配線用トレンチ - Weblio 英和・和英辞典 (original) (raw)
例文
プラグ埋設用 トレンチ１０およびコンタクトホール１３には、ソース配線１４に接続されたコンタクトプラグ１５が埋設されている。例文帳に追加
The contact plug 15 connected to source wiring 14 is buried in the trench 10 for burying plugs and the contact hole 13. - 特許庁
本発明ではデュアルダマシンで配線を形成しながらビアホールVを形成した感光膜パターンPR1,PR2を利用してトレンチTを形成することによって、トレンチTを形成するための感光膜パターンを別途に形成せずに金属配線82を容易に形成することができる。例文帳に追加
In this invention, a trench T is formed by using photoresist patterns PR1 and PR2 having a via hole V while forming wiring in a dual damascene process, thereby allowing metal wiring 82 to be easily formed without forming another photoresist pattern for forming the trench T. - 特許庁
その語、第２配線 用レジストパターン６をマスクとしてＣｕ膜５をエッチングすることにより、ビア３および第１*配線用トレンチ４内にＣｕ膜５を埋め込んで、デュアルダマシン構造のビア３ａおよび第１*配線層４ａを形成するのと同時に第２配線**層７を形成する。例文帳に追加
Then the Cu film 5 is etched by using a second wiring resist pattern 6 for a mask to embed the Cu film 5 into the via-holes 3 and the trenches 4, and a second wiring layer 7 is formed at the same time when vias 3a of the dual damascene structure and a first wiring layer 4a are formed. - 特許庁
バリア層としてのルテニウム膜の表面に直接電解めっきを行って、トレンチ等の配線 用凹部内に内部に欠陥のない配線材料を埋込むことができるようにする。例文帳に追加
To enable embedding of a defect-free wiring material in recesses for wiring, such as trenches, by carrying out electroplating directly on a surface of a ruthenium film serving as a barrier layer. - 特許庁
トレンチゲートを有する半導体装置に関して、金属配線により生じる応力が直接トレンチに作用するのを防止する構造を設けることで、耐圧、リーク特性等について高い信頼性を持つ半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device having high reliability for a withstand voltage, leakage characteristics and the like by providing a structure which prevents stress generated owing to metal wiring from directly acting on a trench, as to the semiconductor device having a trench gate. - 特許庁
半導体配線材料として使用される銅を電気銅めっきにより形成する際制御された銅結晶形態を得、特にトレンチ付きの半導体ウェハーにめっきを行う場合のトレンチ内への良好な埋め込み特性を得ること。例文帳に追加
To obtain a controlled copper crystalline morphorogy when copper used as a semiconductor wiring material is formed by electrolytic copper plating and, especially to obtain such a property that the plating material can be sufficiently embedded in a trench when a semiconductor wafer having the trench is plated. - 特許庁
窒素原子を含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入してエッチング初期に有機系の埋込層３５を選択的にエッチングする工程と、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入して配線 用のトレンチを微細加工する工程との二段階で配線 用のトレンチを微細加工する。例文帳に追加
A trench for wiring is micromachined in two stages; a process for selectively etching an organic-based embedded layer 35 at the initial stage of etching by introducing the etching gas into a plasma atmosphere by using the etching gas containing a nitrogen atom; and a process for micromachining the trench for wiring by introducing the etching gas into the plasma atmosphere using the etching gas containing fluorocarbon gas. - 特許庁
例文
配線層にトレンチを形成し、トレンチをマイグレーション問題の影響を受け難い材料を無電解メッキ、イオン注入、および気相堆積法などの技術を用いて充填するなどの方法で電気抵抗の増加を最小限にして、機械的強度を増し、配線のエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションの影響の受けやすさを減少させる。例文帳に追加
A trench is formed in a wiring layer, and the increase of electric resistance thereof is minimized and the mechanical strength thereof is enhanced and then influence of the electromigration and the stress migration of the wiring is decreased by a method filling a material hardly affected by a migration problem into the trench with use of technologies such as electroless plating, ion implantation, and gas phase depositing. - 特許庁