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boron-10の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 252件
例文
(xx) Boron-10 例文帳に追加
（二十） ほう素一〇 - 日本法令外国語訳データベースシステム
USE OF BORON OR ENRICHED BORON 10 IN UO2例文帳に追加
ＵＯ２中でのホウ素または濃縮１０Ｂの使用 - 特許庁
LIPOSOME SEALING BORON-10 ISOTOPE-CONTAINING BORON COMPOUND例文帳に追加
ホウ素１０同位体を含むホウ素化合物を内封したリポソーム - 特許庁
The mortal contains B_4C from 5×10^20/cc to 5×10^22/cc, in terms of boron.例文帳に追加
モルタルは、B_4Cをボロン換算量で5×10^20/ccから5×10^22/cc含有している。 - 特許庁
例文
(xxv) Boron, boron compounds or boron mixtures, or primary or semi-finished products thereof, comprised of concentrated boron with a boron 10 to boron 10 and boron 11 ratio greater than the ratio in nature, or anything containing such boron 例文帳に追加
二十五 ほう素、ほう素化合物若しくはほう素混合物又はこれらの半製品若しくは一次製品であって、ほう素一〇のほう素一〇及びほう素一一に対する比率が天然の比率を超えて濃縮されたほう素から構成されるもの又はそのほう素を含むもの - 日本法令外国語訳データベースシステム
例文
Further, the content of boron nitride is 0.5-10 wt.%, preferably.例文帳に追加
また、窒化ホウ素の含有量は0.5〜10質量％であることが望ましい。 - 特許庁
The contents of carbon and boron carbide are 1-10 vol.%, respectively and the rest is boron nitride.例文帳に追加
炭素及び炭化硼素の含有割合が１〜１０体積％であり、残部が窒化硼素である。 - 特許庁
The thickness of the boron doped layer 9 is 1 μm or smaller, and the surface concentration of the boron is 4.0×10^10-3.5×10^11 cm^-2.例文帳に追加
ホウ素ドーピング層９の厚さは１μｍ以下とし、ホウ素の面濃度は４．０×１０^１０乃至３．５×１０^１１ｃｍ^−２とする。 - 特許庁
The content of the boron nitride based on the total amount including a base oil and the boron nitride is not more than 10 wt.%.例文帳に追加
窒化ホウ素は、基油と窒化ホウ素とを含む全量に対する含有率が、１０ｗｔ％以下とする。 - 特許庁
例文
The diaphragm 10 is constituted of a boron diffusion layer, and a supersaturation region S is formed to part of the boron diffusion layer.例文帳に追加
振動板１０がボロン拡散層からなり、このボロン拡散層の一部に過飽和領域Ｓを形成した。 - 特許庁
例文
The liposome consists of a boron ion cluster (however, at least one of boron atoms in a molecule is boron-10 isotope) and a polyhydric amine or its salt.例文帳に追加
ホウ素イオンクラスター（但し分子中のホウ素原子の少なくとも１つはホウ素１０同位体である）と多価アミンまたはその塩からなるアンモニウム塩を内封してなるリポソーム。 - 特許庁
The boron adsorbing material is treated with sodium hydroxide, which is then brought into contact with boron-containing waste water at pH 7-10 to adsorb and remove boron.例文帳に追加
このホウ素吸着材を、水酸化ナトリウム処理した後、ホウ素含有排水とｐＨ７〜１０で接触させることにより、ホウ素を吸着除去することができる。 - 特許庁
To provide a liposome superior in storage stability and useful for a boron neutron capture therapy, which seals a high concentration of a boron-10 isotope-containing boron compound.例文帳に追加
ホウ素中性子捕捉療法に有用な、ホウ素１０同位体を含むホウ素化合物を高濃度に内封した保存安定性に優れるリポソームを提供すること。 - 特許庁
Cubic boron nitride abrasive grains comprise single crystals comprising ≤7.5×10^-4 mol of a cubic boron nitride synthesis catalyst component contained in 1 mol of the cubic boron nitride.例文帳に追加
立方晶窒化ホウ素１ｍｏｌに含まれる立方晶窒化ホウ素合成触媒成分が７．５×１０^−４ｍｏｌ以下である単結晶からなる立方晶窒化ホウ素砥粒。 - 特許庁
In this epitaxial silicon wafer, an epitaxial film is made on the sub wafer constituted of silicon single crystals, where boron concentration is 4×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 and the concentration of tin is 1×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3.例文帳に追加
ボロンの濃度が4×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３で、錫の濃度が1×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３であるシリコン単結晶によるサブウェーハ上に、エピタキシャル膜が形成されているエピタキシャルシリコンウェーハ。 - 特許庁
The thickness of the boron-containing graphite coated layer is preferably 10-500 nm.例文帳に追加
上記ホウ素含有黒鉛被覆層の厚みは１０〜５００ｎｍが好ましい。 - 特許庁
The P^+ layer is a high concentration layer with an impurity concentration of boron around 1×10^20/cc.例文帳に追加
Ｐ^＋層はボロンの不純物濃度が１×１０^２０／ｃｃ程度の高濃度層である。 - 特許庁
The method for producing nanoparticles includes irradiating amorphous boron particles dispersed in a solvent with laser light to produce crystalline boron nanoparticles or boron-containing nanoparticles containing ≥10 at.% of boron, wherein the nanoparticles have an average particle diameter of 1-500 nm.例文帳に追加
溶媒中に分散させたアモルファスのホウ素粒子に、レーザー光を照射して、平均粒径が１〜５００ｎｍで結晶性のホウ素ナノ粒子またはホウ素を１０原子％以上含有するホウ素含有ナノ粒子を作製するナノ粒子の製造方法。 - 特許庁
Disclosed is anatase-type titanium oxide in which the doped quantity of boron is from 1×10^19 cm^-3 to 5×10^22 cm^-3.例文帳に追加
ホウ素のドープ量を１×１０^１９ｃｍ^−３〜５×１０^２２ｃｍ^−３としたアナターゼ型酸化チタンである。 - 特許庁
An organo-boron polymer containing boron 10 (^10B) as a constituent is blended with polymethyl methacrylate (PMMA) or polystyrene (PS) as a polymer to increase the transmittance of the scintillator.例文帳に追加
ホウ素１０（^10Ｂ）を構成元素とした有機ホウ素ポリーマーに高分子材料であるポリメチルメタクリレート(PMMA)あるいは、ポリスチレン(PS)をブレンドしてシンチレータの透過度を上げる。 - 特許庁
The coating liquid for boron diffusion contains: (a) a boron compound; (b) a polyvinyl alcohol based resin having a sodium content of ≤10 ppm; and (c) water.例文帳に追加
（ａ）ホウ素化合物、（ｂ）ナトリウム含有量が１０ｐｐｍ以下のポリビニルアルコール系樹脂、および（ｃ）水を含有することを特徴とするホウ素拡散用塗布液。 - 特許庁
The mixing ratio of the carbon powder to the boron nitride powder is 1-10 vol.%.例文帳に追加
窒化硼素粉末に混入する炭素粉末の混入割合が、１〜１０体積％である。 - 特許庁
An IGBT 10 comprises a P type collector region 11 containing P type impurity such as boron.例文帳に追加
ＩＧＢＴ１０は、ボロン等のＰ型不純物を含むＰ型コレクタ領域１１を備える。 - 特許庁
The multilayered lead body A comprises a carbon-containing pencil lead layer 10 including at least carbon, and boron nitride-containing layer 20 formed by performing boron nitride substitution on the surface layer of the carbon-containing pencil lead layer 10, and the content of boron nitride in the boron nitride-containing layer 20 is 90 wt.% or more.例文帳に追加
少なくとも炭素を含む炭素含有鉛筆芯層１０と、該炭素含有鉛筆芯層１０の表面層を窒化硼素置換した窒化硼素含有層２０とから構成し、該窒化硼素含有層２０の窒化硼素含有率が９０重量％以上で形成させていることを特徴とする多層芯体Ａ。 - 特許庁
Doping concentration of the boron or the antimony is made in the range of 1×10^10-1×10^22 atoms/cm^3.例文帳に追加
ボロン、又はアンチモンのドーピング濃度は、１×１０^１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲にすることである。 - 特許庁
A neutron absorbing material is composed by a boron carbide/ silicon carbide fiber composite sintered body consisting of the boron carbide(B4C) containing silicon carbide(SiC) fiber whose surface is covered with boron nitride(BN) by 10-30 vol.%.例文帳に追加
窒化ホウ素（ＢＮ）で表面被覆された炭化ケイ素（ＳｉＣ）繊維を１０〜３０体積％含有した炭化ホウ素（Ｂ_4 Ｃ）からなる炭化ホウ素／炭化ケイ素繊維複合焼結体で中性子吸収材料を構成する。 - 特許庁
The average particle diameter and the filling rate of the substantially spherical boron nitride are preferably 20 to 100 μm and 10 to 30 vol.%, respectively.例文帳に追加
好ましくは、この実質的に球状の窒化ホウ素の平均粒径は20〜100μｍであり、充填率は10〜30体積％である。 - 特許庁
The free-cutting ceramics consist of, as the main components, 30 to 50 mass% boron nitride and 50 to 70 mass% zirconia, and, if required, of ≤10 mass% silicon nitride, and whose thermal expansion coefficient at 25 to 600°C is 3 to 5×10^-6/°C.例文帳に追加
主成分が窒化硼素30〜50質量％、およびジルコニア50〜70質量％、さらに必要により窒化珪素10質量％以下から構成し、25℃〜600 ℃の熱膨張係数が３〜５×10^-6/ ℃である。 - 特許庁
The thickness of the surface layer 11 is 0.5-1.5 μm, and the rate of cubic boron nitride to the whole boron nitride in the surface layer 11 is 10-70 mol%.例文帳に追加
表面層（１１）は、その厚みが０．５〜１．５μｍであり、表面層（１１）中の全窒化ホウ素に対する立方晶窒化ホウ素の割合が、１０〜７０ｍｏｌ％である。 - 特許庁
The composite ceramic comprises a silicon nitride-based ceramic as a matrix phase and, combined therewith, boron nitride as a dispersed phase, the proportion of the boron nitride being 2.5 to 10 vol.%.例文帳に追加
本発明の複合セラミックスは、窒化ケイ素基セラミックスを母相とし、窒化ホウ素が２．５ｖｏｌ．％以上、１０ｖｏｌ．％以下の割合で分散相として複合されている。 - 特許庁
The content of boron is preferably 0.1-10 wt.% based on the graphitized carbon fiber.例文帳に追加
ホウ素の含有量は黒鉛化炭素繊維に対して０．１〜１０重量％であることが望ましい。 - 特許庁
P-type doping contains boron and N-type doping contains nitrogen in a concentration of ≤10% (atm).例文帳に追加
Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。 - 特許庁
The boron nitride composition comprises a boron nitride powder whose surface is treated with a coating layer containing at least one of a silane, a siloxane, a carboxyli acid derivative and mixtures thereof, wherein the coating layer adheres to at least 10% of the surface of the boron nitride powder.例文帳に追加
表面が、シラン、シロキサン、カルボン酸誘導体、及びその混合物の少なくとも１つを含むコーティング層で処理された窒化ホウ素組成物であって、コーティング層が、窒化ホウ素の表面の少なくとも１０％に付着する。 - 特許庁
And the concentration of sodium in the lithium manganate is 50-50,000 ppm and the concentration of boron is 10 ppm or more.例文帳に追加
また、マンガン酸リチウムのナトリウム濃度が５０〜５００００ｐｐｍかつ硼素濃度が１０ｐｐｍ以上である。 - 特許庁
The silicon carbide-based porous body contains metal silicide of 1-35 mass% and boron (B) of 0.1-10 mass% expressed in terms of boron oxide (B_2O_3), and has porosity of 38-80%.例文帳に追加
金属珪化物を１〜３５質量％、ホウ素（Ｂ）を酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）換算で０．１〜１０質量％それぞれ含有し、気孔率が３８〜８０％である炭化珪素質多孔体。 - 特許庁
Also disclosed is a transparent conductive thin film using anatase-type titanium oxide in which the doped quantity of boron is from 5×10^20 cm^-3 to 5×10^22 cm^-3.例文帳に追加
また、ホウ素のドープ量を５×１０^20ｃｍ^−３〜５×１０^２２ｃｍ^−３としたアナターゼ型酸化チタンを用いた透明導電薄膜である。 - 特許庁
It is preferable that the concentration of boron or phosphorus as a dopant in the silicon single crystal is 1×10^17-1×10^20 atoms/cm^3.例文帳に追加
また、シリコン単結晶中のドーパントとしてのボロンまたはリンの濃度を１×１０^17〜１×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3の範囲にすることが望ましい。 - 特許庁
The boron carbide-containing aluminum composite material is characterized in that boron carbide particles 2 are uniformly dispersed into the matrix of an aluminum alloy 1 in an amount of 2 to 10 vol.%, the films of aluminum borides 3 are formed on the surfaces of the boron carbide particles, and tensile fracture elongation is ≥10%.例文帳に追加
アルミニウム合金１のマトリックス中に炭化ホウ素粒子２が２〜１０体積％均一分散してなり、前記炭化ホウ素粒子の表面にアルミニウムホウ化物３の膜が形成されており、引張り破壊伸びが１０％以上であることを特徴とする炭化ホウ素含有アルミニウム複合材料。 - 特許庁
In the welding portion of the aluminum-boron alloy-made late material 10, mixture 50 of KFB_4 as a boron crystallized material 20 with a binder such as high molecular material is coated so that this boron crystallized material 20 melts down into a welding pool 30 at the welding time.例文帳に追加
アルミニウム−ボロン合金製の板材１０の溶接部分には、ボロン晶出材料２０であるＫＦＢ_4と高分子材等のバインダとの混合物５０が塗布されており、溶接時には当該ボロン晶出材料２０が溶接プール３０に溶け出すようになっている。 - 特許庁
A cluster ion beam 20 containing boron and germanium is radiated onto the silicon substrate 1 at a bottom part of the contact hole 10, and a silicon layer 11 containing the boron and germanium is formed in the silicon substrate 1.例文帳に追加
次に、コンタクトホール１０の底部にあるシリコン基板１に、ホウ素とゲルマニウムを含むクラスターイオンビーム２０を照射して、シリコン基板１中にホウ素とゲルマニウムとを含むシリコン層１１を形成する。 - 特許庁
In the electron-emitting element 10, a boron nitride material 13 is used as the electron discharge material, and as a substrate 11 to form the boron nitride material, a metal material or a semiconductor material has been used.例文帳に追加
本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。 - 特許庁
To provide a method of producing a nitride compound sintered compact suitable for e.g. a susceptor, which shows reduced exposure of boron nitride particles of ≥10 μm or agglomerated particles containing the boron nitride particles.例文帳に追加
、１０μｍ以上の窒化ホウ素粒子ないしは窒化ホウ素粒子を含む凝集粒子の露出を軽減させた、例えばサセプタとして好適な窒化物複合焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁
This protective member is composed of a boron carbide sintered compact mainly composed of boron carbide and containing graphite and silicon carbide, in particular, content of graphite is 1-10 mass% to boron carbide sintered compact of 100 mass%, and content of silicon carbide is 0.5-5 mass% boron carbide sintered compact.例文帳に追加
防護部材として、炭化硼素を主成分とし、グラファイトおよび炭化珪素を含む炭化硼素質焼結体からなり、特に、前記グラファイトが炭化硼素質焼結体１００質量％に対して、１質量％以上、１０質量％以下、前記炭化珪素が炭化硼素質焼結体に対して０．５質量％以上、５質量％以下とする。 - 特許庁
The mold 10 can be easily released because of the good lubricity of the amorphous boron carbonitride 16, and has the forming face with the improved mechanical strength due to the cubic lattice boron nitride particles 17 harder than amorphous boron carbonitride 26 and the diamond particles 18.例文帳に追加
金型１０は、非晶質炭窒化ホウ素１６の良好な潤滑性により離型を容易とすることができると共に、非晶質炭窒化ホウ素２６よりも更に高硬度な立方格子窒化ホウ素粒子１７及びダイヤモンド粒子１８により成形面の機械強度が向上する。 - 特許庁
The method for producing the boron nitride-based sintered compact comprises forming a single boron nitride powder having a specific surface area of ≥30 m^2/g and the maximum value of the particle size distribution within a range of 10-40 μm or a raw material powder containing the boron nitride powder and then subjecting the formed body to pressureless sintering or hot press sintering.例文帳に追加
比表面積が３０ｍ^２／ｇ以上で、粒度分布の最大値が１０μｍ以上４０μｍ以下の領域にある窒化硼素粉末単身又はそれを含む原料粉末を成形した後、常圧焼結又はホットプレス焼結することを窒化硼素質焼結体の製造方法。 - 特許庁
A preferred embodiment of the quill 10 is a cubic crystal boron nitride quill vitrified or galvanized on the grinding part 16.例文帳に追加
好ましい実施形態では、クイル１０は、研削部１６の上にビトリファイドないしメッキされた立方晶窒化ホウ素クイルである。 - 特許庁
The fired body having moss preventability contains, by weight, 0.1 to 10% boron oxide (B_2O_3) in a blending raw material.例文帳に追加
配合原料中に、酸化硼素（Ｂ_２Ｏ_３）を０．１重量％〜１０重量％を含有する防苔性を有する焼成体。 - 特許庁
A dynamic bearing 8 is made up of a sintered material containing nickel, boron nitride and graphite, and a porosity of 10% or less.例文帳に追加
ニッケル、窒化ホウ素、及び黒鉛を含むとともに、気孔率が１０％以下である焼結材により、動圧軸受８を構成する。 - 特許庁
A boron concentration in the diffusion layer (12) is set to be 1×10^17 to 1×10^20 atoms/cm^3, and a film thickness thereof is set to be 0.1 to 10 μm.例文帳に追加
拡散層（１２）中のボロン濃度は１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、また、その膜厚は０．１μｍ以上１０μｍ以下となるようにする。 - 特許庁
例文
The radical source has a feed pipe 10 including SUS and a cylinder-like plasma generation pipe 11 including thermal decomposition boron nitride (PBN) connecting to the feed pipe 10.例文帳に追加
ラジカル源は、ＳＵＳからなる供給管１０と、供給管１０に接続する熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）からなる円筒状のプラズマ生成管１１を有している。 - 特許庁