole Cu only by PVD without using Cu plating. - 特許庁
例文
プラグ埋設用 トレンチ１０およびコンタクトホール１３には、ソース配線１４に接続されたコンタクトプラグ１５が埋設されている。例文帳に追加
The contact plug 15 connected to source wiring 14 is buried in the trench 10 for burying plugs and the contact hole 13. - 特許庁
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「配線用トレンチ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
例文
その語、第２配線 用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１*配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１*配線層４ａを形成するのと同時に第２配線**層７を形成する。例文帳に追加
Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed. - 特許庁
このゲート*配線用トレンチ２２内を含む半導体基板１０上にポリシリコンからなるゲート*配線２４を形成しているため、配線コンタクトトレンチ２６形成時にオーバーエッチングが生じても金属配線**２７は半導体層１１と接触することがない。例文帳に追加
The gate wiring 24 made of polysilicon is formed on a semiconductor substrate 10 including the trench 22 for gate wiring inside, so even if overetching is caused during the formation of the wiring contact trench 26, the metal wiring 27 never comes into contact with a semiconductor layer 11. - 特許庁
バリア層としてのルテニウム膜の表面に直接電解めっきを行って、トレンチ等の配線 用凹部内に内部に欠陥のない配線材料を埋込むことができるようにする。例文帳に追加
To enable embedding of a defect-free wiring material in recesses for wiring, such as trenches, by carrying out electroplating directly on a surface of a ruthenium film serving as a barrier layer. - 特許庁
ビアファースト方法を用いるデュアルダマシン配線の形成において、レジストポイズニングを抑制しトレンチ開口パターンを高精度に形成する。例文帳に追加
To form a trench opening pattern with high precision by suppressing resist poisoning, when a dual-damascene interconnect lines are formed using Via first method. - 特許庁
フォトマスク６０を、デュアルダマシン配線構造のトレンチ及びその内側に配置されるコンタクトホールそれぞれのパターニングに共用可能とする。例文帳に追加
A photomask 60 can be commonly used for patterning both of a trench and a contact hole disposed inside the trench in a dual damascene wiring structure. - 特許庁
本発明ではデュアルダマシンで配線を形成しながらビアホールVを形成した感光膜パターンPR1,PR2を利用してトレンチTを形成することによって、トレンチTを形成するための感光膜パターンを別途に形成せずに金属配線82を容易に形成することができる。例文帳に追加
In this invention, a trench T is formed by using photoresist patterns PR1 and PR2 having a via hole V while forming wiring in a dual damascene process, thereby allowing metal wiring 82 to be easily formed without forming another photoresist pattern for forming the trench T. - 特許庁
ビアファースト方法を用いるデュアルダマシン配線の形成において、レジストポイズニング現象を抑制しトレンチ開口パターンを高精度に形成する。例文帳に追加
To form a trench opening pattern with high precision by suppressing resist poisoning phenomenon, when dual-damascene interconnect lines are formed using Via first method. - 特許庁
例文
窒素原子を含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入してエッチング初期に有機系の埋込層３５を選択的にエッチングする工程と、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入して配線 用のトレンチを微細加工する工程との二段階で配線 用のトレンチを微細加工する。例文帳に追加
A trench for wiring is micromachined in two stages; a process for selectively etching an organic-based embedded layer 35 at the initial stage of etching by introducing the etching gas into a plasma atmosphere by using the etching gas containing a nitrogen atom; and a process for micromachining the trench for wiring by introducing the etching gas into the plasma atmosphere using the etching gas containing fluorocarbon gas. - 特許庁
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