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slit gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 41件
例文
The suction rack 2 is provided with a gate-shaped suction slit formed by a horizontal slit 11a and vertical slits 11b at both sides.例文帳に追加
吸い込み架台２には、水平スリット１１ａとその両側の鉛直スリット１１ｂによって、門型の吸い込みスリットを開口する。 - 特許庁
The supply rack 1 is provided with a gate-shaped supply slit 11 formed by a horizontal slit 11a and vertical slits 11b at both sides.例文帳に追加
吹き出し架台１には、水平スリット１１ａとその両側の鉛直スリット１１ｂによって、門型の吹き出しスリット１１を開口する。 - 特許庁
MEMORY-CELL STRUCTURE OF NON-VOLATILE FLASH MEMORY WITH SLIT TYPE GATE ELECTRODE AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加
スリット式ゲート電極を有する不揮発性フラッシュメモリの記憶セル構造及びその操作方法 - 特許庁
A mold comprises a gate 7, a cavity 35, a first slit 11, a second slit 13, a third slit 15, a first runner 21, a second runner 23, a third runner 25 and a fourth runner 27.例文帳に追加
モールドは、ゲート７、キャビティ３５、第一スリット１１、第二スリット１３、第三スリット１５、第一ランナー２１、第二ランナー２３、第三ランナー２５及び第四ランナー２７を備えている。 - 特許庁
例文
The gate electrode is formed as a split gate electrode split by a slit and a first p-type impurity region is provided on a surface of an n-type semiconductor layer almost at the center of the slit.例文帳に追加
ゲート電極はスリットで分離された分離ゲート電極とし、スリットの略中央のｎ−型半導体層表面に第１ｐ型不純物領域を設ける。 - 特許庁
例文
By a slit 13 on the element isolating insulation film 4, between adjacent memory cells; the second gate insulating film 7 on the floating gate 6 is separated together with the floating gate 6.例文帳に追加
浮遊ゲート６上の第２のゲート絶縁膜７は、浮遊ゲート６と共に、素子分離絶縁膜４上でスリット１３により隣接するメモリセル間で分離される。 - 特許庁
In the center of a TFT-substrate side pixel electrode 116, a slit 116a parallel to a gate bus lines 111 is formed.例文帳に追加
ＴＦＴ基板側の画素電極１１６の中央には、ゲートバスライン１１１と平行なスリット１１６ａが形成されている。 - 特許庁
A sandwich structure composed of slit type gate electrodes, the first vertical type oxide layers, capture layers and the second oxide layers is formed.例文帳に追加
スリット式ゲート電極と、垂直式の第１酸化層、キャプチャ層、及び第２酸化層とによるサンドイッチ構造を形成する。 - 特許庁
A slit 15 extending in the width direction is provided at end part of each gate electrode 6 leaving a connection part 10 with the scanning line 1.例文帳に追加
上記各ゲート電極６は、その基端部に上記走査線１との接続部１０を残して幅方向に延びるスリット１５が設けられている。 - 特許庁
例文
Metal mold protruding parts 63, 64A, 64B and 65 for forming the slit and a valve gate are formed on the upper die of the manufacturing metal mold.例文帳に追加
製造用金型の上型には、スリット形成用の金型凸部６３，６４Ａ，６４Ｂ，６５と、バルブゲートとが形成されている。 - 特許庁
例文
The light shielding plate 33 is provided with a slit 33A which shields the luminous flux passing through the end 37A on the side of the gate among luminous fluxes emitted from the light source.例文帳に追加
遮光板３３は、光源からの光束のうちゲート側端部３７Ａを通る光束を遮るスリット３３Ａを設けた。 - 特許庁
A holder stripe 11 is formed by forming a slit in an approximately rectangle gate shape in the PC sheet 10, and it is folded and bent to outside by about 30 degrees.例文帳に追加
ＰＣシート１０に略長方形のゲート状にスリットを形成し、外側に約３０度折り曲げて保持片１１を形成する。 - 特許庁
By narrowing the width of the slit, a fluidized molding material can be prevented from dripping down from the gate.例文帳に追加
スリットの幅を狭くすることにより、流動状態の成形材料がゲート３０から垂れ落ちることを防止できる。 - 特許庁
The slit gates 29 are disposed correspondingly to the intermediate frame parts 3, and the cross-section of the gate 29 is formed approximately linearly.例文帳に追加
スリットゲート29を中間枠部３に対応して配置すると共に、該スリットゲート29の断面を略線状に形成する。 - 特許庁
When the gate 23 is elevated, the slit opening 21A of the chamber bulkhead 21 is opened, however, upon passing the wafer 10, a distance between the surface of the wafer 10 and the terminal of the slit opening 21A becomes a substantial opening.例文帳に追加
ゲート２３が上がると、チャンバ隔壁２１のスリット開口２１Ａが開くが、ウェハ１０の通過時には、ウェハ１０表面とスリット開口２１Ａ端部間の距離が実質的な開口部となる。 - 特許庁
A gate electrode 250 of submicron order depending on the width of the slit ST is formed by utilizing the slit ST (refer to Fig. 3(c)), and then a source region and a drain region are formed oppositely while holding the gate electrode 250 between.例文帳に追加
このスリットＳＴを利用することで、スリットＳＴの幅に応じたサブミクロンオーダのゲート電極２５０を形成し（図３（ｃ）参照）、その後、ゲート電極２５０を挟んで対向配置されたソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁
Conductive layers are formed and each drain is connected, and the slit structures are composed of the gate electrodes, and the first oxide layers, the capture layers and the second oxide layers surrounding the gate electrodes.例文帳に追加
また、導電層を形成してそれぞれのドレインを接続し、かつゲート電極と、該ゲート電極を取り囲む第１酸化層、キャプチャ層、及び第２酸化層とによってスリット構造を構成する。 - 特許庁
The second stage passage 16 is provided with a gate portion 17 for passing a harness H therethrough, and the gate portion 17 is formed with a slit 21 for facilitating the insertion and removal of the harness H.例文帳に追加
２階通路部１６にはハーネスＨを挿通させるゲート部１７を設け、同ゲート部１７にハーネスＨを容易に挿脱可能とするスリット２１を形成した。 - 特許庁
It is preferable that a gate member housing part is formed around the opening part 88 and a slit for projecting the bag like member 91 into the opening part 88 in the expansion is formed between the gate member housing part and the opening part 88.例文帳に追加
好ましくは、開口部８８の周囲にゲート部材収納部を形成し、該ゲート部材収納部と前記開口部８８との間に、膨張時に袋状ゲート部材９１が開口部８８内に突出可能なスリットを形成している。 - 特許庁
The region for erasing the ultraviolet ray is a slit 31 obtained by removing at least the part of the edge of the floating gate 13 provided at the shielding gate 18.例文帳に追加
紫外線消去用の領域は、シールド電極１８において設けられるフローティングゲート１３の少なくともエッジの一部上を除いたスリット３１である。 - 特許庁
A resin injection port 31 for injecting a molten resin into the gasketlike space GS is made an annular slit by the fixed die 21 and the gate die 23, while a lead-out passage P which is formed by the fixed die 21 and the gate die 23 and connected to the resin injection port 31 formed in the shape of the annular slit is tapered toward the resin injection port 31.例文帳に追加
ガスケット形状空間ＧＳに溶融した樹脂を注入する樹脂注入口３１を、固定金型２１とゲート金型２３とで環状のスリットにするとともに、環状のスリットに形成された樹脂注入口３１につながる固定金型２１とゲート金型２３とで形成される導出通路Ｐが樹脂注入口３１に向かって先細形状になるようした。 - 特許庁
As a result, a process margin at the time of wet-etching the first side wall film 106 and the sacrifice gate insulated film 104 is increased, and the generation of a slit at the gate electrode side lower part of the second side wall film 110 can be prevented.例文帳に追加
これにより、第１の側壁膜１０６および犠牲ゲート絶縁膜１０４をウェットエッチングする際のプロセスマージンを大きくして、第２の側壁膜１１０のゲート電極側下部にスリットが入るのを防ぐことができる。 - 特許庁
A cutout 8 is formed at the edge of interior material 5 covering the inner surface of a tail gate body 4 of a tail gate 2 closably covering the rear opening of a cabin 9, and a slit 12 of stopper rubber 7 is fitted to the cutout 8 to fit the stopper rubber 7 to the interior material 5.例文帳に追加
車室９の後部開口を開閉自在に覆うテールゲート２のテールゲート本体４の内面を覆う内装材５の端縁に切欠８を形成し、ストッパラバー７のスリット１２を前記切欠８に嵌合させることにより該ストッパラバー７を内装材５に取り付ける。 - 特許庁
A gatepost 1 on which a gate door 9 is attached is provided, the gatepost 1 incorporates a light source 2, an opening part 5 is provided at a desired position of the gatepost 1, and a longitudinal slit 3 is provided on a side face of the gatepost 1 and on the side where the gate door 9 is attached.例文帳に追加
門扉（９）が取り付けられる門柱（１）があって、この門柱（１）に光源（２）を内蔵するとともに、同門柱（１）の所望位置に開口部（５）を設け、さらに、同門柱（１）の側面で上記門扉（９）を取り付けている側に縦長のスリット（３）を設けた。 - 特許庁
After gate patterns are formed in the slit type openings, the trench mask patterns are removed and junction region openings for exposing the active regions are formed.例文帳に追加
スリット型開口部内にゲートパターンを形成した後に、トレンチマスクパターンを除去して活性領域を露出させる接合領域開口部を形成する。 - 特許庁
As viewed to a normal line direction of a face of the transparent insulating substrate, the source electrode 10 is formed with a slit 18 extending from the opposite side of the source electrode 10 opposite to the drain electrode 8 to a region which is not overlapped on the gate electrode 2'.例文帳に追加
ソース電極１０には、透明絶縁基板面の法線方向に見て、ドレイン電極８に対向するソース電極１０の対向辺からゲート電極２’に重ならない領域まで延びるスリット１８が形成されている。 - 特許庁
The digital counter 36 counts the number of detection of the slit of the rotation detecting disc 31 by a magnetic sensor 32 (number of steps) by the output signal from an AND gate 35.例文帳に追加
デジタルカウンタ３６は、磁気センサ３２が回転検出用円盤３１のスリットを検出した回数（ステップ数）をＡＮＤゲート３５からの出力信号によりカウントする。 - 特許庁
The T-FF circuit 29 is designed to function as determining means for determining whether a slit width which is a width of a low level between two clock pulses to be outputted from the OR gate circuit 28 is existing or not.例文帳に追加
Ｔ−ＦＦ回路２９は、ＯＲゲート回路２８から出力された２つのクロックパルス間のロウレベルの幅であるスリット幅が存在するか否かを判定する判定手段として機能する。 - 特許庁
When the undercut-shaped gate parts 24 are integrally molded to both ends of the runner part 23, the escape space 25 is formed to the runner part 23 as a slit.例文帳に追加
ランナー部２３の両端にそれぞれアンダーカット状のゲート部２４が一体成形される場合には、逃げ空間２５をスリットとしてランナー部２３に形成する。 - 特許庁
A gate for filling a cavity 31 with a molding material in a flowing state opens in the shape of an annular slit to the inside of the cavity 31.例文帳に追加
流動状態の成形材料をキャビティ３１内に充填するためのゲート３０は、キャビティ３１内に対して環形のスリット状に開口している。 - 特許庁
When this structure is two-dimensionally viewed, each slit S of common electrodes 21A and 21B of each pixel 1A and 1B adjacent to each other sandwiching the gate line GL is extended obliquely in reverse directions on the basis of the display signal line DL.例文帳に追加
この構造を平面的にみると、ゲート線ＧＬを挟んで隣接する各画素１Ａ，１Ｂの共通電極２１Ａ，２１Ｂの各スリットＳは、表示信号線ＤＬを基準として逆向きの傾斜を有して延在している。 - 特許庁
In addition, a part of the air present in the fourth runner 27 is discharged from the third slit 15 by the forward movement of the molten resin through the fourth runner 27 and the remaining air flows into a cavity 35 via a gate 7.例文帳に追加
溶融樹脂が第四ランナー２７を前進すると、ここに存在するエアーの一部が第三スリット１５から排出され、残余のエアーはゲート７を経てキャビティ３５へと流れ込む。 - 特許庁
The tracking scale 234 is composed of a track gage 241 providing the slit group 232 and opening 233 and a gate holder 242 for holding this track gage 241.例文帳に追加
上記トラッキング用スケール２３４は、上記スリット群２３２及び開口２３３を設けたトラックゲージ２４１と、該トラックゲージ２４１を保持するゲージホルダ２４２とで構成されている。 - 特許庁
The gate 2 of a disk device 3 is provided with an elastic first felt 6 having one line of slit 4 and a plurality of crossing slits 5, and a second felt 7 having elasticity weaker than that of the first felt 6 and at least one line of slit 4 formed to be fixed to the backside of the first felt 6.例文帳に追加
ディスク装置３のゲート２に、一条のスリット４と複数の交差スリット５が形成された弾性を有する第１フェルト６と、第１フェルト６よりも弱い弾性を有し少なくとも一条のスリット４が形成され前記第１フェルト６の背面に固着された第２フェルト７とを備える。 - 特許庁
This shift lever unit 1 has a guide rod 11 to be displaced interlocked with a shift lever 12, a hard gate plate 15 constituted to regulate the motion of the shift lever 12 by supporting the shift lever 12 by passing the guide rod 11 through a through slit type shift gate and at least more than two detection sensors 31 to detect a shift position.例文帳に追加
シフトレバーユニット１は、シフトレバー１２に連動して変位するガイドロッド１１と、貫通スリット状のシフトゲートにガイドロッド１１を貫通させて支持することでシフトレバー１２の動作を規制するように構成した強度ゲート板１５と、シフトポジションを検出するための少なくとも１個以上の検知センサ３１とを有している。 - 特許庁
A boron-doped polysilicon layer and a non-doped polysilicon layer are alternately laminated on a silicon substrate to form a laminated product, and the boron-doped polysilicon layer is divided into a plurality of gate electrodes 21 by forming a slit extending in X-direction.例文帳に追加
シリコン基板上にボロンドープドポリシリコン層とノンドープドポリシリコン層とを交互に積層させて積層体を形成し、Ｘ方向に延びるスリットを形成することにより、ボロンドープドポリシリコン層を複数本のゲート電極２１に分断する。 - 特許庁
A gate plate 1 connected to an air-pick 20 of a slide bed plate 5 is guided to a slit groove by remote control, and the grate section of the raw material charging chute is advanced in the direction of a blanking plate 11 to block the charging of the raw material from the raw material charging chute.例文帳に追加
遠隔操作にてスライドベットプレート５のエアーピック２０に接続されたゲート板１はスリット溝を案内されて原料投入シュートのロストル部をメクラ板１１方向に前進し、原料投入シュートからの原料投入を遮断する。 - 特許庁
A reinforcing wall 69H projects from the surrounding of gate type slit 69A for forming an engaging pawl 69 at a rear face wall part 64 of a first case 60, so that the whole of the rear face wall part 64 including the engaging pawl 69 is prevented from being deformed so as to be separated from a front face wall part 71.例文帳に追加
本発明によれば、第１ケース６０の後面壁部６４に係止爪６９を形成するための門形スリット６９Ａの周囲から補強壁６９Ｈが突出したので、係止爪６９を含む後面壁部６４全体が前面壁部７１から離れるように変形することが防がれる。 - 特許庁
To provide a knife gate valve preventing the consolidation of a solid matter in fluid such as slurry intruding into a slit and an annular space, properly keeping the adhesion of a knife plate and a seat ring, and improving the closing performance.例文帳に追加
スリット内並びに環状空間内に入り込んだスラリー等の流体中の固形分が圧密されることを防止し得、ナイフプレートとシートリングとの密着性を良好に保持し得、締切性能の向上を図り得るナイフゲート弁を提供する。 - 特許庁
In the light emitting transistor 11 of the vertical FET structure, a source electrode 13, a hole transport layer 14 with the slit form gate electrode 15 embedded, an equipotential layer 16, a luminescent layer 17, and a transparent or translucent drain electrode 18 are provided on a substrate 12 in this order.例文帳に追加
基板１２上に、ソース電極１３、スリット状のゲート電極１５が埋め込まれた正孔輸送層１４、等電位層１６、発光層１７、透明又は半透明のドレイン電極１８がこの順に設けられた縦型ＦＥＴ構造の発光トランジスタ１１により、上記課題を解決した。 - 特許庁
例文
The FFS mode liquid crystal display includes a transparent common electrode, a conductive reflection structure formed in a structure to be connected to the transparent common electrode, and a transparent pixel electrode of a slit type having a large number of slits above the structure, wherein the transparent common electrode is formed on a region including a data line and a gate line and has a structure of connecting unit pixel regions to one another.例文帳に追加
本発明によるＦＦＳモード液晶表示装置は、透明共通電極と、透明共通電極と接続される構造で形成された導電性反射構造物と、その上部に多数のスリットを有するスリットタイプよりなる透明画素電極とを備え、透明共通電極は、データラインとゲートラインの上部を含む領域に形成され、各単位画素領域が互いに連結される構造を有する。 - 特許庁