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N. Ir.の部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 24件

例文

Interruption request signals IR_0 to IR_m-1 are given to the CPU 8 and interruption request signals IR_m to IR_m+n are given to an interruption expanding means 12.例文帳に追加

割込み要求信号ＩＲ_0〜ＩＲ_m-1はＣＰＵ８に与え、割込み要求信号ＩＲ_m〜ＩＲ_m+nは割込み拡張手段１２に与える。 - 特許庁

The compounds are described by the formula (II) (wherein M is Rh or Ir; X is halogen; Y is O, S or Se; R is an aromatic hydrocarbon; and a, b and n are each an integer).例文帳に追加

化合物は（式中、Ｍ：Ｒh,Ir、Ｘ：ハロゲン、Ｙ：Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｒ：芳香族炭化水素、およびａ，ｂ，ｎ：整数をあらわす。） - 特許庁

Therefore, by bringing both Ir and Au to composite colloid in a nano- level, NO_x is adsorbed on Ir to be dissociated into N and O, and O remaining after the dissociation of N_2 is considered to be discharged using hardly oxidizable Au as an outlet.例文帳に追加

そのため両者をナノレベルで複合化した複合コロイドとすることで、Ir上にNO_x が吸着してＮとＯに解離され、N_2の脱離後に残留するＯは難酸化性のAuを出口として放出されると考えられる。 - 特許庁

The thick gate insulating film 7 is interposed between the n-type buried layer 3 and resistance element IR to reduce coupling capacity formed between a substrate 1 (n-type buried layer 3) and the resistance element IR.例文帳に追加

ｎ型埋込み層３と抵抗素子ＩＲとの間に厚いゲート絶縁膜７を介在させることにより、基板１（ｎ型埋込み層３）と抵抗素子ＩＲとの間に形成されるカップリング容量が低減される構造になっている。 - 特許庁

例文

Then, a variable power processor 26 performs the thinning processing toward the binarized data B (n) formed from the corrected image data Ir (n) by the average weighted error Eav (n) and the average differential data AVr (n).例文帳に追加

そして、重み付け平均誤差Ｅａｖ（ｎ）と平均差分データＡＶｒ（ｎ）とにより補正された補正画像データＩｒ（ｎ）を２値化した２値化データＢ（ｎ）に対し、変倍処理部２６で間引き処理を行う。 - 特許庁

例文

In the formula, M is Fe, Ru, Ir, Co, Cr, Mn, Rh, Re or Os, a is 0, 1 or 2, L is a leagand other than CN, and n is 2, 3 or 4.例文帳に追加

一般式（Ｉ） ［Ｍ（ＣＮ）_6-aＬ_a］^n- 式中、Ｍ：Ｆｅ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｏｓ ａ：０、１又は２ Ｌ：ＣＮ以外の配位子 ｎ：２、３または４ - 特許庁

A complex linear arithmetic unit 111 receives M digital signals IR, QR configuring M complex numbers corresponding to the sample number {n_q} of the M sample points from a memory 107 to multiply the generalized inverse matrix (consisting of L-rows and M-columns) calculated by a complex inverse matrix arithmetic unit 110 with the M digital signals IR, QR.例文帳に追加

メモリ１０７から、Ｍ個のサンプル点のサンプル番号｛ｎ_q｝に対応したＭ個の複素数を構成する各々Ｍ個のディジタル信号Ｉ_R、Ｑ_Rが複素線形演算器１１１に出力され、複素逆行列演算器１１０が算出したＬ行Ｍ列の一般化逆行列と積をとる。 - 特許庁

Since the data in which the ID is set is received by the applicable register with ID and only the remaining pieces of data at normal rate are received by the interruption register IR by N ID masking part 4, data transfer from the interruption register IR is not so frequently performed as to hinder execution of other processings.例文帳に追加

ＩＤマスク部４はＩＤが設定されているデータは該当するＩＤ付レジスタで受信させ、残りの正常レートのデータのみを割り込みレジスタＩＲで受信させるので、割り込みレジスタＩＲからのデータ転送が他の処理の実行を妨げるほど頻繁に行われることはない。 - 特許庁

In formula 1, M expresses Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru or Pd; CyN-Cy expresses a cyclometalized ligand bonded to the M through nitrogen(N) and carbon(C); 'A' expresses an N-containing ligand bonded to the M; X expresses a monoanionic single ligand; (n) expresses 1 or 2.例文帳に追加

式中、Ｍは、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｒｅ、ＲｕまたはＰｄであり、ＣｙＮ−ＣｙＣは、窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）を通じてＭと結合されているシクロメタル化配位子を表し、ＡはＭと結合する窒素原子を含む配位子を表し、Ｘはモノアニオン性単座配位子であり、ｎは１または２である。 - 特許庁

例文

A current It flows to the n channel MOS field effect transitsro 13 of the constant-voltage generating circuit 10 and a current Ir which is equal to or a constant multiple of the current It flows to a resistance 18.例文帳に追加

定電流発生回路１０のｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ１３に電流Ｉｔが流れ、電流Ｉｔと等しいかまたは定数倍の電流Ｉｒが抵抗１８に流れる。 - 特許庁

例文

This organometallic complex is expressed by chemical formula: ML_mL'_n (chemical formula 1) [wherein, M is Ir, Os, Pt, Pb, Re, Ru or Pd; L and L' are different bidentate ligands; (m) is 1, 2 or 3; and (n) is (3-m)].例文帳に追加

下記化学式１で表される有機金属錯体：ＭＬ_ｍＬ’_ｎ・・・（化学式１） 式中、 前記Ｍは、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｒｅ、ＲｕまたはＰｄであり、 前記ＬおよびＬ’は、異なる二座配位子であり、 ｍは、１、２または３であり、 ｎは、３−ｍである。 - 特許庁

A k-bit information bit string is inputted from an information signal source 10, and the encoder 20 encodes the k-bit information bit string to an n-bit encoded bit string of a parallel sequence at an encoding rate (k/n), and n repeat pulse trains are generated by the pulse generator 30 and transmitted as UWB-IR from the antenna 90.例文帳に追加

情報信号源１０からｋビットの情報ビット列が入力され、符号器２０は、符号化率（ｋ／ｎ）で、ｋビットの情報ビット列を並列系列のｎビットの符号化ビット列に符号化し、パルス発生器３０においてｎ個の繰返しパルス列が生成されてアンテナ９０からＵＷＢ−ＩＲとして送信される。 - 特許庁

To provide a trench Schottky barrier diode that improves the relation of trade-off between a leakage current IR in reverse direction and a forward drop voltage VF even when the carrier balance is excessive in n because of the variation of production.例文帳に追加

製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 7 of a high-breakdown-voltage MISFET with a thick film thickness is formed on an n-type buried layer 3 as an active area and a resistance element IR of an internal circuit is formed on the gate insulating film 7.例文帳に追加

アクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

The appliance for activating flowing water in a conduit is characterized in that the far IR rays radiated from biotite 2 with germanium therein is made to act on the point within a water supply pipe 6 and/or faucet induced with repulsive force magnetic fields by disposing N poles of permanent magnets 1 opposite to each other.例文帳に追加

永久磁石１のＮ極同士を相対させて給水管６及び／若しくは蛇口の内部に斥力磁場を誘導したところに、ゲルマニウム内在黒雲母２から放射される遠赤外線を作用させることを特徴とする導管内流水活性化器具である。 - 特許庁

The organic electroluminescent device material comprises ligands of three rings having a coordination atom of C or N (at least one being C) connected by three connecting groups and a metal complex selected from Ir, Pt, Rh, Pd, and Au, and at least one of the rings has a ≥2C substituent which inhibits bidentate.例文帳に追加

配位元素がＣまたはＮ（少なくとも一つはＣ）である環が３個連結基によって連結された配位子と、Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｕから選ばれた金属錯体であって環のうち少なくとも一つはニ座配位を抑制する炭素原子数２以上の置換基を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 - 特許庁

To detect a position of a body to be sensed in a display region and to further improve an S/N ratio of data obtained by the photodetector receiving IR emitted from an illumination section, by making the photodetector receive, in one surface side of a display panel, reflection light of illumination light reflected by the body to be sensed.例文帳に追加

表示パネルの面の側において、照明光が被検知体によって反射された反射光を、受光素子が受光することによって、表示領域における被検知体の位置を検出し、その赤外線を受光する受光素子によって得られるデータのＳ／Ｎ比をさらに改善する。 - 特許庁

A gate insulator 7 of a high breakdown voltage MISFET having a thick film thickness is formed at an upper part of an n-type buried layer 3 serving as a dummy active region, and a resistance element IR of an internal circuit is formed at an upper part of the gate insulator 7.例文帳に追加

ダミーアクティブ領域であるｎ型埋込み層３の上部には、厚い膜厚を有する高耐圧ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜７が形成されており、このゲート絶縁膜７の上部には、内部回路の抵抗素子ＩＲが形成されている。 - 特許庁

The electron releasing material is constituted by forming an amorphous or microcrystalline carbon nitride film containing an N-H terminal, more particularly the carbon nitride film which is above the absorption area of the C-H terminal in the absorption area of the N-H terminal in the IR absorption spectra of the carbon nitride film on the surface of a conductive base material.例文帳に追加

Ｎ−Ｈ終端を含有するアモルファスないしは微結晶窒化炭素膜、特に窒化炭素膜の赤外線吸収スペクトルにおけるＮ−Ｈ終端の吸収面積がＣ−Ｈ終端の吸収面積以上である窒化炭素膜を導電性の基材表面に形成することによって、電子放出材料を構成する。 - 特許庁

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁

The polymerizable N,O-functionalized acrylic acid hydroxyamide represented by general formula (I) represents monomers of different types and reactivities, which is a mixture with other polymerizable ingredients as needed, and yields a mechanically stable coating or shaped article by copolymerization with heat or by irradiation with visible light, or light in a UV or IR range in the presence of an appropriate radical initiator.例文帳に追加

本発明による一般式（Ｉ）の重合可能なＮ，Ｏ−官能化アクリル酸ヒドロキシアミドは、異なるタイプおよび反応性のモノマーを表し、これは、必要に応じてその他の重合可能な成分との混合物で、適切なラジカル開始剤の存在下、熱による共重合によるか、または可視、ＵＶまたはＩＲ範囲の光の照射に際し、機械的に安定なコーティングまたは形状化体を生じる。 - 特許庁

A CPU 20 performs shake correction by comparing the shake amount ω with the movement amount (n), deciding the existence and/or the kind of the converter lens 2 by referring to a converter data table 21, calculating target position information Ic again, and controlling an actuator driving circuit 16 with appropriate correction amount based on present position information Ir from a PSD 4 and the target position information Ic.例文帳に追加

ＣＰＵ２０は、振れ量ωと動き量ｎとを比較すると共に、コンバータデータテーブル２１を参照して、コンバータレンズ２の有無及び／又は種類を判定し、目標位置情報Ｉｃを再計算して、ＰＳＤ４からの現在位置情報Ｉｒと目標位置情報Ｉｃに基づいて、アクチュエータ駆動回路１６を適正な補正量で制御して、ブレ補正を行う。 - 特許庁

In a driving signal calculating part 86, a driving signal (p) for driving a blurring correction lens 110 is calculated based on an angle detection signal θ(t) calculated by an angular velocity integration calculating part 83, the rotation center position signal n'(t) and positional information Ir etc., of the blurring correction lens 110 outputted by a driving part 100.例文帳に追加

駆動信号算出部８６は、角速度積分演算部８３により算出された角度検出信号θ（ｔ）と、回転中心位置信号ｎ’（ｔ）と、駆動部１００より出力されたブレ補正レンズ１１０の位置情報Ｉｒ等とに基づいて、ブレ補正レンズ１１０を駆動するための駆動信号ｐを演算する。 - 特許庁

例文

A BTO ferroelectric thin film 36 is grown epitaxially on an Si substrate 31 through the intermediary of a lower electrode, and an SRO upper electrode 37 is formed on the ferroelectric thin film 36 for the formation of a ferroelectric capacitor, where the lower electrode is formed of a three- layered epitaxial film composed of a (Ti, Al) N film layer 33, an Ir layer 38, and an SOR layer 365.例文帳に追加

Ｓｉ基板３１上に下部電極を介してＢＴＯ強誘電体薄膜３６がエピタキシャル成長され、強誘電体薄膜３６上にＳＲＯ上部電極３７が形成された強誘電体キャパシタにおいて、下部電極を、Ｓｉ基板３１側から（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ膜層３３，Ｉｒ層３８，ＳＲＯ層３５の３層構造のエピタキシャル膜で形成した。 - 特許庁